Лекция: Комбинированный интерфейс EVC

Для расширения частотного диапазона, и учитывая тенденцию к использованию последовательных шин USB и FireWire, для подключения ПУ к системному блоку компьютера VESA предложила новый тип разъема EVC (Enhanced Video Connector). Кроме обычного аналогового интерфейса RGB и канала DDC2 разъем EVC имеет контакты для видеовхода, входные и выходные стереоаудиосигналы, шины USB и FireWire, а также линии питания постоянного тока для зарядки аккумуляторов портативных ПК. Разъем имеет две секции: высокочастотную для присоединения четырех коаксиальных кабелей и низкочастотную на 30 контактов (рис. 3.7). Контакты высокочастотной секции, хотя и не являются коаксиальными, позволяют передавать сигналы с частотами до 2 ГГц. Контактом экранов является крестообразная перегородка. При использовании 75-омных коаксиальных кабелей на частоте 500 МГц гарантируется уровень отражений и перекрестных помех не выше 2%. Контакты C1, C2 и C4 используются для передачи цветовых сигналов R, G и B соответственно, контакт C3 служит для передачи синхросигнала пикселов. Низкочастотная секция описана в табл. 3.13. Разъем поделен на компактные зоны для каждой группы сигналов, правда, шины USB и 1394 используют общий контакт для экрана. Назначение контактов видеовхода (S-Video или композитный, PAL или NTSC) может программироваться по каналу DDC2.

Вопрос 19(Динамическая память. Принцип функционирования SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM. Основные параметры.)

DRAM— тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом; DRAM широко используемая в качестве оперативной памяти современных компьютеров, а также в качестве постоянного хранилища информации в системах, требовательных к задержкам.

Физически DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале, в каждой из которых можно хранить определённый объём данных, строку от 1 до 4 бит. Совокупность ячеек такой памяти образуют условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.

Как запоминающее устройство, DRAM представляет собой модуль памяти различных конструктивов, состоящий из электрической платы, на которой расположены микросхемы памяти и разъёма, необходимого для подключения модуля к материнской плате.

Ядро микросхемы статической оперативной памяти (SRAM — Static Random Access Memory) представляет собой совокупность триггеров — логических устройств, имеющих два устойчивых состояния, одно из которых условно соответствует логическому нулю, а другое — логической единице. Другими словами, каждый триггер хранит один бит информации, — ровно столько же, сколько и ячейка динамической памяти (см. статью «Устройство и принципы функционирования оперативной памяти. В ядре»).

Между тем, триггер как минимум по двум позициям обыгрывает конденсатор: а) состояния триггера устойчивы и при наличии питания могут сохраняться бесконечно долго, в то время как конденсатор требует периодической регенерации; б) триггер, обладая мизерной инертностью, без проблем работает на частотах вплоть до нескольких ГГц, тогда как конденсаторы «сваливаются» уже на 75-100 МГц.

К недостаткам триггеров следует отнести их высокую стоимость и низкую плотность хранения информации. Если для создания ячейки динамической памяти достаточного всего одного транзистора и одного конденсатора, то ячейка статической памяти состоит как минимум из четырех, а в среднем шести — восьми транзисторов, поэтому мегабайт статической памяти оказывается по меньшей мере в несколько раз дороже.