Лекция: ДИНАМИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ДАННЫХ. СВЯЗНЫЕ СПИСКИ
Рассмотрим двухтактный усилитель мощности на биполярных транзисторах различного типа проводимости
(комплементарный эмиттерный повторитель, усилитель с дополнительной симметрией) (рис. 2.45), Транзисторы усилителя работают в режиме класса В. При поступлении
на вход усилителя положительной полуволны напряжения
ивх транзистор Т1работает в режиме усиления, а транзис-
тор Т2 — в режиме отсечки. При поступлении отрицатель-
ной полуволны транзисторы меняются ролями. Так как
напряжение между базой и эмиттером открытого транзи-
стора мало (около 0,7 В), напряжение ивых близко к напря-
жению ивх. Однако выходное напряжение оказывается
искаженным из-за влияния нелинейностей входных xa-
рактеристик транзисторов. Для рассматриваемого усилии-
теля максимально возможная амплитуда напряжения на
нагрузке Umравна Е. Поэтому максимально возможная
мощность нагрузки определяется выражением 1
Можно показать, что при максимальной мощности нагрузки усилитель потребляет от источников питания мощность, определяемую выражением
Отсюда получаем максимально возможный коэффициент полезного действия усилителя
Для уменьшения нелинейных искажений обеспечивают некоторое начальное смещение на входах транзисторов и тем самым переводят их в режим класса АВ (рис. 2.46). При этом коэффициент полезного действия несколько уменьшается.
Рассмотрим двухтактный усилитель мощности с операционным усилителем (рис. 2.47). В схеме использована общая отрицательная обратная связь (резисторы R1и R2), охватывающая оба каскада (на операционном усилителе и на биполярных транзисторах), благодаря которой схема создает настолько малые нелинейные искажения, что ча-
сто не требует дополнительных цепей смещения для каскада на транзисторах Т1и Т2. Поскольку напряжение на нагрузке RHпримерно равно напряжению на выходе ОУ, то мощность на выходе всего усилителя ограничивается выходным напряжением ОУ.
ДИНАМИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ДАННЫХ. СВЯЗНЫЕ СПИСКИ