Лекция: Бар’єрна ємність.

Бар’єрна ємність, як і будь яка ємність площинного конденсатора, може бути подана у вигляді

(***)

де − ємність різкого переходу при Uзв = 0;

ε – відносна діелектрична проникненість р-n-переходу;

εо – діелектрична проникненість вакууму;

S – площа р-n-переходу.

Бар’єрна ємність буде тим більшою,

— чим більше концентрація рухомих носіїв заряду на межі області об’ємного заряду (отже, чим тонший шар області об’ємного заряду),

— і чим менше напруга на переході.

З виразу (***) видно, що з збільшенням прикладеної зворотної напруги бар’єрна ємність зменшується. Це відбувається тому, що збільшується ширина δ р-n-переходу.

Залежність Сбар = ƒ(U) називають вольт-фарадною характеристикою (див. рис. 1).