Реферат: Исследование биполярного транзистора

/>Лабораторная работа 1

 

Тема: "Исследование биполярноготранзистора"

Цель: Получение входных ивыходных характеристик транзистора.

Приборы иэлементы: Биполярныйтранзистор 2N3904,источник постоянной ЭДС, источник переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф,резисторы.

Ход работы:

1. Получениевыходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) В схеме (рис. 1)провели измерения тока коллектора IК для каждого значения ЕК и ЕБи заполнили таблицу 1 в разделе «Результаты экспериментов». По данным таблицыпостроили график зависимости IК от Ек.

б) Построилисхему, изображенную на рис. 2. Включили схему. Зарисовали осциллограммувыходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов».Повторили измерения для каждого значения ЕБ из таблицы 1.Осциллограммывыходныххарактеристик для разных токов базы зарисовали в разделе «Результатыэкспериментов» на одном графике.

/>

Рисунок 1. –Схема биполярного транзистора с ОЭ

в) Повыходной характеристике нашли коэффициент передачи тока рас при изменениибазового тока с 10 µА до 30 µА, Ек = 10 В. – Результат записалив раздел «Результаты экспериментов».

Таблица 1. –Результаты экспериментов

Ek Eb Ib(mkA) 0,1 0,5 1 5 10 20 1,66 9.245 0,783 1,604 1,622 1,673 1,749 1,901 2,68 19.23 1,656 3,453 3,469 3,595 3,753 4,069 3,68 29.11 2,479 5,209 5,233 5,422 5,657 6,129 4,68 39.02 3,269 6,903 6,934 7,182 7,493 8,115 5,7 49.15 4,042 8,656 8,606 8,914 9,29 10,07

/>

Рисунок 2. –График зависимости тока от напряжения

2. Получениевходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) На схеме (рис. 1)установили значение напряжения источника Ек равным 10 В и провелиизмерения тока базы iБ, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ для различных значенийнапряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе «Результатыэкспериментов». Обратили внимание, что коллекторный ток примерно равен току вцепи эмиттера.

б) В разделе «Результатыэкспериментов» по данным таблицы 2 построили график зависимости тока базы отнапряжения база-эмиттер.

в) Построилисхему, изображенную на рис 3. Включили схему. Зарисовали входную характеристикутранзистора, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов»

/>

Рисунок 3. –Схема биполярного транзистора с ОЭ.

г) По входнойхарактеристике нашли сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА Результатзаписали в раздел «Результаты экспериментов».

/>

Рисунок 4. –Показания осциллографа

Таблица 2. –Результаты экспериментов

Eб 1,66 2,68 3,68 4,68 5,7 Iб 9,245 19,23 29,11 39,02 49,15 Uбэ 735,5 757,1 769,3 778,2 785,3 Ik 1,749 3,753 5,657 7,493 9,299

/>

Рисунок 5. –График зависимости тока от напряжения

/>

Рисунок 6. –Схема биполярного транзистора с ОЭ

/>

Рисунок 7. –Показания осциллографа