Реферат: Халькогеніди свинцю і сполуки на їх основі

--PAGE_BREAK--Для визначення констант рівноваги реакцій (ІІI – V) скористалися зонною теорією для невироджених напівпровідників. Константи рівноваги реакцій іонізації дефектів визначали згідно [3] за формулами:
<shape id="_x0000_i1073" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image091.wmz» o:><img width=«152» height=«24» src=«dopb134332.zip» v:shapes="_x0000_i1073">,
(2.4)
<shape id="_x0000_i1074" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image093.wmz» o:><img width=«153» height=«24» src=«dopb134333.zip» v:shapes="_x0000_i1074">,
(2.5)
де Еd, Ea — енергії іонізації донорних і акцепторних точкових дефектів, які близькі до нуля (0,01 еВ). Густини станів в дозволених зонах Nc i Nv можна розрахувати за формулами :      
<shape id="_x0000_i1075" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image095.wmz» o:><img width=«189» height=«25» src=«dopb134334.zip» v:shapes="_x0000_i1075">,
(2.6)
<shape id="_x0000_i1076" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image097.wmz» o:><img width=«193» height=«25» src=«dopb134335.zip» v:shapes="_x0000_i1076">.
(2.7)
Тут <shape id="_x0000_i1077" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image099.wmz» o:><img width=«315» height=«27» src=«dopb134336.zip» v:shapes="_x0000_i1077">.
де K=12, mc(0) — маса електрона в зоні провідності, mv(0) — маса дірки в валентній зоні, m0 — маса вільного електрона, Eg — ширина забороненої зони [4]:
<shape id="_x0000_i1078" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image101.wmz» o:><img width=«164» height=«27» src=«dopb134337.zip» v:shapes="_x0000_i1078">.
(2.8)
Константа рівноваги власної провідності дорівнює [3]:
<shape id="_x0000_i1079" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image103.wmz» o:><img width=«176» height=«25» src=«dopb134338.zip» v:shapes="_x0000_i1079">.
(2.9)
Значення КF, <shape id="_x0000_i1080" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image105.wmz» o:><img width=«42» height=«26» src=«dopb134339.zip» v:shapes="_x0000_i1080"> знайшли, апроксимуючи експериментальні залежності концентрації носіїв струму від тиску сірки (рис.1) виразом (3). Одержані значення знайдених констант наведено у таблиці. Використовуючи знайдені константи, побудували залежності концентрації дефектів (міжвузлових атомів свинцю <shape id="_x0000_i1081" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image107.wmz» o:><img width=«48» height=«24» src=«dopb134340.zip» v:shapes="_x0000_i1081"> вакансій свинцю <shape id="_x0000_i1082" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image109.wmz» o:><img width=«35» height=«25» src=«dopb134341.zip» v:shapes="_x0000_i1082">) та концентрації носіїв струму n(p) від температури відпалу та парціального тиску пари сірки, які зображено на рис.2.2-5.2
<imagedata src=«29899.files/image111.wmz» o:><img width=«323» height=«204» src=«dopb134342.zip» hspace=«19» v:shapes="_x0000_s1027">
Рис.2.3. Залежність розрахованих значень концентрації носіїв струму (1–n(p)), міжвузлових атомів свинцю (2–<shape id="_x0000_i1083" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image113.wmz» o:><img width=«40» height=«24» src=«dopb134343.zip» v:shapes="_x0000_i1083">) та вакансій свинцю (3-<shape id="_x0000_i1084" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image115.wmz» o:><img width=«37» height=«25» src=«dopb134344.zip» v:shapes="_x0000_i1084">) в кристалах PbS від температури відпалу (<shape id="_x0000_i1085" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image117.wmz» o:><img width=«67» height=«27» src=«dopb134345.zip» v:shapes="_x0000_i1085"> Па).
2.3. Обговорення результатів
При відпалі кристалів PbS у парі сірки змінюється як концентрація, так і вид дефектів (рис.2–5). Так, зокрема, результати теретичного аналізу вказують на те, що збільшення парціального тиску сірки (рис. 2.1), як і зменшення температури відпалу (рис. 3.5), зумовлюють
<imagedata src=«29899.files/image119.wmz» o:><img width=«345» height=«261» src=«dopb134346.zip» hspace=«19» v:shapes="_x0000_s1028">
Рис. 2.4. Залежність концентрації носіїв струму PbS від парціального тиску сірки (суцільна лінія-  розрахунок згідно (3.3) з використанням знайдених значень констант рівноваги, точки – експеримент) при температурі відпалу Т, К: 1-1000, 2-1100, 3-1200.
<imagedata src=«29899.files/image121.jpg» o:><img width=«302» height=«302» src=«dopb134347.zip» v:shapes="_x0000_i1086">
Рис.2.5. Залежність розрахованих згідно (3.3) значень концентрації носіїв струму PbS з використанням знайдених значень констант рівноваги від температури відпалу при парціальному тиску сірки <shape id="_x0000_i1087" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image123.wmz» o:><img width=«23» height=«25» src=«dopb134348.zip» v:shapes="_x0000_i1087">, Па: 1 — 10-4, 2 — 10-2, 3 — 1.
топологічно ідентичні зміни. Для випадку збільшення парціального тиску сірки спостерігається зменшення концентрації електронів, конверсія провідності з n–на p–тип (термодинамічний n–p–перехід) і подальше зростання концентрації дірок. А у випадку підвищення температури відпалу спочатку відбувається спадання концентрації дірок, аж до моменту настання n–p–переходу, а потім зростання концентрації електронів (рис. 3,5). При цьому в області малих тисків концентрація визначається міжвузловими атомами свинцю (n = <shape id="_x0000_i1088" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image125.wmz» o:><img width=«47» height=«29» src=«dopb134349.zip» v:shapes="_x0000_i1088">), а в області високих тисків – концентрацією вакансій свинцю (p = <shape id="_x0000_i1089" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image127.wmz» o:><img width=«44» height=«29» src=«dopb134350.zip» v:shapes="_x0000_i1089">) (рис.2.2).

3.Розрахунок констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення
власних атомних дефектів у халькогенідах свинцю на основі
експериментальних даних про границі області гомогенності
3.1 Квазіхімічне моделювання
Таблиця 3.1 Реакції та константи рівноваги К=К0exp (–DH/kT) утворення переважаючих атомних дефектів у халькогенідах свинцю PbS
Припускалося, що в халькогенідах свинцю переважаючим є дефектоутворення у катіоній підгратці за механізмом Френкеля. Згідно [6], процес дефектоутворення в PbS можна описати системою квазіхімічних реакцій (таблиця 3.1). Тут реакція (1) описує утворення пари Френкеля, (2)-(3) – іонізацію утворених дефектів, (4) – збудження власної провідності. Реакція (5) описує проникнення атомів халькогену з парової фази у кристал з утворенням нейтральної <shape id="_x0000_i1101" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image151.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb134362.zip» v:shapes="_x0000_i1101"> металічної вакансії, а (6) – рівняння повної електронейтральності.
Границі області гомогенності халькогенідів свинцю для надлишку атомів свинцю і халькогену можна розрахувати за формулами[11]:
<shape id="_x0000_i1102" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image153.wmz» o:><img width=«220» height=«32» src=«dopb134363.zip» v:shapes="_x0000_i1102">
<shape id="_x0000_i1103" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image155.wmz» o:><img width=«188» height=«32» src=«dopb134364.zip» v:shapes="_x0000_i1103">
(3.1)
де К – константи відповідних квазіхімічних реакцій (див. таблицю 3.1).
<shape id="_x0000_i1104" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image157.wmz» o:><img width=«23» height=«25» src=«dopb134365.zip» v:shapes="_x0000_i1104">– парціальний тиск пари сірки, що відповідає трифазовій рівновазі тверде тіло – рідина – газ в системі свинець — сірка.
Вирази (3.1) дозволяють розрахувати границі області гомогенності якщо відомі константи Ka, Kb, Ki, КF, <shape id="_x0000_i1105" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image159.wmz» o:><img width=«36» height=«25» src=«dopb134366.zip» v:shapes="_x0000_i1105">. Навпаки, якщо границі області гомогенності відомі з експерименту, то можна визначити константи рівноваги реакцій утворення власних атомних дефектів. Проте, ця задача є досить складною. Для її спрощення константи Ka, Kb, Ki розраховували теоретично, використовуючи зонну теорію невироджених напівпровідників. Константи рівноваги реакцій іонізації дефектів визначали за формулами:
<shape id="_x0000_i1106" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image161.wmz» o:><img width=«132» height=«20» src=«dopb134367.zip» v:shapes="_x0000_i1106">
(3.2)
<shape id="_x0000_i1107" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image163.wmz» o:><img width=«133» height=«20» src=«dopb134368.zip» v:shapes="_x0000_i1107">
(3.3)
  Таблиця 3.2 Значення параметрів, які використовувались при розрахунках констант Ka, Kb, Ki [1,2,15]
де Еd, Ea — енергії іонізації донорних і акцепторних точкових дефектів, які брали рівними 0,01 еВ. Густини станів в дозволених зонах Nc i Nv можна розрахувати за формулами :      
Nc  = 2(2p<shape id="_x0000_i1110" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image169.wmz» o:><img width=«21» height=«25» src=«dopb134371.zip» v:shapes="_x0000_i1110">kT/h2)3/2
(3.4)
Nv  = 2(2p<shape id="_x0000_i1111" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image171.wmz» o:><img width=«21» height=«25» src=«dopb134372.zip» v:shapes="_x0000_i1111">kT/h2)3/2
(3.5)
де <shape id="_x0000_i1112" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image173.wmz» o:><img width=«21» height=«23» src=«dopb134373.zip» v:shapes="_x0000_i1112">, <shape id="_x0000_i1113" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image175.wmz» o:><img width=«23» height=«23» src=«dopb134374.zip» v:shapes="_x0000_i1113">-ефективна маса електрона в зоні провідності і дірки в валентній зоні відповідно, m0  - маса вільного електрона.
<shape id="_x0000_i1114" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image177.wmz» o:><img width=«314» height=«224» src=«dopb134375.zip» v:shapes="_x0000_i1114">
Рис. 3.1. Область гомогенності  PbS  [2]
Температурну залежність ефективної маси густини станів для електронів і легких дірок визначали за формулою
<shape id="_x0000_i1115" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image179.wmz» o:><img width=«208» height=«27» src=«dopb134376.zip» v:shapes="_x0000_i1115">
(3.6)
де <shape id="_x0000_i1116" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image181.wmz» o:><img width=«73» height=«24» src=«dopb134377.zip» v:shapes="_x0000_i1116">;  gc = gv = 4
Вважали, що ефективна маса важких дірок не залежить від температури.
Значення параметрів, які використовувались при розрахунках наведені в таблиці 3.2.
Константу рівноваги реакції збудження власної провідності одержимо з виразу
Ki = NcNv×exp(–Eg/kT).
(3.7)
де Eg — ширина забороненої зони.

Таблиця 3.3
Константи рівноваги К = К0exp (–DH/kT) утворення атомних дефектів у халькогенідах свинцю PbS
*) – легкі дірки;
**) – важкі дірки.
На відміну від більшості напівпровідників в халькогенідів свинцю ширина забороненої зони в області низьких температур лінійно зростає, а при температурах вищих 500 К лінійність температурної залежності порушується і ширина забороненої зони прямує до сталого значення (таблиця 3.2).
Отримавши таким чином константи Ka, Kb, Ki, значення констант КF, <shape id="_x0000_i1118" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image159.wmz» o:><img width=«36» height=«25» src=«dopb134366.zip» v:shapes="_x0000_i1118"> знайшли апроксимуючи експериментальні залежності границь області гомогенності від температури (рис. 3.1) виразами (3.1). Результати оцінки <shape id="_x0000_i1119" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«29899.files/image185.wmz» o:><img width=«57» height=«24» src=«dopb134379.zip» v:shapes="_x0000_i1119"> наведені в таблиці 3.3.

4. Залежність властивостей плівок <shape id="_x0000_i1120" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image001.wmz» o:><img width=«33» height=«19» src=«dopb134290.zip» v:shapes="_x0000_i1120">від термодинамічних
параметрів
Модель <shape id="_x0000_i1121" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image187.wmz» o:><img width=«84» height=«27» src=«dopb134380.zip» v:shapes="_x0000_i1121">
Таблиця 4.1.
<shape id="_x0000_i1133" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image189.wmz» o:><img width=«217» height=«51» src=«dopb134381.zip» v:shapes="_x0000_i1133">
(4.1)
<shape id="_x0000_i1134" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image191.wmz» o:><img width=«325» height=«61» src=«dopb134382.zip» v:shapes="_x0000_i1134">
<shape id="_x0000_i1135" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image193.wmz» o:><img width=«339» height=«61» src=«dopb134383.zip» v:shapes="_x0000_i1135">
(4.2)
<shapetype id="_x0000_t202" coordsize=«21600,21600» o:spt=«202» path=«m,l,21600r21600,l21600,xe»><path gradientshapeok=«t» o:connecttype=«rect»>    <imagedata src=«29899.files/image199.emz» o:><img width=«225» height=«208» src=«dopb134386.zip» v:shapes="_x0000_i1136"> 
Рис.4.1 Ізотерми концентрації носів заряду <shape id="_x0000_i1137" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image201.wmz» o:><img width=«21» height=«24» src=«dopb134387.zip» v:shapes="_x0000_i1137">в плівках <shape id="_x0000_i1138" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image001.wmz» o:><img width=«33» height=«19» src=«dopb134290.zip» v:shapes="_x0000_i1138">,<shape id="_x0000_i1139" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image203.wmz» o:><img width=«207» height=«21» src=«dopb134388.zip» v:shapes="_x0000_i1139">
    <imagedata src=«29899.files/image207.emz» o:><img width=«277» height=«246» src=«dopb134390.zip» v:shapes="_x0000_i1140"> 
Рис.4.2. Ізобари концентрації носів заряду <shape id="_x0000_i1141" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image201.wmz» o:><img width=«21» height=«24» src=«dopb134387.zip» v:shapes="_x0000_i1141">в плівках <shape id="_x0000_i1142" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image001.wmz» o:><img width=«33» height=«19» src=«dopb134290.zip» v:shapes="_x0000_i1142">,<shape id="_x0000_i1143" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image209.wmz» o:><img width=«183» height=«21» src=«dopb134391.zip» v:shapes="_x0000_i1143">
    <imagedata src=«29899.files/image213.emz» o:><img width=«269» height=«238» src=«dopb134393.zip» v:shapes="_x0000_i1144">
Рис.4.3. Залежність тиску інверсії від температури
    <imagedata src=«29899.files/image215.emz» o:><img width=«286» height=«254» src=«dopb134394.zip» v:shapes="_x0000_i1145">
Рис.4.4. Залежність температури інверсії від тиску
    <imagedata src=«29899.files/image218.emz» o:><img width=«286» height=«254» src=«dopb134396.zip» v:shapes="_x0000_i1146">
Рис.4.5. P-Т- проекція системи Pb-S
Модель <shape id="_x0000_i1147" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image220.wmz» o:><img width=«92» height=«27» src=«dopb134397.zip» v:shapes="_x0000_i1147">
Таблиця 4.2.
<shape id="_x0000_i1161" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image228.wmz» o:><img width=«228» height=«51» src=«dopb134401.zip» v:shapes="_x0000_i1161">
(4.3)
    <imagedata src=«29899.files/image230.emz» o:><img width=«277» height=«246» src=«dopb134402.zip» v:shapes="_x0000_i1162">
Рис.4.6. Ізотерми концентрації носів заряду <shape id="_x0000_i1163" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image201.wmz» o:><img width=«21» height=«24» src=«dopb134387.zip» v:shapes="_x0000_i1163">в плівках <shape id="_x0000_i1164" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image001.wmz» o:><img width=«33» height=«19» src=«dopb134290.zip» v:shapes="_x0000_i1164">, <shape id="_x0000_i1165" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image203.wmz» o:><img width=«207» height=«21» src=«dopb134388.zip» v:shapes="_x0000_i1165">
    <imagedata src=«29899.files/image233.emz» o:><img width=«277» height=«246» src=«dopb134404.zip» v:shapes="_x0000_i1166"> 
Рис.4.7. Залежність тиску інверсії від температури
    <imagedata src=«29899.files/image235.emz» o:><img width=«269» height=«238» src=«dopb134405.zip» v:shapes="_x0000_i1167">
Рис.4.8. Залежність температури інверсії від тиску
    <imagedata src=«29899.files/image237.emz» o:><img width=«269» height=«238» src=«dopb134406.zip» v:shapes="_x0000_i1168">
Рис.4.9. P-Т- проекція системи Pb-S
Модель <shape id="_x0000_i1169" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image239.wmz» o:><img width=«97» height=«27» src=«dopb134407.zip» v:shapes="_x0000_i1169">
Таблиця 4.3.
<shape id="_x0000_i1183" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image247.wmz» o:><img width=«225» height=«51» src=«dopb134411.zip» v:shapes="_x0000_i1183">
(4.4.)
    <imagedata src=«29899.files/image249.emz» o:><img width=«277» height=«246» src=«dopb134412.zip» v:shapes="_x0000_i1184">
Рис.4.10. Ізотерми концентрації носів заряду <shape id="_x0000_i1185" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image201.wmz» o:><img width=«21» height=«24» src=«dopb134387.zip» v:shapes="_x0000_i1185">в плівках <shape id="_x0000_i1186" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image001.wmz» o:><img width=«33» height=«19» src=«dopb134290.zip» v:shapes="_x0000_i1186">, <shape id="_x0000_i1187" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image203.wmz» o:><img width=«207» height=«21» src=«dopb134388.zip» v:shapes="_x0000_i1187">
    <imagedata src=«29899.files/image251.emz» o:><img width=«234» height=«208» src=«dopb134413.zip» v:shapes="_x0000_i1188">
Рис.4.11. Залежність тиску інверсії від температури
    <imagedata src=«29899.files/image253.emz» o:><img width=«286» height=«254» src=«dopb134414.zip» v:shapes="_x0000_i1189"> 
Рис.4.12. Залежність температури інверсії від тиску
    <imagedata src=«29899.files/image255.emz» o:><img width=«243» height=«215» src=«dopb134415.zip» v:shapes="_x0000_i1190">
Рис.4.13. P-Т — проекція системи Pb-S
Модель <shape id="_x0000_i1191" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image257.wmz» o:><img width=«108» height=«27» src=«dopb134416.zip» v:shapes="_x0000_i1191">
Таблиця 4.4.
<shape id="_x0000_i1207" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image261.wmz» o:><img width=«236» height=«51» src=«dopb134418.zip» v:shapes="_x0000_i1207">
(4.5)
<shape id="_x0000_i1208" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image263.wmz» o:><img width=«329» height=«61» src=«dopb134419.zip» v:shapes="_x0000_i1208">
<shape id="_x0000_i1209" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image265.wmz» o:><img width=«343» height=«61» src=«dopb134420.zip» v:shapes="_x0000_i1209">
(4.6)
    <imagedata src=«29899.files/image267.emz» o:><img width=«277» height=«246» src=«dopb134421.zip» v:shapes="_x0000_i1210">
Рис.4.14. Ізотерми концентрації носів заряду <shape id="_x0000_i1211" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image201.wmz» o:><img width=«21» height=«24» src=«dopb134387.zip» v:shapes="_x0000_i1211">в плівках <shape id="_x0000_i1212" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image001.wmz» o:><img width=«33» height=«19» src=«dopb134290.zip» v:shapes="_x0000_i1212">, <shape id="_x0000_i1213" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image203.wmz» o:><img width=«207» height=«21» src=«dopb134388.zip» v:shapes="_x0000_i1213">
    <imagedata src=«29899.files/image269.emz» o:><img width=«251» height=«223» src=«dopb134422.zip» v:shapes="_x0000_i1214"> 
Рис.4.15. Ізобари концентрації носів заряду <shape id="_x0000_i1215" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image201.wmz» o:><img width=«21» height=«24» src=«dopb134387.zip» v:shapes="_x0000_i1215">в плівках <shape id="_x0000_i1216" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image001.wmz» o:><img width=«33» height=«19» src=«dopb134290.zip» v:shapes="_x0000_i1216">,<shape id="_x0000_i1217" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image209.wmz» o:><img width=«183» height=«21» src=«dopb134391.zip» v:shapes="_x0000_i1217">
    <imagedata src=«29899.files/image271.emz» o:><img width=«260» height=«231» src=«dopb134423.zip» v:shapes="_x0000_i1218">
Рис.4.16. Залежність тиску інверсії від температури
    <imagedata src=«29899.files/image273.emz» o:><img width=«225» height=«200» src=«dopb134424.zip» v:shapes="_x0000_i1219">
Рис.4.17. Залежність температури інверсії від тиску
    <imagedata src=«29899.files/image275.emz» o:><img width=«243» height=«215» src=«dopb134425.zip» v:shapes="_x0000_i1220"> 
Рис.4.18. P-Т — проекція системи Pb-S
Модель <shape id="_x0000_i1221" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«29899.files/image277.wmz» o:><img width=«192» height=«27» src=«dopb134426.zip» v:shapes="_x0000_i1221">
Таблиця 4.5.
    продолжение
--PAGE_BREAK--