Реферат: Проектирование аналоговых устройств

--PAGE_BREAK--при <shape id="_x0000_i1127" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image161.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb1774.zip» v:shapes="_x0000_i1127"> в миллиамперах <shape id="_x0000_i1128" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image163.wmz» o:><img width=«15» height=«25» src=«dopb1775.zip» v:shapes="_x0000_i1128"> получается в омах;
         ¨ <shape id="_x0000_i1129" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image165.wmz» o:><img width=«141» height=«29» src=«dopb1776.zip» v:shapes="_x0000_i1129">,
где <shape id="_x0000_i1130" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image167.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1769.zip» v:shapes="_x0000_i1130"> - граничная частота усиления по току транзистора с ОЭ, <shape id="_x0000_i1131" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image168.wmz» o:><img width=«121» height=«28» src=«dopb1777.zip» v:shapes="_x0000_i1131"> ;
         ¨ <shape id="_x0000_i1132" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image170.wmz» o:><img width=«309» height=«25» src=«dopb1778.zip» v:shapes="_x0000_i1132">,
где <shape id="_x0000_i1133" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image172.wmz» o:><img width=«40» height=«25» src=«dopb1779.zip» v:shapes="_x0000_i1133"> - низкочастотное значение коэффициента передачи по току транзистора с ОЭ.
¨ Dr =(0,5…1,5) Ом;
         Таким образом, параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора полностью определяются справочными данными <shape id="_x0000_i1134" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image174.wmz» o:><img width=«264» height=«28» src=«dopb1780.zip» v:shapes="_x0000_i1134"> и режимом работы.
Следует учитывать известную зависимость <shape id="_x0000_i1135" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image176.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1781.zip» v:shapes="_x0000_i1135"> от напряжения коллектор -эмиттер <shape id="_x0000_i1136" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image178.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1782.zip» v:shapes="_x0000_i1136">:
<shape id="_x0000_i1137" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image180.wmz» o:><img width=«297» height=«33» src=«dopb1783.zip» v:shapes="_x0000_i1137">.
По параметрам эквивалентной схемы БТ определим его низкочастотные значения входной проводимости g и крутизны <shape id="_x0000_i1138" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image182.wmz» o:><img width=«24» height=«29» src=«dopb1784.zip» v:shapes="_x0000_i1138">:
 <shape id="_x0000_i1139" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image184.wmz» o:><img width=«241» height=«59» src=«dopb1785.zip» v:shapes="_x0000_i1139">,
<shape id="_x0000_i1140" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image186.wmz» o:><img width=«108» height=«29» src=«dopb1786.zip» v:shapes="_x0000_i1140">.
         4.4 Расчет цепей питания и термостабилизации
        
Наиболее широкое распространение получила схема эмиттерной термостабилизации (см. рис.4.1). Проведем расчет этой схемы.
         Определим потенциал в точке  а :
 <shape id="_x0000_i1141" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image188.wmz» o:><img width=«132» height=«28» src=«dopb1787.zip» v:shapes="_x0000_i1141">,
где  <shape id="_x0000_i1142" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image021.wmz» o:><img width=«16» height=«33» src=«dopb1707.zip» v:shapes="_x0000_i1142"><shape id="_x0000_i1143" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image190.wmz» o:><img width=«38» height=«28» src=«dopb1788.zip» v:shapes="_x0000_i1143">   -    напряжение база-эмиттер в рабочей точке, <shape id="_x0000_i1144" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image192.wmz» o:><img width=«38» height=«28» src=«dopb1788.zip» v:shapes="_x0000_i1144">=(0,6...0,9)В (для кремниевых транзисторов).
         Зададимся током делителя, образованного резисторами R<shape id="_x0000_i1145" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image193.wmz» o:><img width=«19» height=«33» src=«dopb1789.zip» v:shapes="_x0000_i1145"> и R<shape id="_x0000_i1146" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image195.wmz» o:><img width=«19» height=«33» src=«dopb1790.zip» v:shapes="_x0000_i1146"> :
<shape id="_x0000_i1147" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image197.wmz» o:><img width=«117» height=«26» src=«dopb1791.zip» v:shapes="_x0000_i1147"> ,
где         <shape id="_x0000_i1148" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image199.wmz» o:><img width=«28» height=«28» src=«dopb1792.zip» v:shapes="_x0000_i1148"><shape id="_x0000_i1149" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image021.wmz» o:><img width=«16» height=«33» src=«dopb1707.zip» v:shapes="_x0000_i1149"> -        ток  базы  в рабочей точке, <shape id="_x0000_i1150" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image201.wmz» o:><img width=«128» height=«26» src=«dopb1793.zip» v:shapes="_x0000_i1150"> .
         Определим номиналы резисторов  R<shape id="_x0000_i1151" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image203.wmz» o:><img width=«12» height=«33» src=«dopb1743.zip» v:shapes="_x0000_i1151">, R<shape id="_x0000_i1152" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image193.wmz» o:><img width=«19» height=«33» src=«dopb1789.zip» v:shapes="_x0000_i1152"> и R<shape id="_x0000_i1153" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image195.wmz» o:><img width=«19» height=«33» src=«dopb1790.zip» v:shapes="_x0000_i1153"> :
<shape id="_x0000_i1154" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image204.wmz» o:><img width=«107» height=«50» src=«dopb1794.zip» v:shapes="_x0000_i1154"> ,
<shape id="_x0000_i1155" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image206.wmz» o:><img width=«97» height=«26» src=«dopb1795.zip» v:shapes="_x0000_i1155">,
<shape id="_x0000_i1156" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image208.wmz» o:><img width=«113» height=«52» src=«dopb1796.zip» v:shapes="_x0000_i1156"> .
         Оценим результирующий уход тока покоя транзистора в заданном<shape id="_x0000_i1157" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image210.wmz» o:><img width=«15» height=«28» src=«dopb1749.zip» v:shapes="_x0000_i1157">диапазоне температуры окружающей среды. Определим приращение тока коллектора, вызванного тепловым смещением проходных характеристик:
<shape id="_x0000_i1158" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image211.wmz» o:><img width=«152» height=«29» src=«dopb1797.zip» v:shapes="_x0000_i1158"> ,
где         <shape id="_x0000_i1159" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image213.wmz» o:><img width=«51» height=«29» src=«dopb1798.zip» v:shapes="_x0000_i1159">      -   приращение напряжения <shape id="_x0000_i1160" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image215.wmz» o:><img width=«40» height=«29» src=«dopb1799.zip» v:shapes="_x0000_i1160">, равное:
<shape id="_x0000_i1161" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image217.wmz» o:><img width=«72» height=«28» src=«dopb1800.zip» v:shapes="_x0000_i1161">|e<shape id="_x0000_i1162" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image219.wmz» o:><img width=«15» height=«28» src=«dopb1801.zip» v:shapes="_x0000_i1162">|<shape id="_x0000_i1163" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image221.wmz» o:><img width=«37» height=«20» src=«dopb1802.zip» v:shapes="_x0000_i1163">,<shape id="_x0000_i1164" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image210.wmz» o:><img width=«30» height=«28» src=«dopb1803.zip» v:shapes="_x0000_i1164">
где          e<shape id="_x0000_i1165" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image224.wmz» o:><img width=«15» height=«28» src=«dopb1804.zip» v:shapes="_x0000_i1165">   -    температурный коэффициент напряжения (ТКН),
 e<shape id="_x0000_i1166" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image224.wmz» o:><img width=«15» height=«28» src=«dopb1804.zip» v:shapes="_x0000_i1166"><shape id="_x0000_i1167" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image226.wmz» o:><img width=«17» height=«12» src=«dopb1805.zip» v:shapes="_x0000_i1167">-3мВ/град,  <shape id="_x0000_i1168" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image228.wmz» o:><img width=«19» height=«20» src=«dopb1806.zip» v:shapes="_x0000_i1168">Т — разность между температурой коллекторного перехода Т<shape id="_x0000_i1169" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image230.wmz» o:><img width=«25» height=«32» src=«dopb1807.zip» v:shapes="_x0000_i1169"> и справочным значением этой температуры Т<shape id="_x0000_i1170" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image232.wmz» o:><img width=«31» height=«32» src=«dopb1808.zip» v:shapes="_x0000_i1170">(обычно 25<shape id="_x0000_i1171" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image234.wmz» o:><img width=«12» height=«25» src=«dopb1809.zip» v:shapes="_x0000_i1171">C):
<shape id="_x0000_i1172" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image236.wmz» o:><img width=«148» height=«32» src=«dopb1810.zip» v:shapes="_x0000_i1172">,
<shape id="_x0000_i1173" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image238.wmz» o:><img width=«164» height=«32» src=«dopb1811.zip» v:shapes="_x0000_i1173">,
где  Р<shape id="_x0000_i1174" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image240.wmz» o:><img width=«12» height=«28» src=«dopb1812.zip» v:shapes="_x0000_i1174"><shape id="_x0000_i1175" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image242.wmz» o:><img width=«12» height=«32» src=«dopb1813.zip» v:shapes="_x0000_i1175">и  R<shape id="_x0000_i1176" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image244.wmz» o:><img width=«15» height=«28» src=«dopb1804.zip» v:shapes="_x0000_i1176"> соответственно, мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе в статическом режиме, и тепловое сопротивление “переход-среда”:
<shape id="_x0000_i1177" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image245.wmz» o:><img width=«117» height=«28» src=«dopb1814.zip» v:shapes="_x0000_i1177">,
<shape id="_x0000_i1178" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image247.wmz» o:><img width=«197» height=«61» src=«dopb1815.zip» v:shapes="_x0000_i1178">.
         Ориентировочное значение теплового сопротивления зависит от конструкции корпуса транзистора и обычно для транзисторов малой и средней мощности лежит в следующих пределах:
<shape id="_x0000_i1179" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image249.wmz» o:><img width=«228» height=«28» src=«dopb1816.zip» v:shapes="_x0000_i1179">.
Меньшее тепловое сопротивление имеют керамические и металлические корпуса, большее — пластмассовые.
         Определяем приращение тока коллектора <shape id="_x0000_i1180" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image251.wmz» o:><img width=«47» height=«28» src=«dopb1817.zip» v:shapes="_x0000_i1180">, вызванного изменением обратного (неуправляемого) тока коллектора<shape id="_x0000_i1181" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image253.wmz» o:><img width=«47» height=«29» src=«dopb1818.zip» v:shapes="_x0000_i1181">:
<shape id="_x0000_i1182" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image255.wmz» o:><img width=«212» height=«29» src=«dopb1819.zip» v:shapes="_x0000_i1182">,
где приращение обратного тока  <shape id="_x0000_i1183" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image257.wmz» o:><img width=«47» height=«29» src=«dopb1818.zip» v:shapes="_x0000_i1183"> равно:
<shape id="_x0000_i1184" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image258.wmz» o:><img width=«289» height=«32» src=«dopb1820.zip» v:shapes="_x0000_i1184">,
где a — коэффициент показателя, для кремниевых транзисторов a=0,13.
         Следует заметить, что значение <shape id="_x0000_i1185" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image260.wmz» o:><img width=«35» height=«29» src=«dopb1821.zip» v:shapes="_x0000_i1185">, приводимое в справочной литературе, особенно для транзисторов средней и большой мощности, представляет собой сумму тепловой составляющей и поверхностного тока утечки, последний может быть на два порядка больше тепловой составляющей, и он практически не зависит от температуры. Следовательно, при определении  <shape id="_x0000_i1186" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image251.wmz» o:><img width=«47» height=«28» src=«dopb1817.zip» v:shapes="_x0000_i1186"> следует пользоваться приводимыми в справочниках температурными зависимостями  <shape id="_x0000_i1187" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image262.wmz» o:><img width=«35» height=«29» src=«dopb1821.zip» v:shapes="_x0000_i1187"> либо уменьшать справочное значение <shape id="_x0000_i1188" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image263.wmz» o:><img width=«35» height=«29» src=«dopb1821.zip» v:shapes="_x0000_i1188"> примерно на два порядка для кремниевых транзисторов (обычно <shape id="_x0000_i1189" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image264.wmz» o:><img width=«35» height=«29» src=«dopb1821.zip» v:shapes="_x0000_i1189"> для кремниевых транзисторов составляет порядка <shape id="_x0000_i1190" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image265.wmz» o:><img width=«179» height=«29» src=«dopb1822.zip» v:shapes="_x0000_i1190">, n=(1...9)).
         Приращение коллекторного тока, вызванного изменением <shape id="_x0000_i1191" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image267.wmz» o:><img width=«40» height=«25» src=«dopb1823.zip» v:shapes="_x0000_i1191">, определяется соотношением:
<shape id="_x0000_i1192" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image269.wmz» o:><img width=«232» height=«29» src=«dopb1824.zip» v:shapes="_x0000_i1192">,
где <shape id="_x0000_i1193" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image271.wmz» o:><img width=«177» height=«25» src=«dopb1825.zip» v:shapes="_x0000_i1193">, <shape id="_x0000_i1194" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image273.wmz» o:><img width=«87» height=«25» src=«dopb1826.zip» v:shapes="_x0000_i1194"> отн. ед./град.
         Общий уход коллекторного тока транзистора с учетом действия схемы термостабилизации определяется следующим выражением:
<shape id="_x0000_i1195" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image275.wmz» o:><img width=«361» height=«29» src=«dopb1827.zip» v:shapes="_x0000_i1195">,
где учет влияния параметров схемы термостабилизации осуществляется через коэффициенты термостабилизации, которые, например, для эмиттерной схемы термостабилизации равны:
<shape id="_x0000_i1196" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image277.wmz» o:><img width=«171» height=«25» src=«dopb1828.zip» v:shapes="_x0000_i1196">,
<shape id="_x0000_i1197" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image279.wmz» o:><img width=«176» height=«53» src=«dopb1829.zip» v:shapes="_x0000_i1197">.
Здесь <shape id="_x0000_i1198" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image281.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1830.zip» v:shapes="_x0000_i1198"> - параллельное соединение резисторов <shape id="_x0000_i1199" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image283.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1831.zip» v:shapes="_x0000_i1199"> и <shape id="_x0000_i1200" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image285.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1832.zip» v:shapes="_x0000_i1200">.
         Для каскадов повышенной мощности следует учитывать требования экономичности при выборе <shape id="_x0000_i1201" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image287.wmz» o:><img width=«20» height=«25» src=«dopb1833.zip» v:shapes="_x0000_i1201"> и <shape id="_x0000_i1202" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image289.wmz» o:><img width=«33» height=«25» src=«dopb1834.zip» v:shapes="_x0000_i1202">.
         Критерием оптимальности рассчитанной схемы термостабилизации может служить соответствие выбранного запаса <shape id="_x0000_i1203" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image291.wmz» o:><img width=«20» height=«25» src=«dopb1835.zip» v:shapes="_x0000_i1203">  и <shape id="_x0000_i1204" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image293.wmz» o:><img width=«63» height=«29» src=«dopb1836.zip» v:shapes="_x0000_i1204">.
         Более подробно методы расчета схем питания и термостабилизации приведены в [4].
         4.5 Расчет основных характеристик выходного каскада в области верхних частот (малых времен)
Определим коэффициент усиления каскада в области средних частот:
<shape id="_x0000_i1205" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image295.wmz» o:><img width=«119» height=«29» src=«dopb1837.zip» v:shapes="_x0000_i1205"> ,                                            (4.3)
где <shape id="_x0000_i1206" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image297.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1838.zip» v:shapes="_x0000_i1206"> - низкочастотное значение крутизны транзистора в рабочей точке
<shape id="_x0000_i1207" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image299.wmz» o:><img width=«255» height=«53» src=«dopb1839.zip» v:shapes="_x0000_i1207">
         Для ИУ однополярного сигнала   <shape id="_x0000_i1208" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image297.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1838.zip» v:shapes="_x0000_i1208"> следует определять для усредненного тока коллектора <shape id="_x0000_i1209" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image301.wmz» o:><img width=«33» height=«32» src=«dopb1840.zip» v:shapes="_x0000_i1209">, рассчитанного по соотношению <shape id="_x0000_i1210" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image303.wmz» o:><img width=«184» height=«32» src=«dopb1841.zip» v:shapes="_x0000_i1210">
         Оценим требуемое значение постоянной времени каскада в области ВЧ (МВ):
         ¨ для ШУ с заданной верхней граничной частотой
<shape id="_x0000_i1211" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image305.wmz» o:><img width=«132» height=«67» src=«dopb1842.zip» v:shapes="_x0000_i1211">
где <shape id="_x0000_i1212" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image307.wmz» o:><img width=«35» height=«25» src=«dopb1843.zip» v:shapes="_x0000_i1212"> - доля частотных искажений (в относительных единицах), распределенных на каскад;
         ¨ для ИУ
<shape id="_x0000_i1213" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image309.wmz» o:><img width=«104» height=«35» src=«dopb1844.zip» v:shapes="_x0000_i1213"> ,
где  <shape id="_x0000_i1214" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image311.wmz» o:><img width=«23» height=«28» src=«dopb1845.zip» v:shapes="_x0000_i1214"> - время установления фронта, распределенное на каскад.
Рассчитаем ожидаемое значение постоянной  в области ВЧ (МВ)
<shape id="_x0000_i1215" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image313.wmz» o:><img width=«391» height=«61» src=«dopb1846.zip» v:shapes="_x0000_i1215"> ,                 (4.4)
где  <shape id="_x0000_i1216" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image315.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1847.zip» v:shapes="_x0000_i1216"> - емкость, нагружающая выходной каскад (если для выходного каскада не задана, то взять  <shape id="_x0000_i1217" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image317.wmz» o:><img width=«241» height=«29» src=«dopb1848.zip» v:shapes="_x0000_i1217">
         Если <shape id="_x0000_i1218" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image319.wmz» o:><img width=«63» height=«32» src=«dopb1849.zip» v:shapes="_x0000_i1218">, то ожидаемые искажения будут не более заданных. В противном случае, т.е. когда   <shape id="_x0000_i1219" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image321.wmz» o:><img width=«63» height=«32» src=«dopb1850.zip» v:shapes="_x0000_i1219">, возможно уменьшение   <shape id="_x0000_i1220" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image323.wmz» o:><img width=«21» height=«29» src=«dopb1851.zip» v:shapes="_x0000_i1220"> путем снижения  <shape id="_x0000_i1221" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image325.wmz» o:><img width=«37» height=«29» src=«dopb1852.zip» v:shapes="_x0000_i1221"> (уменьшение номинала  <shape id="_x0000_i1222" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image327.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1853.zip» v:shapes="_x0000_i1222">), выражение (4.1), после чего следует уточнить координаты рабочей точки и т.д., т.е. проделать цикл вычислений, аналогичный рассмотренному.     
         Если по каким-либо причинам уменьшение   <shape id="_x0000_i1223" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image327.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1853.zip» v:shapes="_x0000_i1223"> нежелательно (например, при требовании согласования выхода усилителя с нагрузкой), то следует (если имеется запас по коэффициенту усиления) ввести в каскад ООС (<shape id="_x0000_i1224" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image329.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1854.zip» v:shapes="_x0000_i1224">, см. рис.4.1), ориентировочно полагая, что   <shape id="_x0000_i1225" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image331.wmz» o:><img width=«21» height=«29» src=«dopb1851.zip» v:shapes="_x0000_i1225"> уменьшится в глубину обратной связи раз. Если введение ООС нежелательно (мал ожидаемый <shape id="_x0000_i1226" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image332.wmz» o:><img width=«27» height=«25» src=«dopb1855.zip» v:shapes="_x0000_i1226">), то требуется применение транзистора с большей <shape id="_x0000_i1227" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image334.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1769.zip» v:shapes="_x0000_i1227"> .
         Глубину ООС  при последовательной связи по току можно определить из выражения:
<shape id="_x0000_i1228" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image335.wmz» o:><img width=«129» height=«25» src=«dopb1856.zip» v:shapes="_x0000_i1228">                                             (4.5)
         Крутизна усиления транзистора с учетом ООС равна:
<shape id="_x0000_i1229" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image337.wmz» o:><img width=«116» height=«25» src=«dopb1857.zip» v:shapes="_x0000_i1229">
         Подставляя <shape id="_x0000_i1230" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image339.wmz» o:><img width=«36» height=«25» src=«dopb1858.zip» v:shapes="_x0000_i1230"> вместо <shape id="_x0000_i1231" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image341.wmz» o:><img width=«23» height=«25» src=«dopb1859.zip» v:shapes="_x0000_i1231"> в выражения (4.3) и (4.4), получаем значение коэффициента усиления и постоянной времени каскада в области ВЧ (МВ) с учетом ООС:        
<shape id="_x0000_i1232" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image343.wmz» o:><img width=«208» height=«61» src=«dopb1860.zip» v:shapes="_x0000_i1232">
         Если полученные значения <shape id="_x0000_i1233" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image345.wmz» o:><img width=«40» height=«25» src=«dopb1861.zip» v:shapes="_x0000_i1233"> и <shape id="_x0000_i1234" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image347.wmz» o:><img width=«21» height=«29» src=«dopb1851.zip» v:shapes="_x0000_i1234"> удовлетворяют первоначально заданным, т.е. <shape id="_x0000_i1235" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image348.wmz» o:><img width=«104» height=«25» src=«dopb1862.zip» v:shapes="_x0000_i1235">  и  <shape id="_x0000_i1236" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image350.wmz» o:><img width=«61» height=«32» src=«dopb1863.zip» v:shapes="_x0000_i1236"> , то определяют входные параметры каскада:
         ¨ входное сопротивление каскада
<shape id="_x0000_i1237" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image352.wmz» o:><img width=«151» height=«53» src=«dopb1864.zip» v:shapes="_x0000_i1237">
где <shape id="_x0000_i1238" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image354.wmz» o:><img width=«43» height=«25» src=«dopb1865.zip» v:shapes="_x0000_i1238"> - входное сопротивление транзистора с ОЭ,   
       <shape id="_x0000_i1239" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image356.wmz» o:><img width=«312» height=«25» src=«dopb1866.zip» v:shapes="_x0000_i1239">,                      (4.6)
 <shape id="_x0000_i1240" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image358.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1867.zip» v:shapes="_x0000_i1240"> - сопротивление базового делителя (параллельное соединение <shape id="_x0000_i1241" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image360.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1868.zip» v:shapes="_x0000_i1241">  и  <shape id="_x0000_i1242" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image362.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1869.zip» v:shapes="_x0000_i1242"> );
         ¨ входную динамическую емкость каскада
<shape id="_x0000_i1243" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image364.wmz» o:><img width=«221» height=«31» src=«dopb1870.zip» v:shapes="_x0000_i1243">
При наличии в каскаде ООС следует в последнем выражении брать <shape id="_x0000_i1244" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image366.wmz» o:><img width=«40» height=«25» src=«dopb1861.zip» v:shapes="_x0000_i1244"> вместо <shape id="_x0000_i1245" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image367.wmz» o:><img width=«27» height=«25» src=«dopb1871.zip» v:shapes="_x0000_i1245">.
         4.6 Особенности расчета выходного фазоинверсного каскада
         Схема одного из наиболее часто используемых фазоинверсных каскадов приведена на рис.4.4.
         Выбор транзистора, расчет координат рабочей точки и цепей питания проводится для каждой половины каскада аналогично каскаду с ОЭ. При расчете цепей питания следует учесть, что через <shape id="_x0000_i1246" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image369.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1872.zip» v:shapes="_x0000_i1246">будет протекать удвоенный ток покоя транзисторов VT1 и VT2 и, следовательно, номинал резистора <shape id="_x0000_i1247" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image371.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1872.zip» v:shapes="_x0000_i1247"> в схеме фазоинверсного каскада уменьшается вдвое по сравнению с расчетом каскада с ОЭ.
         При рассмотрении, например, левой половины фазоинверсного каскада видно, что в цепь эмиттера транзистора VT1 включено  <shape id="_x0000_i1248" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image371.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1872.zip» v:shapes="_x0000_i1248"> и параллельно ему входное сопротивление транзистора VT2, включенного с ОБ,   <shape id="_x0000_i1249" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image372.wmz» o:><img width=«111» height=«29» src=«dopb1873.zip» v:shapes="_x0000_i1249">.
         Обычно <shape id="_x0000_i1250" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image374.wmz» o:><img width=«104» height=«29» src=«dopb1874.zip» v:shapes="_x0000_i1250">, поэтому можно подставить  вместо <shape id="_x0000_i1251" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image376.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1854.zip» v:shapes="_x0000_i1251"> в выражении (4.5) <shape id="_x0000_i1252" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image377.wmz» o:><img width=«48» height=«29» src=«dopb1875.zip» v:shapes="_x0000_i1252">:
<shape id="_x0000_i1253" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image379.wmz» o:><img width=«291» height=«29» src=«dopb1876.zip» v:shapes="_x0000_i1253">
         Следовательно, можно считать, что в фазоинверсном каскаде присутствует последовательная ООС по току с глубиной, равной двум. Поэтому все дальнейшие расчеты следует проводить аналогично разделу 4.4 в
<shape id="_x0000_s1030" type="#_x0000_t75" o:allowincell=«f»><imagedata src=«1.files/image381.png» o:><img width=«509» height=«414» src=«dopb1877.zip» v:shapes="_x0000_s1030">

предположении, что глубина ООС равна двум. Если необходимо ввести ООС большей глубины, то следует включить резистор  <shape id="_x0000_i1254" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image376.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1854.zip» v:shapes="_x0000_i1254"> (см. рис.3.3) и расчет вести аналогично разделу 4.5, не забывая о существовании ООС с глубиной, равной двум.
         4.7 Оценка нелинейных искажений
Обычно для оценки нелинейных искажений (НИ) используются графические методы [1,2]. Однако для случая малых нелинейностей (<shape id="_x0000_i1255" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image383.wmz» o:><img width=«108» height=«25» src=«dopb1878.zip» v:shapes="_x0000_i1255">) существуют и аналитические методы расчета уровня НИ (обычно коэффициента гармоник <shape id="_x0000_i1256" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image385.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1879.zip» v:shapes="_x0000_i1256">) [5].
         Суммарный коэффициент гармоник равен
<shape id="_x0000_i1257" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image387.wmz» o:><img width=«156» height=«35» src=«dopb1880.zip» v:shapes="_x0000_i1257">,
где <shape id="_x0000_i1258" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image389.wmz» o:><img width=«37» height=«25» src=«dopb1881.zip» v:shapes="_x0000_i1258"> и <shape id="_x0000_i1259" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image391.wmz» o:><img width=«37» height=«32» src=«dopb1882.zip» v:shapes="_x0000_i1259"> соответственно коэффициенты гармоник по второй и третьей гармоническим составляющим (составляющими более высокого порядка в большинстве случаев можно пренебречь ввиду их малости).
         Коэффициенты гармоник <shape id="_x0000_i1260" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image389.wmz» o:><img width=«37» height=«25» src=«dopb1881.zip» v:shapes="_x0000_i1260"> и <shape id="_x0000_i1261" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image391.wmz» o:><img width=«37» height=«32» src=«dopb1882.zip» v:shapes="_x0000_i1261"> определяются из следующих выражений:
<shape id="_x0000_i1262" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image393.wmz» o:><img width=«176» height=«125» src=«dopb1883.zip» v:shapes="_x0000_i1262">
где <shape id="_x0000_i1263" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image395.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1884.zip» v:shapes="_x0000_i1263"> - входное напряжение сигнала;
       <shape id="_x0000_i1264" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image397.wmz» o:><img width=«27» height=«28» src=«dopb1885.zip» v:shapes="_x0000_i1264"> - температурный потенциал, <shape id="_x0000_i1265" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image399.wmz» o:><img width=«27» height=«28» src=«dopb1885.zip» v:shapes="_x0000_i1265">=25,6×10<shape id="_x0000_i1266" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image400.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb1886.zip» v:shapes="_x0000_i1266">В;
       В    -  фактор связи (петлевое усиление).
         Фактор связи рассчитывается следующим образом:
<shape id="_x0000_i1267" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image402.wmz» o:><img width=«340» height=«53» src=«dopb1887.zip» v:shapes="_x0000_i1267">
         Если в каскаде отсутствует ООС, то в последнем выражении следует положить <shape id="_x0000_i1268" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image404.wmz» o:><img width=«67» height=«25» src=«dopb1888.zip» v:shapes="_x0000_i1268">
5 РАСЧЕТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ
 
         5.1 Расчет промежуточных каскадов
 
         Исходными данными для проектирования промежуточного каскада являются:
         ¨ требуемый коэффициент усиления <shape id="_x0000_i1269" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image406.wmz» o:><img width=«27» height=«25» src=«dopb1871.zip» v:shapes="_x0000_i1269">;
         ¨ максимально допустимый коэффициент частотных искажений <shape id="_x0000_i1270" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image407.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1889.zip» v:shapes="_x0000_i1270">;
         ¨ максимальное выходное напряжение сигнала <shape id="_x0000_i1271" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image409.wmz» o:><img width=«67» height=«25» src=«dopb1890.zip» v:shapes="_x0000_i1271">;
         ¨ величина и характер нагрузки.
         При выборе типа транзистора предварительных каскадов следует использовать рекомендации, приведенные в подразделе 4.1.
         Оценим значение  <shape id="_x0000_i1272" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image409.wmz» o:><img width=«67» height=«25» src=«dopb1890.zip» v:shapes="_x0000_i1272">:
<shape id="_x0000_i1273" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image411.wmz» o:><img width=«200» height=«31» src=«dopb1891.zip» v:shapes="_x0000_i1273">
где <shape id="_x0000_i1274" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image413.wmz» o:><img width=«67» height=«31» src=«dopb1892.zip» v:shapes="_x0000_i1274"> - максимальное выходное напряжение следующего каскада;
       <shape id="_x0000_i1275" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image415.wmz» o:><img width=«27» height=«31» src=«dopb1893.zip» v:shapes="_x0000_i1275">         - коэффициент усиления следующего каскада.
         Нагрузкой промежуточных каскадов являются входное сопротивление <shape id="_x0000_i1276" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image417.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1894.zip» v:shapes="_x0000_i1276"> и входная динамическая емкость <shape id="_x0000_i1277" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image419.wmz» o:><img width=«43» height=«28» src=«dopb1895.zip» v:shapes="_x0000_i1277">следующего каскада.
         В большинстве случаев требуемые предельные значения <shape id="_x0000_i1278" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image421.wmz» o:><img width=«57» height=«29» src=«dopb1896.zip» v:shapes="_x0000_i1278"> и <shape id="_x0000_i1279" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image423.wmz» o:><img width=«47» height=«25» src=«dopb1897.zip» v:shapes="_x0000_i1279">, определенные по соотношениям, приведенным в подразделе 4.1, оказываются значительно меньше аналогичных справочных значений для маломощных транзисторов, что указывает на малосигнальный режим работы каскада. В этом случае основным критерием выбора транзистора являются <shape id="_x0000_i1280" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image425.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1769.zip» v:shapes="_x0000_i1280">  <shape id="_x0000_s1031" type="#_x0000_t75" o:allowincell=«f»><imagedata src=«1.files/image426.png» o:><img width=«404» height=«521» src=«dopb1898.zip» v:shapes="_x0000_s1031">
и тип проводимости. Схема промежуточного каскада с ОЭ приведена на рисунке 5.1.
         При расчете требуемого режима транзисторов промежуточных каскадов по постоянному току следует ориентироваться на соотношения, приведенные в подразделе 4.2. Однако при малосигнальном режиме следует ориентироваться на тот режим транзистора, при котором приводятся его основные справочные данные (обычно для маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов <shape id="_x0000_i1281" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image428.wmz» o:><img width=«129» height=«25» src=«dopb1899.zip» v:shapes="_x0000_i1281"> и <shape id="_x0000_i1282" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image430.wmz» o:><img width=«137» height=«25» src=«dopb1900.zip» v:shapes="_x0000_i1282">).
Расчет цепей питания и термостабилизации проводится по соотношениям, приведенным в подразделе 4.4. Обычно напряжение источника питания <shape id="_x0000_i1283" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image432.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1901.zip» v:shapes="_x0000_i1283"> для промежуточных каскадов, рассчитанное по соотношению (4.2), получается меньше, чем для оконечного каскада. Чтобы питать все каскады усилителя от одного источника питания, промежуточные каскады следует подключать к нему через фильтрующую цепь <shape id="_x0000_i1284" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image434.wmz» o:><img width=«52» height=«28» src=«dopb1902.zip» v:shapes="_x0000_i1284">, служащую кроме того  для устранения паразитной ОС через источник питания.
         При параллельном включении фильтрующей цепи ее номиналы определяются из следующих соотношений:
<shape id="_x0000_i1285" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image436.wmz» o:><img width=«176» height=«123» src=«dopb1903.zip» v:shapes="_x0000_i1285">
где <shape id="_x0000_i1286" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image438.wmz» o:><img width=«56» height=«25» src=«dopb1904.zip» v:shapes="_x0000_i1286">  напряжение источника питания оконечного каскада, для ИУ <shape id="_x0000_i1287" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image440.wmz» o:><img width=«96» height=«59» src=«dopb1767.zip» v:shapes="_x0000_i1287">, <shape id="_x0000_i1288" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image149.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1768.zip» v:shapes="_x0000_i1288"> - длительность импульса. Здесь предполагается, что с целью улучшения развязки по питанию  цепь базового делителя включена после фильтрующей цепи.
         Требуемое значение номинала <shape id="_x0000_i1289" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image441.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1853.zip» v:shapes="_x0000_i1289"> можно определить через значение эквивалентного сопротивления <shape id="_x0000_i1290" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image442.wmz» o:><img width=«37» height=«29» src=«dopb1852.zip» v:shapes="_x0000_i1290">, которое в свою очередь можно определить из соотношения (4.5).
         Расчет промежуточных каскадов в области ВЧ (МВ) в принципе не отличается от расчета оконечного каскада, включая и критерии выбора цепи ООС. При использовании соотношений, приведенных в подразделе 4.5, следует заменять <shape id="_x0000_i1291" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image443.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1905.zip» v:shapes="_x0000_i1291"> и <shape id="_x0000_i1292" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image445.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1847.zip» v:shapes="_x0000_i1292"> соответственно на <shape id="_x0000_i1293" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image446.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1894.zip» v:shapes="_x0000_i1293"> и <shape id="_x0000_i1294" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image447.wmz» o:><img width=«43» height=«28» src=«dopb1895.zip» v:shapes="_x0000_i1294"> следующего каскада.
         В ситуации, когда <shape id="_x0000_i1295" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image448.wmz» o:><img width=«43» height=«28» src=«dopb1895.zip» v:shapes="_x0000_i1295"> последующего каскада относительно велика (сотни пикофарад — единицы нанофарад), с целью уменьшения ее влияния на <shape id="_x0000_i1296" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image449.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1889.zip» v:shapes="_x0000_i1296">рассчитываемого каскада возможно применение каскада с ОК.  Вариант схемы предоконечного каскада с ОК и непосредственной межкаскадной связью приведен на рис.5.2.
         Резистор <shape id="_x0000_i1297" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image450.wmz» o:><img width=«29» height=«25» src=«dopb1906.zip» v:shapes="_x0000_i1297"> рассчитывается из условия обеспечения режима транзистора VT2 аналогично резистору базового делителя <shape id="_x0000_i1298" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image452.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1868.zip» v:shapes="_x0000_i1298">(см. подраздел 4.4) с учетом того, что  роль  тока делителя здесь играет ток покоя транзистора VT1. При оценке термонестабильности VT2 следует учесть то обстоятельство, что уход тока коллектора (и тока эмиттера) транзистора VT1 будет в <shape id="_x0000_i1299" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image453.wmz» o:><img width=«43» height=«29» src=«dopb1907.zip» v:shapes="_x0000_i1299"> раз  усилен транзистором VT2, поэтому термостабилизация предоконечного каскада должна быть достаточно жесткой. При расчете коэффициентов термостабилизации для оконечного каскада (см. подраздел 4.4) следует полагать <shape id="_x0000_i1300" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image455.wmz» o:><img width=«103» height=«25» src=«dopb1908.zip» v:shapes="_x0000_i1300">, т.е.  сопротивление транзистора VT1 со стороны эмиттера.
         Расчет каскада с ОК рекомендуется вести в следующей последовательности:
            ¨ определяем эквивалентное сопротивление нагрузки
<shape id="_x0000_i1301" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image457.wmz» o:><img width=«148» height=«59» src=«dopb1909.zip» v:shapes="_x0000_i1301">
<shape id="_x0000_s1032" type="#_x0000_t75" o:allowincell=«f»><imagedata src=«1.files/image459.png» o:><img width=«445» height=«424» src=«dopb1910.zip» v:shapes="_x0000_s1032">

где <shape id="_x0000_i1302" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image461.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1894.zip» v:shapes="_x0000_i1302"> - входное сопротивление оконечного каскада, в отсутствие базового делителя у этого каскада <shape id="_x0000_i1303" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image462.wmz» o:><img width=«91» height=«25» src=«dopb1911.zip» v:shapes="_x0000_i1303">(см. выражение 4.6);
         ¨ рассчитываем глубину последовательной ООС по напряжению
<shape id="_x0000_i1304" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image464.wmz» o:><img width=«121» height=«29» src=«dopb1912.zip» v:shapes="_x0000_i1304"> ;
         ¨ проводим расчет каскада в области ВЧ (МВ) по методике подраздела 4.4 (аналогично каскаду с ОЭ);
         ¨ определяем параметры каскада с ОК
         <shape id="_x0000_i1305" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image466.wmz» o:><img width=«339» height=«128» src=«dopb1913.zip» v:shapes="_x0000_i1305">
         В некоторых случаях комбинация каскадов (каскод) ОК-ОЭ может быть эффективнее каскода ОЭ-ОЭ.
         Поскольку выходное сопротивление каскада с ОК носит индуктивный характер, то с целью устранения возможной неравномерности АЧХ необходимо, чтобы резонанс параллельного контура, образованного <shape id="_x0000_i1306" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image468.wmz» o:><img width=«57» height=«29» src=«dopb1914.zip» v:shapes="_x0000_i1306"> и <shape id="_x0000_i1307" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image470.wmz» o:><img width=«43» height=«28» src=«dopb1895.zip» v:shapes="_x0000_i1307">оконечного каскада, лежал вне полосы рабочих частот. Частота резонанса определяется по формуле Томпсона, а  <shape id="_x0000_i1308" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image471.wmz» o:><img width=«57» height=«29» src=«dopb1914.zip» v:shapes="_x0000_i1308"> — по соотношению
<shape id="_x0000_i1309" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image472.wmz» o:><img width=«173» height=«29» src=«dopb1915.zip» v:shapes="_x0000_i1309">
где m=(1,2...1,6).
         5.2 Особенности расчета входного каскада
 
         Обычно от входного каскада требуется обеспечение заданного входного сопротивления УУ. При условии согласования входа усилителя с характеристическим сопротивлением тракта передачи (либо из требования технического задания обеспечить  низкоомный вход) для ВЧ и СВЧ диапазона частот требуемое значение входного  сопротивления может составлять порядка нескольких десятков ом. Значение входного сопротивления каскада с ОЭ обычно составляет величину в несколько сот ом. Простейшим (но не оптимальным) способом обеспечения в данной ситуации требуемого сопротивления является параллельное включение на вход каскада дополнительного согласующего резистора <shape id="_x0000_i1310" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image474.wmz» o:><img width=«39» height=«29» src=«dopb1916.zip» v:shapes="_x0000_i1310">, номинал которого определяется из следующего соотношения:
<shape id="_x0000_i1311" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image476.wmz» o:><img width=«147» height=«61» src=«dopb1917.zip» v:shapes="_x0000_i1311">
где <shape id="_x0000_i1312" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image478.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1894.zip» v:shapes="_x0000_i1312"> - требуемое входное сопротивление каскада;
  <shape id="_x0000_i1313" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image479.wmz» o:><img width=«32» height=«31» src=«dopb1918.zip» v:shapes="_x0000_i1313"> - полученное входное сопротивление каскада (с учетом сопротивления базового делителя).
         В остальном расчет входного каскада не отличается от расчета промежуточных каскадов.
         Поскольку входная цепь усилителя вносит искажения в области ВЧ (МВ), то следует учесть эти искажения, полагая, что постоянная времени входной цепи на ВЧ равна:
<shape id="_x0000_i1314" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image481.wmz» o:><img width=«204» height=«59» src=«dopb1919.zip» v:shapes="_x0000_i1314">
где <shape id="_x0000_i1315" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image483.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1894.zip» v:shapes="_x0000_i1315"> и <shape id="_x0000_i1316" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image484.wmz» o:><img width=«43» height=«28» src=«dopb1895.zip» v:shapes="_x0000_i1316"> соответственно входное сопротивление и входная динамическая емкость входного каскада усилителя.
         Более оптимальным является согласование с помощью введения во входной каскад параллельной ООС по напряжению (рис.5.3).
            Входное сопротивление каскада  с параллельной ООС по напряжению равно:
<shape id="_x0000_i1317" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image485.wmz» o:><img width=«213» height=«59» src=«dopb1920.zip» v:shapes="_x0000_i1317">
<imagedata src=«dopb1921.zip» o:><img width=«450» height=«513» src=«dopb1921.zip» v:shapes="_x0000_i1318">
где <shape id="_x0000_i1319" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image488.wmz» o:><img width=«69» height=«29» src=«dopb1922.zip» v:shapes="_x0000_i1319"> и <shape id="_x0000_i1320" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image490.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1867.zip» v:shapes="_x0000_i1320"> - соответственно, коэффициент усиления, эквивалентное сопротивление и сопротивление базового делителя каскада с ОЭ без ООС.
Чаще приходится решать обратную задачу — нахождение <shape id="_x0000_i1321" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image491.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1854.zip» v:shapes="_x0000_i1321"> по заданному <shape id="_x0000_i1322" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image492.wmz» o:><img width=«49» height=«29» src=«dopb1923.zip» v:shapes="_x0000_i1322">.
    продолжение
--PAGE_BREAK--         Коэффициент усиления каскада  с параллельной ООС по напряжению равен:
<shape id="_x0000_i1323" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image494.wmz» o:><img width=«197» height=«59» src=«dopb1924.zip» v:shapes="_x0000_i1323">.
         Выходное сопротивление каскада  с параллельной ООС по напряжению равно:
<shape id="_x0000_i1324" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image496.wmz» o:><img width=«281» height=«59» src=«dopb1925.zip» v:shapes="_x0000_i1324">
         Для определения параметров каскада в области ВЧ следует воспользоваться соотношениями для каскада с ОЭ без ООС, принимая во внимание, что при расчете постоянной времени каскада <shape id="_x0000_i1325" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image498.wmz» o:><img width=«40» height=«29» src=«dopb1926.zip» v:shapes="_x0000_i1325">следует учитывать выходное сопротивление каскада с ООС по напряжению, т.е. <shape id="_x0000_i1326" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image500.wmz» o:><img width=«180» height=«29» src=«dopb1927.zip» v:shapes="_x0000_i1326"> и влияние этой ООС на крутизну — <shape id="_x0000_i1327" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image502.wmz» o:><img width=«152» height=«25» src=«dopb1928.zip» v:shapes="_x0000_i1327">.
         Величина разделительной емкости <shape id="_x0000_i1328" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image504.wmz» o:><img width=«47» height=«32» src=«dopb1929.zip» v:shapes="_x0000_i1328"> выбирается из условия
<shape id="_x0000_i1329" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image506.wmz» o:><img width=«115» height=«28» src=«dopb1930.zip» v:shapes="_x0000_i1329"> на <shape id="_x0000_i1330" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image508.wmz» o:><img width=«23» height=«29» src=«dopb1700.zip» v:shapes="_x0000_i1330">, для ИУ <shape id="_x0000_i1331" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image440.wmz» o:><img width=«96» height=«59» src=«dopb1767.zip» v:shapes="_x0000_i1331">, <shape id="_x0000_i1332" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image149.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1768.zip» v:shapes="_x0000_i1332"> - длительность импульса. 
При наличии в каскаде комбинированной  ООС (последовательной по току и параллельной по напряжению) следует в первую очередь определить <shape id="_x0000_i1333" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image509.wmz» o:><img width=«64» height=«25» src=«dopb1931.zip» v:shapes="_x0000_i1333"> и <shape id="_x0000_i1334" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image511.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1838.zip» v:shapes="_x0000_i1334"> c учетом влияния последовательной ООС по току, а затем использовать полученные значения в выражениях для параллельной ООС по напряжению.
         Более подробно каскады с  ООС  описаны в [6].
6 РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЯ В ОБЛАСТИ НИЖНИХ ЧАСТОТ
 (БОЛЬШИХ ВРЕМЕН)
         Нижняя граничная частота (либо спад плоской вершины импульса) усилителя определяется влиянием разделительных и блокировочных емкостей.
            Требуемое значение постоянной времени для разделительных и блокировочных цепей усилителя определяется из следующих соотношений:
<shape id="_x0000_i1335" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image512.wmz» o:><img width=«172» height=«64» src=«dopb1932.zip» v:shapes="_x0000_i1335"> (для ШУ),
<shape id="_x0000_i1336" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image514.wmz» o:><img width=«107» height=«29» src=«dopb1933.zip» v:shapes="_x0000_i1336">             (для ИУ),
где <shape id="_x0000_i1337" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image516.wmz» o:><img width=«37» height=«25» src=«dopb1934.zip» v:shapes="_x0000_i1337">  и   <shape id="_x0000_i1338" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image518.wmz» o:><img width=«23» height=«25» src=«dopb1935.zip» v:shapes="_x0000_i1338">  -  доля частотных искажений в области НЧ и спада плоской вершины импульса, распределенных на разделительные и блокировочные цепи согласно рекомендациям подраздела 3.2; <shape id="_x0000_i1339" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image520.wmz» o:><img width=«21» height=«25» src=«dopb1936.zip» v:shapes="_x0000_i1339"> — длительность импульса.
         Номинал разделительных емкостей можно определить из соотношения:
<shape id="_x0000_i1340" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image522.wmz» o:><img width=«137» height=«59» src=«dopb1937.zip» v:shapes="_x0000_i1340">                                         (6.1)
где <shape id="_x0000_i1341" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image524.wmz» o:><img width=«29» height=«29» src=«dopb1938.zip» v:shapes="_x0000_i1341"> - эквивалентное сопротивление, стоящее слева от разделительного конденсатора ( обычно это <shape id="_x0000_i1342" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image526.wmz» o:><img width=«40» height=«25» src=«dopb1939.zip» v:shapes="_x0000_i1342"> каскада либо <shape id="_x0000_i1343" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image528.wmz» o:><img width=«116» height=«25» src=«dopb1940.zip» v:shapes="_x0000_i1343"> (для ОЭ));
<shape id="_x0000_i1344" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image530.wmz» o:><img width=«31» height=«25» src=«dopb1941.zip» v:shapes="_x0000_i1344"> - эквивалентное сопротивление, стоящее справа от разделительного конденсатора ( обычно это <shape id="_x0000_i1345" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image532.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1894.zip» v:shapes="_x0000_i1345"> каскада либо <shape id="_x0000_i1346" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image533.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1905.zip» v:shapes="_x0000_i1346">).
         Номинал блокировочных емкостей в цепях эмиттеров приближенно определяются как:
<shape id="_x0000_i1347" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image534.wmz» o:><img width=«109» height=«29» src=«dopb1942.zip» v:shapes="_x0000_i1347">                                        (6.2)
         При наличии в рассчитываемых каскадах ООС следует в выражениях (6.1) и (6.2) подставлять значения  <shape id="_x0000_i1348" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image532.wmz» o:><img width=«32» height=«25» src=«dopb1894.zip» v:shapes="_x0000_i1348"> и <shape id="_x0000_i1349" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image536.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb1838.zip» v:shapes="_x0000_i1349"> c учетом влияния на них данной ООС.
         Возможно использование фильтрующей цепи для коррекции  спада плоской вершины импульса. При этом рекомендуется брать <shape id="_x0000_i1350" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image537.wmz» o:><img width=«132» height=«28» src=«dopb1943.zip» v:shapes="_x0000_i1350"> ,  подъем вершины импульса (не более 20%) можно определить из соотношения:
<shape id="_x0000_i1351" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image072.wmz» o:><img width=«13» height=«25» src=«dopb1731.zip» v:shapes="_x0000_i1351"><shape id="_x0000_i1352" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image539.wmz» o:><img width=«141» height=«35» src=«dopb1944.zip» v:shapes="_x0000_i1352">
При наличии в каскаде НЧ коррекции следует избегать применения коллекторной ( коллекторно-эмиттерной ) схемы термостабилизации из-за возможного снижения эффекта коррекции (вследствие влияния параллельной ООС по напряжению, действующей при этом в каскаде).
7 РАСЧЕТ РЕГУЛИРОВОК УСИЛЕНИЯ
 
         Обычно техническое задание на проектирование усилителя содержит требование обеспечить регулировку усиления в заданных пределах. Для реализации этого требования применяют схемы плавной и ступенчатой (или обе вместе) регулировок усиления. Наиболее часто в ШУ и ИУ плавная регулировка осуществляется путем введения последовательной ООС по току (рис.7.1).
<shape id="_x0000_s1033" type="#_x0000_t75" o:allowincell=«f»><imagedata src=«1.files/image541.png» o:><img width=«344» height=«294» src=«dopb1945.zip» v:shapes="_x0000_s1033">
         Величину номинала регулировочного резистора можно определить из соотношения:
<shape id="_x0000_i1353" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image543.wmz» o:><img width=«95» height=«52» src=«dopb1946.zip» v:shapes="_x0000_i1353">
где D — глубина регулировки, относительные единицы.
Если значение D не задано, то необходимо определить требуемую величину регулировки усиления, исходя из возможного изменения сигнала на входе и необходимого производственного запаса по коэффициенту усиления.
<shape id="_x0000_s1034" type="#_x0000_t75" o:allowincell=«f»><imagedata src=«1.files/image545.png» o:><img width=«449» height=«217» src=«dopb1947.zip» v:shapes="_x0000_s1034">
         Ввиду того, что помимо коэффициента усиления данная регулировка меняет и другие параметры каскада (<shape id="_x0000_i1354" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image547.wmz» o:><img width=«136» height=«28» src=«dopb1948.zip» v:shapes="_x0000_i1354">), ее не рекомендуется применять во входном каскаде. Введение регулировки в выходной каскад может привести к перегрузке промежуточных каскадов, т.е. наиболее целесообразно плавную регулировку вводить в один из промежуточных каскадов (предварительно оценив возможность перегрузки каскадов, стоящих перед регулируемым).      При большой глубине регулировки (D>20дБ) следует применять ступенчатую регулировку усиления. Если усилитель предназначен для работы в согласованном тракте передачи (т.е. <shape id="_x0000_i1355" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image549.wmz» o:><img width=«120» height=«25» src=«dopb1949.zip» v:shapes="_x0000_i1355">, где <shape id="_x0000_i1356" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image551.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb1950.zip» v:shapes="_x0000_i1356"> - характеристическое сопротивление тракта передачи), то ступенчатый регулятор (аттенюатор) целесообразно выполнить на основе симметричных аттенюаторов Т- или П-типов [7] (рис.7.2, а, б).
         Для П-образной схемы аттенюатора номиналы элементов определяются из следующих соотношений:
<shape id="_x0000_i1357" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image553.wmz» o:><img width=«152» height=«103» src=«dopb1951.zip» v:shapes="_x0000_i1357"><shape id="_x0000_i1358" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image072.wmz» o:><img width=«13» height=«25» src=«dopb1731.zip» v:shapes="_x0000_i1358">
         Номиналы Т-образной схемы аттенюатора определяются следующим образом:
<shape id="_x0000_i1359" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image555.wmz» o:><img width=«141» height=«100» src=«dopb1952.zip» v:shapes="_x0000_i1359">
<shape id="_x0000_s1035" type="#_x0000_t75" o:allowincell=«f»><imagedata src=«dopb1953.zip» o:><img width=«542» height=«247» src=«dopb1953.zip» v:shapes="_x0000_s1035">
         Практическая схема ступенчатого регулятора на 18 дБ для 75-омного тракта передачи приведена на рис.7.3.
Схема построена на основе одинаковых П-образных звеньев с затуханием в шесть децибел. В зависимости от положения переключателей <shape id="_x0000_i1362" type="#_x0000_t75" o:ole=""><imagedata src=«1.files/image558.wmz» o:><img width=«83» height=«25» src=«dopb1954.zip» v:shapes="_x0000_i1362"> данный регулятор обеспечивает затухание от 0 до 18 дБ с шагом 6 дБ.
         Подобный регулятор обычно располагают между источником сигнала и входом усилителя. В связи с тем, что входное и выходное сопротивления данного регулятора не зависят от уровня вносимого затухания, величина частотных и временных искажений, создаваемых входной цепью, также остается постоянной при разных уровнях затухания.
         Другие схемы регуляторов можно посмотреть, например, в [8].
8 НЕКОТОРЫЕ ОБЩИЕ ВОПРОСЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
 
         8.1 Выбор номиналов и типов элементов схемы
 
         После расчета требуемых номиналов элементов схемы следует, руководствуясь справочным материалом, провести выбор типов элементов, учитывая мощность рассеивания для резисторов и рабочее напряжение для конденсаторов. Кроме того, следует уточнить номиналы элементов, согласно стандартному ряду. При этом не следует ориентироваться на ряды, соответствующие малому (1..2%) разбросу элементов, для большинства цепей усилителя приемлем разброс номинала ±10%. Исключение составляют ступенчатые регуляторы и цепи ООС.
         8.2 Расчет результирующих характеристик
 
         Согласно выражениям (3.1)¸(3.5) по известным характеристикам каскадов рассчитываются результирующие характеристики усилителя. Характеристики каскадов определяются исходя из следующих выражений:
<shape id="_x0000_i1363" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image560.wmz» o:><img width=«173» height=«41» src=«dopb1955.zip» v:shapes="_x0000_i1363"> ,                                       (8.1)
<shape id="_x0000_i1364" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image562.wmz» o:><img width=«208» height=«37» src=«dopb1956.zip» v:shapes="_x0000_i1364">,                                   (8.2)  
<shape id="_x0000_i1365" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image564.wmz» o:><img width=«107» height=«32» src=«dopb1957.zip» v:shapes="_x0000_i1365">
<shape id="_x0000_i1366" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image566.wmz» o:><img width=«92» height=«29» src=«dopb1958.zip» v:shapes="_x0000_i1366">.
Если в каскадах присутствует ООС, то следует учесть ее влияние на <shape id="_x0000_i1367" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image568.wmz» o:><img width=«21» height=«29» src=«dopb1851.zip» v:shapes="_x0000_i1367"> и <shape id="_x0000_i1368" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«1.files/image569.wmz» o:><img width=«21» height=«29» src=«dopb1959.zip» v:shapes="_x0000_i1368">. При расчете результирующих характеристик следует учитывать влияние входной цепи. Используя выражения (8.1), (8.2) для ШУ, строят АЧХ.
         8.3 Оформление пояснительной записки
 
<line id="_x0000_s1036" from=«81.6pt,141.4pt» to=«88.8pt,141.4pt» o:allowincell=«f»><img width=«12» height=«12» src=«dopb1960.zip» v:shapes="_x0000_s1036"><line id="_x0000_s1037" from=«232.8pt,141.4pt» to=«240pt,141.4pt» o:allowincell=«f»><img width=«13» height=«12» src=«dopb1961.zip» v:shapes="_x0000_s1037">         Оформление пояснительной записки (ПЗ) представляет собой важный и трудоемкий этап проектирования. Структура ПЗ и правила ее оформления изложены в действующем стандарте предприятия. Приветствуется оформление ПЗ с помощью современных программных средств ПЭВМ (Word, AutoCAD и др.). При написании  ПЗ следует ориентироваться на структуру и оформление данное пособия, прошедшее нормоконтроль на соответствие стандарту предприятия. Необходимо напомнить, что расчетные соотношения записываются в следующей последовательности: формула (символьное выражение)     численное выражение    результат. С примерами оформления курсовых проектов можно ознакомиться в кабинете курсового и дипломного проектирования кафедры.
9 ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Описанная методика расчета позволяет проводить эскизный расчет ШУ диапазона ВЧ и ИУ с временем установления фронта импульса порядка десятков наносекунд, работающих в низкоомном тракте передачи и выполненных на биполярных транзисторах. Полученные в результате расчета результирующие характеристики могут быть уточнены путем машинного моделирования с помощью одного из схемотехнических пакетов (Electronics Workbench [9], PSpice и др.).
 Список использованных источников
1 Мамонкин И.Г. Усилительные устройства.-М.: Связь, 1977.-360 с.: ил.
2 Шарыгина Л.И. Усилительные устройства –Томск: Изд-во Томск. гос.                          ун-та,1976. – 413с.: ил.
3 Полупроводниковые приборы: Транзисторы./В.Л.Аронов и др.; под общ. ред. Н. Н. Горюнова