Реферат: Расчёт интегральной микросхемы
Курсовая работа
Расчёт интегральной микросхемы
Содержание
Введение
Анализ исходных данных и выбор конструкции
Разработка коммутационной схемы
Расчет параметров элементов
Тепловой расчет микросхемы в корпусе
Расчет паразитных емкостей
Расчет параметров надежности ИМС
Разработка технологии изготовления микросхем
Заключение
Литература
Приложение
Введение
Создание микроэлектронной аппаратуры явилось результатом процесса комплексной микроминиатюризации электронно-вычислительных средств, аппаратуры связи, устройств автоматики. Этот процесс возник в связи с потребностями развития промышленного выпуска изделий электронной техники на основе необходимости резкого увеличения масштабов их производства, уменьшения их массы, занимаемых ими объемов, повышения их эксплуатационной надежности.
Интегральная микросхема (ИМС) – это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле.
По способу изготовления различают полупроводниковые и пленочные ИМС. В полупроводниковых ИМС все ЭРЭ и часть межсоединений сформированы в приповерхностном слое полупроводниковой (обычно кремниевой) подложки. В пленочных ИМС пассивные ЭРЭ изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1мкм) или толстых (10-50мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Гибридные ИМС (ГИС) представляют собой комбинацию пленочных пассивных ЭРЭ с миниатюрными бескорпусными дискретными активными приборами (полупроводниковыми ИМС, транзисторами, диодами), расположенных на общей диэлектрической подложке.
Актуальность производства и проектирования интегральных схем обусловлена следующими достоинствами:
высокой надежностью вследствие уменьшения количества паянных и других соединений, которые имеют высокую интенсивность отказов, по сравнению с РЭС на дискретных элементах;
малыми габаритами и весом, что повышает надежность РЭС, так как при малых габаритах и весе больше резонансные частоты и аппаратура становиться более устойчивой к механическим воздействиям;
низким энергопотреблением, что объясняется малым расстоянием между элементами в микросхеме (большая плотность упаковки), что приводит к меньшим затуханиям и искажениям полезного сигнала, вследствие чего возможно снижение питающих напряжений в интегральной схеме по сравнению со схемами на дискретных элементах;
сокращением длительности процессов проектирования и производства РЭС на основе интегральных схем;
повышением ремонтопригодности, так как становится проще отыскать и устранить неисправность.
Задачами данного курсового проекта являются: выбор конструкции ИМС (полупроводниковая или гибридная), расчет элементов(резисторов, конденсаторов, транзисторов и т.д) и разработка топологии, а также тепловой расчет, расчет надежности и паразитных связей и разработка технологии изготовления ИМС.
Анализ исходных данных и обоснование выбора конструкции
Сначала анализируем электрическую принципиальную схему. Схема является аналоговой.
Исходя из этого ее можно выполнять как в виде полупроводниковой ИМС, так и в виде гибридной ИМС.
Далее анализируем перечень элементов. Резисторы имеют номинальные сопротивления в приделах от 1,2 кОм до 9 кОм и номинальные мощности рассеивания ниже 5 мВт, а конденсатор имеет номинальную емкость 20-30 пФ, что позволяет их выполнить как в виде ГИС, так и в виде полупроводниковой ИМС. Погрешности электрических параметров резисторов и конденсатора выше 15%, что также не накладывает ограничения в выборе конструктивно-технологического варианта микросхемы. Ввиду того, что схема содержит большое количество транзисторов, следует склониться к выбору биполярной полупроводниковой ИМС.
С целью снижения себестоимости ИМС необходимо их выпускать большими партиями, что обусловлено меньшими затратами на амортизацию с основных средств на единицу конструкции. В связи с вышеизложенным полупроводниковые ИМС экономически целесообразны только при массовом или крупносерийном характере производства.
2. Разработка коммутационной схемы
Разработка коммутационной схемы – это первый этап разработки топологии. На этом этапе путем анализа электрической принципиальной схемы оценивается возможность реализации изделия в виде полупроводниковой интегральной схемы. При составлении коммутационной схемы, представленной на рисунке 2.1, за основу была принята схема электрическая принципиальная усилителя. Далее преобразуем ее с учетом конструктивных особенностей элементов схемы в полупроводниковом исполнении. В частности сформируем схему так, чтобы в ней отсутствовали пересечения проводников. В процессе выполнения разработки коммутационной схемы было принято решение разместить внешние контактные площадки на противоположных сторонах платы, что облегчит осуществление операции соединения внешних контактных площадок с выводами корпуса.
Расчеты элементов ИМС
Расчет биполярного транзистора с применением ЭВМ
По литературному источнику [1] определяем основные электрические параметры и эксплуатационные данные на заданный транзистор (КТ319В).
Таблица 2.1
Основные электрические параметры и эксплуатационные данные на заданный транзистор
Тип транзистора
Струк
тура
/>
/>
/>
/>
/>
/>
Интервал рабочих темпера тур
КТ319В
n-p-n
100
5
1
15
40
15
-60…+85
Используя ЭВМ и данные, полученные из справочной литературы, определяем нужные нам характеристики интегрального биполярного транзистора.
Исходные и корректируемые данные:
1.Значение тока коллектора />=15 мА.
2.Напряжение коллектор-эмиттер />=5В.
3.Длина эмиттера />=0,005см.
4.Ширина эмиттера />=0,005см.
5.Глубина />области (эмиттер) />=0,85*10-4 см.
6. Глубина />области (активная база) />=3*10-4 см.
7.Толщина эпитаксиальной пленки />=10*10-4 см.
8.Концентрация донорной примеси на поверхности эмиттера/>= 3*1021/>.
--PAGE_BREAK--9. Концентрация акцепторной примеси на поверхности базы />= 5*1017/>.
10./>= 5*1015/>.
11.Температура окружающей среды 300 К.
Результаты расчета на ЭВМ:
1.Статический коэффициент передачи тока/>=46,7/>.
2.Граничная частота усиления />=107МГц.
3.Поверхностное сопротивление эмиттера />=0,573/>.
4.Поверхностное сопротивление коллектора />=569/>.
5.Поверхностное сопротивление пассивной базы />=284/>.
6.Поверхностное сопротивление активной базы />=480/>.
7.Сопротивление базы />=28,5 Ом.
8.Сопротивление коллектора />=60 Ом.
9.Пробивное напряжение перехода эмиттер-база />=6,78 В.
10.Пробивное напряжение перехода коллектор-база />=116 В.
11. />=32 В.
12.Емкость перехода база-эмиттер />=15 пФ.
13.Емкость перехода база-коллектор />=0,26 пФ.
14.Время заряда емкости эмиттерного p-n перехода />=/>с.
15.Время переноса носителей через активную базу транзистора />=/>с.
16.Время пролета носителей заряда через ОПЗ коллекторного перехода />=/>с.
17.Время заряда емкости коллекторного p-n перехода />=/>с.
18.Удельная емкость />= />/>.
19. Удельная емкость />= />/>.
Остальные элементы (резисторы, конденсаторы) выполняются на основе областей биполярного транзистора. Выполним соответствующие расчеты.
Расчет резисторов
Исходными данными для расчета геометрических размеров интегральных полупроводниковых резисторов являются: заданное в принципиальной электрической схеме номинальное значение сопротивления R и допуск на него />, поверхностное сопротивление легированного слоя />, на основе которого формируется резистор, среднее значение мощности
P и максимально допустимая удельная мощность рассеяния />(/>=8/>для диффузионных и имплантированных резисторов [2]), основные технологические и конструктивные ограничения.
R1=3 кОм/>15%
Так как данный резистор имеет сопротивление не более 10 кОм и не менее 1 кОм, то в качестве конструкции используем диффузионные резисторы на основе базовой области (/>=480/>). Конфигурация данного резистора изображена на рисунке 3.1.
Рис.3.1. Конфигурация диффузионных резисторов R1
Минимальную ширину резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность, определяют из выражения:
/>0,331, (2.1)
/>где Db и Dl — погрешности ширины и длины, обусловленные технологическими процессами. Для типовых процессов (Dl=Db=0.1 мкм).
/>0,35, (2.2)
где /> — погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопротивления, для типовых процессов его выбирают в пределах 0,05¸0,1.
Теперь найдем минимальную ширину резистора />, определяемую из максимально допустимой мощности рассеяния
/>. (2.3)
/>=7,3 мкм.
Для составления чертежа топологии необходимо выбрать шаг координатной сетки. Выбираем 1:500. Затем определяют промежуточное значение ширины резистора:
/>, (2.4)
где /> — погрешность растравливания окон (/>=0,2¸0,5 мкм);
/>— погрешность ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел (/>» 60% базового и 80% эмиттерного слоёв).
/>пром=7,3-2×(0,5+1,8)=2,7 мкм
Реальная ширина резистора на кристалле:
/>(2.5)
где />топ – топологическая ширина резистора.
Отсюда />=9,6.
Расчётную длину резистора определяют по формуле:
/>(2.6)
где n1 – число контактных площадок резистора (n=2);
k1 – поправочный коэффициент, определяемый по номограмме (k1=0,5).
Тогда имеем
/>=50,4 мкм.
продолжение--PAGE_BREAK--
Затем рассчитывают промежуточное значение длины:
/>(2.7)
Реальная длина резистора на кристалле:
/>(2.8)
Аналогично рассчитываем резисторы R2, R3, R4, R6. Полученные данные заносим в таблицу 3.1.
Таблица 3.1
/>
Номин.,
кОм
Откл.,
%
Мощность,
мВт
/>,
/>
Коэф.
формы
/>,
мкм
/>,
мкм
/>топ,
мкм
/>,
мкм
/>,
мкм
/>топ,
мкм
R1
3
15
1.5
480
6,25
0,331
7,3
5
9,6
50,4
55
R2
9
15
1
480
18,75
0,3
3,4
5
9,6
168,4
173
R3
5
15
2
480
10,4
0,313
6,5
5
9,6
90,4
95
R4
2,1
15
1.5
480
4,37
0,351
8,7
5
9,6
32,4
37
R5
3
15
1.5
480
6,25
0,331
7,3
5
9,6
50,4
55
R6
1,2
15
1.5
480
2,5
0,4
11,5
7
11,6
17,4
22
Расчет конденсатора
Выбор конструкции конденсатора определяется значениями допустимого рабочего напряжения />и номинальной емкости />. Напряжение />ограничено величиной напряжения пробоя p-n-перехода. Напряжения пробоя p-n-перехода коллектор – база />и эмиттер – база />рассчитывались ранее при проектировании биполярного транзистора и имеют следующие значения: />=116 В, />=6,78 В. И то и другое пробивное напряжение обеспечивает заданное />. Удельную емкость p-n-перехода коллектор – база и эмиттер – база при нулевом смещении на нем (/>=0В, />=0В) также рассчитывались при проектировании биполярного транзистора и имеют следующие значения: />=9,69*10-9 Ф/см2, />=1.06*10-7 Ф/см2. Таким образом целесообразно выбрать удельную емкость, которая в наилучшей степени обеспечивает площадь конденсатора, соизмеримую с площадью, занимаемой транзистором, то есть выбираем конденсаторы на основе p-n-перехода эмиттер – база.
Расчет удельной емкости боковой части p-n-перехода эмиттер – база затруднен, поэтому ее величина может быть принята равной />. Удельная емкость боковой части p-n-перехода коллектор – база практически равна ее донной части/>.С целью минимизации размеров кристалла полупроводниковой ИМС принимаем топологию конденсатора квадратной формы со стороной А. Величина А для конденсатора на основе p-n-перехода эмиттер – база определяется из уравнения:
/>,
где />= />/> — удельная емкость донной части p-n перехода эмиттер-база;
продолжение--PAGE_BREAK--
/>= 1000/> — удельная емкость боковой части p-n перехода эмиттер-база;
/>— глубина эмиттера;
/>– номинальная емкость заданного i-го конденсатора.
Таким образом, решая данное уравнение относительно А, получим размеры конденсаторов:
/>
А=135 мкм – для конденсаторов С1 и С3.
/>
А=158 мкм – для конденсатора С2. с целью уменьшения топологических размеров конденсатора используем параллельное включение двух p-n-переходов, осуществляемое с помощью металлических проводников. Таким образом имеем:
/>
А=111мкм.
Выбор структуры диодов ИМС
Данные диоды (КД901А) имеют следующие исходные данные:
/>
/>
/>
/>
/>
/>
Диоды, сформированные на основе перехода эмиттер – база, характеризуются наимеьшими значениями обратного тока за счет самой малой площади и самой узкой области объемого заряда (/>). Наименьшей паразитной емкостью (/>) также обладают диодные структуры на основе перехода эмиттер – база. Для других структур значение паразитной емкости порядка 3пФ. Быстродействие характеризуется также временем восстановления обратного сопротивления. Оно минимально (около 10нс) для перехода эмиттер – база при условии, что переход коллектор – база закорочен. В других структурах время восстановления обратного сопротивления составляет 50-100нс. Из анализа исходных данных и способа применения диодов в цифровых схемах как накопительных, можно заключить, что целесообразнее выбрать диоды на основе перехода эмиттер – база.
Тепловой расчет микросхемы в корпусе
Так как ИС герметизируется путем запрессовки в пластмассовый корпус типа 2, то тепловое сопротивление конструкции определяется
/>, (4.1)
где />,/> — толщина слоя пластмассы (компаунда, />=1,7мм) и ее теплопроводность
(/>/>);
/>— внутреннее тепловое сопротивление кристалла, которое определяется по формуле
/>, (4.2)
где />,/> — толщина подложки pSi (/>=200мкм) и ее теплопроводность
(/>/>);
Температура кристалла рассчитывается по формуле
/>, (4.3)
где /> — температура окружающей среды(/>=40/>);
/>— площадь кристалла;
/>— суммарная мощность элементов.
/>
Тогда
/>.
/>.
Так как рабочая температура не превышает допустимую 85/>, то никаких конструктивных мер принимать не следует.
5. Расчет паразитных связей
Определим паразитную емкость в участке, где она наибольшая. Для трех проводников их будет две. Обозначим их как С12 и С13. Частичные емкости между проводниками, параллельно расположенными на подложке и находящимися в окружении других проводников, вычисляют по следующей формуле
/>, (5.1)
где i,j – номера проводников;
l – длина проводников;
/>— расчетная диэлектрическая проницаемость(/>=/>2=6 при />2 />1), где/>1,/>2 – диэлектрические проницаемости соответственно окружающей среды и двуокиси кремния;
/>— емкостный коэффициент i-ого и j-ого проводников, который рассчитывается для данного случая по следующим формулам
/>, (5.2)
/>, (5.3)
где смысл параметров ясен из рисунка 4.1.
/>=/>см; />=/>см; />=/>см; />=/>см; />=/>см; l=/>см.
/>Рис.5.1. Система параллельных проводников
/>,
/>,
/>пФ ,
/>пФ.
продолжение--PAGE_BREAK--
Так как значения паразитных емкостей незначительны, то никаких мер принимать не следует.
6. Оценка надежности ИМС
В данном случае интенсивность отказов />полупроводниковой ИМС с учетом того, что время появления внезапных отказов распределено по экспоненциальному закону, определяется выражением
/> (6.1)
где m– число групп элементов;
/>— число элементов данного типа;
/>— поправочный коэффициент, учитывающий влияние температуры окружающей среды и электрической нагрузки;
/>— поправочный коэффициент, учитывающий влияние механического воздействия, влажности и изменение атмосферного давления; />; />=1,07 для полевых условий эксплуатации, />=2,5 при влажности 90% и температуре 40/>, />=1 для высоты уровня моря;
/>— интенсивность отказов элементов, металлизации, кристалла и конструкции.
Значения интенсивностей отказов определим по следующим формулам
/>, (6.2)
/>, (6.3)
/>, (6.4)
где />— интенсивность отказов из-за дефектов, обусловленных диффузией (/>=/>);
/>— интенсивность отказов из-за дефектов металлизации (/>=/>);
/>— интенсивность отказов из-за дефектов оксида (/>=/>);
/>— интенсивность отказов из-за дефектов от посторонних включений в корпусе (/>=/>);
/>— интенсивность отказов из-за поверхностных и структурных дефектов кристалла (/>=/>);
/>— интенсивность отказов из-за некачественного крепления кристалла (/>=/>);
/>— интенсивность отказов из-за обрыва термокомпрессионного сварного соединения (/>=/>);
/>— интенсивность отказов из-за повреждения корпуса(для пластмассового корпуса/>=/>);
продолжение--PAGE_BREAK--
/>,/>,/>— интенсивности отказов элементов, металлизации, и кристалла соответственно;
/>— число стадий диффузии при формировании элемента (для транзистора – 4, для резистора – 2, для конденсатора – 3);
/>,/>,/>— площади элементов, металлизации, и кристалла соответственно(площадь одного транзистора составляет – 0,015/>, конденсатора – 0,058/>, суммарная площадь металлизации – 0,32/>, площадь кристалла – 1,15/>).
К компонентам ненадежности относится также корпус и соединения, значения интенсивностей отказов которых были рассмотрены ранее.
/>2,675*(12*1,1*(/>*4+/>*0,015)+1,7*(/>*2+/>*0,073)+ 1,7*(/>*2+/>*0,012)+1,7*(/>*2+/>*0,003)+ 1,7*(/>*2+/>*0,01)+1,7*(/>*2+/>*0,009)+1,2*(/>*2+/>*0,058)+1,3(/>+/>+/>)*0,32+/>*1,15+/>+/>+/>=/>/>
Вероятность безотказной работы для времени t=10000ч определим по формуле
/>. (6.5)
/>
7. Технология изготовления микросхемы
1.Химическая обработка пластин, двухстадийная в перикисно-аммиачном растворе.
2.Окисление кремния во влажном кислороде при 1000/>в течении 2ч до получения окисла толщиной (0,6/>0,06)мкм.
продолжение--PAGE_BREAK--
3.Фотолитография для образования окон под />— скрытый слой. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50/>. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90/>и 40 мин при температуре 200/>. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF:/>=2:7:1.
4.Химическая обработка пластин в перикисно-аммиачном растворе.
5.Диффузия сурьмы для формирования />— скрытого слоя в две стадии: загонка при 1000/>в течение 20мин, обработка осажденного сурьмяно-силикатного стекла во влажном кислороде при 1000/>, снятие стекла и окисла в растворе HF, вторая стадия разгонка при 1200/>в течение 2 часов.
6.Снятие окисла в растворе />:HF:/>=7:1:3.
7.Химическая обработка пластин в перикисно-аммиачном растворе.
8.Эпитаксиальное наращивание монокристаллического слоя кремния n-типа из газовой смеси />+/>при 1200/>, толщиной (7/>0,1) мкм, с плотностью дефектов не более />, легированного мышьяком.
9.Окисление поверхности эпитаксиального слоя при 1000/>в течение 40 мин в сухом кислороде для получения окисла толщиной (60/>10) нм.
10.Фотолитография для вскрытия окон под разделительную (изолирующую) диффузию и окон под диффузионные резисторы на основе коллекторной области. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50/>. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90/>и 40 мин при температуре 200/>. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF:/>=2:7:1.
11.Двухстадийная диффузия бора: осаждение на поверхность пластины боросиликатного стекла из газовой фазы, содержащей />и />, при 950/>, обработка боросиликатного стекла во влажном кислороде при 600/>в течение 30 мин, снятие боросиликатного стекла в травителе HF: />=1:10, разгонка при 1050/>в течение 30 мин до толщины превышающей толщину эпитаксиального слоя.
12.Термическое окисление структур при 1050/>в сухом (10мин), влажном (20мин), и снова в сухом (10мин) кислороде.
продолжение--PAGE_BREAK--
13.Фотолитография для вскрытия окон в окисле для проведения базовой диффузии над теми карманами, где будут формироваться транзистор и резистор на основе базового диффузионного слоя. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50/>. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90/>и 40 мин при температуре 200/>. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF:/>=2:7:1.
14.Двухстадийная базовая диффузия примеси p-типа (бор). Загонку проводить в течении 20 мин при температуре 900/>. Одновременно формируется на базовых областях окисел толщиной 0,18…0,2 мкм и проводится разгонка 1ч при 1200/>.
15. Фотолитография для вскрытия окон в окисле над областями эмиттера транзистора и коллекторного контакта нижней обкладки конденсатора. Размер эмиттера 100мкм, точность совмещения фотошаблона не более 1мкм.
16.Диффузия фосфора для получения области эмиттера на глубину 1,3мкм. Осаждение проводить при температуре 960/>.
17.Фотолитография для вскрытия контактных окон в />к резисторам, к нижней обкладке конденсатора и к областям транзистора.
18.Напыление пленки Al+(1%)Siтолщиной (0,6/>0,1) мкм, температура подложки 200/>, температура отжига 250/>.
19.Фотолитография по алюминию для формирования пленочной коммутации, верхней обкладки конденсатора и внешних контактных площадок. Клин травления и уход размеров не более 1мкм.
20.Осаждение изолирующего слоя окисла плазмохимическим способом при температуре 150/>толщиной (1/>0,1)мкм.
21.Фотолитография по пленке защитного диэлектрика для вскрытия окон к контактным площадкам микросхемы и дорожек для скрайбирования.
22.Скрайбирование пластин для разделения их на кристаллы. Операции контроля и разбраковка микросхем по электрическим параметрам и на функционирование на еще не разделенных на кристаллы пластинах ( на негодные кристаллы ставится метка краской). Затем производится разделение пластин на кристаллы без потери их взаимной ориентировки. Операции монтажа и сборки в корпус.
Заключение
В процессе выполнения курсового проекта была разработана полупроводниковая интегральная схема усилителя. В курсовом проекте были выполнены тепловые расчеты, расчет паразитных емкостей. Полученные в результате расчета значения не превышают максимально допустимых, указанных в справочной литературе. Та же картина наблюдалась и при расчете паразитных емкостей, значения, полученные в процессе расчета, оказались ничтожно малыми. Можно сказать, что паразитные емкости с подобными номинальными значениями не будут оказывать, сколь бы то ни было, ощутимое воздействие на работу усилителя. Посему было принято решение конфигурацию проводников оставить без изменений. В процессе работы был также осуществлен расчет надежности.
Основываясь на значениях топологических размеров элементов был разработан топологический чертеж. Разработав топологию, мы перешли к выбору корпуса и в результате остановили свой выбор на корпусе вида: «Корпус 1203 ГОСТ 17467 – 79».Важным этапом явился этап разработки технологического процесса изготовления микросхемы. В результате можно сделать вывод, что последний вполне способен обеспечить воспроизведение параметров, заложенных конструктором на этапе разработки полупроводниковой интегральной схемы. И в заключение всего можно сделать вывод, что разработанная нами микросхема способна занять достойное место среди подобных ей изделий.
В итоге можно сказать, что курсовое проектирование значительно влияет на освоение материала учебного курса и дает реальное представление о конструкторско-технологических работах, проводимых на этапе проектирования.
Литература
Конструирование и производство микросхем. Курсовое проектирование: Учеб. пособие для вузов по спец. «Конструирование и производство радиоаппаратуры» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры» /Под ред. Коледова Л.А. – М.: Высшая школа, 1984.-231 с.
Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Мн.: Вышэйшая школа, 1982.-224 с.
Матсон Э.А. Конструкции и технология микросхем: Учебное пособие для радиотехн. спец. вузов. – Мн.: Вышэйшая школа, 1985.- 207 с.