Реферат: Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

--PAGE_BREAK--<shape id="_x0000_s1216" type="#_x0000_t75" o:allowincell=«f»><imagedata src=«34903.files/image120.png» o: gain=«2147483647f»><img width=«263» height=«159» src=«dopb162176.zip» v:shapes="_x0000_s1216">
<shape id="_x0000_i1129" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image122.wmz» o:><img width=«105» height=«28» src=«dopb162177.zip» v:shapes="_x0000_i1129">.<shape id="_x0000_i1130" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image124.wmz» o:><img width=«12» height=«23» src=«dopb162178.zip» v:shapes="_x0000_i1130">                                                     (17)
Рис. 9. Эквивалентная схема замещения управляемого генератора
 
При полной компенсации активных составляющих возникает генерация сигнала и, следовательно, выполняется баланс активных мощностей в колебательном контуре [8]:
<shape id="_x0000_i1131" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image126.wmz» o:><img width=«148» height=«51» src=«dopb162179.zip» v:shapes="_x0000_i1131">,                                                   (18)
где <shape id="_x0000_i1132" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image128.wmz» o:><img width=«16» height=«25» src=«dopb162180.zip» v:shapes="_x0000_i1132">, <shape id="_x0000_i1133" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image130.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb162181.zip» v:shapes="_x0000_i1133"> и <shape id="_x0000_i1134" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image132.wmz» o:><img width=«27» height=«25» src=«dopb162182.zip» v:shapes="_x0000_i1134"> - модули токов и напряжения, соответствующие комплексным <shape id="_x0000_i1135" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image134.wmz» o:><img width=«16» height=«32» src=«dopb162183.zip» v:shapes="_x0000_i1135">, <shape id="_x0000_i1136" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image136.wmz» o:><img width=«19» height=«32» src=«dopb162184.zip» v:shapes="_x0000_i1136"> и <shape id="_x0000_i1137" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image138.wmz» o:><img width=«27» height=«32» src=«dopb162185.zip» v:shapes="_x0000_i1137">, представленным на рис. 9; <shape id="_x0000_i1138" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image140.wmz» o:><img width=«15» height=«20» src=«dopb162186.zip» v:shapes="_x0000_i1138"> - угол сдвига фаз между током <shape id="_x0000_i1139" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image142.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb162181.zip» v:shapes="_x0000_i1139"> и напряжением <shape id="_x0000_i1140" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image143.wmz» o:><img width=«27» height=«25» src=«dopb162182.zip» v:shapes="_x0000_i1140"> в цепи ПОС.
Система уравнений, описывающая схему, представленную на (рис.9), и позволяющая определить величины, входящие в (18), имеет вид
<shapetype id="_x0000_t87" coordsize=«21600,21600» o:spt=«87» adj=«1800,10800» path=«m21600,qx10800@0l10800@2qy0@11,10800@3l10800@1qy21600,21600e» filled=«f»><path arrowok=«t» o:connecttype=«custom» o:connectlocs=«21600,0;0,10800;21600,21600» textboxrect=«13963,@4,21600,@5»><shape id="_x0000_s1217" type="#_x0000_t87" o:allowincell=«f»><img width=«21» height=«141» src=«dopb162187.zip» v:shapes="_x0000_s1217">                         <shape id="_x0000_i1141" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image145.wmz» o:><img width=«161» height=«55» src=«dopb162188.zip» v:shapes="_x0000_i1141">,
<shape id="_x0000_i1142" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image147.wmz» o:><img width=«304» height=«52» src=«dopb162189.zip» v:shapes="_x0000_i1142">,                            (19)
                         <shape id="_x0000_i1143" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image149.wmz» o:><img width=«273» height=«35» src=«dopb162190.zip» v:shapes="_x0000_i1143"> .
Решая систему (19), получаем
<shape id="_x0000_i1144" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image151.wmz» o:><img width=«351» height=«57» src=«dopb162191.zip» v:shapes="_x0000_i1144">,                                (20)
<shape id="_x0000_i1145" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image153.wmz» o:><img width=«344» height=«64» src=«dopb162192.zip» v:shapes="_x0000_i1145">.                                  (21)
Так как схема предназначена для компенсации только активной составляющей проводимости, целесообразно в качестве регулирующих использовать элементы с чисто активным, емкостным или индуктивным характером проводимости <shape id="_x0000_i1146" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image155.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb162172.zip» v:shapes="_x0000_i1146">.
Рассмотрим возможность использования в качестве <shape id="_x0000_i1147" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image156.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb162172.zip» v:shapes="_x0000_i1147"> активной проводимости <shape id="_x0000_i1148" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image157.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162193.zip» v:shapes="_x0000_i1148">, реализуемой на основе ПТ. При соблюдении условия (17)
<shape id="_x0000_i1149" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image159.wmz» o:><img width=«67» height=«25» src=«dopb162194.zip» v:shapes="_x0000_i1149">.                                                                     (22)
На основании (20)-(22) определяем величины, входящие в (18):
<shape id="_x0000_i1150" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image161.wmz» o:><img width=«328» height=«67» src=«dopb162195.zip» v:shapes="_x0000_i1150">,                                 (23)
 <shape id="_x0000_i1151" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image163.wmz» o:><img width=«488» height=«61» src=«dopb162196.zip» v:shapes="_x0000_i1151">,              (24)
<shape id="_x0000_i1152" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image165.wmz» o:><img width=«457» height=«89» src=«dopb162197.zip» v:shapes="_x0000_i1152">,                (25)
где
<shape id="_x0000_i1153" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image167.wmz» o:><img width=«165» height=«52» src=«dopb162198.zip» v:shapes="_x0000_i1153">.                                                    (26)
Подставляя (23)-(26) в (18) и учитывая (16), находим реализуемую отрицательную активную проводимость, компенсирующую проводимость колебательного контура
<shape id="_x0000_i1154" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image169.wmz» o:><img width=«463» height=«60» src=«dopb162199.zip» v:shapes="_x0000_i1154">.                (27)
При условиях <shape id="_x0000_i1155" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image171.wmz» o:><img width=«99» height=«29» src=«dopb162200.zip» v:shapes="_x0000_i1155"> и <shape id="_x0000_i1156" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image173.wmz» o:><img width=«159» height=«57» src=«dopb162201.zip» v:shapes="_x0000_i1156">, легко выполнимых на практике, выражение (27) упрощается
<shape id="_x0000_i1157" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image175.wmz» o:><img width=«257» height=«47» src=«dopb162202.zip» v:shapes="_x0000_i1157">.                                         (28)
Погрешность, допускаемую при данных ограничениях, оценим на основании сравнения соотношений (27) и (28)
<shape id="_x0000_i1158" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image177.wmz» o:><img width=«357» height=«120» src=«dopb162203.zip» v:shapes="_x0000_i1158">.                                (29)
Если предположить, что в рабочем диапазоне частот усилитель не будет иметь фазового сдвига (<shape id="_x0000_i1159" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image179.wmz» o:><img width=«43» height=«23» src=«dopb162204.zip» v:shapes="_x0000_i1159">), то выражение (29) упрощается
<shape id="_x0000_i1160" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image181.wmz» o:><img width=«273» height=«120» src=«dopb162205.zip» v:shapes="_x0000_i1160">.                                        (30)
При неограниченном уменьшении входной проводимости усилителя по сравнению с проводимостью колебательного контура (<shape id="_x0000_i1161" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image183.wmz» o:><img width=«91» height=«25» src=«dopb162206.zip» v:shapes="_x0000_i1161">) погрешность (30) реализации отрицательной активной проводимости
<shape id="_x0000_i1162" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image185.wmz» o:><img width=«228» height=«37» src=«dopb162207.zip» v:shapes="_x0000_i1162">                                              (31)
и схема (см. рис.9) позволяет получить высокую линейность компенсации проводимостей резонансного контура в широком диапазоне изменения его активной составляющей, связанной как с перестройкой по частоте <shape id="_x0000_i1163" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image187.wmz» o:><img width=«15» height=«15» src=«dopb162208.zip» v:shapes="_x0000_i1163"> (15), так и с изменением основных параметров (L,C).
При использовании управляемой проводимости (8.260) в виде емкости (<shape id="_x0000_i1164" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image189.wmz» o:><img width=«84» height=«25» src=«dopb162209.zip» v:shapes="_x0000_i1164">) реализуемая отрицательная активная составляющая проводимости по аналогии с (28)
<shape id="_x0000_i1165" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image191.wmz» o:><img width=«195» height=«48» src=«dopb162210.zip» v:shapes="_x0000_i1165">.                                            (32)
Для реализации схемой (см. рис.9) отрицательной проводимости необходимо в (32) обеспечить <shape id="_x0000_i1166" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image193.wmz» o:><img width=«68» height=«23» src=«dopb162211.zip» v:shapes="_x0000_i1166">.
Проведенный анализ для случая <shape id="_x0000_i1167" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image195.wmz» o:><img width=«109» height=«25» src=«dopb162212.zip» v:shapes="_x0000_i1167"> показал, что схема, представленная на рис. 9, ведет себя так же, как и при <shape id="_x0000_i1168" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image197.wmz» o:><img width=«84» height=«25» src=«dopb162209.zip» v:shapes="_x0000_i1168"> (32). Однако при реализации этого варианта в интегральном исполнении имеются трудности, связанные с проблемой индуктивности в микроэлектронике [1].

3. Прецизионный амплитудный модулятор
Совмещение функций генерирования и модуляции по амплитуде или частоте колебаний в автогенераторе нецелесообразно, так как это приводит к неконтролируемому повышению нестабильности частоты, которую стремятся уменьшать всевозможными средствами, включая термостатирование автогенератора. В связи с этим данные операции разделяют, оставляя функцию генерирования колебаний в автогенераторе, а функцию модуляции колебаний осуществляют с помощью отдельных амплитудных или частотных модуляторов, что определяет необходимость совершенствования их схемотехники.
Построение амплитудных модуляторов, работающих на относительно низких и средних частотах c использованием ПТ и ОУ, а также перемножителей сигналов, рассмотрено в работах [1,3].
Широкополосный амплитудный модулятор, способный работать на высоких (сотни мегагерц) частотах, может быть реализован на основе схемы ШУН (рис. 10) с симметричным выходом и управлением высокочастотного (несущего) сигнала <shape id="_x0000_i1169" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image198.wmz» o:><img width=«55» height=«25» src=«dopb162213.zip» v:shapes="_x0000_i1169"> путем изменения тока <shape id="_x0000_i1170" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image200.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb162214.zip» v:shapes="_x0000_i1170"> ГСТ под влиянием низкочастотного (модулирующего) сигнала <shape id="_x0000_i1171" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image202.wmz» o:><img width=«56» height=«25» src=«dopb162215.zip» v:shapes="_x0000_i1171">, так как коэффициент передачи ДУ  линейно связан с величиной этого тока.
Для изменяющегося во времени тока ГСТ <shape id="_x0000_i1172" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image204.wmz» o:><img width=«40» height=«25» src=«dopb162216.zip» v:shapes="_x0000_i1172"> амплитудного модулятора, представленного на рис.10, в котором модулирующий сигнал <shape id="_x0000_i1173" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image206.wmz» o:><img width=«56» height=«25» src=«dopb162215.zip» v:shapes="_x0000_i1173"> подается в его токозадающую цепь через повторитель сигнала на ОУ1, можно записать:
<shape id="_x0000_i1174" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image207.wmz» o:><img width=«400» height=«63» src=«dopb162217.zip» v:shapes="_x0000_i1174">,                        (33)
где <shape id="_x0000_i1175" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image209.wmz» o:><img width=«27» height=«28» src=«dopb162218.zip» v:shapes="_x0000_i1175">, <shape id="_x0000_i1176" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image211.wmz» o:><img width=«53» height=«28» src=«dopb162219.zip» v:shapes="_x0000_i1176"> и <shape id="_x0000_i1177" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image213.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb162214.zip» v:shapes="_x0000_i1177"> - напряжение питания отрицательной полярности, напряжение база-эмиттер БТ Т3 и постоянная составляющая тока ГСТ
<shape id="_x0000_i1178" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image214.wmz» o:><img width=«263» height=«57» src=«dopb162220.zip» v:shapes="_x0000_i1178">.                                             (34)
 Выходное симметричное напряжение модулятора с учетом (33)
              <shape id="_x0000_i1179" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image216.wmz» o:><img width=«321» height=«52» src=«dopb162221.zip» v:shapes="_x0000_i1179">
<shape id="_x0000_i1180" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image218.wmz» o:><img width=«252» height=«63» src=«dopb162222.zip» v:shapes="_x0000_i1180">,                                        (35)
где <shape id="_x0000_i1181" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image220.wmz» o:><img width=«33» height=«23» src=«dopb162223.zip» v:shapes="_x0000_i1181"> - изменяющаяся во времени t крутизна БТ дифференциальной пары Т1, Т2.
<shape id="_x0000_s1218" type="#_x0000_t75" o:allowincell=«f»><imagedata src=«34903.files/image222.png» o: gain=«72818f»><img width=«249» height=«231» src=«dopb162224.zip» v:shapes="_x0000_s1218">

       
Рис. 10. Прецизионный амплитудный модулятор
При входных синусоидальных сигналах
<shape id="_x0000_i1184" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image224.wmz» o:><img width=«161» height=«25» src=«dopb162225.zip» v:shapes="_x0000_i1184">,                                                  (36)
<shape id="_x0000_i1185" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image226.wmz» o:><img width=«159» height=«25» src=«dopb162226.zip» v:shapes="_x0000_i1185">,                                                   (37)
где <shape id="_x0000_i1186" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image228.wmz» o:><img width=«35» height=«25» src=«dopb162227.zip» v:shapes="_x0000_i1186">, <shape id="_x0000_i1187" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image230.wmz» o:><img width=«36» height=«25» src=«dopb162228.zip» v:shapes="_x0000_i1187"> и <shape id="_x0000_i1188" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image232.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb162229.zip» v:shapes="_x0000_i1188">, <shape id="_x0000_i1189" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image234.wmz» o:><img width=«19» height=«19» src=«dopb162133.zip» v:shapes="_x0000_i1189"> - амплитуды и частоты соответственно несущего и модулирующего сигналов,
выходное напряжение (35) модулятора приобретает вид амплитудно-модулированного колебания
                <shape id="_x0000_i1190" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image235.wmz» o:><img width=«351» height=«63» src=«dopb162230.zip» v:shapes="_x0000_i1190">
<shape id="_x0000_i1191" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image237.wmz» o:><img width=«209» height=«25» src=«dopb162231.zip» v:shapes="_x0000_i1191">,                                                 (38)
где <shape id="_x0000_i1192" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image239.wmz» o:><img width=«36» height=«25» src=«dopb162232.zip» v:shapes="_x0000_i1192"> и m – амплитуда несущей и глубина модуляции с учетом (34) сигнала с АМ,
<shape id="_x0000_i1193" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image241.wmz» o:><img width=«132» height=«53» src=«dopb162233.zip» v:shapes="_x0000_i1193">,                                                            (39)
<shape id="_x0000_i1194" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image243.wmz» o:><img width=«291» height=«55» src=«dopb162234.zip» v:shapes="_x0000_i1194">.                                       (40)
Как следует из формулы (39), коэффициент передачи по несущей
<shape id="_x0000_i1195" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image245.wmz» o:><img width=«165» height=«53» src=«dopb162235.zip» v:shapes="_x0000_i1195">                                                     (41)
соответствует коэффициенту передачи ДУ, амплитуда неискаженного выходного сигнала которого не может превышать удвоенного значения падения напряжения на резисторе нагрузки <shape id="_x0000_i1196" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image247.wmz» o:><img width=«29» height=«25» src=«dopb162236.zip» v:shapes="_x0000_i1196"> в режиме покоя. Следовательно, максимальный уровень несущей на симметричном выходе модулятора должен удовлетворять условию
<shape id="_x0000_i1197" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image249.wmz» o:><img width=«96» height=«25» src=«dopb162237.zip» v:shapes="_x0000_i1197">,                                                           (42)
при этом уровень входного сигнала (36) может быть не выше удвоенного температурного потенциала
<shape id="_x0000_i1198" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image251.wmz» o:><img width=«84» height=«25» src=«dopb162238.zip» v:shapes="_x0000_i1198">.                                                            (43)
Амплитуда модулирующего сигнала (37) при непревышении стопроцентной глубины модуляции (<shape id="_x0000_i1199" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image253.wmz» o:><img width=«44» height=«19» src=«dopb162239.zip» v:shapes="_x0000_i1199">), как видно из формулы (40), должна быть на напряжение база-эмиттер третьего транзистора меньше напряжения источника питания отрицательной полярности
<shape id="_x0000_i1200" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image255.wmz» o:><img width=«148» height=«31» src=«dopb162240.zip» v:shapes="_x0000_i1200">.                                                   (44)
Амплитуду сигнала (44) можно получить на выходе повторителя сигнала (рис.10) при тех же питающих напряжениях ОУ1, что и модулятора в целом. Если требуемый ток <shape id="_x0000_i1201" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image257.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb162214.zip» v:shapes="_x0000_i1201"> превышает допустимый выходной ток используемого ОУ1, то целесообразно в токозадающей цепи ГСТ ток уменьшить, выбрав номиналы резисторов <shape id="_x0000_i1202" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image258.wmz» o:><img width=«24» height=«25» src=«dopb162241.zip» v:shapes="_x0000_i1202"> и <shape id="_x0000_i1203" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image260.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162242.zip» v:shapes="_x0000_i1203"> из соотношения <shape id="_x0000_i1204" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image262.wmz» o:><img width=«88» height=«25» src=«dopb162243.zip» v:shapes="_x0000_i1204">, и рассчитать номинал резистора <shape id="_x0000_i1205" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image264.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162244.zip» v:shapes="_x0000_i1205">, исходя из формулы (34),
<shape id="_x0000_i1206" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image266.wmz» o:><img width=«205» height=«63» src=«dopb162245.zip» v:shapes="_x0000_i1206">.                                          (45)
Сопротивление нагрузки модулятора следует выбирать исходя из частоты среза <shape id="_x0000_i1207" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image268.wmz» o:><img width=«17» height=«25» src=«dopb162246.zip» v:shapes="_x0000_i1207">, а не <shape id="_x0000_i1208" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image270.wmz» o:><img width=«21» height=«28» src=«dopb162247.zip» v:shapes="_x0000_i1208">, как в широкополосном демодуляторе, с учетом коэффициента сужения полосы пропускания за счет емкостей, шунтирующих нагрузочное сопротивление <shape id="_x0000_i1209" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image272.wmz» o:><img width=«29» height=«25» src=«dopb162236.zip» v:shapes="_x0000_i1209">. Это связано с тем, что в модуляторе использовать сопротивление в цепи эмиттеров транзисторов дифференциальной пары Т1 и Т2 не рекомендуется, так как при этом возникают нелинейные искажения огибающей.
Действительно, при введении резисторов <shape id="_x0000_i1210" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image273.wmz» o:><img width=«28» height=«25» src=«dopb162248.zip» v:shapes="_x0000_i1210"> в цепь эмиттеров БТ Т1 и Т2 крутизна при условии <shape id="_x0000_i1211" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image275.wmz» o:><img width=«104» height=«25» src=«dopb162249.zip» v:shapes="_x0000_i1211"> становится независимой от тока <shape id="_x0000_i1212" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image277.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb162214.zip» v:shapes="_x0000_i1212">:
<shape id="_x0000_i1213" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image278.wmz» o:><img width=«339» height=«61» src=«dopb162250.zip» v:shapes="_x0000_i1213">,                          (46)
а производная от (46)
                             <shape id="_x0000_i1214" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image280.wmz» o:><img width=«207» height=«71» src=«dopb162251.zip» v:shapes="_x0000_i1214">
является обратной функцией квадрата модулирующего тока <shape id="_x0000_i1215" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image282.wmz» o:><img width=«40» height=«25» src=«dopb162216.zip» v:shapes="_x0000_i1215"> (33), т.е. нелинейной функцией для сигнала модуляции (37).
Снимать непосредственно сигналы с несимметричных выходов модулятора нельзя, так как на каждом из этих выходов присутствует синфазный сигнал, образуемый при изменении тока ГСТ на каждом из сопротивлений нагрузки <shape id="_x0000_i1216" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image283.wmz» o:><img width=«227» height=«55» src=«dopb162252.zip» v:shapes="_x0000_i1216">, который, накладываясь на дифференциальный сигнал, искажает закон модуляции. При съеме полезного сигнала с симметричного выхода сигналы <shape id="_x0000_i1217" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image285.wmz» o:><img width=«76» height=«28» src=«dopb162253.zip» v:shapes="_x0000_i1217">, вычитаясь между собой, не проявляются и, следовательно, не нарушают закона модуляции.
Для получения возможности съема полезного сигнала с одного выхода (лучше со второго, так как БТ Т2 включен по схеме с ОБ, при этом сопротивление нагрузки в Т1 должно быть закорочено с целью получения включения с ОК) относительно общей точки необходим специальный каскад сдвига уровня, который позволил бы, исключив влияние синфазного сигнала, восстановить прежний закон модуляции и сформировать несущую без постоянной составляющей. В связи с этим основная схема модулятора (рис. 10) дополнена каскадом сдвига уровня на БТ Т5 с управляемым ГСТ на транзисторах <shape id="_x0000_i1218" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image287.wmz» o:><img width=«32» height=«31» src=«dopb162254.zip» v:shapes="_x0000_i1218">, <shape id="_x0000_i1219" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image289.wmz» o:><img width=«32» height=«31» src=«dopb162255.zip» v:shapes="_x0000_i1219"> и ОУ2.
Условие компенсации постоянной составляющей, включая синфазную, на выходе модулятора <shape id="_x0000_i1220" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image291.wmz» o:><img width=«45» height=«28» src=«dopb162256.zip» v:shapes="_x0000_i1220"> сводится к условию
<shape id="_x0000_i1221" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image293.wmz» o:><img width=«276» height=«48» src=«dopb162257.zip» v:shapes="_x0000_i1221">0,                                  (47)
где <shape id="_x0000_i1222" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image295.wmz» o:><img width=«53» height=«28» src=«dopb162258.zip» v:shapes="_x0000_i1222"> и <shape id="_x0000_i1223" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image297.wmz» o:><img width=«40» height=«28» src=«dopb162259.zip» v:shapes="_x0000_i1223"> — напряжение база-эмиттер БТ Т5 и ток дополнительного ГСТ, который по форме записи соответствует (33), так как схема данного ГСТ идентична схеме основного ГСТ (рис. 10).
С учетом отмеченного и формулы (33) условие (47) приобретает вид
<shape id="_x0000_i1224" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image299.wmz» o:><img width=«507» height=«68» src=«dopb162260.zip» v:shapes="_x0000_i1224">0,    (48)
где <shape id="_x0000_i1225" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image301.wmz» o:><img width=«19» height=«28» src=«dopb162261.zip» v:shapes="_x0000_i1225">, <shape id="_x0000_i1226" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image303.wmz» o:><img width=«56» height=«28» src=«dopb162262.zip» v:shapes="_x0000_i1226"> и <shape id="_x0000_i1227" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image305.wmz» o:><img width=«56» height=«31» src=«dopb162263.zip» v:shapes="_x0000_i1227"> — постоянная состовляющая тока, требуемое переменное напряжение компенсации и напряжение база-эмиттер БТ <shape id="_x0000_i1228" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image307.wmz» o:><img width=«32» height=«31» src=«dopb162254.zip» v:shapes="_x0000_i1228"> дополнительного ГСТ;<shape id="_x0000_i1229" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image308.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162264.zip» v:shapes="_x0000_i1229"> — сопротивление компенсирующего резистора.
Условие компенсации (48) в статическом режиме (при отсутствии модуляции <shape id="_x0000_i1230" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image310.wmz» o:><img width=«141» height=«28» src=«dopb162265.zip» v:shapes="_x0000_i1230">0)
                             <shape id="_x0000_i1231" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image312.wmz» o:><img width=«228» height=«47» src=«dopb162266.zip» v:shapes="_x0000_i1231">0
позволяет определить требуемый номинал компенсирующего резистора
<shape id="_x0000_i1232" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image314.wmz» o:><img width=«227» height=«63» src=«dopb162267.zip» v:shapes="_x0000_i1232">.                                        (49)
Условие компенсации (48) в динамическом режиме (при наличии модуляции) 
                       <shape id="_x0000_i1233" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image124.wmz» o:><img width=«12» height=«23» src=«dopb162178.zip» v:shapes="_x0000_i1233"><shape id="_x0000_i1234" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image316.wmz» o:><img width=«328» height=«60» src=«dopb162268.zip» v:shapes="_x0000_i1234">0
позволяет определить требуемый уровень переменного напряжения компенсации
<shape id="_x0000_i1235" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image318.wmz» o:><img width=«297» height=«63» src=«dopb162269.zip» v:shapes="_x0000_i1235">.                            (50)
Для упрощения практической реализации модулятора необходимо соблюдать равенство напряжений <shape id="_x0000_i1236" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image320.wmz» o:><img width=«56» height=«31» src=«dopb162270.zip» v:shapes="_x0000_i1236"> и <shape id="_x0000_i1237" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image322.wmz» o:><img width=«52» height=«28» src=«dopb162271.zip» v:shapes="_x0000_i1237">, которое выполнимо при одинаковых токах транзисторов <shape id="_x0000_i1238" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image324.wmz» o:><img width=«31» height=«24» src=«dopb162272.zip» v:shapes="_x0000_i1238"> и Т3. Тогда целесообразно принять одинаковыми и токи <shape id="_x0000_i1239" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image326.wmz» o:><img width=«19» height=«28» src=«dopb162261.zip» v:shapes="_x0000_i1239"> и <shape id="_x0000_i1240" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image327.wmz» o:><img width=«19» height=«25» src=«dopb162214.zip» v:shapes="_x0000_i1240">, т. е. необходимо иметь два ГСТ с идентичными параметрами, что осуществимо в едином интегральном технологическом цикле.
При идентичных параметрах ГСТ <shape id="_x0000_i1241" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image328.wmz» o:><img width=«64» height=«28» src=«dopb162273.zip» v:shapes="_x0000_i1241">, <shape id="_x0000_i1242" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image330.wmz» o:><img width=«69» height=«28» src=«dopb162274.zip» v:shapes="_x0000_i1242">, <shape id="_x0000_i1243" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image332.wmz» o:><img width=«67» height=«28» src=«dopb162275.zip» v:shapes="_x0000_i1243"> и <shape id="_x0000_i1244" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image334.wmz» o:><img width=«55» height=«28» src=«dopb162276.zip» v:shapes="_x0000_i1244"> соотношения (49) и (50) упрощаются
<shape id="_x0000_i1245" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image336.wmz» o:><img width=«187» height=«57» src=«dopb162277.zip» v:shapes="_x0000_i1245">,                                             (51)
<shape id="_x0000_i1246" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image338.wmz» o:><img width=«177» height=«52» src=«dopb162278.zip» v:shapes="_x0000_i1246">.                                              (52)
Уравнение (52) позволяет синтезировать управляющее дополнительным ГСТ устройство, которое должно быть инвертирующим устройством на ОУ2 c коэффициентом передачи
<shape id="_x0000_i1247" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image340.wmz» o:><img width=«219» height=«55» src=«dopb162279.zip» v:shapes="_x0000_i1247">.                                         (53)
Номиналы резисторов цепи ООС  <shape id="_x0000_i1248" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image342.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162280.zip» v:shapes="_x0000_i1248"> и <shape id="_x0000_i1249" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image344.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162281.zip» v:shapes="_x0000_i1249">при низкоомных резисторах <shape id="_x0000_i1250" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image346.wmz» o:><img width=«29» height=«25» src=«dopb162236.zip» v:shapes="_x0000_i1250"> и <shape id="_x0000_i1251" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image347.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162264.zip» v:shapes="_x0000_i1251"> могут быть пропорционально увеличены, чтобы заметно не нагружать ОУ1 и ОУ2, с сохранением соотношения (53).
Коэффициент передачи каскада сдвига уровня на транзисторе Т5
<shape id="_x0000_i1252" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image348.wmz» o:><img width=«215» height=«83» src=«dopb162282.zip» v:shapes="_x0000_i1252">,                                        (54)
где <shape id="_x0000_i1253" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image350.wmz» o:><img width=«41» height=«28» src=«dopb162283.zip» v:shapes="_x0000_i1253"> — внутреннее сопротивление второго (компенсирующего) ГСТ
<shape id="_x0000_i1254" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image352.wmz» o:><img width=«257» height=«127» src=«dopb162284.zip» v:shapes="_x0000_i1254">;                                  (55)
<shape id="_x0000_i1255" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image354.wmz» o:><img width=«65» height=«52» src=«dopb162285.zip» v:shapes="_x0000_i1255"> и <shape id="_x0000_i1256" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image356.wmz» o:><img width=«49» height=«28» src=«dopb162286.zip» v:shapes="_x0000_i1256"> — параллельное соединение резисторов <shape id="_x0000_i1257" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image358.wmz» o:><img width=«24» height=«28» src=«dopb162287.zip» v:shapes="_x0000_i1257"> и <shape id="_x0000_i1258" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image360.wmz» o:><img width=«25» height=«28» src=«dopb162288.zip» v:shapes="_x0000_i1258"> и коэффициент передачи тока БТ <shape id="_x0000_i1259" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image362.wmz» o:><img width=«32» height=«31» src=«dopb162255.zip» v:shapes="_x0000_i1259">.
Результирующий коэффициент передачи по несущей амплитудного модулятора (41) и (54)
<shape id="_x0000_i1260" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image363.wmz» o:><img width=«284» height=«55» src=«dopb162289.zip» v:shapes="_x0000_i1260">.                                (56)
Входные сопротивления по входу несущей модулятора без учета сопротивления в цепи базы транзистора Т1, которое при подключенном источнике сигнала <shape id="_x0000_i1261" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image365.wmz» o:><img width=«55» height=«25» src=«dopb162213.zip» v:shapes="_x0000_i1261"> может отсутствовать, относительно невелико. Оно такое, как у простого ДУ:
<shape id="_x0000_i1262" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image366.wmz» o:><img width=«201» height=«52» src=«dopb162290.zip» v:shapes="_x0000_i1262">,                                           (57)
где <shape id="_x0000_i1263" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image368.wmz» o:><img width=«64» height=«28» src=«dopb162291.zip» v:shapes="_x0000_i1263"> — коэффициент передачи тока БТ Т1, Т2, что требует применения источника сигнала <shape id="_x0000_i1264" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image370.wmz» o:><img width=«55» height=«25» src=«dopb162213.zip» v:shapes="_x0000_i1264"> с малым внутренним сопротивлением.
Входное сопротивление модулятора по модуляционному входу исключительно велико, оно определяется входным дифференциальным сопротивлением <shape id="_x0000_i1265" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image371.wmz» o:><img width=«47» height=«27» src=«dopb162292.zip» v:shapes="_x0000_i1265"> и коэффициентом передачи <shape id="_x0000_i1266" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image373.wmz» o:><img width=«27» height=«25» src=«dopb162167.zip» v:shapes="_x0000_i1266"> используемого ОУ1
<shape id="_x0000_i1267" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image374.wmz» o:><img width=«176» height=«27» src=«dopb162293.zip» v:shapes="_x0000_i1267">.                                              (58)
В связи с этим модуляционный вход модулятора целесообразно экранировать, соединив оплетку кабеля с выходом ОУ1, как показано на рис.10.
Выходное сопротивление модулятора
<shape id="_x0000_i1268" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image376.wmz» o:><img width=«325» height=«63» src=«dopb162294.zip» v:shapes="_x0000_i1268">                          (59)
относительно велико, и это определяет необходимость использования высокоомной нагрузки.
Так как транзисторы дифференциальной пары Т1 и Т2 включены по схеме ОК-ОБ и нагрузкой ее является БТ Т5, включенный по схеме ОК, то в формировании частоты среза <shape id="_x0000_i1269" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image378.wmz» o:><img width=«20» height=«25» src=«dopb162295.zip» v:shapes="_x0000_i1269"> модулятора участвует частота среза по параметру крутизны <shape id="_x0000_i1270" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image380.wmz» o:><img width=«17» height=«25» src=«dopb162246.zip» v:shapes="_x0000_i1270"> транзистора Т2 и частота среза ФНЧ нагрузки <shape id="_x0000_i1271" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image381.wmz» o:><img width=«21» height=«25» src=«dopb162296.zip» v:shapes="_x0000_i1271">, которые принимаются равными (<shape id="_x0000_i1272" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image383.wmz» o:><img width=«17» height=«25» src=«dopb162246.zip» v:shapes="_x0000_i1272"><shape id="_x0000_i1273" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image384.wmz» o:><img width=«15» height=«11» src=«dopb162297.zip» v:shapes="_x0000_i1273"><shape id="_x0000_i1274" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image386.wmz» o:><img width=«21» height=«25» src=«dopb162296.zip» v:shapes="_x0000_i1274">). С учетом коэффициента сужения полосы пропускания <shape id="_x0000_i1275" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image387.wmz» o:><img width=«13» height=«19» src=«dopb162298.zip» v:shapes="_x0000_i1275">, в данном случае n=2 и <shape id="_x0000_i1276" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image389.wmz» o:><img width=«65» height=«23» src=«dopb162299.zip» v:shapes="_x0000_i1276">, сопротивление нагрузки
<shape id="_x0000_i1277" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image391.wmz» o:><img width=«228» height=«52» src=«dopb162300.zip» v:shapes="_x0000_i1277">,                                      (60)
где <shape id="_x0000_i1278" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image393.wmz» o:><img width=«44» height=«25» src=«dopb162301.zip» v:shapes="_x0000_i1278"> — выходная емкость ФНЧ нагрузки, состоящая из емкостей коллектор- база <shape id="_x0000_i1279" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image395.wmz» o:><img width=«32» height=«31» src=«dopb162302.zip» v:shapes="_x0000_i1279"> транзисторов Т2 и Т5 и монтажной емкости <shape id="_x0000_i1280" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image397.wmz» o:><img width=«29» height=«25» src=«dopb162303.zip» v:shapes="_x0000_i1280">;
<shape id="_x0000_i1281" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image399.wmz» o:><img width=«188» height=«33» src=«dopb162304.zip» v:shapes="_x0000_i1281">.                                           (61)
В связи с этим требуемая частота единичного усиления транзисторов Т1 и Т2
<shape id="_x0000_i1282" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image401.wmz» o:><img width=«157» height=«28» src=«dopb162305.zip» v:shapes="_x0000_i1282">.                                               (62)
Расчет амплитудного модулятора следует начинать с определения сопротивления нагрузки (60) и задания требований к транзисторам дифференциальной пары Т1, Т2 и режима их работы с целью обеспечения заданного частотного диапазона. При емкостях <shape id="_x0000_i1283" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image403.wmz» o:><img width=«49» height=«28» src=«dopb162306.zip» v:shapes="_x0000_i1283">2 пФ и емкости монтажа <shape id="_x0000_i1284" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image405.wmz» o:><img width=«47» height=«25» src=«dopb162307.zip» v:shapes="_x0000_i1284">1 пФ емкость (61) <shape id="_x0000_i1285" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image407.wmz» o:><img width=«60» height=«25» src=«dopb162308.zip» v:shapes="_x0000_i1285">5 пФ и для частоты среза модулятора <shape id="_x0000_i1286" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image409.wmz» o:><img width=«37» height=«25» src=«dopb162309.zip» v:shapes="_x0000_i1286"> 200 МГц сопротивление нагрузки (50) составит <shape id="_x0000_i1287" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image411.wmz» o:><img width=«47» height=«25» src=«dopb162310.zip» v:shapes="_x0000_i1287">100 Ом, а требуемая частота единичного усиления (62) транзисторов Т1, Т2 при <shape id="_x0000_i1288" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image413.wmz» o:><img width=«41» height=«28» src=«dopb162311.zip» v:shapes="_x0000_i1288">5 Ом и <shape id="_x0000_i1289" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image415.wmz» o:><img width=«36» height=«25» src=«dopb162312.zip» v:shapes="_x0000_i1289">10 мА должна быть <shape id="_x0000_i1290" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image417.wmz» o:><img width=«37» height=«25» src=«dopb162313.zip» v:shapes="_x0000_i1290">300 МГц.
Желательно чтобы остальные транзисторы схемы модулятора были однотипными с Т1 и Т2, но они работают с цепями ООС, и их частоты единичного усиления могут быть несколько меньшими, несмотря на удвоенное значение их рабочего тока.
Так как к модулятору, как правило, не предъявляется высоких требований в части коэффициента усиления несущей (56), то даже при такой низкоомной нагрузке ток ГСТ (34) может быть выбран не очень большой величины  (<shape id="_x0000_i1291" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image419.wmz» o:><img width=«36» height=«25» src=«dopb162314.zip» v:shapes="_x0000_i1291">20 мА), чтобы использовать стандартные ОУ1 и ОУ2, например, <shape id="_x0000_i1292" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image421.wmz» o:><img width=«73» height=«28» src=«dopb162315.zip» v:shapes="_x0000_i1292">10 мА.
После этого расчет производят в соответствии с формулами, описывающими работу модулятора, включая оценку входных и выходных его параметров (57) — (59), выбор соответствующего ОУ и определение номиналов резисторов <shape id="_x0000_i1293" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image423.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162281.zip» v:shapes="_x0000_i1293">,<shape id="_x0000_i1294" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image424.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162280.zip» v:shapes="_x0000_i1294"> (53) ОУ2, c учетом того что верхняя частота модулирующего сигнала (37), как правило, не превышает верхней частоты звукового диапазона <shape id="_x0000_i1295" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image425.wmz» o:><img width=«41» height=«25» src=«dopb162316.zip» v:shapes="_x0000_i1295">20 кГц.
При первичной отладке амплитудного модулятора необходимо в отсутствие входных сигналов (36) и (37) как можно точнее получить нулевой уровень постоянной составляющей выходного напряжения <shape id="_x0000_i1296" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image427.wmz» o:><img width=«45» height=«28» src=«dopb162256.zip» v:shapes="_x0000_i1296"> путем более точной, например лазерной, подгонки номинала компенсирующего резистора <shape id="_x0000_i1297" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image428.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162264.zip» v:shapes="_x0000_i1297">  (рис. 10). Затем, установив уровень модулирующего сигнала <shape id="_x0000_i1298" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image429.wmz» o:><img width=«56» height=«25» src=«dopb162215.zip» v:shapes="_x0000_i1298">, соответствующий предельной глубине модуляции (<shape id="_x0000_i1299" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image430.wmz» o:><img width=«35» height=«15» src=«dopb162317.zip» v:shapes="_x0000_i1299">1) (40), путем подстройки номинала резистора <shape id="_x0000_i1300" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image432.wmz» o:><img width=«25» height=«25» src=«dopb162281.zip» v:shapes="_x0000_i1300"> следует зафиксировать отсутствие данного сигнала на выходе модулятора. После этого при калиброванных входных сигналах <shape id="_x0000_i1301" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image433.wmz» o:><img width=«55» height=«25» src=«dopb162213.zip» v:shapes="_x0000_i1301"> и <shape id="_x0000_i1302" type="#_x0000_t75" o:ole="" fillcolor=«window»><imagedata src=«34903.files/image429.wmz» o:><img width=«56» height=«25» src=«dopb162215.zip» v:shapes="_x0000_i1302"> модулятор может быть использован как прецизионное средство получения сигналов с АМ в широком диапазоне частот.

4. Линейный частотный модулятор
ЧМ, так же как и АМ, может быть осуществлена в отдельном от автогенератора модуляторе. Это актуально для ряда радиотехнических систем, в том числе и измерительных [9], требующих двух синхронизированных сигналов, один из которых представляет собой немодулированное колебание, а другой – колебание с ЧМ или АМ.
    продолжение
--PAGE_BREAK--