Реферат: Усилитель мощности на дискретных элементах

--PAGE_BREAK--Классификация усилителей
          Деление на типы осуществляют по назначению усилителя, характеру входного сигнала, полосе и абсолютному значению усиливаемых частот, виду используемых активных элементов.

1.     По своему назначению усилители условно делятся на усилители напряжения, усилители тока и усилители мощности. Если основное требование – усиление входного напряжения до необходимого значения, то такой усилитель относится к усилителям напряжения. Если основное требование – усиление входного тока до нужного уровня, то такой усилитель относят к усилителям тока. Следует отметить, что в усилителях напряжения и усилителях тока одновременно происходит усиление мощности сигнала (иначе вместо усилителя достаточно было бы применить трансформатор). В усилителях мощности в отличие от усилителей напряжения и тока требуется обеспечить в нагрузке заданный или максимально возможный уровень сигнала.

2.     В зависимости от характера входного сигнала различают усилители гармонических (непрерывных) сигналов и усилители импульсных сигналов. К первой группе относятся устройства для усиления непрерывных гармонических сигналов или квазигармонических сигналов, гармонические составляющие которых изменяются много медленнее всех нестационарных процессов в цепях усилителя. Ко второй группе усилителей относятся устройства для усиления импульсов различной формы и амплитуды с допустимыми искажениями их форм. В этих усилителях входной сигнал изменяется настолько быстро, что процесс установления колебаний является определяющим при нахождении формы сигнала.

3.     Полоса и абсолютные значения усиливаемых частот позволяют разделить усилители на следующие типы.
      Усилители постоянного тока предназначены для усиления электрических колебаний в пределах от нижней частоты, равной нулю, до верхней рабочей частоты усилителя. Главным является то, что они усиливают постоянные и переменные составляющие входного сигнала.
      Усилители переменного тока предназначены для усиления лишь переменных составляющих входного сигнала. В зависимости от граничных значений рабочего диапазона частот усилители переменного тока могут быть низкой и высокой частоты. По ширине полосы усиливаемых частот выделяют избирательные и широкополосные усилители.

4.     По роду применяемых активных элементов усилители делятся на транзисторные, магнитные, диодные, ламповые, параметрические и др.
      В качестве активных элементов в настоящее время в усилителях чаще используются полевые или биполярные транзисторы, либо интегральные схемы. Значительно реже применяются активные элементы в виде нелинейных емкостей или индуктивностей и специальные типы полупроводниковых диодов.
Режимы работы усилителей
          Режим работы усилителя определяется начальным положением рабочей точки на сквозной динамической характеристике усилительного элемента, то есть на характеристике зависимости выходного тока усилительного элемента от ЭДС входного сигнала.

          Различают три основных режима работы – режимы А, В, С.

          В режиме А рабочая точка О выбирается на середине прямолинейного участка сквозной динамической характеристики. Выходной сигнал практически повторяет форму входного сигнала при относительно небольшой величине последнего. Нелинейные искажения при этом минимальны. Ток в выходной цепи существует в течение всего периода входного сигнала. При этом среднее значение выходного тока велико по сравнению  амплитудой его переменной составляющей. Поэтому КПД каскада невысок – 20-30%.

          В режиме В рабочая точка выбирается так, чтобы ток через усилительный элемент протекал только в течении половины периода входного сигнала. Усилительный элемент работает с так называемой отсечкой. Ток покоя из-за нижнего изгиба сквозной характеристики оказывается не равным нулю, и форма выходного тока искажается относительно входного. В кривой тока появляются высшие гармоники, что приводит к увеличению нелинейных искажений по сравнению с режимом А. Среднее значение выходного тока уменьшается, в результате чего КПД каскада достигает 60-70%.

          Существует еще промежуточный режим АВ, когда рабочая точка выбирается на сквозной характеристике ниже, чем точка А и выше, чем в режиме В. Поэтому и показатели этого режима имеют промежуточное значение между режимами А и В – КПД 40-50% при невысоком уровне нелинейных искажений.

Типы связи между отдельными усилительными каскадами.
Можно выделить следующие типы связи между отдельными усилительными каскадами: гальваническую (непосредственную); емкостную (с помощью RC0 цепочек); трансформаторную; с помощью частотно-зависимых цепей; оптронную.

Для сравнительно низкочастотных усилителей  чаще используют первый и второй тип связи. Третий применяют реже из-за больших габаритов трансформаторов, невозможности их микро миниатюризации, высокой стоимости, сложности изготовление, повышенных нелинейных искажений. Четвертый тип используют при создании избирательных усилителей, а пятый применяется сравнительно редко, только в специальных случаях, когда при низкой рабочей частоте требуется хорошая гальваническая развязка между каскадами.
Обратная связь.
          Обратную связь (ОС) называют отрицательной, если ее сигнал вычитается из входного сигнала, и положительной, если сигнал ОС суммируется с входным. При отрицательной ОС коэффициент усиления уменьшается, а при положительной – увеличивается. Из-за схемных особенностей усилителя в цепи ОС возможны варианты, когда ОС существует только для медленно изменяющегося сигнала, либо только для переменной составляющей его, либо всего сигнала. В этих случаях говорят, что обратная связь осуществлена по постоянному, по переменному, а так же как по постоянному, так и по переменному токам.

          В зависимости  от способа получения сигнала различают обратную вязь по напряжению, когда снимаемый сигнал ОС пропорционален напряжению выходной цепи; обратную связь по току, когда снимаемый сигнал ОС пропорционален току выходной цепи; комбинированную ОС, когда снимаемый сигнал пропорционален как и напряжению, так и току выходной цепи.

          По способу внедрения во входную цепь сигнала обратной связи различают: последовательную схему введения ОС, когда напряжение гнала суммируется с входным напряжением; параллельную схему введения ОС, когда ток цепи суммируется с током входного сигнала; смешанную схему введения ОС, когда с входным сигналом суммируются ток и напряжение цепи ОС.



    продолжение
--PAGE_BREAK--3.2       Предварительный расчет
Определение амплитуды тока Iнm и напряжения Uнm на нагрузке:
<img width=«236» height=«70» src=«ref-1_1976331191-1354.coolpic» v:shapes="_x0000_i1025">,   (2.2.1)

 где Pнmax – мощность нагрузки,

 Rн – сопротивление нагрузки.
Определение входного сопротивления УНЧ.

Обычно величину входного сопротивления определяют из условия: <img width=«138» height=«24» src=«ref-1_1976332545-565.coolpic» v:shapes="_x0000_i1026">. Исходя из худшего случая, входное сопротивление УНЧ берется равным Rг: Rвх=Rг.
Определение необходимого коэффициента усиления по ЭДС Ke и коэффициент усиления по напряжению Ku:
<img width=«223» height=«86» src=«ref-1_1976333110-1542.coolpic» v:shapes="_x0000_i1027">   (2.2.2)
          Расчет количества каскадов предварительного усиления (КПУ) также следует производить, ориентируясь на худший случай, т.е. при расчете надо принимать наименьший коэффициент усиления по напряжению, обеспечиваемый схемами ОЭ и ОИ:  Kumin = 10. Тогда, учитывая, что Rвх = Rг, количество каскадов КПУ n вычисляется по формуле:
<img width=«121» height=«41» src=«ref-1_1976334652-599.coolpic» v:shapes="_x0000_i1028">   (2.2.3)

.

Учитывая, что для заведения отрицательной обратной связи (ООС) разность фаз между входным и выходным сигналом должна быть кратна <img width=«67» height=«24» src=«ref-1_1976335251-337.coolpic» v:shapes="_x0000_i1029">, где k – целое число, округляем n до ближайшего целого нечетного числа (в большую сторону).
          Определение напряжения питания УНЧ Eп.

Напряжение питания УНЧ определяется по следующей формуле:

<img width=«204» height=«20» src=«ref-1_1976335588-591.coolpic» v:shapes="_x0000_i1030">,   (2.2.4)

где <img width=«67» height=«20» src=«ref-1_1976336179-320.coolpic» v:shapes="_x0000_i1031">   —  падение напряжения на переходе коллектор – эмиттер выходного транзистора в режиме насыщения, В;

<img width=«35» height=«20» src=«ref-1_1976336499-163.coolpic» v:shapes="_x0000_i1032">   — падение напряжение на резисторе, установленном на эмиттерной цепи выходного транзистора, В.

Ориентировочно принимаем <img width=«67» height=«20» src=«ref-1_1976336179-320.coolpic» v:shapes="_x0000_i1033"> = 1В, <img width=«35» height=«20» src=«ref-1_1976336499-163.coolpic» v:shapes="_x0000_i1034"> = 0.7В. Тогда Eп = 28.54В. Полученную величину округляем к ближайшему целому числу, а затем принимаем из стандартного ряда: Eп = 30В.


3.3       Составление структурной схемы усилителя
Структурная схема усилителя приведена на рисунке 2.1
 


        вход 

<img width=«61» height=«12» src=«ref-1_1976337145-103.coolpic» v:shapes="_x0000_s1043"> <img width=«555» height=«133» src=«ref-1_1976337248-1160.coolpic» v:shapes="_x0000_s1038 _x0000_s1040 _x0000_s1041 _x0000_s1042 _x0000_s1044 _x0000_s1048 _x0000_s1049">



Рис 2.1 – Структурная схема УНЧ
ВхК — входной каскад осуществляет передачу входного сигнала от источника во входную цепь первого последующего каскада. Основной функцией входного каскада является обеспечение необходимого входного сопротивления. Соответственно, при выборе  входного каскада следует ориентироваться на следующие данные: Схема с общим эмиттером имеет входное сопротивление, равное 103..104 Ом, схема с общим коллектором – 104..105 Ом, дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах — 103..104 Ом, усилительный каскад на полевом транзисторе – 105..107 Ом. При этом следует учитывать снижение или повышение входного сопротивления за счет введения обратных связей.
КПУ — каскады предварительного усиления предназначены для усиления напряжения, тока и мощности до значения, необходимого для подачи на вход усилителя мощности. Количество каскадов предварительного усиления определяется необходимым усилением.
УМ — каскад усиления мощности должен обеспечить подачу в нагрузку заданной мощности сигнала при минимальных искажениях его формы.
ООС — Отрицательная обратная связь предназначена для стабилизации режима по постоянному току, задания требуемого коэффициента усиления, а также снижения коэффициента нелинейных искажений. Осуществляется она путем  передачи сигнала из выходной цепи во входную в противофазе, то есть выходной сигнал вычитается из входного.


    продолжение
--PAGE_BREAK--3.4       Разработка принципиальной электрической схемы усилителя


Принципиальная схема усилителя приведена на рисунке 2.2
С учетом требований к функциональным узлам схемы усилителя, приведенных в пункте 2.3, выбираем схемы соответствующих каскадов.
Входной каскад – каскад на полевом транзисторе, включенном по схеме с общим истоком (ОИ); работающий в режиме А. Данный каскад имеет большое входное сопротивление, значительноеусиление как по току, так и по напряжению, имеет малые нелинейные искажения.
Каскады предварительного усиления – каскады на биполярных транзисторах, включенные по схеме с общим эмиттером (ОЭ), работающий в режиме А. Данные каскады имеют характеристики несколько хуже, чем ОИ (небольшое входное сопротивление, большие нелинейные искажения), однако биполярные транзисторы более надежны и дешевы.
Межкаскадная связь выбрана гальванической, т.к. она не вносит нелинейных искажений.
Выходной каскад – бестрансформаторный двухтактный усилитель мощности, собранный на биполярных транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором. Данный каскад позволяет осуществить непосредственную связь с нагрузкой, что дает возможность обойтись без громоздких трансформаторов и разделительных конденсаторов, имеет хорошие частотные и амплитудные характеристики. Кроме того, в связи с отсутствием частотно-зависимых элементов в цепях связи между каскадами можно вводить глубокие общие отрицательные обратные связи, что существенно улучшает преобразовательные характеристики всего каскада.

При составлении схем  выходного и предоконечного каскадов, необходимо учесть следующие моменты:

— В режиме покоя напряжение база-эмиттер каждого транзистора выходного каскада должно варьироваться от 0 до, приблизительно, 0.7В. С учетом того факта, что потенциалы эмиттеров данных транзисторов равны 0, потенциал базы должен соответственно варьироваться от 0 до 0.7В. Потенциал базы задается коллекторным резистором предоконечного каскада. При этом на предоконечный каскад необходимо подать двуполярное питание. При этом следует учитывать, что с увеличением напряжения база — эмиттер увеличивается ток коллектора соответствующего транзистора, что приводит к уменьшению нелинейных искажений данного каскада, но в тоже время и к уменьшению КПД.

— Так же необходимо учитывать ограничения по масса – габаритным показателям как нелинейных, так и линейных элементов. Одно из ограничений   — максимальная мощность резисторов не должна превышать 2Вт. В связи с тем, что выбрана гальваническая межкаскадная связь,  то к коллекторному резистору предоконечного каскада будет прикладываться напряжение, равное  Eп (т.к. необходимо задать нулевой потенциал базы транзисторов выходного каскада) и через него будет протекать ток, немногим больший амплитуды входного тока выходного каскада. С учетом чего рассчитываем минимальный коэффициент передачи тока транзисторов выходного каскада h21эум min о формуле:
<img width=«209» height=«46» src=«ref-1_1976338408-759.coolpic» v:shapes="_x0000_i1035">,   (2.4.1)
где Eп – напряжение источника питания,

Iнm – амплитуда выходного тока усилителя.
Данный коэффициент передачи тока  мощных транзисторов можно получить путем применения транзисторов с высоким h11э (составные транзисторы),  либо заменив транзисторы выходного каскада схемой Дарлингтона.

         

Отрицательная обратная связь – параллельная ОС по напряжению. Применение данного вида ОС объясняется тем, что в качестве  выходного каскада применяется двухтактный усилитель мощности с двуполярным питанием, в котором потенциал выхода в режиме покоя равен нулю (ток выхода покоя отсутствует), а в качестве входного – каскад на полевом транзисторе, входной ток которого близок к нулю. Все это обуславливает невозможность применения ОС по току или комбинированной ОС.

При расчете усилителя следует учитывать, что параллельная ООС уменьшает входное сопротивление каскада, увеличивая те самым коэффициент усиления по напряжению усилителя.
Входной каскад собран на транзисторе VT1, включенном по схеме ОИ. Резистор R1 служит входным сопротивлением усилителя, а так же для задания потенциала затвора VT1. Резистор является R2 стоковой нагрузкой транзистора VT1. Резистор R3 задает ток стока транзистора VT1 в режиме покоя. Каскады предварительного усиления собраны на транзисторах VT2 и VT3 по схеме с общим эмиттером. Резисторы R4 и R6 служат коллекторными нагрузками соответствующих каскадов. Выходной каскад собран по схеме двухтактного усилителя мощности на транзисторах VT6 – VT9. Диод VD1 и резистор R7 образуют цепь смещения. Резисторы R8 и R9 служат для компенсации тепловых токов транзисторов VT8 и VT9 в режиме покоя. Защита по току собрана на транзисторах VT4 и VT5 и резисторах R10 и R11, предназначенных для отпирания соответсвующих транзисторов при превышении токов коллекторов VT8 и VT9. Резисторы Roc1 и Roc2 и конденсаторы Coc1 и Coc2 образуют цепь отрицательной обратной связи по напряжению. Конденсатор C1 разделят входную цепь усилителя и цепь источника сигнала по постоянному току. Цепочка C2R5 представляет собой фильтр.
<img width=«601» height=«389» src=«ref-1_1976339167-35946.coolpic» v:shapes="_x0000_s1061">


Рисунок 2.2 – Принципиальная схема усилителя.


3.5       Электрический расчет 3.5.1    Расчет выходного каскада


Учитывая, что основные нелинейные искажения возникают на выходных транзисторах, найдем максимально допустимый ток коллектора покоя Iкп8. Увеличение этих токов позволит вывести точку покоя как можно ближе к линейному участку входной характеристики выходных транзисторов, что и уменьшает нелинейные искажения. Увеличение тока покоя ограничивается заданным КПД.

Допустимую полную сумму коллекторных токов всего усилителя <img width=«48» height=«25» src=«ref-1_1976375113-271.coolpic» v:shapes="_x0000_i1036">  рассчитываем по формуле:
<img width=«232» height=«54» src=«ref-1_1976375384-1032.coolpic» v:shapes="_x0000_i1037"> ,(2.5.1)
          где <img width=«14» height=«19» src=«ref-1_1976376416-149.coolpic» v:shapes="_x0000_i1038">  — заданный КПД усилителя,

          Pн – мощность нагрузки,

          Eп –напряжение питания.

Задаемся, Iкп8составляет 80% от <img width=«48» height=«25» src=«ref-1_1976375113-271.coolpic» v:shapes="_x0000_i1039"> . Тогда <img width=«35» height=«20» src=«ref-1_1976376836-200.coolpic» v:shapes="_x0000_i1040"> находим по формуле
<img width=«186» height=«25» src=«ref-1_1976377036-690.coolpic» v:shapes="_x0000_i1041">  (2.5.2)
          При данном токе покоя выходные транзисторы будут находится в классе близком к В*, соответственно мощность, рассеиваемая на выходных транзисторах будет составлять 0.17 от мощности нагрузки.
    продолжение
--PAGE_BREAK--          По данным, полученным в предварительном расчете, выбирает транзисторы VT8 и VT9.
Исходными данными для выбора транзистора служат: амплитуда коллекторного тока Iкmax, максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэmax, максимальная частота коллектора, режим работы, требуемый коэффициент усиления по току, максимальная рассеваемая мощность Pкmax.

Для выбора транзисторов необходимо соблюдать следующие условия:

— мощность, рассеваемая на коллекторе транзистора Pк, не должна превышать допустимую Pкдоп;

         — ток коллектора не должен превышать допустимый Iкдоп;

         — напряжение коллектор — эмиттер не должно превышать допустимое Uкэдоп;

         — верхняя частота не должна превышать граничную.
<img width=«293» height=«101» src=«ref-1_1976377726-2274.coolpic» v:shapes="_x0000_i1042"> (2.5.3).
Выбираем транзисторы КТ819В и КТ818В (параметры приведены в приложении А).

Расчет проводим для одной полуволны входного сигнала.

По зависимости коэффициента передачи тока от тока коллектора определяем коэффициент передачи тока в статическом режиме h21эп8=108 и в динамическом h21э8=20.

          Находим ток базы покоя и амплитуду тока базы транзистора VT8:
<img width=«258» height=«97» src=«ref-1_1976380000-2034.coolpic» v:shapes="_x0000_i1043">,(2.5.4)
          По входной характеристике находим напряжение база — эмиттер покоя транзистора VT8 Uбэп8 = 0.52В, а так же при максимальном значении тока базы Uбэm8 = 1.37 В.

          Определяем входное сопротивление транзистора VT8 в режиме покоя h21эп8:
<img width=«269» height=«48» src=«ref-1_1976382034-1245.coolpic» v:shapes="_x0000_i1044">.(2.5.5)
          Рассчитываем резистор R8. Данный резистор служит для компенсации теплого тока транзистора VT8:
<img width=«250» height=«102» src=«ref-1_1976383279-2129.coolpic» v:shapes="_x0000_i1045">.(2.5.6)
          По данным расчета выбираем стандартный резистор МЛТ–0.125Вт–1кОм <img width=«49» height=«20» src=«ref-1_1976385408-284.coolpic» v:shapes="_x0000_i1046">.

          Рассчитываем ток эмиттера покоя транзистора VT6 Iэп6.
<img width=«420» height=«48» src=«ref-1_1976385692-1700.coolpic» v:shapes="_x0000_i1047"> (2.5.7).
          Рассчитываем амплитуду тока эмиттера транзистора VT6 Iэm6. Учитывая, что Iбm8 много больше Iбп8, следовательно h11э8 много меньше h11эm8, то Iэm6 принимаем равным Iэm8, т.к. ток в резисторе R8 близок нулю.
<img width=«165» height=«20» src=«ref-1_1976387392-623.coolpic» v:shapes="_x0000_i1048">.(2.5.8)
          Выбираем транзисторы VT6 и VT7 по следующим параметрам
<img width=«324» height=«101» src=«ref-1_1976388015-2491.coolpic» v:shapes="_x0000_i1049"> (2.5.9).
Выбираем транзисторы КТ815В и КТ814В (параметры приведены в приложении А).

По зависимости коэффициента передачи тока от тока коллектора определяем коэффициент передачи тока в статическом режиме h21эп6=69 и в динамическом h21э6=40.

Находим амплитуду тока базы транзистора VT6:
<img width=«272» height=«97» src=«ref-1_1976390506-2119.coolpic» v:shapes="_x0000_i1050">,(2.5.10)
          По входной характеристике находим напряжение база — эмиттер покоя транзистора VT6 Uбэп6 = 0.62В, а так же при максимальном значении тока базы Uбэm6 = 0.86 В

          Находим напряжение смещение транзисторов VT6 VT8.
<img width=«321» height=«20» src=«ref-1_1976392625-1014.coolpic» v:shapes="_x0000_i1051">.(2.5.11)
Находим входное сопротивление выходного каскада при максимальном значении входного тока.
<img width=«566» height=«48» src=«ref-1_1976393639-2201.coolpic» v:shapes="_x0000_i1052">,(2.5.12)
где UR10 – падение напряжения на эмиттерном резисторе транзистора VT8.
3.5.2    Выбор транзисторов каскадов предварительного усиления и входного каскада
При расчете данных каскадов принимаем, что амплитуда коллекторного (стокового) тока данного транзистора равна амплитуде входного тока следующего транзистора. Для сведения нелинейных искажений к минимуму, минимальный ток коллектора каждого транзистора выбираем при максимальном значении коэффициента передачи тока, при этом желательно, чтобы транзистор находился в классе А.


3.5.2.1    Расчет каскада на транзисторе VT3
Выбор транзистора VT3 производится по следующим параметрам:
<img width=«327» height=«76» src=«ref-1_1976395840-2281.coolpic» v:shapes="_x0000_i1053"> ,(2.5.13)
где Iкmin – ориентировочное значение минимального тока для транзисторов средней мощности.

Выбираем транзистор КТ815В  (параметры приведены в приложении А).

По зависимости коэффициента передачи тока от тока коллектора определяем максимальный коэффициент передачи тока  h21э3 и ток коллектора при данном коэффициенте Iкmin3: h21к3 = 75, Iкmin3 = 20мА.
          По полученным значениям рассчитываем токи  коллектора и базы покоя транзистора VT3:
<img width=«327» height=«76» src=«ref-1_1976398121-2082.coolpic» v:shapes="_x0000_i1054">,(2.5.14)
          Находим току амплитуду тока базы покоя транзистора VT3:
<img width=«276» height=«51» src=«ref-1_1976400203-1198.coolpic» v:shapes="_x0000_i1055">,(2.5.15)
По входной характеристике находим напряжение база — эмиттер покоя транзистора VT3 Uбэп3 = 0.74В.
Рассчитываем резистор R6:
<img width=«318» height=«102» src=«ref-1_1976401401-2498.coolpic» v:shapes="_x0000_i1056">,(2.5.16)
где Uсм – напряжение смещения транзисторов VT6 и VT8.

По полученным данным выбираем резистор МЛТ-1Вт-910Ом <img width=«49» height=«20» src=«ref-1_1976385408-284.coolpic» v:shapes="_x0000_i1057">.

    продолжение
--PAGE_BREAK--3.5.2.2    Расчет каскада на транзисторе VT2
Выбор транзистора VT2 производится по следующим параметрам:
<img width=«403» height=«78» src=«ref-1_1976404183-2743.coolpic» v:shapes="_x0000_i1058"> ,(2.5.17)
где Iкmin – ориентировочное значение минимального тока для транзисторов малой мощности,

UФ1 – напряжение, падающее на резисторе фильтра.

Выбираем транзистор КТ208В  (параметры приведены в приложении А).

По зависимости коэффициента передачи тока от тока коллектора определяем максимальный коэффициент передачи тока  h21э2 и ток коллектора при данном коэффициенте Iкmin2: h21э2 = 148, Iкmin2 = 5мА.
          По полученным значениям рассчитываем токи покоя коллектора и базы покоя транзистора VT2:
<img width=«317» height=«76» src=«ref-1_1976406926-2003.coolpic» v:shapes="_x0000_i1059">,(2.5.18)
          Находим току амплитуду тока базы и ток базы покоя транзистора VT2:
<img width=«286» height=«51» src=«ref-1_1976408929-1253.coolpic» v:shapes="_x0000_i1060">,(2.5.19)
По входной характеристике находим напряжение база — эмиттер покоя транзистора VT2 Uбэп3 = 0.648В.

Рассчитываем резистор R4:
<img width=«357» height=«105» src=«ref-1_1976410182-2434.coolpic» v:shapes="_x0000_i1061">.(2.5.20)
По полученным данным выбираем резистор МЛТ-0.125Вт-160Ом <img width=«49» height=«20» src=«ref-1_1976385408-284.coolpic» v:shapes="_x0000_i1062">.


3.5.2.3    Расчет каскада на транзисторе VT1


Транзистор VT1 выбирается маломощный, с условием, что:
<img width=«287» height=«20» src=«ref-1_1976412900-806.coolpic» v:shapes="_x0000_i1063"> . .(2.5.21)
Ввиду малой мощности входного сигнала остальными параметрами можно пренебречь.

Выбираем транзистор КП303А  (параметры приведены в приложении А).

Задаемся значением тока стока покоя транзистора VT1 Iсп=0.8мА

Рассчитываем резистор R2:
<img width=«327» height=«102» src=«ref-1_1976413706-2398.coolpic» v:shapes="_x0000_i1064">.(2.5.22)
По полученным данным выбираем резистор МЛТ-0.125Вт-820Ом <img width=«49» height=«20» src=«ref-1_1976385408-284.coolpic» v:shapes="_x0000_i1065">.
По зависимости тока стока от напряжения затвор – исток находим напряжение затвор – исток покоя Uзип = 0.042В.

Рассчитываем резистор R3 по формуле:
<img width=«248» height=«100» src=«ref-1_1976416388-2025.coolpic» v:shapes="_x0000_i1066">.(2.5.23)
По полученным данным выбираем резистор МЛТ-0.125Вт-51Ом <img width=«49» height=«20» src=«ref-1_1976385408-284.coolpic» v:shapes="_x0000_i1067">.

По зависимости крутизны от напряжения затвор-исток  определяем крутизну транзистора VT1 S=2.5 мА/В.

3.5.3    Расчет коэффициента усиления без обратной связи
Определяем амплитуду входного напряжения усилителя:
<img width=«438» height=«48» src=«ref-1_1976418697-1679.coolpic» v:shapes="_x0000_i1068">.(2.5.24)

         

Определяем амплитуду тока стока транзистора VT1 Iсm согласно формуле 4.85 из литературы [1]:
<img width=«526» height=«52» src=«ref-1_1976420376-2345.coolpic» v:shapes="_x0000_i1069">,(2.5.25)
                   где S – крутизна транзистора VT1,

          RСИдиф = 0.8МОМ — дифференциальное сопротивление сток-исток транзистора VT1,

          M=S RСидиф=2кОм.

         

          Определяем амплитуду входного тока следующего каскада Iбm2 по формуле:
<img width=«478» height=«51» src=«ref-1_1976422721-1793.coolpic» v:shapes="_x0000_i1070">,(2.5.26)
где h11эдиф2 – дифференциальное входное сопротивление транзистора VT2.

Данное выражение было получено на основании выражений
<img width=«197» height=«131» src=«ref-1_1976424514-1825.coolpic» v:shapes="_x0000_i1071">,(2.5.27)
где <img width=«39» height=«27» src=«ref-1_1976426339-228.coolpic» v:shapes="_x0000_i1072">  — мгновенное значение тока коллектора (стока) текущего транзистора,

<img width=«62» height=«27» src=«ref-1_1976426567-294.coolpic» v:shapes="_x0000_i1073">  — мгновенное значение тока базы  следующего транзистора,

<img width=«78» height=«23» src=«ref-1_1976426861-334.coolpic» v:shapes="_x0000_i1074">  — мгновенное значение напряжения база — эмиттер  следующего транзистора,

<img width=«46» height=«23» src=«ref-1_1976427195-257.coolpic» v:shapes="_x0000_i1075">  — коллекторная (стоковая) нагрузка текущего транзистора,

h11эдиф – дифференциальное входное сопротивление транзистора.

         

Определяем амплитуду тока коллектора транзистора VT2 Iкm2:
<img width=«363» height=«25» src=«ref-1_1976427452-1079.coolpic» v:shapes="_x0000_i1076">  (2.5.28)
Определяем амплитуду входного тока следующего каскада Iбm3 аналогично предыдущему случаю:
<img width=«476» height=«51» src=«ref-1_1976428531-1721.coolpic» v:shapes="_x0000_i1077">,(2.5.29)
где h11эдиф3 – дифференциальное входное сопротивление транзистора VT3.
Определяем амплитуду тока коллектора транзистора VT3 Iкm3:
<img width=«340» height=«25» src=«ref-1_1976430252-1011.coolpic» v:shapes="_x0000_i1078">  (2.5.30)

         

Определяем амплитуду входного тока усилителя мощности:
<img width=«421» height=«52» src=«ref-1_1976431263-1707.coolpic» v:shapes="_x0000_i1079">,  (2.5.31)
Пренебрегая токами на резисторах R8 и R9, определяем амплитуду выходного тока усилителя:
<img width=«504» height=«24» src=«ref-1_1976432970-1659.coolpic» v:shapes="_x0000_i1080">,  (2.5.32)
Рассчитываем выходное напряжение усилителя:
<img width=«289» height=«20» src=«ref-1_1976434629-843.coolpic» v:shapes="_x0000_i1081">,  (2.5.33)
          Находим коэффициент усиления по напряжению без ООС Kuр:
<img width=«264» height=«48» src=«ref-1_1976435472-1197.coolpic» v:shapes="_x0000_i1082">,  (2.5.34)


    продолжение
--PAGE_BREAK--