Реферат: Пушки Пирса со сходящимся пучком
Министерство Образования и науки Российской Федерации
НГТУ
<img src="/cache/referats/27253/image002.jpg" v:shapes="_x0000_i1025">
Курсовая работа
«Пушка Пирса со сходящимся пучком»
Факультет:
Группа:
Студент:
Преподаватель:
Новосибирск 2007
Введение
В геометрической электроннойоптике, где имеет место оптико-механическая аналогия, предусматривающая, вчастности, отсутствие взаимодействия электронов между собой, рассматривается,как правило, формирование электронных пучков, в которых действием объемного зарядапрактически можно пренебречь. Тогда можно говорить о фокусировке электронныхпучков в обычном оптическом смысле, что и имеет место в целом ряде электроннолучевыхприборов.
В этом смысле наряду с понятием фокусировки правомерны и понятия обэлектронном пучке, электронном луче, электронной линзе и т. д.
В ряде случаев, однако, когда объемный заряд, а следовательно, ивзаимодействие электронов между собой становятся заметными, основные положенияклассической геометрической электронной оптики теряют силу. Необходимо ужеобязательно учитывать действие пространственного заряда.
Такое положение наблюдается в целом ряде приборов СВЧ (клистроны, ЛБВ,ЛОВ и др.)» где работа прибора основана па взаимодействии электронного потокас высокочастотными полями и параметры этого потока— его размеры, ток, энергияэлектронов — решающим образом определяют качество прибора в целом. Так жеобстоит дело и во все более развивающейся в настоящее время области примененияэлектронных пучков для обработки материалов (сварка, плавка, сверление и т.д.). Степень влияния объемного заряда в электронном пучке, как указывалось,оценивается его так называемой характеристической проводимостью или (наиболеешироко употребляемый термин) первеансом пучка:
<img src="/cache/referats/27253/image004.gif" v:shapes="_x0000_i1026">
где / — ток пучка; U— пройденная электронами разностьпотенциалов. Ясно, что с ростом / и уменьшением U, взаимодействие электронов будет все более заметным. В обычныхэлектроннолучевых приборах первеанс пучков, как правило, не превышает 10-9 А/в3/2, и в этом случае действием пространственногозаряда в них можно пренебречь. Если же Р > 10-8 — 10-7А/в3/2, то действие пространственногозаряда необходимо учитывать.
Такие пучки уже следует считать интенсивными, идля их рассмотрения совершенно недостаточно аппарата обычной геометрическойэлектронной оптики. Отметим, что в этом случае ряд понятий геометрическойоптики, такие, как фокусировка, электроннооптическая система и некоторыедругие, по существу теряют смысл и могут применяться только условно.
Правильнее пользоваться в этом случае, например, терминами формированиепучка, система формирования и т. д., хотя термин фокусировка по инерции влитературе употребляется весьма широко.
Общая схема системы формированияинтенсивных электронных пучков.
Практически в любом случае систему, формирующуюэлектронный пучок, можно, хотя и несколько условно, разделить на четыреосновные (рис. 1) области:
<img src="/cache/referats/27253/image006.jpg" v:shapes="_x0000_s1045">
Рис. 1. Общая схема системы формирования электронных пучков.
I— область электронной пушки, состоящей из катода1, фокусирующего электрода 2 и анода 3, в электрическом поле, которой,происходит первоначальное формирование пучка.
II —область пролетного канала (пролетной трубы) 4, в котором могут располагаться резонаторы,например в случае клистрона, или отклоняющие устройства, например в случаесварочной установки. В этой же области располагается в случае необходимости итак называемая поперечно-ограничивающая, «фокусирующая» система 5.Конструкции таких систем довольно многообразны. В частности, она может представлятьсобой длинный соленоид. Ее назначение — создать магнитное или электрическоеполе, препятствующее расширению электронного пучка в пролетной трубе.
В случае достаточно большой длины пучка это очень важно, что бы не допуститьосе
дания значительной части тока пучка на стенках трубы, т. е.обеспечить хорошее токопрохождение. В частном случае (например, отражательныеклистроны) этой системы может и не быть.
III— приемник или коллектор пучка6, который может быть как «пассивным», т. е. служить подобно аноду вэлектронной лампе для отвода электронов пучка из прибора, так и «активным». Впоследнем случае основной эффект, ради которого создается прибор и формируетсяпучок, происходит именно на приемнике, например плавка или сварка.
И, наконец, IVобласть — переходная между пушкой ипоперечно-ограничивающей системой, поля в которой должны быть такими, чтобыобеспечить согласованное действие Iи IIобластей. Как правило, переходнаяобласть является важнейшей с точки зрения формирования пучка, хотя, в случаеесли поле поперечно-ограничивающей («фокусирующей») системы простирается докатода пушки, этой области может и не быть.
Основные типы пучков
Конфигурация встречающихся напрактике пучков может быть весьма разнообразной. Однако, хотя и несколькоусловно, можно из них выделить пучки наиболее типичной формы. В первую очередьэто сплошные аксиально-симметричные пучки, поперечное сечение которых имеетвид круга. Такие пучки могут быть как цилиндрическими (рис. 2, а), так и коническими,т. е. сходящимися (рис. 2, б).
Все больший интерес проявляетсяк трубчатым пучкам (цилиндрическим и коническим), поперечное сечение которыхпредставляет собой кольцо (рис. 2, в, г).
Следует указать также наленточные или плоские электронные пучки, сечение которых представляет собойпрямоугольник, одна сторона которого значительно больше другой. Такие пучкитакже могут быть параллельными или сходящимися — клиновидными (рис. 2, д, е).
<img src="/cache/referats/27253/image008.jpg" v:shapes="_x0000_i1028">
Рис. 2. Основные типы пучков.
Ввиду наибольшей распространенностиаксиально-симметричных пучков в дальнейшем рассмотрении им будет уделено основноевнимание. Другие типы пучков рассматриваются менее подробно. Ко всем типампучков могут быть предъявлены некоторые общие требования, а именно:
1.<span Times New Roman"">
Вполне определенный, частовозможно более высокий, микропер-веанс, который в настоящее время достигаетединиц мкА/в3/2. Это отражает стремление получить пучки с возможнобольшим током при пониженных напряжениях.2.<span Times New Roman"">
Форма пучка должна, возможнолучше соответствовать заданной для того, чтобы его можно было пропуститьчерез пролетную трубу без потерь тока и часто так, чтобы границыпучка были возможно ближе к еестенкам.
При рассмотрении пучков мыбудем, за исключением специально оговоренных разделов, предполагать:
Параксиальность траекторийэлектронов в пучке.
Ламинарноcть пучков.Это значит, что траектории отдельных электронов в пучке не пересекаются и пучокв целом имеет четкую границу, очерченную траекториями крайних электронов.Равномерность распределения плотности объемного заряда в пучке.
Отсутствие начальных тепловыхскоростей электронов на катоде.
Отсутствие релятивистскихэффектов, в частности магнитных полей, создаваемых движущимися электронами.
Указанные предположения в тойили иной степени на практике не реализуются. Однако, как показывает опыт, онивесьма близки к действительности и существенно облегчают рассмотрение основныххарактеристик пучков и систем их формирования.
Принцип построения пушек Пирса
<img src="/cache/referats/27253/image010.jpg" v:shapes="_x0000_i1029">
Наибольшее распространениеполучили так называемые пушки Пирса, принцип построения которых заключается вследующем. Если рассмотреть диоды с идеальной геометрией, а именно плоский,сферический или цилиндрический (рис. 3), и выделить из всего электронногопотока в них определенную часть требуемой конфигурации, как это показано нарисунке, то мы получим в зависимости от формы диода аксиально-симметричный илиленточный параллельный или сходящийся пучок.
Рис. 3. Выделение электронных пучков в диодах простой формы.
При этом влияние отброшеннойчасти электронного потока на оставшуюся должно быть заменено эквивалентнымвлиянием некоторого электрического поля, которое, будучи созданным впространстве, окружающем пучок, должно удовлетворять двум условиям:
1.<span Times New Roman"">
Распределение потенциала вдольграницы пучка должно остаться прежним, соответствующим распределению поля ввыбранном исходном диоде.2.<span Times New Roman"">
Напряженность поля, нормальная кгранице пучка, должна быть равна нулю, т. е. должны отсутствовать силы,приводящие к расширению пучка.Определив поле, отвечающее этимтребованиям, необходимо рассчитать или подобрать конфигурацию электродов, изкоторых один имеет потенциал катода и по форме совпадает с пулевойэквипотенциалью поля, а другой имеет потенциал анода и совпадает по форме с эквипотенциалью,соответствующей анодному напряжению Ua. Тогда указанная система электродовобразует требуемый электронный пучок с прямолинейными траекториями.
Такого типа пушки и получилиназвание пушек Пирса или однопотенциальных пушек, а принцип, положенный в ихоснову, иногда называют принципом прямолинейной оптики.
Пушки Пирса со сходящимся пучком
<img src="/cache/referats/27253/image012.jpg" align=«left» v:shapes="_x0000_s1030">Используя часть сферического илицилиндрического диодов, показанных на рис. 1, б и в, можно, очевидно, получитьсоответственно сходящийся аксиально-симметричный или ленточный пучок (рис. 4).
Очевидно, в такихпушках, если учесть рассеивающее действие линзы в области анодногоотверстия, можно на выходе из пушки, в частности, получить параллельный пучок.Кроме того, плотность тока в пучке может значительно превышать плотность токас катода (так называемая компрессия пучка).
Наибольшеераспространение получила пушка Пирса с аксиально-симметричным сходящимсяпотоком — пушка сферического типа (рис. 4), которую мы, в основном, и рассмотрим.
Рис. 4. К рассмотрению пушки со сходящимся пучком.
Полный ток сферического диода врежиме пространственного заряда может быть представлен выражнием:
<img src="/cache/referats/27253/image014.gif" v:shapes="_x0000_i1030">
(1)
где (-α)2 — функция Ленгмюра, зависящаяот величины ρа=Rк/Rа (Rк и Ra—радиусы катода и анода).Плотность тока с катода, очевидно, равна:
<img src="/cache/referats/27253/image016.gif" v:shapes="_x0000_i1031">
<img src="/cache/referats/27253/image017.jpg" align=«left» hspace=«2» v:shapes="_x0000_s1035">
(2)
Распределение потенциала между катодом и анодом, как ясно из (1), имеет вид:
<img src="/cache/referats/27253/image019.gif" v:shapes="_x0000_i1032"> (3)
Рис. 5. График функции Ленгмюра для сферического диода.
где p=RK/R, причем Rявляетсятекущей координатой, а р меняется от 1 до ра.
Для формирования сходящегося аксиально-симметричного пучка с использованием катода, имеющего вид участкасферы радиуса RK, необходимо, как и в предыдущем случае, заменитьдействие отбрасываемой части потока полем, образуемым фокусирующим электродом,имеющим потенциал катода, и анодом.
Форму электродов, обеспечивающуювдоль границы пучка распределение потенциала, соответствующее (3), подбирают,как описано ранее, на электролитической ванне с применением пластины из диэлектрика,имитирующей границу пучка. На(рис. 6) представлены конфигурации электродов, формирующих сходящиеся аксиально-симметричные потоки при различных ра и углах схождения Θ.
<img src="/cache/referats/27253/image021.jpg" align=«left» hspace=«12» v:shapes="_x0000_s1039"><img src="/cache/referats/27253/image023.jpg" align=«left» v:shapes="_x0000_s1040">Рис. 6. Примеры конфигурации электродов пушек сферическоготипа при различных Θ и ра
Эквипотепциаль, соответствующаяфокусирующему электроду, подходит к границе потока под углом 67,5°, остальные —под углом 90°.
<img src="/cache/referats/27253/image025.jpg" v:shapes="_x0000_i1033">
Напрактике обычно выполняют электроды более простой формы, в той или иной степениаппроксимирующей контуры требуемых поверхностей (рис. 7 и 8)
Рис. 7. Примерпрактической конфигурации
электродов пушки сферического типа.
К — катод; ФЭ —фокусирующий электрод; а — анод.
<img src="/cache/referats/27253/image027.jpg" v:shapes="_x0000_i1034">
Рис. 8. Пример пушки с простой конфигурацией электродов.
К — катод; ФЭ— фокусирующий электрод; а — анод.
Впушке сферического типа анодное отверстие также служит причиной появлениярассеивающей линзы, и поэтому угол схождения пучка по выходу из пушки всегдаменьше Θ — угла его схождения в пушке (рис. 9).
<img src="/cache/referats/27253/image029.jpg" v:shapes="_x0000_i1035">
Вместо точки О, где должны сойтись продолжения крайних траекторий пучка, они сойдутся в точке О'. Легко увидеть, что О является мнимым изображением О'. Используя формулу тонкой рассеивающей линзы 1/f= 1/L2 — 1/L1, а также параксиальность пучка получаем:
Рис. 9. К расчету действия анодной линзы в пушке сферического типа.
<img src="/cache/referats/27253/image031.gif" v:shapes="_x0000_i1036">
Величина fравна 4Ua/Ea.Так как Eb= 0.
<img src="/cache/referats/27253/image033.gif" v:shapes="_x0000_i1037">
Следовательно, величина
<img src="/cache/referats/27253/image035.gif" v:shapes="_x0000_i1038">
Окончательно:
<img src="/cache/referats/27253/image037.gif" v:shapes="_x0000_i1039">
<img src="/cache/referats/27253/image039.jpg" align=«left» hspace=«12» v:shapes="_x0000_s1041">
Таким образом,отношение sinγ/sinΘопределяется только ρa=Rk/Raи не зависит от других параметров пушки. Зависимость sinγ/sinΘотρaпоказана на рис.10. При ρa=1,45 sinγ/sinΘ= 0.
Следовательно, в этом случае при любых Θэлектронывыходят из анодного отверстия, параллельно оси z, т. е. на выходе пушкиполучается параллельный аксиально-симметричный пучок. Если ρa>1,45, то пучок на выходе пушки будет сходящимся, если ρa<1,45, то расходящимся.
Рис. 10. Графики для расчета пушки сферического типа.
Рассмотрим теперь элементы расчета пушки сферическоготипа. Ток части сферического диода /, образующего пушку, относится к полномутоку диода /Сф как<img src="/cache/referats/27253/image041.gif" v:shapes="_x0000_i1040"> , где <img src="/cache/referats/27253/image043.gif" v:shapes="_x0000_i1041"> — площадь катода, ограниченного углом Θ.Тогда, используя (2), получаем:
<img src="/cache/referats/27253/image045.gif" v:shapes="_x0000_i1042">
Если учесть, что <img src="/cache/referats/27253/image047.gif" v:shapes="_x0000_i1043">
<img src="/cache/referats/27253/image049.gif" v:shapes="_x0000_i1044"> (5)
Следовательно,величина
<img src="/cache/referats/27253/image051.gif" v:shapes="_x0000_i1045">(6)
УголΘ определяется так
<img src="/cache/referats/27253/image053.gif" v:shapes="_x0000_i1046"> (7)
Крометого, считая углы Θ и γ малыми и примерно равными их синусам и обозначаяотношение <img src="/cache/referats/27253/image055.gif" v:shapes="_x0000_i1047">
<img src="/cache/referats/27253/image057.gif" v:shapes="_x0000_i1048"> (8)
График функции F(pa) представлен на рис. 10.Тогда, если заданы требуемые ток пучка / и Uа, а такжеγ — угол наклона крайних траекторий пучка и rа— егорадиус на выходе из пушки, можно из (8) определить F(pa), по которой определить раи угол Θ рис.10, затем по простому геометрическому соотношению рис. 9определяется Rа= ra/sinΘ,откуда легко определяется Rк и плотностьтока на катоде.
В дальнейшем мы увидим, что при расчете пушки могутиметь место и иные исходные данные, вытекающие из задачи ее согласования споперечно-ограничивающей системой, однако они в конечном счете могут бытьсвязаны с величинами /, U, γи rа.
Пушка цилиндрического типа, образованнаячастью цилиндрического диода (рис. 3, в), может, как указывалось, сформироватьсходящийся ленточный (клиновидный) пучок. Рассмотрение и расчет такой пушкианалогичны приведенным для сферической пушки.
Диафрагмас круглым отверстием (формирующий электрод)
Представим себе весьма простую электроннооптическуюсистему (рис. 11, а), состоящую из двух плоских параллельныхэлектродов с потенциалами U1, и U2между которыми помещен третийэлектрод, имеющий круглое отверстие, —диафрагма радиуса Rи потенциал Ua. Если Rзначительноменьше d1и d2— расстояний между плоскостями и диафрагмой, то вдалиот нее электрическое поле будет однородным и его напряженность определитсяпотенциалами соответствующих электродов и расстояниями между ними.
В некоторой же области вдоль оси zбудетиметь место провисание эквипотенциалей из области с большей напряженностьюполя в область с меньшей напряженностью.
Следовательно, в этой области однородноеполе искажается. Из геометрических соображений ясно, что оно будетаксиально-симметричным, т. е. в области диафрагмы образуется электроннаялинза. Естественно, что это будет иметь место лишь в том случае, если выполняетсясоотношение:
<img src="/cache/referats/27253/image059.gif" v:shapes="_x0000_i1049">
<img src="/cache/referats/27253/image061.jpg" v:shapes="_x0000_i1050">
Рис. 11. Собирающая линза—диафрагма.
<img src="/cache/referats/27253/image063.jpg" v:shapes="_x0000_i1051">
Рис. 12. Рассеивающая линза—диафрагма.
При этом возможны два случая, иллюстрируемые на (рис. 11и 12). В первом случае (рис. 11, а) величина Е1 в пространстве слева от диафрагмыменьше, чем величина Е2 справа от нее. Следовательно, припереходе области диафрагмы вдоль оси zскоростьроста U(z) увеличивается(рис. 11, б). Величины U'(z) и U''(z)будут меняться с расстоянием по оси zсогласно (рис. 11, в и г) соответственно. Таким образом, в этой линзе U''(z)>0,что свидетельствует о том, что линзасобирающая. Оптический эквивалент такой электронной линзы может бытьпредставлен в виде двояковыпуклой собирающей световой линзы (рис. 11, д).
Второй возможный случай (рис. 12)соответствует уменьшению Eпри переходе через область диафрагмы. Рассмотрениепредставленного на (рис. 12, б- г) характера распределения потенциалавдоль оси и его первой и второй производных показывает, что в данном случае мы имеем рассеивающую электронную линзу,оптический эквивалент которой представлен на (рис. 12, д).
Система формирования по принципу Пирса
(Электростатическая)
Представим себе сплошной безграничныйэлектронный поток с плотностью тока j,распространяющийся в своеобразном триоде, состоящем из трех электродов (рис. 13, а).При этом потенциалы крайних электродов
<img src="/cache/referats/27253/image065.jpg" v:shapes="_x0000_i1052">
Рис. 13.Распределение потенциала в ячейке системы электростатического формирования (а) и расчетная форма электродов (б).
равны U1, а потенциал среднегоU0<U1, причем электроды прозрачны для электронов, напримерпредставляют собой сетки.
Очевидно, что распределение потенциаламежду электродами будет иметь вид, представленный на (рис. 12) с минимумом при z= 0.
Если теперь отбросить большую частьпучка, оставив только требуемых размеров аксиально-симметричный или ленточныйпучок, то для его формирования необходимо подобрать форму электродов, создающихна границе пучка поле, удовлетворяющее тем же требованиям, что и поле в пушкахПирса. Это можно сделать в электролитической ванне тем же методом, что и прирасчете пушек Пирса. Форма получающихся при этом электродов представлена на (рис.13, б). Кромка низковольтного электрода подходит к границе пучка под углом 45°,что является характерным для систем данного типа. В такой системе можнополучить пучок постоянного сечения. При этом ясно, что при увеличении длинысистемы будет возрастать и необходимая для ее работы разность потенциалов (U1—U0),что практически ограничивает протяженностьпучка.
Для ее увеличения можно применить систему, составленную из ячеек, изображенных на (рис. 14). Наличие сеток в высоковольтныхэлектродах ограничивает ток пучка из-за их перегрева, поэтому обычно сетки неприменяются. Это приводит к расширению пучка при прохождении высоковольтныхэлектродов аналогично тому, как это имеет место на аноде пушек Пирса.
<img src="/cache/referats/27253/image067.jpg" v:shapes="_x0000_i1053">
Рис. 14. Электростатическая система формирования пучка по принципу Пирса.
Строго говоря, рассматриваемая система при отсутствии сеток перестает быть системой типа Пирса иимеет отличное по сравнению с пушками Пирса распределение потенциалавдоль границы пучка. Появляются радиальные силы и как следствие этого —пульсации. Для уменьшения этих эффектов увеличивается диаметр диафрагм в электродахи корректируется их форма.
Современное применениепушек для создания интенсивных электронных пучков
Плавка
Применение тугоплавкихметаллов приобретает все возрастающее значение в развитии науки и техники — атомной энергетике, авиационной и ракетной технике, химической промышленности имногих других. За последние десятилетия в технологии редких и тугоплавких металловполучили широкое распространение методы плавления в вакуумных электропечахразнообразной конструкции — индукционных, дуговых, электронно-лучевых. Винституте Гиредмет разработан и нашел промышленное применение способ полученияниобия, тантала и других тугоплавких металлов восстановлением их пятиокисей алюминием,так называемый алюминотермический метод восстановления с последующей вакуумнойплавкой. В 1998 — 1999 годах была создана электронно-лучевая установка дляплавки ниобия и других тугоплавких металлов, полученных методом алюминотермическоговосстановления.
Установка работает следующим образом: исходныйматериал — дробленые куски ниобий-алюминиевого сплава в количестве 55-<st1:metricconverter ProductID=«65 кг» w:st=«on»>65 кг</st1:metricconverter>, загружается в ваннумедного водоохлаждаемого кристаллизатора и после электронно-лучевого переплаваполучается плоский слиток — полуфабрикат с размерами 20х200х2000 мм, пригодныйдля дальнейшей переработки. На установке применяется электронная двухкаскаднаяпушка аксиального типа. Танталовый катод разогревается электроннойбомбардировкой от разогретой вольфрамовой спирали — первый каскад. Образующийсяпучок электронов разгоняется в катод-анодном промежутке напряжением второгокаскада и направляется на исходный материал, находящийся в кристаллизаторе.
Лучеводы электронной пушкиснабжены фокусирующими магнитными линзами, системой управления электронногопучка.
Камера пушки имеет поперечный вакуумный затвор,позволяющий отсекать ее объем от рабочего объема установки. Откачка объемапушки производится отдельной вакуумной системой. Высоковольтная часть пушкизакрыта защитным кожухом с блокировкой. В конструкции установки предусмотренаблокировка по высокому напряжению в случае ухудшения вакуума в рабочем объеме. Спомощью автоматической системы управления электронный пучок в процессе плавкисканирует в пределах ширины ванны кристаллизатора, а сам кристаллизаторперемещается в продольном направлении со скоростью 8 — 30 мм/мин с помощьюэлектромеханического привода.
Сварка
Классификациятехнологических приемов сварки и ремонта швов электронным пучком. По степениизученности и применяемости известные технологические приемы сварки можноразделить на три группы.
К первой относятся наиболее изученные и широко применяемые в промышленностиприемы: развертка и наклон электронного пучка; модуляция тока электронногопучка; подача присадочного материала; применение подкладок; сварка смещенным ирасщепленным электронным пучком; выполнение прихваток, предварительных и«косметических» проходов; сварка секциями.
Вторая группа включает приемы,хорошо изученные в лабораторных условиях, но не получившие пока практическогоприменения: «тандемная» сварка; сварка в узкий зазор; сварка«пробковыми» швами.
В третью группу входят приемы,целесообразность или возможность реализации которых недостаточно обоснована:оплавление корневой части шва «проникающим» электронным пучком;осцилляция уровня фокусировки электронного пучка; применение флюсов; сварка сиспользованием широкой вставки; сварка с дополнительным теплоотводом; двухсторонняясварка; вибрация свариваемого изделия; ввод ультразвуковых колебаний в сварочнуюванну.
По типам физического воздействиятехнологические приемы делят на четыре группы: управление пространственно-энергетическимипараметрами электронного пучка (периодическое и статическое отклонение,модуляция токов электронного пучка и фокусирующей линзы); применениедополнительных конструктивных элементов и материалов (подкладки, вставки,накладки, наплавки, теплоотводящие элементы, присадки, флюсы); специальныесварные швы (дополнительные проходы, прерывистые швы, дополняющие швы);механическое воздействие на сварочную ванну (вибрация изделия, вводультразвуковых колебаний).
Список литературы:
Л. Г. Шерстнев. «Электронная оптика и электронно-лучевые приборы» Учебник для студентов высших технических учебных заведений, — Москва, «Энергия», 1971г. А.А. Жигарев, Г.Г. Шамаева. «Электронно-лучевые и фотоэлектронные приборы» Учебник для вузов. – Москва: Высшая школа, <st1:metricconverter ProductID=«1982 г» w:st=«on»>1982 г</st1:metricconverter>. Данные о новейших разработках взяты с сайта www.seo.ru