Реферат: Винити) и из американской Схемы классификации по физике и астрономии (Physics and Astronomy Classification Scheme pacs). Воснове словника тезауруса лежат следующие источники. Из

Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников
(версия 4 *БЕН, 2010-08-15)
В. Н. Белоозеров (ВИНИТИ РАН)
Н. Н. Шабурова (ИФП СО РАН) Введение
Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников (ТТР ФПП, версия 2)» является информационно-поисковым тезаурусом в соответствии с ГОСТ 7.25.1) Он разработан в качестве компонента системы тематического поиска литературы по физике полупроводников в среде информационных ресурсов, содержание которых описывается различными классификациями отраслей знания, зарегистрирован Аналитической службой ведения информационных языков Государственной системы научно-технической информации (ГСНТИ) ВИНИТИ РАН - № 132.09, включён в фонд языковых средств ГСНТИ и рекомендован для использования в информационных органах. Единицами тезауруса являются дескрипторы, представленные кодами и наименованиями (полными текстами и отдельными ключевыми словами) классификационных рубрик пяти авторитетных в области научной и технической информации классификаций – Универсальной десятичной классификации (УДК), Библиотечно-библиографической классификации (ББК), Государственного рубрикатора научно-технической информации (ГРНТИ), Рубрикатора отраслей знания Всероссийского института научной и технической информации (ВИНИТИ) и из американской Схемы классификации по физике и астрономии (Physics and Astronomy Classification Scheme – PACS).

В основе словника тезауруса лежат следующие источники.

Из УДК в тезаурус вошли наименования классов 537/537.3 и 538.9, а также связанные классы других разделов физики, химии и техники, которые оказались необходимы для многоаспектного индексирования. Кроме того сюда были включены рубрики рабочей таблицы БЕН РАН для индексирования полупроводниковой тематики по УДК.

ББК представлена наименованиями и ключевыми словами разделов В379.1 и В379.2 в соответствии с электронными эталонными таблицами НИЦ РГБ 2008 г., используемыми в каталоге ИФП СО РАН, и связанными с ними понятиями других частей науки (с применением печатных таблиц 1970-1972 гг.)

Из ГРНТИ включены все рубрики раздела 29.19 Физика твёрдых тел.

Из Рубрикатора ВИНИТИ взят раздел 291.19.31, непосредственно относящийся к полупроводникам, и добавлен небольшой раздел. спинтроники 291.19.36, имеющий важное значение для современных исследований и усиливающий в тезаурусе аспект магнитных свойств полупроводников.

Из PACS в тезаурус включены наименования и ключевые слова предметных рубрик алфавитного указателя, относящиеся к полупроводникам, а также наименования и ключевые слова тех разделов PACS, к которым относит полупроводниковые понятия алфавитный указатель, включая соответствующие вышестоящие классы.

Указанная лексика в ряде случаев дополнена обобщающими классами смежных по тематике разделов классификаций.

Каждая лексическая единица сопровождается кодом того класса (рубрики), из которого она была получена при условии, что содержание её понятия не выходит за рамки данного класса. Если из разных классификационных систем выделены идентичные лексические единицы, они сводятся в одну тезаурусную статью с перечнем всех соответствующих кодов. Если термины из разных классификаций различаются по форме, но совпадают по значению, один из них выбирается в качестве дескриптора и ему приписываются коды обеих классификаций. Другой термин вводится в тезаурус в виде аскрипторной статьи со ссылкой на синонимичный дескриптор. Аскрипторы выделены курсивом.

Для выявления опосредованных связей классификационных систем дескрипторы были заиндексированы по правилам многоаспектного индексирования, предусмотренным методиками применения ББК и УДК. Соответствующие комбинированные индексы помечены астериском: *. Комбинированные коды УДК, использованные в рабочей таблице БЕН РАН, помечены знаком процентов %.2

Основные дескрипторы, значение которых не раскрывается формой термина, снабжены определениями.

^ Источники данных
УДК. Универсальная десятичная классификация. Полное издание на русском языке. Тт. 1 – 10. – М.: ВИНИТИ, 2001 – 2009.

Государств. классифи­ка­тор НТИ: Т. 1 Руб­ри­катор научно-технической инфор­ма­ции (ГРНТИ). – 256 с.; Т. 2 Алфавит­но-предметный ука­затель ГРНТИ. – 208 с. – М. ВИНИТИ, 2007

Рубрикатор информа­ционных изданий ВИНИТИ (в 4 томах). – М.: ВИНИТИ, 2005

Библиотечно-библиографическая классификация. Таблицы для научных библиотек. Раздел «В3 Физика» [Электронный ресурс]. – [Электронная версия эталона таблиц 2009 г. / НИЦ РГБ]

Библиотечно-библиографическая классификация. Таблицы для научных библиотек. Вып. I-V. – М.: Книга, 1970 -1972.

Physics and Astronomy Classification Scheme / American Physics Society [Электронный ресурс]. – Доступ: http://publish.aps.org/PACS (Дата обращения 2009-09-15)

Рабочие таблицы БЕН РАН для индексирования литературы по физике. 2009 г.
Публикации
Классификационные системы как средство поиска информации по физике полупроводников / В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова // Библиосфера. – ГПНТБ СО РАН, 2008, № 3. – С. 34 – 42

Проблемы сопостав­ле­ния информационно-поиск. классификац. систем при формирова­нии тезауруса тематич. рубрик по физике полупроводников / В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова // Роль ГПНТБ СО РАН в развитии информац.-биб­лиотеч. обслужи­вания в регионе. Межре­гион. на­учно-практич. конф. (Но­во­сибирск 6-10 окт. 2008) – Новоси­бирск: ГПНТБ СО РАН, 2008. – С. 27 – 29

Сопоставительный тезаурус классификационных систем по физике полупроводников / Белоозеров В. Н. (ВИНИТИ РАН, ВЦ РАН), Шабурова Н. Н. (Инст. физики полупроводников СО РАН) // Информационное обеспечение науки: новые технологии : Сб. науч. трудов / Калёнов Н. Е. (ред.). – М.: Научный мир, 2009. С. 311 – 322

Тезаурус классификаци­онных систем по физике полупроводников [Электронный ресурс] / В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова // Общерос. электрон. научная конф. на основе интернет-форума «Актуальн. вопросы современ. науки и образова­ния». Доступ: http://e-conf.nkras.ru/konferencii/econf/inform.html. - Создан: 2009-07-23.

Тематическое индексирование информации по физике полупроводников с помощью тезауруса классификационных рубрик / В. Н. Белоозеров, Н. Н. Шабурова // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (15 – 20 февраля 2010 г., Екатеринбург – Новоуральск): Программа и тезисы докладов. – Екатеринбург, 2010. – С. 265 – 266.

Система классификационных схем для индексирования документов в области физики [Электронный ресурс] / В.Н. Белоозеров, Н.Н. Шабурова // Библиотеки и информационные ресурсы в современном мире науки, культуры, образования и бизнеса: материалы конф. – Электрон. дан. – М.: ГПНТБ России, 2010. – 1 электрон. опт. диск (CD-ROM). – Систем. требования: IBM PC, Windows 2000 или выше. – Загл. с этикетки диска. – ISBN 978-5-85638-139-8. – № гос. регистрации 0321000673.
Ссылки:
С – синоним

См – отсылка от аскриптора (нерекомендованного термина) к синонимичному дескриптору.

В – вышестоящий, более широкий дескриптор, обозначающий родовое понятие или целый объект, в котором частью является заглавное понятие

Н – нижестоящий дескриптор, обратный к вышестоящему.

А – ассоциативное понятие, практически синоним при тематическом поиске литературы.
^ Лексико-семантический указатель Латиница – 3 статьи
N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.21
В: вольтамперные характеристики
В: нелинейная проводимость /полупроводников/
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/
Н: полупроводниковые домены
Н: эффект Ганна /в полупроводниках/

p-n-переходы = Переходная область в контакте между полупроводниками с электронной (n) и дырочной (p) проводимостью
ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.23
В: барьерные эффекты в полупроводниках
В: контакты /полупроводников/
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: комбинации p-n-переходов

S-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.25
В: вольтамперные характеристики
В: нелинейная проводимость /полупроводников/
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: шнурование
^ А а – 35 статей
автоэлектронная эмиссия = выход электронов из металла или полупроводника под действием сильного электрического поля
ББК В373.13
УДК 537.533.2
С: электростатическая эмиссия электронов
В: электронная эмиссия
Н: автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/

автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/
ББК В379.231.3
ВИНИТИ 291.19.31.37.23
*УДК 537.533.2:621.315.59
С: туннельная эмиссия
В: автоэлектронная эмиссия
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/

агрегатное состояние – действие на проводимость
*ББК В375.1:В373.12
УДК 537.312.67
С: электропроводность в зависимости от агрегатного состояния
В: температура – действие на проводимость

адатом = атом, адсорбированный на поверхности кристалла
ББК Г589
*УДК 544.022.343.4:544.723
В: кристаллическая решётка полупроводников

акустика
ББК В32
ВИНИТИ 291.37
ГРНТИ 29.37
УДК 534
В: физика
Н: физическая акустика

акустические фононы
В: фононы

акустические явления в конденсированном веществе
*ББК В369:В32
УДК 538.951
В: физическая акустика
В: свойства и явления в конденсированном веществе
А: механические явления в конденсированном веществе

акустические явления в аморфных полупроводниках
*ББК В379.212.4:В32
ВИНИТИ 291.19.31.27.25
*УДК 538.951:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники – физика
В: акустические явления в полупроводниках

акустические явления в полупроводниках
*ББК В379.22:В32
ВИНИТИ 291.19.31.27
*УДК 538.951:621.315.59
В: акустические явления в конденсированном веществе
B: полупроводники
Н: магнитное поле /влияние на акустику полупроводников/
Н: нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в поупроводниках/
Н: поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
Н: электроакустическое преобразование /в полупроводниках/
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: электроакустические явления в полупроводниках

акустооптика /полупроводников/ = раздел физики, изучающий взаимодействие оптических и акустических волн (акустооптическое взаимодействие), а также раздел техники, в рамках которого разрабатываются и исследуются приборы, использующие акустооптическое взаимодействие
PACS 43.35.Sx; 78.20.Hp
*ББК В343.62:В379.24…
*УДК 538.951:538.958:621.315.59
%УДК: 534:535
В: акустические свойства полупроводников

акусторезистивный эффект в полупроводниках
ББК В379.231.2
*УДК 537.312.9:621.315.529
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках

акустоэлектрические домены = области сильного электрического поля и большой интенсивности низкочастотных акустических фононов (акустических шумов} в полупроводнике, возникающие при усилении фононов дрейфом носителей заряда
ББК В379.231.7
ВИНИТИ 291.19.31.35.19
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках
В: неустойчивости /в полупроводниках/

акустоэлектрические явления в полупроводниках
ББК В379.231.7
*УДК 537.311.322.04:534
С: электроакустические явления в полупроводниках
В: электрические свойства полупроводников
В: электронные явления в полупроводниках
Н: акусторезистивный эффект в полупроводниках
Н: акустоэлектрические домены
Н: акустомагнетоэлектронный эффект в полупроводниках

акцептор /в структуре полупроводника/ = Примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий в запрещённой зоне полупроводника свободный энергетический уровень, на который легко переходит валентный электрон, оставляя в валентной зоне дырку
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки полупроводников
Н: легирующие примеси в полупроводниках – акцепторы

алмазы и алмазоподобные полупроводники – физика
ББК В379.2
*УДК 538.9:621.315.59:549.211
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел

алюминий
*ББК Г123.2:К233.1
УДК 546.62
А: алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства

алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.22/23-2
*УДК 621.315.59:546.62
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: алюминий

аморфно-кристаллические полупроводники
*ББК В379.212:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47
*УДК 621.315.59-026.763-026.764
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники

аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
*ББК В379.212:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47
*УДК 621.315.59-026.764
В: полупроводники
Н: аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: оптические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоструктурные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: электропроводность /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/

аморфные полупроводники = Тела в аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников
ББК В379.212.4
*УДК 621.315.59-026.764
%УДК 537.311.322:539.213
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники – физика

аморфные полупроводники – физика
ББК В379.212.4
*УДК 538.9:621.315.59-026.764
В: аморфные полупроводники
В: структура полупроводников
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: люминесценция в аморфных полупроводниках
Н: неустойчивости в аморфных полупроводниках
Н: поверхности и границы раздела аморфных полупроводников и стёкол: структура и энергетика
Н: статистико-термодинамические свойства аморфных полупроводников
Н: статистические кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
Н: энергетический спектр аморфных полупроводников
А: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
А: стеклообразные полупроводники – физика

анизотропная электропроводность полупроводников
ББК В379.231.2
*УДК 537.311.322:537.226.5
В: анизотропные полупроводники
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: электропроводность полупроводников

анизотропное магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.15
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники

анизотропные полупроводники = полупроводники, свойства которых неодинаковы по различным направлениям
ББК В379.2
*УДК 537.226.5:621.315.59
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: структура полупроводников
Н: анизотропная электропроводность полупроводников

аномальный эффект Холла
ВИНИТИ 291.19.36.21.47
В: эффект Холла
В: эффекты спинтроники

антисегнетоэлектрики = диэлектрики, не являющиеся сегнетоэлектриками, но обладающие определенной спецификой электрических свойств. Основной признак антисегнетоэлектрика - наличие структурного фазового перехода, сопровождающегося значительной аномалией диэлектрической проницаемости
*ББК В379.331.5:331.7
ВИНИТИ 291.19.35
ГРНТИ 29.19.35
УДК 537.226.4
В: сегнетоэлектричество

антиферромагнетизм полупроводников = одно из магнитных состояний вещества, отличающееся тем, что элементарные (атомные) магнитики соседних частиц вещества ориентированы навстречу друг другу (антипараллельно), и поэтому намагниченность тела в целом очень мала. Этим антиферромагнетизм отличается от ферромагнетизма, при котором одинаковая ориентация элементарных магнитиков приводит к высокой намагниченности тела.
ББК В379.233.4
*УДК 537.611.45:537.622.5:621.315.59
%УДК 537.311.322.04:537.611.45
В: антиферромагнетизм – теория
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства полупроводников

антиферромагнетизм – теория
ББК В373.35
УДК 537.611.45.01
В: магнетизм – теория
Н: антиферромагнетизм полупроводников

антиферромагнетики
См: антиферромагнитные материалы

антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
ББК В373.34/35
ВИНИТИ 291.19.43
ГРНТИ 29.19.43
УДК 548:537.611.45/.46
В: магнитные свойства твёрдых тел
Н: антиферромагнетизм полупроводников
Н: антиферромагнитные материалы

антиферромагнитные материалы
УДК 537.622.5
С: антиферромагнетики
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные материалы
В: магнитные свойства материалов

антиферромагнитный резонанс = одна из разновидностей электронного парамагнитного резонанса, которая проявляется как резкое возрастание поглощения электромагнитной энергии, проходящей через антиферромагнетик
ББК В373.35
УДК 537.635:537.611.45
В: магнитные резонансы
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: ферримагнитный резонанс
Н: ферромагнитный резонанс

арсенид галлия /полупроводниковые свойства/
*ББК Г125.315:Г123.31-2:з843.3
*УДК 546.681’19:621.315.59
%УДК 537.311.322-039.6GaAs
В: галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
Н: полупроводниковые соединения

атомная физика
УДК 539.18
Н: свойства атомов

атомносиловая микроскопия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.27
В: микроскопия
В: экспериментальные методы спинтроники
^ Б б – 10 статей
баллистическое магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.17
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники

барьер Шоттки = потенциальный барьер, возникающий на границе металл-полупроводник
ББК В379.231.5
В: потенциальные барьеры /в полупроводниках/

барьерные эффекты в полупроводниках
В: электронные явления в полупроводниках
Н: потенциальные барьеры в полупроводниках
Н: р–n переходы /в полупроводниках/
Н: электронные переходы в полупроводниках

безизлучательная рекомбинация /в полупроводниках/ = рекомбинация носителей тока, при которой энергия выделяется в виде колебаний решетки или передается другим электронам проводимости, либо дыркам.
*ББК В379.13:231.2
ВИНИТИ 291.19.31.29.25.17
В: рекомбинация /в полупроводниках/

бесщелевые полупроводники /физика/ = полупроводники, у которых отсутствует запрещённая зона, поэтому имеющие высокую диэлектрическую проницаемость (к ним относятся соединения ртути Hg, теллура Te, селена Se), а также полупроводники, у которых ширина запрещённой зоны равна 0 при определённых условиях (давление, температура и т. п.) (к ним относятся соединения висмута Bi, кадми Cd и свинца Pb)
ББК В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.43
В: физика полупроводников

биполярные полупроводники /физика/
ББК В379.2
В: физика полупроводников

бистабильность оптическая в полупроводниках
ББК В379.24…
С: оптическая бистабильность полупроводников
В: оптические свойства полупроводников

биэкситоны /в полупроводниках/ = связанное состояние двух экситонов
ББК В379.212.2
В: квазичастицы

бор
*ББК Г123.1:Л254
УДК 546.27
А: бор и его соединения – полупроводниковые свойства

бор и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.12/16-2
*УДК 546.27:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: бор
^ В в – 36 статей
вакансии /в кристаллической структуре/ = Узлы кристаллической решётки, в которых отсутствует атом или ион
ББК В371.231.2
УДК 544.022.342.2
Н: вакансии в полупроводниках

вакансии в полупроводниках
ББК В379.212.2
*УДК 538.911:544.022.342.2
В: вакансии /в кристаллической структуре/
В: точечные дефекты /в полупроводниках/

вакуумный ультрафиолет в полупроводниках
ББК В379.24-142.1
В: ультрафиолетовое излучение в полупроводниках

валентная зона = зона валентных электронов; верхняя из заполненных разрешённых зон (В собственном полупроводнике полностью заполнена при нулевой температуре)
В: разрешённая зона

ванадий
*ББК Г125.41:К235.13
УДК 546.881
А: ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства

ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г125.412/415-2
*УДК 546.881:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: ванадий

варизонные полупроводники – физика = кристаллы, в которых энергетические параметры зонной структуры (в т.ч. ширина запрещённой зоны), эффективные массы носителей и диэлектрическая проницаемость плавно изменяются вдоль одного или нескольких направлений в кристалле
ББК 379.2
В: кристаллические полупроводники
В: физика полупроводников

взаимодействие ионов с полупроводниками
ББК В379.212.7
*УДК 538.97:537.534.7:621.315.59
В: взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
В: радиационные эффекты в полупроводниках
Н: многозарядные ионы – взаимодействие с полупроводниками
А: ионная имплантация полупроводников
А: ионы в полупроводниках

взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
ББК В379.212.7
*УДК 621.315.59:539.1.043
%УДК 537.311.322.04: 538.97
В: физические свойства полупроводников
Н: взаимодействие ионов с полупроводниками
Н: взаимодействие света с полупроводниками

взаимодействие проникающего излучения /радиации/ с твёрдыми телами
ББК В371.27
ВИНИТИ 291.19.25
ГРНТИ 29.19.25
*УДК [538.97-026.76]:539.121.7.043
С: проникающее излучение – взаимодействие с твёрдыми телами
В: физика твёрдых тел
Н: ионная имплантация полупроводников

взаимодействие света с полупроводниками
ББК В379.24
*УДК 535.3:621.315.59
В: взаимодействие полупроводников с частицами и излучением
В: оптические свойства полупроводников

вибрационная магнитометрия в спинтронике
ВИНИТИ 291.19.36.23.17
В: магнитометрия
В: экспериментальные методы спинтроники

вибронные взаимодействия = составляющая полного взаимодействия частиц в молекуле или твёрдом теле, возникающая в приближении, основанном на разделении движений электронов и колебаний ядер
В: квантовая теория
Н: вибронные взаимодействия в полупроводниках

вибронные взаимодействия в полупроводниках
ББК В379.13
В: вибронные взаимодействия
В: квантовая теория полупроводников

видимое оптическое излучение в полупроводниках
ББК В379.24-143
В: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках




видимые и ультрафиолетовые спектры полуметаллов
PACS 78.40.Kc
В: полуметаллы
Н: ультрафиолетовые спектры полуметаллов

видимый свет – действие на проводимость
В: излучения – действие на проводимость

висмут
*ББК Г123.33:К232.9
УДК 546.87
В: полуметаллы
А: висмут и его соединения – полупроводниковые свойства

висмут и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.33-2
*УДК 546.87:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: висмут

влияние излучения/облучения на структуру и свойства полупроводников
См: радиационные эффекты в полупроводниках

влияние облучения на свойства твёрдых тел
ББК В371.27
ВИНИТИ 291.19.21
ГРНТИ 29.19.21
*УДК 539.21:538.97:539.12.043
В: физика твёрдых тел
Н: радиационные эффекты в полупроводниках

внешний фотоэффект
См: фотоэлектронная эмиссия

внутренний фотоэффект
См: фотопроводимость

внутризонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
*ББК В379.13:242:243
ВИНИТИ 291.19.31.25.19.19
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/

возбуждение электромагнитных колебаний
ББК В336
УДК 537.862
С: генерация электромагнитных волн
Н: генерация электромагнитных волн в полупроводниках

вольтамперные характеристики = зависимость тока от напряжения
Н: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников
Н: S- образные вольтамперные характеристики /полупроводников/

вращение плоскости поляризации в полупроводниках
ББК В379.24-27
В: оптические свойства полупроводников – поляризация излучения




вторичная эмиссия = испускание электронов поверхностью твёрдого тела при её бомбардировке электронами
ББК В373.131
УДК 537.533.8
Н: вторичная эмиссия /электронов в полупроводниках/

вторичная эмиссия электронов в полупроводниках
ББК В379.231.31
ВИНИТИ 291.19.31.37.25
*УДК 537.533.8:621.315.59
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/

выращивание полупроводниковых плёнок
PACS 68.55.-z
*ББК В379.212.6:К203.4
*УДК 621.793:621.315.59
В: структура и морфология тонких плёнок

вырожденные полупроводники – физика
ББК В379.2
В: физика полупроводников




высокие давления – влияние на электрические свойства полупроводников
*ББК B367.1:В379.231
*УДК 537.311.322.092:539.89:621.315.59
В: электрические свойства полупроводников

высокоомные полупроводники – физика = полуизолирующие полупроводники с высоким удельным сопротивлением
ББК В379.2
В: физика полупроводников

высокочастотная диэлектрическая проницаемость и распространение электромагнитных волн в полупроводниках
*ББК В379.231.6:24:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.25.15
*УДК [537.86/.87+537.226.1]:621.315.59
В: электромагнитные колебания в полупроводниках

высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
*ББК В379.212.4:25:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.23.43
В: аморфные полупроводники – физика
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/

высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
*ББК В379.25:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.23
В: кинетические явления /в полупроводниках/
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: нелинейные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: парамагнитный резонанс /в полупроводниках/
Н: плёнки /полупроводников в радиодиапазоне/
Н: поглощение и распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: размерные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: циклотронный резонанс /в полупроводниках/
Н: шумы /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: электропроводность /полупроводников в радиодиапазоне/
^ Г г – 35 статей
галлий
*ББК Г123.31:К233.5
УДК 621.315
А: галлий и его соединения – полупроводниковые свойства

галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г123.31-2
*УДК 621.315.59:546.681
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
Н: арсенид галлия
А: галлий

гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
*ББК В379.234:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.47.17
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
В: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/
Н: гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники

гальваномагнитные эффекты
См: гальваномагнитные явления

гальваномагнитные явления = явления, связанные с действием магнитного поля на электрические (гальванические) свойства полупроводников
ББК В373.4
УДК 537.633
С: гальваномагнитные эффекты
С: электрические действия магнитных полей
Н: гальваномагнитные явления в полупроводниках
Н: магнитное поле – действие на проводимость

гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники/
*ББК В379.234:212.4
ВИНИТИ 291.19.31.21.43.21
В: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
В: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/
В: статические кинетические явления в аморфных полупроводниках

гальваномагнитные явления в полупроводниках
ББК В379.234
ВИНИТИ 291.19.31.21.21
*УДК 537.312.8:621.315.59
В: гальваномагнитные явления
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: электрические и магнитные свойства полупроводников
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники/
Н: эффект Холла
Н: квантующие магнитные поля

гамма- и рентгеновское излучение в полупроводниках
ББК В379.24-141
В: cпектральные диапазоны оптического излучения в полупроводниках
Н: рентгеновское излучение в полупроводниках




гафний
*ББК Г124.43-2:К235.4
УДК 546.832
А: гафний и его соединения – полупроводниковые свойства

гафний и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г124.43-2
*УДК 546.832:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: гафний

гашение фотопроводимости /полупроводников/ = восстановление первоначального темнового состояния образца
ВИНИТИ 291.19.31.29.15.19
В: фотопроводимость /полупроводников/
Н: собственная фотопроводимость /полупроводников/

генерация акустических волн /в полупроводниках/
*ББК В323.2:В379.2
ВИНИТИ 291.19.31.35.17.15
*УДК 538.951:621.315.59
В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/

генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
ББК В379.231
ВИНИТИ 291.19.31.35.17
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация акустических волн в полупроводниках
Н: генерация электромагнитных волн в полупроводниках
Н: эффект Ганна в полупроводниках

генерация СВЧ /в полупроводниках/
*ББК В379.2:з841.5
ВИНИТИ 291.19.31.35.21.19
*УДК 537.862.029.6:621.315.59
В: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
В: генерация электромагнитных волн в полупроводниках

генерация спиновых волн
ВИНИТИ 291.19.36.21.41
В: эффекты спинтроники

генерация электромагнитных волн
См: возбуждение электромагнитных колебаний

генерация электромагнитных волн в полупроводниках
ББК В379.24
ВИНИТИ 291.19.31.35.17.17
*УДК 537.862:621.315.59
В: возбуждение электромагнитных колебаний
В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/

германий и его соединения – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г124.31-2
*УДК 546.289:621.315.59
%УДК 537.311.322-039.6Ge
В: неорганические полупроводники
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
А: германий

германий
*ББК Г124.31:з843.311:К235.3
УДК 546.289
В: полуметаллы
В: элементарные полупроводники
А: германий и его соединения – полупроводниковые свойства

гетеропереходы в полупроводниках = полупроводниковые переходы между двумя разнородными по основному химическому составу или (и) фазовому состоянию полупроводниками
ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.25
В: границы раздела
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: единичные гетеропереходы /электронный газ в полупроводниках/
Н: фотовольтаический эффект в гетеропереходах в полупроводниках

гетерополярные полупроводники = полупроводники, в которых атомы связаны смешанной (ионно-ковалентной) связью (к ним относится большинство соединений, например, типа А3В5)
ББК В379.2
В: полупроводники

гетероструктуры полупроводников
См: полупроводниковые гетероструктуры

гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
ББК В379.231.5
*УДК 538.975.5:537.3:621.315.59
%УДК 537.311.322HStr
В: полупроводниковые гетероструктуры
В: электрические свойства полупроводников
В: электрические явления при контакте полупроводников с разными материалами
Н: жидкие кристаллы–электрические явления
Н: комбинации p-n-переходов
Н: контакт диэлектрик–металл–полупроводник – электрические явления
Н: контакт полупроводник-полупроводник
Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – акустоэлектрические явления
Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакт сегнетоэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакт электролит–диэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: структура металл–диэлектрик–полупроводник
Н: полупроводниковые сверхрешётки
Н: слои Шоттки – электрические явления
Н: фотовольтаический эффект в контакте металл–полупроводник
Н: эксклюзия при контакте полупроводников с разными материалами
Н: электрические явления при контакте полупроводников с разными материалами
Н: явление Пельтье в полупроводниках
А: неоднородные системы /в полупроводниках/

гигантское магнитосопротивление
ВИНИТИ 291.19.36.21.21
В: магнитосопротивление
В: эффекты спинтроники

гиперкомбинационное рассеяние света в полупроводниках
ББК В379.247
В: рассеяние света в полупроводниках
В: спектроскопия полупроводников

глубокие примесные уровни полупроводников
ББК В379.212.2
В: примесные уровни полупроводников
Н: глубокие уровни примесных состояний – влияние на энергетический спектр

глубокие уровни примесных состояний – влияние на энергетический спектр
*ББК В379.212.2:13
ВИНИТИ 291.19.31.15.21.15
В: глубокие примесные уровни полупроводников
В: примесные состояния – влияние на энергетический спектр полупроводников

гомеополярные полупроводники – физика = кристаллические полупроводники, атомы которых связаны друг с другом гомеополярной (двухэлектронной) ковалентной связью, образующейся перераспределением двух электронов между двумя одинаковыми атомами (к ним относятся элементарные полупроводники IV гр. периодической системы (Si, Ge, алмаз) и полупроводниковые соединения типа A4B4 (SiC))
ББК В379.2
В: кристаллические полупроводники
В: физика полупроводников

горячие носители тока в полупроводниках = подвижные электроны и дырки в полупроводнике или металле, энергетическое распределение которых смещено относительно равновесного при данной температуре в сторону больших энергий
ББК В379.231.2
*УДК 537.112-026.652:621.315.59
В: носители тока в полупроводниках
Н: горячие электроны в полупроводниках
Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках

горячие электроны в полупроводниках
ББК В379.231.2
*УДК 537.12-026.652:621.315.59
%УДК 537.311.322.01HE
В: горячие носители тока в полупроводниках
В: теория полупроводников
В: электронные явления в полупроводниках
Н: диффузия горячих электронов в полупроводниках
А: разогрев электронов в полупроводниках

граница полупроводника и газа (вакуума)
См: явления на границе полупроводника и газа (вакуума)

граница твердого тела и газа (вакуума)
См: явления на границе твердого тела и газа (вакуума)

границы раздела
ВИНИТИ 291.19.16
ГРНТИ 29.19.16
УДК 538.971
%УДК 538.971Int
В: поверхности и границы раздела
Н: гетеропереходы в полупроводниках
А: границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)

границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
PACS 68
*ББК В365.31/32:В372.5/6:В379.212.5/6
В: поверхности и границы раздела; тонкие плёнки и наносистемы (структура и неэлектронные свойства)
А: границы раздела

графит – полупроводниковые свойства
*ББК В379.2:Г741-2
*УДК 549.212:621.315.59
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: элементарные полупроводники
^ Д д – 70 статей
давление – влияние на явления в полупроводниках
ББК В379.231
ВИНИТИ 291.19.31.21.17
*УДК 537.312.9:621.315.59
В: кинетические явления /в полупроводниках/
А: пьезосопротивление /полупроводников/

двойное лучепреломление /в полупроводниках/ = расщепление пучка света в анизотропной среде (например, в кристалле) на два слагающих, распространя­ющихся с разными скоростями и поляризованных в двух взаимно перпендикулярных плоскостях
ББК В379.244
*УДК 535.55:537.874.32:621.315.59
%УДК: 537.311.322.04:535.55
В: оптические свойства полупроводников
Н: эффект Керра /в полупроводниках/

двумерный электронный газ = электронный газ, который находится в потенциальной яме, ограничивающей движение по одной из трёх координат
В: низкоразмерный электронный газ

действие излучений на проводимость и сопротивление
УДК 537.312.5
С: электромагнитные излучения – действие на электропроводность
Н: фотопроводимость полупроводников

деканалирование заряженных частиц в полупроводниках
ББК В379.212.7
В: каналирование и деканалирование заряженных частиц в полупроводниках

детекторы излучений
PACS 29.40.-n
*ББК з849-047:В381.5
УДК 539.1.074
В: экспериментальные методы и инструменты для физики элементарных частиц и ядерной физики

дефектно-примесные реакции в полупроводниках
ББК В379.212.2…
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/

дефекты в полупроводниках
*ББК В379.212.2:Г523
%УДК 537.311.322.01:548.4
В: теория полупроводников
Н: дефекты – влияние на физические свойства полупроводников
Н: дефекты и примеси в кристаллах германия и кремния
Н: дефект