Реферат: Нормативный срок освоения программы 4 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 21. 12. 2009 №745, зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ 03. 02. 2010 №16217 Санкт-Петербург



Министерство образования и науки Российской Федерации

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

сАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ


Согласовано


Сопредседатель УМС по направлению 223200

А.Э. Фотиади

(подпись) (ФИО)

"____" ________ 2010 г.


Вариативная часть
Примерной оСНОВНой образовательной программы высшего профессионального образования


по направлению 223200 «Техническая физика»


профиль 4 «Физика и техника полупроводников»


Квалификация выпускника бакалавр


Форма обучения очная.


Нормативный срок освоения программы 4 года


ФГОС ВПО утвержден приказом Минобрнауки России от 21.12.2009 № 745,
зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ 03.02.2010 №16217


Санкт-Петербург


2010


Содержание

Введение 3

1.1 Вариативная часть примерного учебного плана подготовки бакалавра
по направлению 223200 «Техническая физика», профиль: «Физика и техника полупровлдников» 4

1.2 Компетентностные требования к результатам освоения вариативной части основной образовательной программы (ООП) подготовки бакалавров 8

1.2.1 Структура, содержание и коды формируемых компетенций 8

1.2.2 Общекультурные компетенции 8

1.2.3 Общепрофессиональные компетенции 8

1.2.4 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности 9

1.2.5 Компетенции в области производственно-технологической деятельности 9

1.2.6 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности 9

1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности 10

1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности 10

1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности 10

1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля 11

1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника 11

1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников 13

Объемы занятий, часов 15

Лекции 15

Практич. занятия 15

1.3.04 Дисциплина Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов 17

1.3.05 Дисциплина Б3.В.05 Квантово-размерные системы 19

1.3.06 Дисциплина Б3.В.06 Квантовая и оптическая электроника 21

1.3.07 Дисциплина Б3.В.07 Микро-и оптоэлектроника 23

1.3.08 Дисциплина Б3.В.08 Введение в специальность 25

1.3.09 Дисциплина Б3.В.09 Основы менеджмента наукоемких производств 27

1.3.10 Дисциплины по выбору обучающихся 29



Введение

Вариант ПООП разработан для одного из профилей («Физика и техника полупроводников»), который реализуется на кафедре Физики полупроводников и наноэлектроники Радиофизического факультета ГОУ ВПО СПбГПУ. Приведенный набор дисциплин вариативной части всех циклов и дополнительные компетенции по данному профилю не являются обязательными и могут изменяться в ООП вуза в соответствии со специализацией подготовки выпускников в области физики и техники полупроводников. При этом рекомендуется сохранить в ООП объем и распределение по семестрам указанных дисциплин.


^ 1.1 Вариативная часть примерного учебного плана подготовки бакалавра
по направлению 223200 «Техническая физика», профиль: «Физика и техника полупровлдников»
В приведенном плане указана суммарная трудоемкость всех дисциплин базовой и вариативной части циклов Б.1-Б.3 в зачетных единицах и в академических часах, а также рекомендуемое распределение этих дисциплин по семестрам. Пересчет академических часов в зачетные единицы проводился по следующей методике:

одна зачетная единица эквивалентна (в среднем по плану) 36 академическим часам. В результате округления до целого это соотношение для разных дисциплин (за исключением физической культуры) может меняться от 34 до 38 часов;

текущая и промежуточная аттестация, зачет по дисциплине и курсовые проекты (работы) рассматриваются как вид учебной работы по дисциплине и входят в общую трудоемкость дисциплины; каждый экзамен по дисциплине увеличивает ее трудоемкость примерно на 1 зачетную единицу;

Дисциплины «по выбору студента» являются обязательными, а факультативные дисциплины, предусматриваемые учебным планом вуза, не являются обязательными для изучения студентом и их трудоемкость не оценивается в зачетных единицах.


 № п/п

Наименование дисциплин

(в том числе практик)

 

Трудоемкость

Примерное распределение по семестрам

 Зачетные
единицы

Академические
 часы

1-й семестр

2-й семестр

3-й семестр

4-й семестр

5-й семестр

6-й семестр

7-й семестр

8-й семестр

Форма итогового контроля

Примечание

Количество недель

18

17

18

17

18

17

18

13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

Б.1 Гуманитарный, социальный и экономический цикл

30

1013































Б1.Б

^ Базовая часть

15

524

+

+

+

+

+

+













Б1.В

^ Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента

15

524































Б1.В.01

Семинар на иностранном языке

7

246













+

+

+

+

З




Б1.В.02

Экономика

3

90













+










З

КПр




^ Дисциплины по выбору студента

5

188































Б1.В.03

1 Психология и педагогика

2. Русский язык и культура речи

1

51
















+







З




Б1.В.04

1. Правоведение

2. Социология

2

72



















+




З




Б1.В.05

1. Культурология

2. Политология

2

65






















+

З




Б.2 Математический и естественнонаучный цикл

77

2569

 

 

 

 

 

 

 

 

 







^ Базовая часть

39

1225































 

^ Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента

38

1344































Б2.В.01

Практикум по математике

9

314

+

+

+

+













З

Б2.В.02

Практикум по информационным технологиям

3

90







+
















З

Б2.В.03

Физический практикум

11

386

+

+

+
















З

Б2.В.04

Практикум по химии и экологии

3

108

+






















З

Б2.В.05

Теория вероятностей и математическая статистика

3

90













+










З




^ Дисциплины по выбору студента

9

356




























Б2.В.06

Семинары по технической физике:

1. Семинар по физике наноразмерных структур.

2. Семинар по физике источников и приемников излучения

3. Семинар по физическим основам наноэлектроники

4. Семинар по фотонике

3

124



















+

+

З

Б2.В.07

Дополнительные главы информатики:

1. Теория вычислительных систем.

2. Объектно-ориентированное программирование.

2

72







+
















З




Б2.В.08

^ Дополнительные главы физики:

1 – конденсированного состояния;

2 – наноразмерных структур;

3 – полупроводниковых гетероструктур.

4

160



















+

+

З




Б.3 Профессиональный цикл

106

3324


































^ Базовая часть

53

1673


































^ Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента

53

1651































Б3.В.01

Микросхемотехника

5

136










+













Э

Б3.В.02

Физика твердого тела и полупроводников

10

297













+

+







Э,З

Б3.В.03

Оптические материалы и технологии

13

360













+




+




Э,З

Б3.В.04

Теория оптико-электронных приборов

3

72



















+




Э

Б3.В.05

Квантово-размерные системы

2

65






















+

Э

Б3.В.06

Квантовая и оптическая электроника

2

78






















+

Э

Б3.В.07

Микро-и оптоэлектроника

2

78






















+

Э,З

Б3.В.08

Введение в специальность

3

88

+

+



















З

Б3.В.09

Основы менеджмента наукоемких производств

2

78






















+

З




^ Дисциплины по выбору студента

11

399




























Б3.В10

Научная работа в лаборатории

1. физики горячих носителей;

2. микро и наноэлектроники;

3. внутреннего фотоэффекта;

4. высокотемпературной сверхпроводимости;

5. органической электроники.

8

297



















+

+

З

Б3.В.11

Семинары по физике и технике полупроводников:

1. семинар по физике горячих носителей;

2. семинар по микро и наноэлектронике;

3. семинар по физике полупроводниковых гетероструктур;

4. семинар по высокотемпературной сверхпроводимости;

.

4

126



















+




З

Б3.В.12

Специальные дисциплины

1. Физика сверхпроводников;

2. Приборы и методы наноэлектроники

3

102
















+







З



^ 1.2 Компетентностные требования к результатам освоения вариативной части основной образовательной программы (ООП) подготовки бакалавров

1.2.1 Структура, содержание и коды формируемых компетенций

Данная ПООП формулирует общекультурные, общепрофессиональные и профессиональные (по видам деятельности) требования к компетенциям выпускника, включающие требования, определяемые ФГОС ВПО по направлению подготовки 223200 «Техническая физика», а также дополнительные требования, сформированные разработчиком с учетом профиля подготовки. При этом в ПООП используются следующие сокращения:

ОК - общекультурные компетенции по ФГОС ВПО;

ДОК – дополнительные общекультурные компетенции, определяемые вузом;

ПК – профессиональные компетенции по ФГОС ВПО;

ДПК – дополнительные профессиональные компетенции, определяемые вузом


^ 1.2.2 Общекультурные компетенции

Таблица 1.1


Общекультурные компетенции

Коды общекультурных компетенций

Дополнительные требования к общекультурным компетенциям

(ДОК-1)

Выпускник готов уважительно и бережно относиться к историческому на­следию и культурным традициям России, толерантно воспринимать соци­альные и культурные различия и особенности других стран

(ДОК-2

Выпускник владеет приемами рационализации жизнедеятельности, ориен­тированными на снижение антропогенного воздействия на природную среду и обеспечение безопасности личности и общества

(ДОК-3)

Выпускник готов использовать в личной жизни и профессиональной дея­тельности этические и правовые нормы, регулирующие межличностные отношения и отношение к обществу, окружающей среде, основные зако­номерности и нормы социального поведения, права и свободы человека и гражданина

(ДОК-4)

Выпускник способен проявлять свои дарования, осмысливать и развивать свои жизненные планы интеллектуального, культурного, нравственного, физического и профессионального саморазвития и самосовершенствования



^ 1.2.3 Общепрофессиональные компетенции

Таблица 1.2

Общепрофессиональные компетенции

Коды компетенций

Дополнительные требования к общепрофессиональным компетенциям

(ДПК-1)

Выпускник готов и способен учитывать тенденции развития современной физики и техники полупроводников в своей профессиональной деятельности.

(ДПК-2)

Выпускник готов и способен использовать фундаментальные законы физики твердого тела и полупроводников, физики полупроводниковых гетероструктур и физики структур пониженной размерности в профессиональной деятельности

(ДПК-3)

Выпускник способен собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии в области физики и техники полупроводников


^ 1.2.4 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности

Таблица 1.3

Компетенции в области научно-исследовательской деятельности

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-4)

Выпускник способен строить простейшие физические и математические модели приборов, схем, устройств и установок полупроводниковой электроники различного функционального назначения, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования

(ДПК-5)

Выпускник способен аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок полупроводниковой электроники различного функционального назначения

(ДПК-6)

Выпускник готов анализировать и систематизировать результаты исследований, готовить и представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций

^ 1.2.5 Компетенции в области производственно-технологической деятельности

Таблица 1.4

Компетенции в области производственно-технологической деятельности

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-7)

Выпускник способен выполнять работы по технологической подготовке производства материалов и изделий микро – и наноэлектроники

(ДПК-8)

Выпускник готов организовывать метрологическое обеспечение производства материалов и изделий полупроводниковой промышленности

(ДПК-9)

Выпускник способен осуществлять контроль соблюдения экологической безопасности


^ 1.2.6 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности

Таблица 1.5

Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности по ФГОС ВПО

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-10)

Выпускник способен проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов

(ДПК-11)

Выпускник готов выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования

(ДПК-12)

Выпускник способен разрабатывать проектную и техническую документацию, оформлять законченные проектно-конструкторские работы

(ДПК-13)

Выпускник готов осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам


^ 1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности

Таблица 1.6

Компетенции в области организационно-управленческой деятельности по ФГОС ВПО

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-14)

Выпускник готов участвовать в разработке организационно-технической документации (графиков работ, инструкций, планов, смет и т.п.) и установленной отчетности по утвержденным формам

(ДПК-15)

Выпускник умеет выполнять задания в области сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов

(ДПК-16)

Выпускник владеет методами профилактики производственного травматизма, профессиональных заболеваний, предотвращения экологических нарушений


^ 1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности

Таблица 1.7

Компетенции в области научно-педагогической деятельности по ФГОС ВПО

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям








^ 1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности

Таблица 1.8

Компетенции в области научно-инновационной деятельности по ФГОС ВПО

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-17)

Выпускник умеет внедрять результаты исследований и разработок и организовывать защиту прав на объекты интеллектуальной собственности



^ 1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля

1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 5 зач. ед. (136 часов)

^ 1. Цели изучения дисциплины

Главная цель данного курса - ознакомить студентов с современными микроэлектронными устройствами, подготовить их к самостоятельному проектированию электронных схем, необходимых в научно-исследовательской работе, к дальнейшему углублению и расширению научно-технического образования с помощью специальной литературы.

^ 2. Место дисциплины в учебном плане

Дисциплина Б3.В.01 «Микросхемотехника» изучается в четвертом семестре и опирается на знания, приобретенные при изучении предшествующих дисциплин: Б2.Б.03 «Физика», Б2.Б.01 «Математика», Б3.Б.07.02 «Электронные приборы». Б3.Б.07.03 «Радиотехнические цепи и сигналы». Полученные знания и навыки закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих дисциплин: Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника», Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», Б3.Б.08. «Метрология и физико-технические измерения» а также в процессе самостоятельной научно-исследовательской работы студентов (Б3.В.10).

В результате изучения дисциплины студенты должны знать основные свойства и методы анализа и расчета линейных и нелинейных электрических цепей, основы схемотехники и микросхемотехники, способы построения и принцип действия электронных устройств.

^ 3. Основные дидактические единицы (разделы)





Разделы программы

Лекции

Практич. занятия

Самост. работа




1. Введение

4

2

2




2. Транзисторы и схемы на их основе

6




6




3. Основы цифровой схемотехники

5

2

10




4. Последовательностные схемы

8

4

10




5. Микросхемы памяти

4

4

4




6. Программируемые микросхемы.

6

2

10




7. Синтезируемые элементы аналоговой схемотехники

12

1

16




8. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи

6

2

10




Итого

В том числе с элементами НИРС – 34 часа

51

17

68

Трудоемкость дисциплины

136


В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

активные и пассивные элементы полупроводниковых микросхем;

физическую структуру, топологию и электрические параметры элементов;

основные параметры и характеристики ИС;

основы цифровой схемотехники

уметь:

использовать полученные знания в своей учебной и профессиональной деятельности;

владеть:

навыками построения различных устройств на основе цифровых и аналоговых микросхем, в том числе с использованием современного программного обеспечения;

иметь представление

о роли микросхемотехники в современной науке, технике и технологии;

об истории ее возникновения, развития и выдающихся ученых;

о возможных применениях в различных областях науки и о прогнозировании научно-технического прогресса.


^ 4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

Лекции, ч/нед

3

Практические занятия, ч.нед

1

Самостоятельные занятия, ч/нед

4

Экзамены, шт/сем

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 136 часов.


^ 1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 8 зач. ед. (297 часов)

1 Цели и задачи изучения дисциплины

Целью дисциплины является обеспечение фундаментальных знаний и навыков в области физики твёрдого тела и физики полупроводников.


^ 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане

Дисциплина Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика» и параллельно читаемые курсы «Квантовая механика», «Методы математической физики». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.05 «Квантово-размерные системы», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.





Разделы дисциплины по РПД

Объем занятий, час

Л

ПЗ

СР

1

Структура и симметрия идеальных и реальных кристаллов

10

5

5

2

Основные типы дефектов кристаллической структуры

10

5

5

3

Дифракция в кристаллах и обратная решетка

6

4

6

4

Упругие колебания в кристаллах, оптические и акустические фононы

6

2

4

5

Тепловые свойства кристаллов

6

3

2

6

Модель свободных электронов

6

3

2

7

Основы зонной теории, классификация твердых тел

8

4

2

8

Статистика электронов

6

4

4

9

Диэлектрические и магнитные свойства, ферромагнетизм; сегнетоэлектрики.

6

2

3

10

Оптические свойства;

6

3

3

11

Сверхпроводимость

6

3

3

12

Собственная и примесная проводимость полупроводников; основные полупроводниковые материалы

4

2

2

13

Некристаллические полупроводники

8

4

2

14

Диффузия и дрейф носителей

8

3

3

15

Генерация и рекомбинация

6

3

5

16

Контактные явления

6

3

7

17

Электронно-дырочный переход; гетеропереходы

8

4

6

18

Поверхностные электронные состояния; эффект поля

6

3

7

19

Фотоэлектрические и акустоэлектронные явления

6

4

5

20

Оптика полупроводников

6

3

5

21

Сильно легированные полупроводники

6

3

3

Общая трудоемкость 297 час.

140

70

87


В результате изучения дисциплины студенты должны:

Знать:

- основные физические явления в твердом теле, их теоретическое истолкование, применения в технике и практике научно-исследовательской работы;

- основы метрологии, методологии наблюдений и экспериментального исследования явлений в твердых телах и определения их физических параметров;

физическую сущности процессов, протекающих в проводящих, полупроводниковых, диэлектрических, магнитных материалах и в структурах, созданных на основе этих материалов, в том числе и при воздействии внешних полей и изменении температуры.

Уметь:

выполнять количественные оценки величины эффектов и характеристических параметров с учётом особенностей кристаллической структуры, электронного и фононного спектров, типа и концентрации легирующих примесей;

самостоятельно осваивать и грамотно использовать результатов новых экспериментальных и теоретических исследований в области физики твёрдого тела и полупроводников;

самостоятельно выбирать методы и объекты исследований

Владеть:

навыками использования методов количественной оценки основных твердотельных характеристик.

Иметь представление:

о современных тенденциях в развитии физики твёрдого тела и полупроводников, приборов и устройств на их основе.


^ 4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля


Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

5-й сем.

6-й сем.

Лекции (Л), час/нед.

4

4

Практические занятия (ПЗ), час/нед.

2

2

Самостоятельная работа (СР), час.нед.

2

3

Курсовые работы, шт.

-

1

Экзамены, (Э), шт.

1

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет по РПД 297 часов.

1.3.03 Дисциплина Б3.В.03 Оптические материалы и технологии.

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 13 зач. ед. (360 часов)

^ 1. Цели и задачи изучения дисциплины

Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области оптических материалов и технологий, основанных на усвоении современных представлений о теоретических основах материаловедения и общих физико-химических закономерностях технологических процессов, используемых в современной электронике.


^ 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане


Дисциплина Б3.В.03 «Оптические материалы и технологии» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах.Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Химия», «Электронные приборы» и «Физика твердого тела и полупроводников». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.

^ Основные дидактические единицы (разделы)

Разделы программы
Объемы занятий, часов Лекции Практич. занятия
Самост. работа

5 семестр

1.Введение

2.Классификация материалов электронной техники

3.Элементы геометрической кристаллографии

4.Химическая связь в кристаллах

5.Геометрические факторы определяющие структуру кристаллов

6.Основные типы кристаллических структур

7.Проводящие материалы

8.Полупроводниковые материалы

9.Диэлектрические материалы

10.Магнитные материалы


2

5

5

7


8

5

10

10

5



1

2

3

4

4


2

4

4

4

6



1

6

6

8

8


10

10

12

11

12


Итого


54

36

90




7-й семестр

Введение

Основы теории фазовых равновесий в гетерогенных системах

3. Методы получения полупроводниковых соединений

4. Технология получения материалов высокой чистоты

5. Технология выращивания кристаллов и пленок материалов электронной техники

6. Термодинамика фаз переменного состава. Методы получения соединений с контролируемой концентрацией носителей тока

7. Гетерогенные равновесия в тройных системах

8. Технология керамических и стеклообразных материалов электронной техники



1


7

6

6


7

6

5


6

6


4



9

4

4


4

4

4


3

2



1


10

6

10


12

8

10

10

10

10


Итого

54

36

90

Общая трудоемкость дисциплины

360


В результате изучения дисциплины студенты должны:

Знать основные законы геометрической кристаллографии; операции и элементы симметрии, свойства полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, Теорию фазовых равновесий в гетерогенных системах, методы получения полупроводниковых соедмнений, методы получения материалов высокой чистоты, технологию получения полупроводниковых кристаллов и пленок, керамик, материалов в стеклообразной форме

Уметь использовать полученные знания для решения типичных задач технологии и техники полупроводников, для очистки, синтеза и кристаллизации веществ различных классов, использовать аналитические и численные методы, пользуясь современным программным обеспечением.

^ Владеть навыками проведения расчетов простейших гетерогенных систем.

Иметь представление о роли изучаемых процессов в современной науке, технике и технологии, об истории их исследования и выдающихся ученых, о возможных применениях в различных областях науки (включая проблемы разработки устройств для обеспечения жизнедеятельности и решения экологических задач) и о прогнозировании научно-технического прогресса.



^ 4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля


Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

5-й сем.

7-сем.

Лекции (Л), час.

54

54

Практические занятия (ПЗ), час.

36

36

Самостоятельная работа (СР), час.

90

90

Курсовые проекты (КП), шт.

1

-

Расчетные задания, шт.

-

1

Зачеты, (З), шт.

1

-

Экзамены, (Э), шт.




1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 360 часов.

^ 1.3.04 Дисциплина Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 3 зач. ед. (72 часа)

1. Цели и задачи изучения дисциплины

Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области - фундаментальных основ оптико-электронных приборов, необходимых для подготовки бакалавров, способных к исследованию, разработке, использованию и производству оптико-электронных приборов как в научных лабораториях, так и в условиях производства, другой практической деятельности.

^ 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане


Дисциплина Б3.В.04 «Теория оптико-электронных приборов» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физико и технико полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в седьмом семестре. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Математическая физика», «Электродинамика» и «Квантовая механика». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующей дисциплины Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области физики и техники полупроводниковых оптико-электронных приборов и ее приложений, в частности, систем передачи и приема информации.


^ 3. Основные дидактические единицы (разделы)





^ Разделы дисциплины по РПД

Объем занятий, час

Л

ПЗ

СР

1

Основные уравнения теории полупроводниковых приборов


2

2

2

2

Электронные процессы и контактные явления в полупроводниках

8

3

3

3

Энергетические диаграммы полупроводников и полупроводниковых структур

8

4

4

4

Фото- и светодиоды

10

4

4

5

Поверхность полупроводника, полевые приборы

6

3

3

6

Приборы на квантово-размерных эффектах

2

2

2




Общая трудоемкость 72 час

36

18

18


В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

физические основы теории оптико-электронных приборов;

принципы создания и механизмы работы важнейших типов оптико-электронных приборов;

уметь:

экспериментально и теоретически оценивать достижимые характеристики основных типов электронных и оптико-электронных ;

оценивать области возможного их применения;

владеть:

навыками практического использования и разработки оптико-электронных устройств
еще рефераты
Еще работы по разное