Реферат: Нормативный срок освоения программы 4 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 21. 12. 2009 №745, зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ 03. 02. 2010 №16217 Санкт-Петербург
Министерство образования и науки Российской Федерации
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
сАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Согласовано
Сопредседатель УМС по направлению 223200
А.Э. Фотиади
(подпись) (ФИО)
"____" ________ 2010 г.
Вариативная часть
Примерной оСНОВНой образовательной программы высшего профессионального образования
по направлению 223200 «Техническая физика»
профиль 4 «Физика и техника полупроводников»
Квалификация выпускника бакалавр
Форма обучения очная.
Нормативный срок освоения программы 4 года
ФГОС ВПО утвержден приказом Минобрнауки России от 21.12.2009 № 745,
зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ 03.02.2010 №16217
Санкт-Петербург
2010
Содержание
Введение 3
1.1 Вариативная часть примерного учебного плана подготовки бакалавра
по направлению 223200 «Техническая физика», профиль: «Физика и техника полупровлдников» 4
1.2 Компетентностные требования к результатам освоения вариативной части основной образовательной программы (ООП) подготовки бакалавров 8
1.2.1 Структура, содержание и коды формируемых компетенций 8
1.2.2 Общекультурные компетенции 8
1.2.3 Общепрофессиональные компетенции 8
1.2.4 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности 9
1.2.5 Компетенции в области производственно-технологической деятельности 9
1.2.6 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности 9
1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности 10
1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности 10
1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности 10
1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля 11
1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника 11
1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников 13
Объемы занятий, часов 15
Лекции 15
Практич. занятия 15
1.3.04 Дисциплина Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов 17
1.3.05 Дисциплина Б3.В.05 Квантово-размерные системы 19
1.3.06 Дисциплина Б3.В.06 Квантовая и оптическая электроника 21
1.3.07 Дисциплина Б3.В.07 Микро-и оптоэлектроника 23
1.3.08 Дисциплина Б3.В.08 Введение в специальность 25
1.3.09 Дисциплина Б3.В.09 Основы менеджмента наукоемких производств 27
1.3.10 Дисциплины по выбору обучающихся 29
Введение
Вариант ПООП разработан для одного из профилей («Физика и техника полупроводников»), который реализуется на кафедре Физики полупроводников и наноэлектроники Радиофизического факультета ГОУ ВПО СПбГПУ. Приведенный набор дисциплин вариативной части всех циклов и дополнительные компетенции по данному профилю не являются обязательными и могут изменяться в ООП вуза в соответствии со специализацией подготовки выпускников в области физики и техники полупроводников. При этом рекомендуется сохранить в ООП объем и распределение по семестрам указанных дисциплин.
^ 1.1 Вариативная часть примерного учебного плана подготовки бакалавра
по направлению 223200 «Техническая физика», профиль: «Физика и техника полупровлдников»
В приведенном плане указана суммарная трудоемкость всех дисциплин базовой и вариативной части циклов Б.1-Б.3 в зачетных единицах и в академических часах, а также рекомендуемое распределение этих дисциплин по семестрам. Пересчет академических часов в зачетные единицы проводился по следующей методике:
одна зачетная единица эквивалентна (в среднем по плану) 36 академическим часам. В результате округления до целого это соотношение для разных дисциплин (за исключением физической культуры) может меняться от 34 до 38 часов;
текущая и промежуточная аттестация, зачет по дисциплине и курсовые проекты (работы) рассматриваются как вид учебной работы по дисциплине и входят в общую трудоемкость дисциплины; каждый экзамен по дисциплине увеличивает ее трудоемкость примерно на 1 зачетную единицу;
Дисциплины «по выбору студента» являются обязательными, а факультативные дисциплины, предусматриваемые учебным планом вуза, не являются обязательными для изучения студентом и их трудоемкость не оценивается в зачетных единицах.
№ п/п
Наименование дисциплин
(в том числе практик)
Трудоемкость
Примерное распределение по семестрам
Зачетные
единицы
Академические
часы
1-й семестр
2-й семестр
3-й семестр
4-й семестр
5-й семестр
6-й семестр
7-й семестр
8-й семестр
Форма итогового контроля
Примечание
Количество недель
18
17
18
17
18
17
18
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
Б.1 Гуманитарный, социальный и экономический цикл
30
1013
Б1.Б
^ Базовая часть
15
524
+
+
+
+
+
+
Б1.В
^ Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента
15
524
Б1.В.01
Семинар на иностранном языке
7
246
+
+
+
+
З
Б1.В.02
Экономика
3
90
+
З
КПр
^ Дисциплины по выбору студента
5
188
Б1.В.03
1 Психология и педагогика
2. Русский язык и культура речи
1
51
+
З
Б1.В.04
1. Правоведение
2. Социология
2
72
+
З
Б1.В.05
1. Культурология
2. Политология
2
65
+
З
Б.2 Математический и естественнонаучный цикл
77
2569
^ Базовая часть
39
1225
^ Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента
38
1344
Б2.В.01
Практикум по математике
9
314
+
+
+
+
З
Б2.В.02
Практикум по информационным технологиям
3
90
+
З
Б2.В.03
Физический практикум
11
386
+
+
+
З
Б2.В.04
Практикум по химии и экологии
3
108
+
З
Б2.В.05
Теория вероятностей и математическая статистика
3
90
+
З
^ Дисциплины по выбору студента
9
356
Б2.В.06
Семинары по технической физике:
1. Семинар по физике наноразмерных структур.
2. Семинар по физике источников и приемников излучения
3. Семинар по физическим основам наноэлектроники
4. Семинар по фотонике
3
124
+
+
З
Б2.В.07
Дополнительные главы информатики:
1. Теория вычислительных систем.
2. Объектно-ориентированное программирование.
2
72
+
З
Б2.В.08
^ Дополнительные главы физики:
1 – конденсированного состояния;
2 – наноразмерных структур;
3 – полупроводниковых гетероструктур.
4
160
+
+
З
Б.3 Профессиональный цикл
106
3324
^ Базовая часть
53
1673
^ Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента
53
1651
Б3.В.01
Микросхемотехника
5
136
+
Э
Б3.В.02
Физика твердого тела и полупроводников
10
297
+
+
Э,З
Б3.В.03
Оптические материалы и технологии
13
360
+
+
Э,З
Б3.В.04
Теория оптико-электронных приборов
3
72
+
Э
Б3.В.05
Квантово-размерные системы
2
65
+
Э
Б3.В.06
Квантовая и оптическая электроника
2
78
+
Э
Б3.В.07
Микро-и оптоэлектроника
2
78
+
Э,З
Б3.В.08
Введение в специальность
3
88
+
+
З
Б3.В.09
Основы менеджмента наукоемких производств
2
78
+
З
^ Дисциплины по выбору студента
11
399
Б3.В10
Научная работа в лаборатории
1. физики горячих носителей;
2. микро и наноэлектроники;
3. внутреннего фотоэффекта;
4. высокотемпературной сверхпроводимости;
5. органической электроники.
8
297
+
+
З
Б3.В.11
Семинары по физике и технике полупроводников:
1. семинар по физике горячих носителей;
2. семинар по микро и наноэлектронике;
3. семинар по физике полупроводниковых гетероструктур;
4. семинар по высокотемпературной сверхпроводимости;
.
4
126
+
З
Б3.В.12
Специальные дисциплины
1. Физика сверхпроводников;
2. Приборы и методы наноэлектроники
3
102
+
З
^ 1.2 Компетентностные требования к результатам освоения вариативной части основной образовательной программы (ООП) подготовки бакалавров
1.2.1 Структура, содержание и коды формируемых компетенций
Данная ПООП формулирует общекультурные, общепрофессиональные и профессиональные (по видам деятельности) требования к компетенциям выпускника, включающие требования, определяемые ФГОС ВПО по направлению подготовки 223200 «Техническая физика», а также дополнительные требования, сформированные разработчиком с учетом профиля подготовки. При этом в ПООП используются следующие сокращения:
ОК - общекультурные компетенции по ФГОС ВПО;
ДОК – дополнительные общекультурные компетенции, определяемые вузом;
ПК – профессиональные компетенции по ФГОС ВПО;
ДПК – дополнительные профессиональные компетенции, определяемые вузом
^ 1.2.2 Общекультурные компетенции
Таблица 1.1
Общекультурные компетенции
Коды общекультурных компетенций
Дополнительные требования к общекультурным компетенциям
(ДОК-1)
Выпускник готов уважительно и бережно относиться к историческому наследию и культурным традициям России, толерантно воспринимать социальные и культурные различия и особенности других стран
(ДОК-2
Выпускник владеет приемами рационализации жизнедеятельности, ориентированными на снижение антропогенного воздействия на природную среду и обеспечение безопасности личности и общества
(ДОК-3)
Выпускник готов использовать в личной жизни и профессиональной деятельности этические и правовые нормы, регулирующие межличностные отношения и отношение к обществу, окружающей среде, основные закономерности и нормы социального поведения, права и свободы человека и гражданина
(ДОК-4)
Выпускник способен проявлять свои дарования, осмысливать и развивать свои жизненные планы интеллектуального, культурного, нравственного, физического и профессионального саморазвития и самосовершенствования
^ 1.2.3 Общепрофессиональные компетенции
Таблица 1.2
Общепрофессиональные компетенции
Коды компетенций
Дополнительные требования к общепрофессиональным компетенциям
(ДПК-1)
Выпускник готов и способен учитывать тенденции развития современной физики и техники полупроводников в своей профессиональной деятельности.
(ДПК-2)
Выпускник готов и способен использовать фундаментальные законы физики твердого тела и полупроводников, физики полупроводниковых гетероструктур и физики структур пониженной размерности в профессиональной деятельности
(ДПК-3)
Выпускник способен собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии в области физики и техники полупроводников
^ 1.2.4 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности
Таблица 1.3
Компетенции в области научно-исследовательской деятельности
Коды компетенций
Дополнительные требования к профессиональным компетенциям
(ДПК-4)
Выпускник способен строить простейшие физические и математические модели приборов, схем, устройств и установок полупроводниковой электроники различного функционального назначения, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования
(ДПК-5)
Выпускник способен аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок полупроводниковой электроники различного функционального назначения
(ДПК-6)
Выпускник готов анализировать и систематизировать результаты исследований, готовить и представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций
^ 1.2.5 Компетенции в области производственно-технологической деятельности
Таблица 1.4
Компетенции в области производственно-технологической деятельности
Коды компетенций
Дополнительные требования к профессиональным компетенциям
(ДПК-7)
Выпускник способен выполнять работы по технологической подготовке производства материалов и изделий микро – и наноэлектроники
(ДПК-8)
Выпускник готов организовывать метрологическое обеспечение производства материалов и изделий полупроводниковой промышленности
(ДПК-9)
Выпускник способен осуществлять контроль соблюдения экологической безопасности
^ 1.2.6 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности
Таблица 1.5
Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности по ФГОС ВПО
Коды компетенций
Дополнительные требования к профессиональным компетенциям
(ДПК-10)
Выпускник способен проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов
(ДПК-11)
Выпускник готов выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования
(ДПК-12)
Выпускник способен разрабатывать проектную и техническую документацию, оформлять законченные проектно-конструкторские работы
(ДПК-13)
Выпускник готов осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам
^ 1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности
Таблица 1.6
Компетенции в области организационно-управленческой деятельности по ФГОС ВПО
Коды компетенций
Дополнительные требования к профессиональным компетенциям
(ДПК-14)
Выпускник готов участвовать в разработке организационно-технической документации (графиков работ, инструкций, планов, смет и т.п.) и установленной отчетности по утвержденным формам
(ДПК-15)
Выпускник умеет выполнять задания в области сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов
(ДПК-16)
Выпускник владеет методами профилактики производственного травматизма, профессиональных заболеваний, предотвращения экологических нарушений
^ 1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности
Таблица 1.7
Компетенции в области научно-педагогической деятельности по ФГОС ВПО
Коды компетенций
Дополнительные требования к профессиональным компетенциям
^ 1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности
Таблица 1.8
Компетенции в области научно-инновационной деятельности по ФГОС ВПО
Коды компетенций
Дополнительные требования к профессиональным компетенциям
(ДПК-17)
Выпускник умеет внедрять результаты исследований и разработок и организовывать защиту прав на объекты интеллектуальной собственности
^ 1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля
1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 5 зач. ед. (136 часов)
^ 1. Цели изучения дисциплины
Главная цель данного курса - ознакомить студентов с современными микроэлектронными устройствами, подготовить их к самостоятельному проектированию электронных схем, необходимых в научно-исследовательской работе, к дальнейшему углублению и расширению научно-технического образования с помощью специальной литературы.
^ 2. Место дисциплины в учебном плане
Дисциплина Б3.В.01 «Микросхемотехника» изучается в четвертом семестре и опирается на знания, приобретенные при изучении предшествующих дисциплин: Б2.Б.03 «Физика», Б2.Б.01 «Математика», Б3.Б.07.02 «Электронные приборы». Б3.Б.07.03 «Радиотехнические цепи и сигналы». Полученные знания и навыки закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих дисциплин: Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника», Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», Б3.Б.08. «Метрология и физико-технические измерения» а также в процессе самостоятельной научно-исследовательской работы студентов (Б3.В.10).
В результате изучения дисциплины студенты должны знать основные свойства и методы анализа и расчета линейных и нелинейных электрических цепей, основы схемотехники и микросхемотехники, способы построения и принцип действия электронных устройств.
^ 3. Основные дидактические единицы (разделы)
Разделы программы
Лекции
Практич. занятия
Самост. работа
1. Введение
4
2
2
2. Транзисторы и схемы на их основе
6
6
3. Основы цифровой схемотехники
5
2
10
4. Последовательностные схемы
8
4
10
5. Микросхемы памяти
4
4
4
6. Программируемые микросхемы.
6
2
10
7. Синтезируемые элементы аналоговой схемотехники
12
1
16
8. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
6
2
10
Итого
В том числе с элементами НИРС – 34 часа
51
17
68
Трудоемкость дисциплины
136
В результате изучения дисциплины студенты должны:
знать:
активные и пассивные элементы полупроводниковых микросхем;
физическую структуру, топологию и электрические параметры элементов;
основные параметры и характеристики ИС;
основы цифровой схемотехники
уметь:
использовать полученные знания в своей учебной и профессиональной деятельности;
владеть:
навыками построения различных устройств на основе цифровых и аналоговых микросхем, в том числе с использованием современного программного обеспечения;
иметь представление
о роли микросхемотехники в современной науке, технике и технологии;
об истории ее возникновения, развития и выдающихся ученых;
о возможных применениях в различных областях науки и о прогнозировании научно-технического прогресса.
^ 4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля
Виды занятий и формы контроля
Объем по семестрам
Лекции, ч/нед
3
Практические занятия, ч.нед
1
Самостоятельные занятия, ч/нед
4
Экзамены, шт/сем
1
Общая трудоемкость дисциплины составляет 136 часов.
^ 1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 8 зач. ед. (297 часов)
1 Цели и задачи изучения дисциплины
Целью дисциплины является обеспечение фундаментальных знаний и навыков в области физики твёрдого тела и физики полупроводников.
^ 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане
Дисциплина Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика» и параллельно читаемые курсы «Квантовая механика», «Методы математической физики». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.05 «Квантово-размерные системы», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.
№
Разделы дисциплины по РПД
Объем занятий, час
Л
ПЗ
СР
1
Структура и симметрия идеальных и реальных кристаллов
10
5
5
2
Основные типы дефектов кристаллической структуры
10
5
5
3
Дифракция в кристаллах и обратная решетка
6
4
6
4
Упругие колебания в кристаллах, оптические и акустические фононы
6
2
4
5
Тепловые свойства кристаллов
6
3
2
6
Модель свободных электронов
6
3
2
7
Основы зонной теории, классификация твердых тел
8
4
2
8
Статистика электронов
6
4
4
9
Диэлектрические и магнитные свойства, ферромагнетизм; сегнетоэлектрики.
6
2
3
10
Оптические свойства;
6
3
3
11
Сверхпроводимость
6
3
3
12
Собственная и примесная проводимость полупроводников; основные полупроводниковые материалы
4
2
2
13
Некристаллические полупроводники
8
4
2
14
Диффузия и дрейф носителей
8
3
3
15
Генерация и рекомбинация
6
3
5
16
Контактные явления
6
3
7
17
Электронно-дырочный переход; гетеропереходы
8
4
6
18
Поверхностные электронные состояния; эффект поля
6
3
7
19
Фотоэлектрические и акустоэлектронные явления
6
4
5
20
Оптика полупроводников
6
3
5
21
Сильно легированные полупроводники
6
3
3
Общая трудоемкость 297 час.
140
70
87
В результате изучения дисциплины студенты должны:
Знать:
- основные физические явления в твердом теле, их теоретическое истолкование, применения в технике и практике научно-исследовательской работы;
- основы метрологии, методологии наблюдений и экспериментального исследования явлений в твердых телах и определения их физических параметров;
физическую сущности процессов, протекающих в проводящих, полупроводниковых, диэлектрических, магнитных материалах и в структурах, созданных на основе этих материалов, в том числе и при воздействии внешних полей и изменении температуры.
Уметь:
выполнять количественные оценки величины эффектов и характеристических параметров с учётом особенностей кристаллической структуры, электронного и фононного спектров, типа и концентрации легирующих примесей;
самостоятельно осваивать и грамотно использовать результатов новых экспериментальных и теоретических исследований в области физики твёрдого тела и полупроводников;
самостоятельно выбирать методы и объекты исследований
Владеть:
навыками использования методов количественной оценки основных твердотельных характеристик.
Иметь представление:
о современных тенденциях в развитии физики твёрдого тела и полупроводников, приборов и устройств на их основе.
^ 4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля
Виды занятий и формы контроля
Объем по семестрам
5-й сем.
6-й сем.
Лекции (Л), час/нед.
4
4
Практические занятия (ПЗ), час/нед.
2
2
Самостоятельная работа (СР), час.нед.
2
3
Курсовые работы, шт.
-
1
Экзамены, (Э), шт.
1
1
Общая трудоемкость дисциплины составляет по РПД 297 часов.
1.3.03 Дисциплина Б3.В.03 Оптические материалы и технологии.
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 13 зач. ед. (360 часов)
^ 1. Цели и задачи изучения дисциплины
Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области оптических материалов и технологий, основанных на усвоении современных представлений о теоретических основах материаловедения и общих физико-химических закономерностях технологических процессов, используемых в современной электронике.
^ 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане
Дисциплина Б3.В.03 «Оптические материалы и технологии» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах.Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Химия», «Электронные приборы» и «Физика твердого тела и полупроводников». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.
^ Основные дидактические единицы (разделы)
Разделы программы
Объемы занятий, часов Лекции Практич. занятия
Самост. работа
5 семестр
1.Введение
2.Классификация материалов электронной техники
3.Элементы геометрической кристаллографии
4.Химическая связь в кристаллах
5.Геометрические факторы определяющие структуру кристаллов
6.Основные типы кристаллических структур
7.Проводящие материалы
8.Полупроводниковые материалы
9.Диэлектрические материалы
10.Магнитные материалы
2
5
5
7
8
5
10
10
5
1
2
3
4
4
2
4
4
4
6
1
6
6
8
8
10
10
12
11
12
Итого
54
36
90
7-й семестр
Введение
Основы теории фазовых равновесий в гетерогенных системах
3. Методы получения полупроводниковых соединений
4. Технология получения материалов высокой чистоты
5. Технология выращивания кристаллов и пленок материалов электронной техники
6. Термодинамика фаз переменного состава. Методы получения соединений с контролируемой концентрацией носителей тока
7. Гетерогенные равновесия в тройных системах
8. Технология керамических и стеклообразных материалов электронной техники
1
7
6
6
7
6
5
6
6
4
9
4
4
4
4
4
3
2
1
10
6
10
12
8
10
10
10
10
Итого
54
36
90
Общая трудоемкость дисциплины
360
В результате изучения дисциплины студенты должны:
Знать основные законы геометрической кристаллографии; операции и элементы симметрии, свойства полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, Теорию фазовых равновесий в гетерогенных системах, методы получения полупроводниковых соедмнений, методы получения материалов высокой чистоты, технологию получения полупроводниковых кристаллов и пленок, керамик, материалов в стеклообразной форме
Уметь использовать полученные знания для решения типичных задач технологии и техники полупроводников, для очистки, синтеза и кристаллизации веществ различных классов, использовать аналитические и численные методы, пользуясь современным программным обеспечением.
^ Владеть навыками проведения расчетов простейших гетерогенных систем.
Иметь представление о роли изучаемых процессов в современной науке, технике и технологии, об истории их исследования и выдающихся ученых, о возможных применениях в различных областях науки (включая проблемы разработки устройств для обеспечения жизнедеятельности и решения экологических задач) и о прогнозировании научно-технического прогресса.
^ 4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля
Виды занятий и формы контроля
Объем по семестрам
5-й сем.
7-сем.
Лекции (Л), час.
54
54
Практические занятия (ПЗ), час.
36
36
Самостоятельная работа (СР), час.
90
90
Курсовые проекты (КП), шт.
1
-
Расчетные задания, шт.
-
1
Зачеты, (З), шт.
1
-
Экзамены, (Э), шт.
1
Общая трудоемкость дисциплины составляет 360 часов.
^ 1.3.04 Дисциплина Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 3 зач. ед. (72 часа)
1. Цели и задачи изучения дисциплины
Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области - фундаментальных основ оптико-электронных приборов, необходимых для подготовки бакалавров, способных к исследованию, разработке, использованию и производству оптико-электронных приборов как в научных лабораториях, так и в условиях производства, другой практической деятельности.
^ 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане
Дисциплина Б3.В.04 «Теория оптико-электронных приборов» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физико и технико полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в седьмом семестре. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Математическая физика», «Электродинамика» и «Квантовая механика». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующей дисциплины Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области физики и техники полупроводниковых оптико-электронных приборов и ее приложений, в частности, систем передачи и приема информации.
^ 3. Основные дидактические единицы (разделы)
№
^ Разделы дисциплины по РПД
Объем занятий, час
Л
ПЗ
СР
1
Основные уравнения теории полупроводниковых приборов
2
2
2
2
Электронные процессы и контактные явления в полупроводниках
8
3
3
3
Энергетические диаграммы полупроводников и полупроводниковых структур
8
4
4
4
Фото- и светодиоды
10
4
4
5
Поверхность полупроводника, полевые приборы
6
3
3
6
Приборы на квантово-размерных эффектах
2
2
2
Общая трудоемкость 72 час
36
18
18
В результате изучения дисциплины студенты должны:
знать:
физические основы теории оптико-электронных приборов;
принципы создания и механизмы работы важнейших типов оптико-электронных приборов;
уметь:
экспериментально и теоретически оценивать достижимые характеристики основных типов электронных и оптико-электронных ;
оценивать области возможного их применения;
владеть:
навыками практического использования и разработки оптико-электронных устройств
еще рефераты
Еще работы по разное
Реферат по разное
«Теории международной миграции капитала»
17 Сентября 2013
Реферат по разное
Реферат по дисциплине "Финансовый анализ" на тему: "Антикризисное управление предприятием"
17 Сентября 2013
Реферат по разное
Реферат по истории физики. Развитие представлений человека о строении Вселенной
17 Сентября 2013
Реферат по разное
Реферат по химии «искусственные волокна. История вещи»
17 Сентября 2013