Реферат: Ильдуса Бариевича Хайбуллина программа

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Российская академия наук

НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им.Н.И.ЛОБАЧЕВСКОГО

КАЗАНСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им.Е.К.ЗАВОЙСКОГО КАЗАНСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА РАН

РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Академия наук республики татарстан


II Всероссийская конференция


"ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО–ХИМИЧЕСКИЕ

ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ"


Казань

28-31 октября 2008 года

Конференция посвящена памяти основателя Казанской школы

ионной имплантации

Ильдуса Бариевича Хайбуллина


ПРОГРАММА


Нижний Новгород

2008


Оргкомитет конференции:

Чупрунов Е.В. - д.ф.-м.н., проф., председатель оргкомитета, проректор ННГУ по научной работе, Нижний Новгород;

^ Салихов К.М.- д.ф.-м.н., чл.-корр. РАН, сопредседатель оргкомитета, директор КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Тетельбаум Д.И. - д.ф.-м.н., проф., зам.председателя оргкомитета, в.н.с. НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;

^ Герасименко Н.Н. - д.ф.-м.н., проф., зам. председателя оргкомитета, МИЭТ (ТУ), Москва;

Баязитов Р.М - - д.ф.-м.н ., зам .председателя, зав.лаб. КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

^ Горшков О.Н. - к.ф.-м.н., доц.,зам председателя, директор НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;

Карзанов В.В. - к.ф.-м.н., доц., ученый секретарь оргкомитета, ННГУ, Нижний Новгород;

^ Баянкин В.Я. - д.т.н., проф., ФТИ УрО РАН, Ижевск;

Валиев К.А.-д.ф-м.н., академик РАН, научн.руков ФТИ РАН

Вяткин А.Ф. - д.ф.-м.н., проф., зам. директора ИПТМ РАН, Черноголовка, Московская обл.;

^ Гапонов С.В. - д.ф.-м.н., проф., чл.-корр. РАН, директор ИФМ РАН, Нижний Новгород;

Качурин Г.А. - д.ф.-м.н., проф., в.н.с. ИФП СО РАН, Новосибирск;

Костюков В.Е. - к.т.н., директор ФЯЦ-ВНИИЭФ, Саров, Нижегородская область;

^ Курнаев В.А. - д.ф.-м.н., проф., зав.каф. МИФИ(ТУ), Москва;

Пархоменко Ю.Н. - д.ф.-м.н., проф., зав.каф. МИСИС (ТУ), Москва;
Титов А.И. - д.ф.-м.н., проф., С-ПГПУ, С.-Петербург;

^ Тулинов А.Ф. - д.ф.-м.н., проф., МГУ, Москва;

Трушин Ю.В. - д.ф.-м.н., проф., в.н.с. ФТИ им. А.Ф. Иоффе

Шаркеев Ю.П. - д.ф.-м.н., ИФПМ СО РАН, Томск.

Файзрахманов И.А. -д.ф.-м.н ., зав.лаб. КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань


^ Программный комитет конференции:

Герасименко Н.Н. - д.ф.-м.н., проф., сопредседатель программного комитета, МИЭТ (ТУ), Москва;

Титов А.И. - д.ф.-м.н., сопредседатель программного комитета проф., С-ПГПУ, С.-Петербург;

^ Баязитов Р.М. д.ф.-м.н ., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Данилов Ю.А. - к.ф.-м.н., с.н.с. НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;

Демидов Е.С. - д.ф.-м.н., проф., зав.каф. ННГУ, Нижний Новгород;

^ Карзанов В.В. - к.ф.-м.н., доц., ученый секретарь оргкомитета, ННГУ, Нижний Новгород;

Козловский В.В. - д.ф.-м.н., проф., С-ПГПУ, С.-Петербург;

Маковийчук М.И. - к.ф.-м.н., в.н.с. Ярославского филиала ФТИ РАН, Ярославль;

^ Мхайлов А.Н. - к.ф-м.н., с.н.с. НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;

Оболенский С.С. - д.т.н., доц., ННГУ, Нижний Новгород;

Павлов Д.А. - д.ф.-м.н., проф., зав.каф. ННГУ, Нижний Новгород;

^ Петухов В.Ю.- д.ф.-м.н ., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Похил Г.П. - к.ф.-м.н., в.н.с. НИИЯФ МГУ, Москва;

Скупов В.Д. - к.ф.-м.н., с.н.с. НИИИС им.Ю.Е.Седакова, Нижний Новгород;

^ Тетельбаум Д.И. - д.ф.-м.н., проф., в.н.с. НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород;

Хайбуллин Р.И. - к.ф.-м.н., с.н.с. КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Хмелевская В.С. - д.ф.-м.н., проф., ИАТЭ(ТУ), Обнинск, Калужская обл.


^ Локальный оргкомитет конференции:


Салихов К.М.- д.ф.-м.н., чл.-корр. РАН, председатель, директор КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Баязитов Р.М.- д.ф.-м.н ., зам. председателя, зав.лаб. КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Баталов Р.И. –к.ф.-м.н., ученый секретарь, КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

^ Тарасов В.Ф.- д.ф.-м.н ., зам директора КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Файзрахманов И.А. -д.ф.-м.н ., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Петухов В.Ю.- д.ф.-м.н ., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

^ Жихарев В.А.- д.ф.-м.н ., проф., КГТУ, Казань;

Фаттахов Я.В.- к.ф.-м.н ., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Зиганшина С.А - к.ф.-м.н ., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

^ Хабибуллина Н.Р.- к.ф.-м.н ., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Бухараев А.А.- д.ф.-м.н ., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Хайбуллин Р.И. - к.ф.-м.н., КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

^ Львов С.Г.- КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань;

Голенева В.М.- КФТИ РАН им.Е.К.Завойского, Казань.


ПРОГРАММА

II Всероссийской конференции

«Физические и физико-химические основы

ионной имплантации»,

28-31 октября 2008 года

Пленарные (приглашенные) доклады – 30 мин.

Устные сообщения – 15 мин.


27 октября

Заезд и регистрация участников

7.00-24.00 - Заезд и размещение участников конференции

15.00-18.00 - Регистрация – Холл первого этажа Академии Наук Республики Татарстан, ул. Баумана 20


28 октября

9.00 — 10.30

Открытие конференции.

^ 1. Вступительное слово сопредседателя оргкомитета, чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н. К.М. Салихова - 15 мин.


2. Памяти Ильдуса Бариевича Хайбуллина – 45 мин.

(выступления учеников и коллег)


3. Квантовые методы обработки информации - 30 мин.

акад. РАН, К.А. Валиев

Физико-технологический институт РАН (ФТИАН), Москва

^ Кофе-брейк (продолжение регистрации) - 15 мин.


СЕКЦИЯ 1 ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И СМЕЖНЫЕ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 10.45 – 12.00 Заседание 1 ^ Председатель – д.ф.-м.н., Р.М. Баязитов


1. Современное состояние технологии ионной имплантации (по материалам 17-той Международной конференции по технологии ионной имплантации, Монтерей, США, 8-13 июня 2008 г.) – 30 мин.

А.Ф. Вяткин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН,

^ Черноголовка, Московская область


2. Современное состояние проблем ионно-лучевой модификации матероиалов (обзор докладов 16-ой Международной конференции IBMM-2008, Дрезден, Германия, 31 августа – 5 сентября 2008 г.) – 30 мин.


Н.Н. Герасименко

Московский институт электронной техники (ТУ), Москва

^ Перерыв (продолжение регистрации) - 15 мин.


12.15 – 13.15 Заседание 2 Председатель - д.ф.-м.н., проф. В.Ю. Петухов


^ 3. Накопление структурных нарушений в полупроводниках,

облучаемых небольшими кластерными ионами – 30 мин.


А.И. Титов1), А.Ю. Азаров1), П.А. Карасёв1), С.О. Кучеев2)

^ 1)Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург

2)Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, USA

4. Методика расчёта плотности смещений в усреднённых индивидуальных каскадах столкновений тяжёлых и кластерных ионов с веществом – 15 мин.

П.А. Карасёв, А.И. Титов, А.Ю. Азаров

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург


13.15 – 14.15 пЕРЕРЫВ НА ОБЕД


14.15 – 16.00 Заседание 3

Председатель – д.ф.-м.н., проф. В.П. Попов


^ 5. Effects on Energetic Impact of Argon Clusters with Various Surfaces: Experiments and Modelling – 30 мин.


V.N. Popok1), S. Vučković1), E.E.B. Campbell1,2), J. Samela3), K. Nordlund3)

1)University of Gothenburg, Gothenburg, Sweden

2)Edinburgh University, Edinburgh, Scotland

3)University of Helsinki, Helsinki, Finland


^ 6. Импульсные мощные ионные пучки и их применение в области материаловедения – 30 мин.


Г.Е. Ремнев

НИИ Высоких напряжений Томского политехнического университета, Томск

^ 7. Метод ионно-лучевой модификации материалов в микрофотонике – 30 мин. М.Ю. Барабаненков Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область


^ Кофе-брейк (продолжение регистрации) - 15 мин.

16.15 – 17.45 Заседание 4

Председатель – д.т.н. С.С. Оболенский


^ 8. Эффект дальнодействия как отклик твердого тела на энергетические потоки малой интенсивности – 30 мин.


Д.И. Тетельбаум

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород


9. К вопросу о механизме фотостимулированных явлений в металлах – 15 мин.


А.А. Колотов, В.Я. Баянкин, Ф.З. Гильмутдинов
^ Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

10. Влияние магнитных и электрических полей на динамику изменений микротвердости кремния, индуцируемых низкоинтенсивным бета-облучением – 15 мин.


Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова, М.Ю. Толотаев, В.М. Васюков,

П.М. Кузнецов

^ Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, Тамбов


11. Моделирование каскадов столкновений в двухслойной подложке при ионном облучении – 15 мин.


А.Ю. Дроздов, В.Я. Баянкин
^ Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

17.45 – 19.00 1 Стендовая сессия


29 октября


СЕКЦИЯ 2

ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКИ

^ 9.00 – 10.15 Заседание 1 Председатель – д.ф.-м.н., проф. Н.Н. Герасименко


1. Инженерия дефектов в имплантационной технологии Si светодиодов – 30 мин.


Н.А. Соболев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург


^ 2. Формирование треков в слоях Si1-xGex – сплавов – 30 мин.

П.И. Гайдук

Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь


^ Кофе-брейк - 15 мин.


10.30 – 12.00 Заседание 2

Председатель – д.ф.-м.н., проф. А.И. Титов


^ 3. Модификация имплантированных полупроводников импульсными пучками излучений – 30 мин.


Р.М. Баязитов

Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, Казань


^ 4. Импульсная обработка кремния, имплантированного ионами эрбия – 15 мин.


Р.И. Баталов1), Р.М. Баязитов1), Д.И. Крыжков2), Г.Д. Ивлев3), П.И. Гайдук4)

^ 1)Казанский физико-технический институт им. Е.К Завойского КазНЦ РАН, Казань

2)Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

3)Институт физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси, Минск, Республика Беларусь

4)Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь


^ 5. Радиационное дефектообразование и радиационное легирование в карбиде кремния при имплантации ионов водорода – 15 мин.


В.В. Козловский1), О.В. Александров2), А.А. Лебедев3)

1)Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург

2)Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург

3)Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург


^ 6. Проблемы моделирования процессов адиабатической и неадиабатической релаксации в релаксационной оптике – 15 мин.


П.П. Трохимчук1,2)

1)Волынский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина

2)Луцкий биотехнический институт Международного научно-технического университета, Луцк, Украина


12.00 – 13.00 2 Стендовая сессия


13.00 – 14.00 ПЕРЕРЫВ НА ОБЕД


14.00 – 15.00 Заседание 3.

Председатель - д.ф.-м.н., проф. Г.А. Качурин


^ 7. Высокотемпературные магнитные полупроводники на основе соединений А3В5, Ge и Si с примесями группы железа – 30 мин.


Е.С. Демидов1,2), В.В. Подольский2) , В.П. Лесников2), В.В Карзанов1,2), М.В. Сапожников3), С.Н. Гусев1,2), С.А. Левчук1,2), Б.А. Грибков3)

^ 1)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород

2)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород

3)Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород


^ 8. Влияние имплантации ионов бора и фосфора на свойства структур кремний на изоляторе – 15 мин.


О.В. Наумова, Б.И. Фомин, В.П. Попов

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск


15.00 – 19.00 Культурная программа


30 октября


СЕКЦИЯ 3

ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР


9.00 – 10.15 Заседание 1

Председатель – д.ф.-м.н., проф. А.Ф. Вяткин


^ 1. Имплантированные наноструктуры на кремнии – 30 мин.


Н.Н. Герасименко

Московский институт электронной техники (ТУ), Москва


2. Исследование состояния и распределения по глубине ионно-синтезированных нанокристаллов Si в тонких слоях SiO2и Al2O3методами спектроскопии комбинационного рассеяния – 15 мин.


А.В. Нежданов1), А.Н. Михайлов2), ^ А.И. Белов1), Ю.В. Замотаева1), А.И. Машин1)

1)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород

2)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород


^ 3. Влияние сорта имплантированных ионов на формирование и свойства слоев SiO2с нановключениями кремния – 15 мин.


Д.И. Тетельбаум1), А.Н. Михайлов1), А.И. Белов2), В.К. Васильев1), А.И. Ковалев3), Д.Л. Вайнштейн3), T.G. Finstad4), Y. Golan5)

^ 1)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород

2)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород

3)Научно-техническое внедренческое предприятие «Поверхность», Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина, Москва

4)University of Oslo, Oslo, Norway

5)Ben-Gurion University, Beer-Sheva, Israel


^ Кофе-брейк - 15 мин.

10.30 – 11.45 Заседание 2


Председатель – д.ф.-м.н., проф. Н.Н.Герасименко


^ 4. Влияние мощных энергетических импульсов на кремниевые

квантово-размерные наноструктуры – 30 мин.


Г.А. Качурин, С.Г. Черкова

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск


^ 5. Действие высокоэнергетичных ионов Хе+на кремниевые наноструктуры – 15 мин.


С.Г. Черкова1), Г.А. Качурин1), Д.В. Марин1), В.А. Скуратов2)

^ 1)Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск

2)Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская область


^ 6. Изменения в морфологии, распределении, оптических и электронных свойствах нанокристаллов кремния в SiO2при их модификации облучением ионами высоких энергий – 15 мин.


И.В. Антонова1, М.Б. Гуляев1, Д.В. Марин1, А.Г. Черков1, В.А. Скуратов2, J. Jedrzejewski3, I. Balberg3

^ 1)Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск

2)Объединенный центр ядерных исследований, Дубна

3)The Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem, Israel


12.00 – 13.15 Заседание 3

Председатель – д.ф.-м.н., проф. В.Я. Баянкин



^ 7. Роль размерных эффектов и поверхностей раздела в наноструктурах – 30 мин.



Р.А. Андриевский

Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская область




^ 8. Зарождение и рост трёхмерных островков Ge на Si при импульсном ионном воздействии в процессе гетероэпитаксии – 15 мин.


Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск,


^ 9. Влияние магнитного поля на формирование наноструктур при ионно-лучевом синтезе – 15 мин.


Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов, В.А. Жихарев

Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, Казань


13.15 – 14.15 ПЕРЕРЫВ НА ОБЕД


СЕКЦИЯ 4

ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ

В НЕПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ


14.15 – 15.30 Заседание 1

Председатель – д.ф.-м.н., проф. Е.С. Демидов


^ 1. Магниторезонансные исследования диоксида титана (TiO2) и оксида цинка (ZnO), имплантированных ионами кобальта – 30 мин.


Б.З. Рамеев1,2), Р.И. Хайбуллин1), И.А. Файзрахманов1), Л.Р. Тагиров3),

С.Гюлер2), Н.Акдоган2,4,5), А.Нефёдов5), Х.Цабель5)

^ 1)Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, Казань

2)Институт технологии, Гебзе, Турция

3)Казанский государственный университет, Казань

4)Стамбульский технический университет, Стамбул, Турция

5)Университет Рура, Бохум, Германия


^ 2. Ferromagnetic behaviour in Fe implanted SrTiO3perovskite crystal – 15 мин.


F.A. Mikailov1),2), S. Kazan1), A.G. Onan1), Ju.I. Gatiyatova3), V.F. Valeev3), R.I. Khaibullin3)

^ 1)Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze, 41400, Kocaeli, Turkey

2)Institute of Physics, Azerbaijan Academy of Sciences, AZ-143, Baku, Azerbaijan

3)Kazan Physical-Technical Institute, 10/7, Sibirsky Trakt, 420029 Kazan, Russia


^ 3. Исследование роли кислородных вакансий в ферромагнетизме имплантированного кобальтом диоксида титана (TiO2) – 15 мин.


Р.И. Хайбуллин1), В.В. Базаров1), Ю.Н. Осин1), Л.Р. Тагиров2)

1)Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, Казань

2)Казанский государственный университет, Казань


^ Кофе-брейк - 15 мин.


15.45 – 17.00 Заседание 2

Председатель – д.ф.-м.н., проф. И.А. Файзрахманов


^ 4. Взаимодействие ионов водорода, имплантиролванных в оксиды, с кислородом матрицы – 30 мин.


О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, М.Е. Шенина, А.Ю. Дудин, А.П. Касаткин

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород


^ 5. Наведенный ионной имплантацией показатель преломления пленок диоксида германия – 15 мин.


И.Н. Антонов, О.Н. Горшков, М.Е. Шенина, А.Ю.Дудин, А.Н. Михайлов, А.П. Касаткин, В.А. Камин

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород


^ 6. Ионный синтез металлических наночастиц в диэлектриках – 15 мин.


А.Л. Степанов, И.А. Файзрахманов

Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, Казань


18.00 БАНКЕТ


31 октября


СЕКЦИЯ 4

ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ

В НЕПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

(продолжение)

10.00 – 11.30 Заседание 3

Председатель – д.ф.-м.н., проф. Д.И. Тетельбаум


^ 7. Закономерности формирования ультрадисперсных интерметаллидных фаз в поверхностных слоях никеля и титана при высокоинтенсивной ионной имплантации – 15 мин.


Ю.П. Шаркеев1), И.А. Божко2), И.А. Курзина2), В.А. Баянкин3)

1)Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск

2)Томский государственный архитектурно-строительный университет

3)Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск


^ 8. Ионно-стимулированное образование интерметаллидов в двухслойных металлических системах – 15 мин.


С.А. Кривелевич

Ярославский филиал физико-технологического института РАН, Ярославль


^ 9. Сегрегационные эффекты в поверхностных слоях прокатанных медно-никелевых фольг при ионной имплантации – 15 мин.


А.А. Новоселов, В.Я. Баянкин

Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск


^ 10. Сегрегационные явления в сплавах систем Cu-Ni и Fe-Mo после термического отжига и импульсного электронного облучения – 15 мин.


М.В. Захватова, Ф.З. Гильмутдинов, Л.И. Паршуков, В.Я. Баянкин

Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск


^ 11. Влияние типа и дозы имплантированных ионов на изменение механических свойств и состава поверхности углеродистой стали – 15 мин.


П.В. Быков1), В.Л. Воробьёв1), В.Я. Баянкин1), Ю.П. Шаркеев2)
1) Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
2)Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск


^ Кофе-брейк - 15 мин.


СЕКЦИЯ 5

МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ, ВОПРОСЫ ПРИМЕНЕНИЯ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

И СМЕЖНЫЕ ВОПРОСЫ


11.45 – 13.15 Заседание 1

Председатель – д.ф.-м.н., проф. А.М. Борисов


^ 1. Ионно-лучевые методы формирования гетероструктур-на-изоляторе – 30 мин.


В.П. Попов

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск


^ 2. Влияние имплантации на свойства азотиророванных окислов n+-, p+-затворных МОП структур – 15 мин.


О.В. Наумова, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск


^ 3. Транзисторные структуры на основе скрытых ионно-синтезированных слоев силикатных стекол – 15 мин.


С.А. Кривелевич

Ярославский филиал физико-технологического института РАН, Ярославль


^ 4. Модель управления пучками ионов с помощью плоского капилляра – 15 мин.


Г.П. Похил, К.А. Вохмянина, А.И. Мирончик

Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета, Москва


13.15 – 14.00 ПЕРЕРЫВ НА ОБЕД


14.00 – 15.45 Заседание 2

Председатель – д.ф.-м.н. Ю.П. Шаркеев


^ 5. Возможности системы NanoFab-100 как инструмента для модификации
материалов и создания наноструктур – 30 мин.


В.А.Быков

Промышленная группа НТ-МДТ, Москва (Зеленоград)


^ 6. Возможности рентгеновских методов для анализа имплантированных
структур – 30 мин.


А.Г. Турьянский

Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва


^ 7. Применение ионной имплантации при разработке газовых сенсоров нового поколения – 15 мин.


М.И. Маковийчук

Ярославский филиал физико-технологического института РАН, Ярославль


^ 8. Ионно-имплантационное формирование образцов для калибровки профилей вторичной ионной масс-спектрометрии полупроводниковых структур – 15 мин.


Ю.А. Данилов1), М.Н. Дроздов2), Ю.Н. Дроздов2), А.В. Мурель2)

^ 1)Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород

2)Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород


^ Кофе-брейк - 15 мин.

16.00 – 17.00 Общая дискуссия

Обсуждение стендовых докладов

Председатель – к.ф.-м.н. О.Н. Горшков

^ Перерыв - 15 мин.

17.15 – 18.00 Заключительное заседание

Закрытие конференции

Председатель – д.ф.-м.н., проф. Н.Н. Герасименко


ДОКЛАДЫ 1 СтендовОЙ сессиИ


СЕКЦИЯ 1


^ 1. Условия пробоя пограничного слоя подложки при воздействии плазменного потока высокой плотности


В.Т. Барченко1, М.А. Гаритов1, А.А. Лисенков1,2

^ 1)Санкт-Петербургский государственный электротехнический

университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург

2)Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург


^ 2. Управление плотностью плазменного потока, генерируемого дуговым разрядом в вакууме


В.Т. Барченко1), М.А. Гаритов1), А.А. Лисенков1,2)

^ 1)Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург

2)Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург


3. Порообразование в кремнии, имплантированном кислородом и фосфором, после отжига в неизотермическом реакторе

^ Ю.И. Денисенко
Ярославский филиал физико-технологического Института РАН, Ярославль


4. Эффект дальнодействия и формирование нанокластеров в металлах после их низкоэнергетического ионного облучения


И. Терешко1), О. Обидина1), И. Елькин2),3),

А. Терешко1), В. Глущенко1)

^ 1)Белорусско-Российский университет, Могилев, Республика Беларусь

2)ООО НПП «КАМА ВТ», Могилев, Беларусь

3)"NANTES - Systemy Nanotechnologii" Plc., Boleslawiec, Poland


^ 5. Формирование нанокластеров в нелинейных водородно-кислородных и водородно-углеродных атомных и молекулярных цепочках


И. Терешко1), О. Обидина1), И. Елькин2),3), Н. Калиновская1),

И. Мельников1), А. Мисник1)

^ 1)Белорусско-Российский университет, Могилев, Республика Беларусь

2)ООО НПП «КАМА ВТ», Могилев, Республика Беларусь

3)"NANTES - Systemy Nanotechnologii" Plc., Boleslawiec, Poland


^ 6. Фазово-полевой подход к моделированию процессов

переноса вакансий при ионном облучении


А.С. Алалыкин, П.Н. Крылов, А.А. Лебедева

Удмуртский государственный университет, Ижевск


^ 7. Эффект дальнодействия в кремнии при облучении ионами и светом

Е.В. Курильчик, Д.И. Тетельбаум, Ю.А. Дудин, Ю.А. Менделева

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород




^ 8. Наблюдение эффекта дальнодействия методом обратного рассеяния



В.Л. Левшунова2), Г.П. Похил1), Ю.А. Менделева2), Д.И. Тетельбаум2), П.Н. Черных1)

1)Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета, Москва

2)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород


^ 9. О механизме дальнодействия


Г.П. Похил1), Д.И. Тетельбаум2), В.Л. Левшунова2))

1)Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета, Москва

2)Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород


^ 10. Модели и механизмы кластерообразования
при распылении поверхности твёрдых тел ионными пучками


Г.Р. Рахимова
Институт электроники им. У.А.Арифова АН РУз., Ташкент, Узбекистан


^ 11. Моделирование процессов каналирования и угловых зависимостей выхода рентгеновского излучения при облучении кремния ионами


Д.А. Лаптев, Д.В. Гусейнов, Д.И. Тетельбаум

^ Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород


СЕКЦИЯ 2


^ 12. Формирование заглубленных силицидных слоев методами ионной имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии


Р.И. Баталов1), Р.М. Баязитов1), В.Ф. Валеев1), В.А. Шустов1),

Н.Г. Галкин2), Е.А. Чусовитин2), Д.Л. Горошко2)

^ 1)Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН, Казань

2)Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток


^ 13. Формирование слоев дисилицида железа при импульсной обработке пленок железа, осажденных на кремний магнетронным распылением


Р.М. Нурутдинов, Р.И. Баталов,