Реферат: Лазерно-голографический измерительный комплекс фгуп                «нпо «гипо» Иванов В. П., Лукин А. В., Мельников А. Н

XVII  МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО - ТЕХНИЧЕСКАЯ  КОНФЕРЕНЦИЯ

ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ  И  ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ

(Посвящается 100-летию П.В. Тимофеева)

27-31 мая 2002 г. Москва, Россия
  П Р О Г Р А М М А   Понедельник, 27 мая
 

10.00 – 10.20 Открытие конференции

                   Вступительное слово председателя оргкомитета А.М. Филачева

 

10.20 – 12.00

 

У01П 10.20

Фотоэлектронные технологии в НПО «Орион» (современное состояние и перспективы развития)

Пономаренко В.П., Филачев А.М.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У02П

11.00

^ Перспективы развития фотоэлектронных приборов в                         ЦНИИ «Электрон»

Степанов Р.М.

ОАО ЦНИИ «Электрон», С.-Петербург, Россия

 

У03П

11.30

Лазерно-голографический измерительный комплекс ФГУП                «НПО «ГИПО»

Иванов В.П., Лукин А.В., Мельников А.Н.

ФГУП «НПО «ГИПО», Казань, Россия

 

12.00 – 12.20 Перерыв

У04П

12.20

Памяти П.В.Тимофеева

Переводчиков В.И.*, Овчаров И.В.*, Тимофеев Ю.П.**

* ГУП «Всероссийский электротехнический институт  им. В.И. Ленина», Москва, Россия

** Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

 

У05П

12.35

^ Состояние и перспективы микрофотоэлектронного комплекса в  Черновицком регионе Украины

Годованюк В.Н.*, Добровольский Ю.Г.*, Кадельник Д.В.**, Раренко И.М.***,          Фотий В.Д.**

*ОАО «ЦКБ Ритм», Черновцы, Украина

**ОАО «Кварц», Черновцы, Украина

***Черновицкий Национальный университет, Черновцы, Украина

 

 

 

У06П

12.55

^ Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии              CdxHg1-xTe

Варавин В.С., Гутаковский А.К.,  Дворецкий С.А., Карташев В.А.,                   Михайлов Н.Н., Придачин Д.Н., Ремесник В.Г., Рыхлицкий С.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Титов В.П., Швец В.А., Якушев М.В., Асеев А.Л.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

 

У07П

13.30

Формирование фемто-аттосекундных фотоэлектронных  изображений (современное состояние и тенденции развития)

Щелев М.Я.

Институт общей физики РАН, отдел фотоэлектроники, Москва, Россия
14.00 – 15.30 Обед. Посещение выставки
У08П

15.30

Влияние изоляции поверхности и подложки на плоскостной  диод на базе HgCdTe

Гопал В., Гупта Ш., Бхан Р.К., Пал Р., Чаудхари П.К., Кумар В.
^ Лаборатория физики твердого тела, Дели, Индия
 

У09П

15.50

Многоэлементные ФПУ с ВЗН 4х288 для дальней инфракрасной области спектра на основе КРТ-соединений

Голенков А.Г.*, Рева В.П.*, Забудский В.В.*, Деркач Ю.П.*, Сизов Ф.Ф.*,                Овсюк В.Н.**, Васильев В.В.**, Марчишин И.В.**,  Захарьяш Т.И.**, Клименко А.Г.**,

*Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина

** Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

 

У10

16.10

^ Матричное фотоприемное устройство 2х96 (4х48) на основе фотодиодов из КРТ и кремниевых охлаждаемых мультиплексоров на спектральный диапазон 8 – 12 мкм

Стафеев В.И., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Головин С.В., Иванов В.Ю., Климанов Е.А., Акимов В.М., Трошкин Ю.С.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У11

16.30

Результаты разработки и исследований модуля многорядного  матричного фотоприемного устройства формата 2х256 на           спектральный диапазон 8–12мкм с охлаждаемыми кремниевыми схемами предварительной обработки и мультиплексирования сигналов в фокальной плоскости

Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Климанов Е.А., Акимов В.М., Шебанова Н.М., Трошкин Ю.С.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У12

16.45

Матричный фотоприемник формата 128х128 на основе фотодиодов в эпитаксиальном слое КРТ, выращенном методом эпитаксии из металлоорганических соединений

Болтарь К.О., Яковлева Н.И., Расструева О.Н., Пономаренко В.П., Стафеев В.И., Бурлаков И.Д., Моисеев А.Н*, Котков А.П.*, Дорофеев В.В.*

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*Институт химии высокочистых веществ РАН, Н.Новгород, Россия

17.00 – 17.20 Перерыв

У13

17.20

Микроминиатюрные полупроводниковые охладители для приемников излучения

Булат Л.П.*, Шер Э.М.**

*С.-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий, С.-Петербург,Россия

**Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

 

У14

17.40

^ Трехкаскадный термоэлектрический модуль на уровень температуры – 200 К

Алиева Т.Д., Ахундова Н.М., Абдинов Д.Ш.

Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

У15

18.00

^ Результаты разработки быстродействующей микрокриогенной системы для фотоприемного устройства с охлаждаемой массой           0,5 – 1,5 г

Громов Э.А., Ермаков В.М., Гаврин Е.А., Кочурин А.В.

ООО «НТК Криогенная техника», Омск, Россия

 

У16

18.15

^ Результаты разработки заправщика баллонных систем охлаждения тепловизионных приборов

Ильин В.М., Березин И.С., Гаврин Е.А., Ермаков В.М., Калинин В.В., Михалев А.В., Шмидт К.А.

ООО «НТК Криогенная техника», Омск, Россия

 

У17П

18.30

^ Мировые тенденции развития термоэлектрического охлаждения для фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения

Аракелов ГА.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У18

18.50

^ Полупроводниковая фототермобатарея с двух- и – многокаскадным фотопреобразователем

Камолов А.А., Касымахунова А.М., Рахимов Н.Р., Мамадалиева Л.К.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан

 

Вторник, 28 мая

10.00 – 12.00

У19П

10.00

ИК-фотоприемники на квантовых ямах и квантовых точках: физические аспекты работы и моделирования

Рыжий В.*, Рыжий М.*, Хмырова И.*, Сурис Р.**, Митин В.***, Шур М.****

*University of Aizu, Aizu-Wakamatsu, Japan

**Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе, С.-Петербург, Россия

***Wayne State University, Detroit, USA

****Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, USA

У20П10.30

^ ИК-фотопроводники на квантовых ямах в технологии создания           ИК-приемников

Рогальский А.

Институт прикладной физики, Варшава, Польша

 

У21

11.00

^ Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения

Куликов В.Б.*, Аветисян Г.Х.*, Тэгай В.А.*, Василевская Л.М.*, Залевский И.Д.**, Будкин И.В.**.

*ГУП НПП «Пульсар»,  Москва, Россия

**АО «Сигма-Плюс», Москва, Россия

 

У22

11.15

^ Фотоэлектрические характеристики структур с квантовыми ямами, чувствительных в диапазоне 3-5 мкм, выращенных методом               МОС-гидридной эпитаксии

Будкин И.В.*, Булаев П.В.*, Василевская Л.М., Залевский И.Д.*,    Кузнецов Ю.А., Куликов В.Б.. Мармалюк А.А.*, Никитин Д.Б.*,   Падалица А.А.*, Петровский А.В.*, Хатунцев А.И.
^ ГУП НПП «Пульсар», Москва, Россия
*ООО «Сигма Плюс», Москва, Россия

 

У23

11.30

 

Инфракрасный фотоприемник на основе структур с квантовыми

проволоками»

Гусейнов Э.К., Салманов В.М.*

^ Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

*Бакинский Государственный Университет, Баку, Азербайджан

 

У24

11.45

^ Фотоэлектрические характеристики структур с непрямоугольными квантовыми ямами

Куликов В.Б.*, Будкин И.В.**

*ГУП НПП «Пульсар», Москва, Россия

**АО «Сигма-Плюс», Москва, Россия

12.00 – 12.20 Перерыв

У25

12.20

Высокоэффективные фотодиоды на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb с длинноволновой границей спектральной чувствительности 2,4-2,55 мкм

Куницына Е.В., Андреев И.А., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.

^ Физико-технический институт им .А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия

 

У26

12.40

Многоэлементный кодовый фотоприемник для обнаружения лазерного излучения с длиной волны 1,54 мкм

Воронова М.А., Деготь Ю.М., Забенькин О.Н., Кичина Н.Н., Кравченко Н.В., Кулыманов А.В., Лобиков Ю.В., Огнева О.В., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

У27

12.55

Планарный германиевый р-п фотодиод большой площади

Деготь Ю.М., Забенькин О.Н., Захарова М.А., Кичина Н.Н., Кравченко Н.В., Кулыманов А.В., Лобиков Ю.В., Огнева О.В., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У28

13.10

Фотоприемники и фотоприемные устройства для приема импульсного излучения в спектральном диапазоне 0,3-11 мкм

Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Горелик Л.И., Кравченко Н.В., Кулыманов А.В., Куликов К.М., Шаронов Ю.П.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У29

13.30

Гибридное фотоприемное устройство на основе линейки 1х384 InAs МДП-структур для спектрометрических применений

Базовкин В.М., Валишева Н.А., Гузев А.А., Ефимов В.М., Ковчавцев А.П.,          Курышев Г.Л., Ли И.И., Строганов А.С.

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

 

У30

13.50

Электрические и фотоэлектрические свойства металл/пористый кремний/кремний диодных структур

Айвазян Г.Е., Оганесян А.С*., Варданян А.А.

*Государственный инженерный университет Армении, Ереван, Армения

ЗАО «Виасфер Технопарк», Ереван, Армения
 
14.00 – 15.30 ^ Обед. Стендовые доклады (секция А)

 

У31

15.30

Зависимость фотоэлектрических параметров КРТ фоторезисторов от плотности потока фонового излучения

Никитин М.С., Чеканова Г.В.

ФГУП «Альфа», Москва, Россия

 

У32

15.45

^ Фотоэлектрические параметры КРТ фоторезисторов с термоэлектрическим охлаждением

Ларцев И.Ю., Никитин М.С., Чеканова Г.В.

ФГУП «Альфа», Москва, Россия

 

У33

16.00

Простая компьютерная модель ИК-фоторезистора

Дьяконов Л.И., Сусов Е.В., Чеканова Г.В.
^ ФГУП «Альфа», Москва, Россия
 

 

У34

16.15

Приконтактные варизонные слои как средство подавления насыщения усиления в пороговых CdHgTe- фоторезисторах

Холоднов В.А., Другова А.А.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

 

 

У35

16.30

^ Влияние ионизирующего излучения на основные характеристики охлаждаемых фоторезисторов на основе CdxHg 1-хTe

Салаев Э.Ю., Абдинов Д.Ш., Аскеров К.А.

Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

У36

16.45

Термическая деградация ИК- фоторезисторов из КРТ

Дьяконов Л.И., Чеканова Г.В.
^ ФГУП «Альфа», Москва, Россия
17.00 – 17.20 Перерыв

У37

17.20

Детекторы инфракрасного излучения на основе HgMnTe c p-n переходами и барьерами Шоттки

Косяченко Л.А., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко И.М., Сун Вейгуо*,                     Лу Женг Ксионг

^ Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина

*Институт оптоэлектроники, Китайская Народная Республика

 

У38

17.40

Фотоемкостной эффект в узкозонном PbSnTe< In>

Климов А.Э., Шумский В.Н.
^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
 

У39

17.55

Особенности роста и фотопроводимость эпитаксиальных пленок                                                                                                                                                                                                                  твердых растворов Pb1-хMnхTe(Ga)

Нуриев И.Р., Фарзалиев С.С., Джалилова Х.Д., Садыгов Р.М.

Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

У40

18.10

Фотоприемники на основе слоистых кристаллов TiGa1-xDyxSez

Абдуллаева С.Г.

^ Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

У41

18.25

Монокристаллы TiGa1-xFexS2.как новые приемники излучения

Керимова Э.М., Мустафаева С.Н., Абасова А.З., Мехтиева С.И., Заманова А.К.
^ Институт физики Академии Наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
 

У42

18.40

Отрицательная инфракрасная фотопроводимость в пленках CdS1-xSexосажденных из раствора

Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мамедов Г.М.

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан

Среда, 29 мая

10.00 – 12.00

У43

10.00

Тепловизионная камера на основе неохлаждаемых         микроболометрических ФПУ

Филачев А.М., Борисов Ю.И., Пономаренко В.П., Бочков В.Д., Дражников Б.Н., Медведев А.С., Храпунов М.Л.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

У44

10.20

Модуль электронной обработки для тепловизионного канала 2-го поколения

Малеев Н.М., Золотцев В.В., Кулибаба В.И., Ермошин К.М.

^ Сибирский НИИ оптических систем, Новосибирск, Россия

 

У45

10.35

Аналоговая цифровая коррекция неоднородностей характеристик многоэлементных инфракрасных приемников

Певцов Е.Ф.*, Пыжов Ю.А.*, Чернокожин В.В.**

*Московский государственный ин-т радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА), Москва, Россия

**ГУП «НПП «Пульсар», Москва, Россия

 

У46

10.55

^ Интегральные матричные МОП мультиплексоры формата 128х128 и 384х288 для смотрящих матричных фотоприемных устройств ИК диапазона спектра

Акимов В.М., Болтарь К.О., Климанов Е.А., Лисейкин В.П., Микертумянц А.Р., Сагинов Л.Д., Тимофеев А.А.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

Кремниевые МОП мультиплексоры формата 4х288 для  многорядных матричных фотоприемных устройств ИК диапазона спектра»

Акимов В.М., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Климанов Е.А., Лисейкин В.П.,           Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Щукин С.В., Хромов С.С.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У47

11.15

Принципы построения предварительных усилителей для         фоторезисторов

Загулин В.В.

ОАО «Московский завод  «Сапфир», Москва, Россия

 

У48

11.30

^ Эффективная постмультиплексорная реконструкция             малоконтрастных сцен в ИК ВЗН системах при девиациях             скорости движения изображения

Винецкий Ю.Р., Орлов С.В.*

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 *МФТИ, Московская обл., Долгопрудный, Россия

 

У49

11.45

^ Сравнение альтернативных схем топологической организации      ВЗН приемников на основе InSb + ПЗС для систем дистанционного зондирования Земли в диапазоне 3…5 мкм

Винецкий Ю.Р., Крошин В.М.*

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*ГНЦ ЦСКБ «Прогресс», Самара, Россия

 
^ 12.00 – 12.20 Перерыв
У50

12.20

Механизмы переноса носителей и шум в ИК-фотодиодах на базе HgCdTe, работающих на средних и длинных волнах

Тетеркин В.В., Сизов Ф.Ф.
^ Институт физики полупроводников НАНУ, Киев, Украина  
У51

12.40

Применение шумовой спектроскопии для прогнозирования надежности приемников ИК излучения на основе антимонида индия

Мирошникова И.Н., Гуляев А.М., Недоруба Д.А.

^ Московский энергетический институт (ТУ), Москва, Россия
 
У52

12.55

Особенности измерения шумовых характеристик фоточувствительных структур с квантовыми ямами

Хатунцев А.И., Котов В.П., Будкин И.В.*

ГУП НПП «Пульсар, Москва, Россия
^ ООО «Сигма Плюс», Москва, Россия
 

У53

13.10

О степени повышения эффективности межзонного фотовозбуждения носителей за счет увеличения концентрации центров рекомбинации при слабом оптическом излучении

Холоднов В.А., Другова А.А.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У54

13.25

Использование пространственно разрешающих методик для исследования  дефектов в технологическом процессе ИК ФПУ на основе КРТ

Павел Ю. Пак, Валерий В. Шашкин
^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
 

У55

13.40

Бесконтактное измерение времени жизни.

Ушаков А.Ю., Радчук Н.Б.
^ СПбГТУ, С.-Петербург, Россия  
У56

13.55

Исследование полупроводниковых твердых растворов CdxZn1-xTe физическими методами с использованием синхротронного излучения

Юрьев Г.С.*, Маренкин С.Ф.1), Гуськов В.Н.1), Натаровский А.М.1), Матвеев О.А.2), Терещенко В.И.2), Шарафутдинов М.Р.3), Никитенко С.Г.4), Евдоков О.В.3),          Золотарев К.В.5).

*Сибирский центр синхротронного излучения при ИЯФ СО РАН, Новосибирск, Россия,

1)ИОНХ РАН, Москва, Россия

2)^ ФТИ РАН, С-Петербург, Россия

3)ИХТТ и МХ СО РАН, Новосибирск, Россия

4)ИК СО РАН, Новосибирск, Россия

5)ИЯФ СО РАН, Новосибирск, Россия

 

14.10 – 14.45 Обед

Экскурсия

Четверг, 30 мая

10.00 – 12.00

У57

10.00

Разработка приборов ночного видения большой дальности           действия

Кощавцев Н.Ф., Добровольский Ю.А., Федотова С.Ф., Константинов А.Ф.
^ ГУДП СКБ ТНВ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия
 

У58

10.25

Двухканальный прибор наблюдения

Кощавцев Н.Ф., Гусарова Н.И.Ю Объедкова Т.Г.

^ ГУДП СКБ ТНВ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У59

10.40

Комплекс адаптации светотехнического оборудования кабины            вертолета для работы с очками ночного видения

Падалко Г.А., Дудчик В.В., Слюсарь В.И., Калмычек А.А., Кощавцев Н.Ф.*

^ ГУП «ПО АОМЗ», Азов, Ростовской обл., Россия

*ГУДП СКБ ТНВ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У60

10.55

^ Подводные очки ночного видения: принцип построения и расчет          дальности

Кирчевская Т.К., Кощавцев Н.Ф.

ГУДП СКБ ТНВ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У61

11.10

^ Прицел для обеспечения ПЗРК ночью

Болдырев Г.П.*, Кощавцев Н.Ф.**, Шустов Н.М.**, Федотова С.Ф.**, Царев Н.В.***

*КБМ, Коломна, Россия

**ГУДП СКБ ТНВ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

***ОАО «Измеритель», Смоленск, Россия

У62П

11.25

^ Проектирование и изготовление линзовых ИК-объективов,          работающих с матричными фотоприемниками (МФП)

Лебедев О.А., Нужин В.С., Солк С.В.

ГУП «Л-ПроТехн», Сосновый Бор, Ленинградская обл., НИИКИ ОЭП

У63

11.45

Пироэлектрический приемник излучения с повышенной        помехоустойчивостью

Долганин Ю.Н., Загулин В.В.

ОАО «Московский Завод  «Сапфир», Москва, Россия

 

12.00 – 12.20 Перерыв

 

 

У64П

12.20

Электронно-оптический преобразователь 4-го поколения с                  GaAs-фотокатодом и малошумящими полупроводниковым          прострельным динодом

Косолобов С.Н., Кравченко А.А., Паулиш А.Г., Шевелев С.В., Хатункин В.В., Ярошевич А.С., Терехов А.С.*, Бабин С.А.**, Каблуков С.И.**, Рыбаков М.А.**, Падалица А.А.***, Мармалюк А.А.***, Будаев П.В.***, Никитин Д.Б.***

^ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

*Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

**Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия

***ООО «Сигма Плюс», Москва, Россия

 

У65

12.45

^ 1,06 мкм InGaAs – фотокатод

Долгих А.В.*, Сахно В.И.*, Галицын Ю.Г.**, Журавлев К.С.**, Падалица А.А.***, Мармалюк А.А.***, Булаев П.В.***, Коваленко М.В.***

*ОАО «Катод», Новосибирск, Россия

** Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

*** ООО «Сигма Плюс», Москва, Россия

 

У66

13.00

^ Отношение сигнал/шум в ЭОП с прямым переносом изображения

Багдуев Р.И.
ОАО «Катод», Новосибирск, Россия  
У67

13.15

^ Автоматизированная система измерения параметров электронно-оптических преобразователей

Ярошевич А.С*, Андреев В.Э.*, Кравченко А.А., Шайблер Г.Э.*, Терехов А.С*,**, Хохорин А.С.***, Дегтярев Е.В.***

*Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

**Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

***22 ЦНИИИ МО РФ, Москва, Россия

 

У68

13.30

^ Твердотельный электронный умножитель многоцелевого          назначения на основе гейгеровских микроячеек

Георгиевская Е.А., Филатов Л.А., Клемин С.Н.
^ ГУП НПП «Пульсар», Москва, Россия
 

У69

13.45

Новый электростатический пировидикон с повышенной чувствительностью

Березкин Н.Ф., Меркин С.Ю., Москвина Н.Н.

ОАО «ЦНИИ «Электрон», С.-Петербург, Россия

14.00 – 15.30 Обед. Стендовые доклады (секция Б)

У70

15.30

Анализ предельных параметров активной системы видения на основе несканирующего тепловизора и СО2–квантового усилителя изображения

Свиридов А.Н.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У71

15.50

 

^ Сигнатура объекта наблюдения тепловизионным прибором и алгоритм расчета дальности распознавания

Трестман М.М., Харькова Н.И.

ФГУП «НПО ГИПО», Казань, Россия

 

У72

16.10

^ Исследование возможности опознавания объектов в ИК-диапазоне по спектральному признаку

Долганин Ю.Н., Елесина Т.В.

ОАО «Московский завод  «Сапфир», Москва, Россия

 

У73

16.30

^ Фотоэлектрический метод измерения качества входных окон  вакуумных баллонов охлаждаемых фотоприемников излучения

Долганин Ю.Н.

ОАО «Московский завод  «Сапфир», Москва, Россия

 

У74

16.45

^ Анализ некоторых физических характеристик легированных примесями полупроводников АIVBVIи фотоприемников на их  основе

Даварашвили О.И., Енукашвили М.И., Кекелидзе Н.П., Мецхваришвили М.Р.,           Алиев В.А.

Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия

 

17.00 – 17.20 Перерыв

У75

17.20

Выращивание эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe методом химического осаждения из паров металлоорганических соединений и ртути на подложках из GaAs

Моисеев А.Н., Котков А.П., Дорофеев В.В., Гришнова Н.Д.

^ Институт химии высокочистых веществ РАН, Н. Новгород, Россия

 

У76

17.35

Электронно-ионно-лучевое оборудование в технологическом процессе изготовления приборов ИК-техники

Васичев Б.Н., *Филачев А.М., *Пономаренко В.П., Фатьянова Г.И.

ФГУДП «НИИЭИО» ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У77

17.50

^ Микромашинная технология формирования мостиковых структур микроболометрической матрицы формата 64х64

Жуков А.А., Здобников А.Е., Тарасов В.В., Четверов Ю.С.

^ ОАО «ЦНИИ «ЦИКЛОН», Москва, Россия

 

У78

18.05

Поверхностная обработка полиимидных пленок и покрытий при         изготовлении микроболометрических структур

Жуков А.А., Коровина И.Ю.*, Четверов Ю.С.

^ ОАО «ЦНИИ «ЦИКЛОН», Москва, Россия

*РГТУ им. К.Э. Циолковского, Москва, Россия

 

У79

18.20

Использование ионных источников с широким пучком для решения  задач микрофотоэлектроники

Козлов А.Н.*, Смольянинов В.Д.*, Еремин А.П.*, Филачев А.М.**

*ФГУДП «НИИЭИО» ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

**ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У80П

18.35

Состояние и тенденции развития инфракрасных матриц

Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И., Ушакова М.Б.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

 

Пятница, 31 мая

10.00 – 12.00

У81П

10.00

Тепловизионный канал 2-го поколения

Филачев А.М.*, Гибин И.С., Пономаренко В.П.*, Потапов А.Н., Сагинов Л.Д.*,      Малеев Н.М.

^ Сибирский НИИ оптических систем, Новосибирск, Россия

*ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

У82П

10.30

^ Состояние и перспективы разработок охлаждаемых матричных                  ИК приемников изображения двойного назначения в ЦНИИ «Электрон»

Арутюнов В.А., Васильев И.С., Иванов В.Г., Прокофьев А.Е.

^ ОАО «ЦНИИ «Электрон», С.-Петербург, Россия

 

У83П

11.00

«Смешанная» концепция построения схем считывания для         фокальных процессоров с ВЗН и деселекцией элементов

Деркач Ю.П.**, Рева В.П.**, Сизов Ф.Ф.*

*Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина

**Научно-исследовательский институт микроприборов, Киев, Украина
 
У84

11.30

^ Матричные фотоприемные устройства для области спектра 3-5 мкм на InSb формата 128х128 и 288х384

Акимов В.М., Дирочка А.И., Касаткин И.Л., Климанов Е.А., Кравченко Н.В.,          Лопухин А.А., Пасеков В.Ф., Чишко В.Ф.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия
 
У85

11.45

Фотоусиление сигнала Si p-n переходом, содержащим         квантовые точки

Двуреченский А.В., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Рязанцев И.А., Никифоров А.И., Пчеляков О.П.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

 
^ 12.00 – 12.20 Перерыв
У86

12.20

ИК визуализация электронных процессов в полупроводниковых         приборах

Малютенко В.К.

Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина

 

У87

12.40

^ Обобщение критерия качества – удельной обнаружительной способности на многоэлементные фотоприемники

Фетисов Е. А.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

 

^ СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ

Секция А

Вторник, 28 мая

 

А01

Исследование пороговых и фотоэлектрических параметров          МФПУ на основе InSb c накоплением в ячейке

Кравченко Н.В., Чишко В.Ф., Касаткин И.Н., Лопухин А.А., Пасеков В.Ф.,           Рябова А.А., Юнгерман В.М., Климанов Е.А.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А02

Фотоэлектрические параметры матрицы форматом 288х384                   на основе InSb

Кравченко Н.В., Чишко В.Ф., Касаткин И.Н., Лопухин А.А., Пасеков В.Ф.,                 Рябова А.А., Акимов В.М., Климанов Е.А.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А03

Исследование стабильности параметров и корректируемости многорядных матричных фотоприемников на основе КРТ фотодиодов

Соляков В.Н., Файзуллин Р.Р., Сагинов Л.Д., Курбатов А.В., Полунеев В.В.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А04

Фотоприемные устройства на основе кремниевых pin-фотодиодов для регистрации импульсного лазерного излучения

Борисов В.К., Ефимова З.Н., Заславский А.В., Климанов Е.А., Кузнецов П.А.,          Сагинов Л.Д., Хромов С.С.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А05

Тепловидеопеленгатор

Падалко Г.А., Дудчак В.В., *Кощавцев Н.Ф.

^ ФГУП ПО «АОМЗ»

*ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А06

Разработка и исследование фотоприемного тракта лазерного дальномера с безопасным для глаз излучением

Ракович Н.С., Волошин В.М., Глазков И.Н., Ковтун Т.Г.

^ ПО «УОМЗ», Екатеринбург, Россия

 

А07

Фотоприемники типа «PIG-TAIL»

Артюшенко В.Г., Бутров Ю.П., Глебов Ю.А., Глобус Е.Р.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А08

МФПУ формата 128х128 в корпусе с термоэлектрическим  охладителем

Болтарь К.О., Головин С.В., Яковлева Л.Д., Сагинов Л.Д., Акимов В.М., Бурлаков И.Д.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А09

Результаты разработки и исследований охлаждаемого фотоприемного модуля формата 4х288 на спектральный диапазон 8–12 мкм с охлаждаемыми кремниевыми схемами предварительной обработки и мультиплексирования сигналов в фокальной плоскости

Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О.,            Климанов Е.А., Акимов В.М., Курбатов А.В.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А10

Многоканальные фотоприемные устройства на основе фоторезисторов из CdHgTe c повышенной однородностью         вольтовой чувствительности

Возьмилов П.Н., Климанов Е.А., Поповян Г.Э., Трошкин Ю.С., Филатов А.В.,         Эсаулов Ю.Н.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А11

Теплопеленгационные приборы с фотоприемником типа SPRITE

Шаронов Ю.П., Трошкин Ю.С., Поповян Г.Э., Крыжановский В.В.*

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*ООО «ТПТ», Москва, Россия

 

А12

Температурный эквивалент шума (NETD) многоэлементного         ФПУ для дальней (8-10,5 мкм) инфракрасной области спектра на основе 2х64 фотодиодной КРТ линейки и кремниевой ПЗС схемы считывания

Голенков А.Г., Забудский В.В., Рева В.П.

^ Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина

 

А13

Серия билинейных фоточувствительных ПЗС

Костюков Е.В.

ГУП НПП «Пульсар», Москва, Россия

 

А14

^ Серия матричных фоточувствительных ПЗС с межстрочным переносом

Костюков Е.В., Маклаков А.М., Поспелова М.А., Пугачев А.А., Скрылев А.С., Воронов В.В.*, Морозов В.Ф.*, Никитина Г.И.*, Тихонов А.А.*, Трунов С.В.*

^ ГУП НПП «Пульсар», Москва, Россия

*АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон», Зеленоград, Москва

 

А15

Обратные токи диодов с гетеропереходом в базовой области в условиях шокли-ридовской и оже-генерации носителей заряда

Соколовский Б.С., Писаревский В.К.

^ Львовский национальный университет им. Ив.Франко, физический факультет,         Львов, Украина

 

А16

Фотодиодные структуры на основе  марганец—ртуть—теллур

Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Алеева Н.В., Чащин С.П., Несмелова И.М.,             Андреев В.А.

ФНПЦ «НПО «ГИПО», Казань, Россия

 

А17

^ Влияние ионизирующих излучений на работоспособность фотодиодов на основе теллурида галлия

Аскеров К.А., Исаев Ф.К., Караваев Д.И.

Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

А18

^ Способ двухстороннего совмещения рисунков лицевой и тыльной стороны при изготовлении кремниевых npip-фотодиодов, работающих на длине волны 1,06 мкм

Диденко В.К., Мельникова Т.М., Мищенкова Т.Н.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А19

Многоэлементный pin – фотодиод на основе гетероструктур            InGaAs-InP, чувствительный в спектральном диапазоне 1,0-1,7 мкм

Деготь Ю.М., Забенькин О.Н., Кулыманов А.В., Мищенкова Т.Н., Огнева О.В., Чинарева И.В.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А20

О возможности увеличения токовой чувствительности фотодиодов на основе InSb

Астахов В.П., Карпов В.В., Соловьева Г.С., Талимов А.В.

^ ОАО «Московский завод «Сапфир», Москва, Россия

 

А21

Линейный фотоприемник на основе структур с квантовыми ямами

Куликов В.Б.*, Василевская Л.М.*, Аветисян Г.Х.*, Тэгай В.А.*, Завадский Ю.И.*, Давыдов А.Х.*, Залевский И.Д.**, Будкин И.В.**, Бородин Д.В.***

*ГУП НПП «Пульсар», Москва, Россия

**АО «Сигма-Плюс», Москва, Россия

***ООО «Российская технологическая компания», Москва, Россия

 

А22

Свойства барьеров Шоттки со структурой металл- туннельно прозрачный диэлектрик p- CdxHg1-xTe

Дамньянович В., Пономаренко В.П.*

^ Белградский государственный университет, Белград, Югославия

*ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А23

Свойства фотодиодов Шоттки с туннельно-прозрачным диэлектриком на основе CdxHg1-xTe

Дамньянович В., Пономаренко В.П.*

^ Белградский государственный университет, Белград, Югославия

*ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А24

^ ИК фоторезисторы из компенсированного Ge и Si c гигантским  фотоэлектрическим усилением и фотоприемные матрицы на их  основе

Иванов В.И, Новоселов С.К.*

^ ОАО «ЦНИИ «Электрон», С.-Петербург, Россия

*ГУП «Электрон-Оптроник», С.-Петербург, Россия

 

А25

 

^ Фототермоэлектрический преобразователь нестационарного освещения

Касымахунова А.М., Каримов А., Жабборов Т.К., Мамадаллиева Л.К.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан

 

А26

^ О влиянии фотоиндуцированного объемного заряда на зависимость усиления собственного порогового фоторезистора от концентрации двухуровневой рекомбинационной примеси

Холоднов В.А., Серебренников П.С.

^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А27

Особенности формирования фотолюминесценции в композиционных системах полимер-полупроводник

Рамазанов М.А., Исмайлов А.А.

Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

А28

^ Управление квантовой эффективностью и инерционностью фотоприемных элементов тепловизоров на основе барьеров Шоттки PtSi-p-Si

Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н., Ляпунов С.И.*, Комаров Н.В.*, Никифоров А.Ю.*

^ Сибирский физико-технический институт при ТГУ, Томск, Россия

*НПП «Матричные технологии»

 

А29

^ Пороговые характеристики ИК-фотоприемников на основе барьеров Шоттки PtSi-p-Si с высоколегированным поверхностным слоем

Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н., Ляпунов С.И.*, Комаров Н.В.*, Никифоров А.Ю.*

^ Сибирский физико-технический институт при ТГУ, Томск, Россия

*НПП «Матричные технологии»

 

А30

Исследование зарядовой нестабильности МДП-структур                          Al-Si3N4 - InGaAsP

Огнева О.В., Чинарева И.В., Петелин А.В.
^ ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия
 

А31

Гетероструктуры на основе твердых растворов в системе In-Ga-Al-N как перспективные среды для фотоэлектроники и интегральной оптоэлектроники

Ермаков О.Н., Мартынов В.Н.*, Соловьев В.В., Апухтин Б.О.

^ ОАО «НПП «Сапфир», Москва, Россия

*МИСИС, Москва, Россия

 

А32

Изопериодические гетеропереходы Pb1-xSnxTe(In)/Pb1-yTeySe, полученные в сверхвысоком вакууме

Салаев Э.Ю., Нуриев И.Р., Назаров А.М., Гаджиева С.И.

^ Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

А33

Функциональные возможности пленок Cd1-xZnxSe, осажденных из водного раствора, в ИК области спектра

Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мамедов Г.М.
^ Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
 

А34

Фоточувствительность гетероструктуры Si1-xGex/Si c учетом поглощения излучения на свободных носителях и рассеяния горячих дырок по энергии

Серебренников П.С.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А35

^ Фотоэлектрические свойства CdS, герметизированного поливинилиденфторидом

Кулиев М.М.

Сектор радиационных исследований НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

А36

^ Фотоэлектрические свойства ZnGa2Se4

Керимова Т.Г., Султанова А.Г., Мамедов З.Г., Джафарова Э.А.

Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

А37

^ Накопление фотосигнала в ИК фотоприемнике на основе трапецеидальной d-легированной сверхрешетки с собственным поглощением излучения»

Селяков А.Ю.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А38

^ Расчет тепловых контрастов и потенциалов инфракрасных изображений в спектральных диапазонах 3...5 мкм и 8...14 мкм с учетом противоизлучения окружающей среды

Свиридов А.Н.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А39

^ Система контроля энергетического спектра ионных пучков

Козлов А.Н., Смольянинов В.Д., Еремин А.П., *Филачев А.М.

ФГУДП «НИИЭИО» ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А40

Устройство контроля профиля пучка заряженных частиц
^ Козлов А.Н., Смольянинов В.Д., Еремин А.П., *Филачев А.М.
ФГУДП «НИИЭИО» ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

*ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А41
^ Чувствительность оптико-электронных и телевизионных систем наблюдения
Смирнов В.Д., Иванкин И.Р.

НИИ телевидения, С.-Петербург, Россия

 

А42

^ Анализ предельных возможностей обнаружения объектов с помощью наблюдательных тепловизоров

Свиридов А.Н.

ГНЦ ГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

 

А43

^ Инфракрасные