Реферат: Письмо заместителя Постоянного представителя Соединенных Штатов Америки при Организации Объединенных Наций от 27 ноября 2001 года на имя Председателя Совета Безопасности
Организация Объединенных Наций
S/2001/1120
Совет Безопасности
Distr.: General
28 November 2001
Russian
Original: English
Письмо заместителя Постоянного представителя Соединенных Штатов Америки при Организации Объединенных Наций от 27 ноября 2001 года
на имя Председателя Совета Безопасности
Имею честь обратить Ваше внимание на список товаров и технологий двойного назначения, опубликованный 27 ноября 2001 года (см. приложение).
Буду признателен Вам за распространение текста настоящего письма и приложения к нему в качестве документа Совета Безопасности.
(Подпись) Джеймс Б. Каннингем
Посол
Приложение к письму заместителя Постоянного представителя Соединенных Штатов Америки при Организации Объединенных Наций от 27 ноября
2001 года на имя Председателя Совета Безопасности
^ Список товаров и технологий двойного назначениКатегория 2. Обработка материалов
^ 2.A. СИСТЕМЫ, ОБОРУДОВАНИЕ И КОМПОНЕНТЫ
2.A.1. Антифрикционные подшипники или системы подшипников и их компоненты, такие, как:
Примечание По пункту 2.1 не контролируются шарикоподшипники с допусками, устанавливаемыми производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 3290 по классу 5 или хуже
a. Шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 492 по классу точности 4 или лучше или его национальным эквивалентом, и имеющие кольца, шарики или ролики, сделанные из медно-никелевого сплава или бериллия;
Примечание По пункту 2.A.1.a не контролируются конические роликовые подшипники.
b. Другие шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 492 по классу точности 2 или лучше или его национальным эквивалентом;
Примечание По пункту 2.A.1.b не контролируются конические роликовые подшипники.
c. Активные магнитные подшипниковые системы, имеющие любую из следующих составляющих:
1. материалы с магнитной индукцией 2 Т или больше и пределом текучести больше 414 MПа;
2. оснащенные электромагнитным устройством для привода с трехмерным униполярным высокочастотным подмагничиванием; или
3. высокотемпературные, с температурой 450 К (177о С) и выше, позиционные датчики.
^ 2.B. ИСПЫТАТЕЛЬНОЕ, КОНТРОЛЬНОЕ И ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
Технические примечания
1. Вторичные параллельные горизонтальные оси (например, W-ось на фрезах горизонтальной расточки или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее число горизонтальных осей. Ось вращения необязательно предусматривает поворот на угол, больший 360о . Ось вращения может управлять устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).
2. Для целей пункта 2.B, количество осей, которые могут быть одновременно скоординированы для «контурного управления», является количеством осей, которые осуществляют относительное движение между любой обрабатываемой деталью и инструментом, отрезной головкой или шлифовальным кругом, которые отрезают или снимают материал с обрабатываемой детали. Это не включает любую из следующих дополнительных осей, которые осуществляют другие относительные движения в пределах станка:
a. круго-заправочные системы в шлифовальных станках;
b. параллельно вращающиеся оси, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;
c. совместно вращающиеся оси, предназначенные для управления одинаковыми обрабатываемыми деталями путем закрепления их в патроне с разных концов.
3. Номенклатура оси определяется в соответствии с международным стандартом ИСО 841 «Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения».
4. Для этой категории «наклоняющиеся шпиндели» рассматриваются как оси вращения.
5. Для всех станков каждой модели может использоваться значение заявленной точности позиционирования, полученное не в результате индивидуальных механических испытаний, а рассчитанное в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом. Заявленная точность позиционирования означает величину точности, устанавливаемую производителем в качестве показателя, отражающего точность всех станков определенной модели.
^ Определение показателя точности:
a. Выбирается пять станков модели, подлежащей оценке.
b. Измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997).
c. Определяется значение показателя А для каждой оси каждого станка. Метод определения значения показателя А описан в стандарте ИСО.
d. Определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта средняя величина ### становится заявленной величиной (###х, ###y, ...) для всех станков данной модели.
e. Поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей.
f. Если параметры осей определенной модели станка не подпадают под контроль по пунктам 2.B.1.a – 2.B.1.c, а показатель А для шлифовальных станков равен или меньше (лучше) 5 мкм, для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев вновь подтверждать величину точности.
2.B.1. [Исключен]
2.B.1 b. [Исключен]
2.B.1. c. [Исключен]
2.B.1. d. [Исключен]
2.B.1. e. [Исключен]
2.B.1. f. Станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий 5000 мм или более, и специально разработанные для них компоненты.
2.B.2. Исключен.
2.B.3. Станки с «числовым программным управлением» или станки с ручным управлением и специально разработанные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, одно- или двухзаходных винтовых шестерен с модулем более 1250 мм и с лицевой шириной, равной 15 % от модуля или более, с качеством после финишной обработки в соответствии с международным стандартом ИСО 1328 по классу 3.
2.B.4. Горячие «изостатические прессы», имеющие все следующие составляющие, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:
a. камеры с контролируемыми тепловыми условиями внутри закрытой полости и внутренним диаметром полости 406 мм и более; и
b. любую из следующих характеристик:
1. максимальное рабочее давление более 207 МПа;
2. контролируемые температурные условия, превышающие 1773 К (1500о С); или
3. оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения.
Техническое примечание
Внутренний размер камеры относится к камере, в которой достигаются рабочие давление и температура; в размер камеры не включается размер зажимных приспособлений. Указанный выше размер будет минимальным из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из двух камер находится в другой.
2.B.5. Оборудование, специально спроектированное для оснащения, реализации процесса и управления процессом нанесения неорганического покрытия, защитных слоев и поверхностных модификаций, например нижних слоев неэлектронными методами, или процессами, представленными в таблице и отмеченными в примечаниях после пункта 2.E.3.f, а также специально спроектированные средства автоматизированного регулирования, установки, манипуляции и компоненты управления, включая:
a. «Управляемое встроенной программой» производственное оборудование для химического осаждения паров (CVD) со всеми следующими показателями:
1. процесс модифицирован для одного из следующих методов:
a. пульсирующего CVD;
b. управляемого термического осаждения с образованием центров кристаллизации (CNTD); или
c. усиленного плазмой или с помощью плазмы CVD; и
2. включает какой-либо из следующих способов:
a. использующий высокий вакуум (равный или менее 0,01 Па) для уплотнения вращением; или
b. использующий средства контроля толщины слоя покрытия на месте;
b. «Управляемое встроенной программой» производственное оборудование ионной имплантации с силой тока луча 5 мА или более;
c. «Управляемое встроенной программой» производственное оборудование для физического осаждения паров электронным лучом (EB-PVD), включающее системы электропитания с расчетной мощностью свыше 80 кВт, имеющее любую из следующих составляющих:
1. «лазерную» систему управления уровнем в заливочной ванне, которая точно регулирует скорость подачи исходного вещества; или
2. управляемый компьютером регистратор скорости, работающий на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимый для нормирования скорости осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;
d. «Управляемое встроенной программой» производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:
1. работающее при уменьшающемся давлении контролируемой атмосферы (равной или менее 10 кПа, измеряемой выше и внутри 300 мм выходного сечения сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, способной обеспечивать снижение давления до 0,01 Па, предшествующее началу процесса напыления; или
2. имеющее в своем составе средства контроля толщины слоя покрытия;
e. «Управляемое встроенной программой» производственное оборудование металлизации напылением, способное обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв.мм или более, с производительностью напыления 15 мкм/ч или более;
f. «Управляемое встроенной программой» производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления плотностью тока дуги на катоде;
2.B.5. g. «Управляемое встроенной программой» производственное оборудование ионной металлизации, позволяющее осуществлять на месте любое из следующих измерений:
1. толщины слоя подложки и величины производительности; или
2. оптических характеристик.
Примечание По пунктам 2.B.5.a, 2.B.5.b, 2.B.5.e, 2.B.5.f и 2.B.5.g не контролируется оборудование химического парового осаждения, катодно-дугового напыления, капельного осаждения, ионной металлизации или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего инструмента или для механообработки.
2.B.6. Системы или оборудование для измерения или контроля размеров, такие, как:
a. Управляемые ЭВМ, с «числовым программным управлением» или «управляемые встроенной программой» машины контроля размеров, имеющие «погрешность измерения» длины по трем осям, равную или менее (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - длина, измеряемая в миллиметрах), тестируемую в соответствии с международным стандартом ИСО 10360-2;
2.B.6. b. 1 и 2 [Исключен]
2.B.6. c. Оборудование для измерения неровностей поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла, с чувствительностью 0,5 нм или меньше (лучше).
Примечание 1 Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для функций станков или измерительных приборов.
Примечание 2 Системы, указанные в пункте 2.B.6, подлежат контролю, если они по своим параметрам превышают подлежащий контролю уровень где-либо в их рабочем диапазоне.
2.B.7. Нижеперечисленные «роботы» и специально спроектированные контроллеры и «рабочие органы» для них:
a. Способные в реальном масштабе времени полно отображать процесс или объект в трех измерениях с генерированием или модификацией «программ» или с генерированием или модификацией цифровых программируемых данных.
Техническое примечание
Ограничения по указанному процессу или объекту не включают аппроксимацию третьего измерения через заданный угол или интерпретацию через ограниченную пределами шкалу для восприятия глубины или текстуры модификации заданий (2 1/2 D).
b. Специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности, приспособленные к условиям изготовления взрывного военного снаряжения;
c. Специально спроектированные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие больше 5 х 103 Гр (кремний) [5 х 105 рад (кремний)]без операционной деградации; или
d. Специально предназначенные для операций на высотах, превышающих 30000 м.
2.B.8. Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или контроля размеров или измерительных систем и оборудования, такие, как:
a. Блоки оценки линейного положения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или «лазерные» системы), имеющие полную «точность» меньше (лучше) [800 + (600 х L х 10-3)] нм (L - эффективная длина в миллиметрах);
Особое примечание Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.B.6.b.1.
b. Блоки оценки положения вращения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или «лазерные» системы), имеющие «точность» меньше (лучше) 0,00025о
Особое примечание Для «лазерных» систем применяется также примечание к пункту 2.B.6.b.1.
c. «Составные вращающиеся столы» или «наклоняющиеся шпиндели», применение которых в соответствии со спецификацией изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.B, или выше
2.B.9. Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической спецификацией изготовителя могут быть оборудованы блоками «числового программного управления» или компьютерного управления и которые имеют все следующие характеристики:
a. с двумя или более контролируемыми осями, которые могут одновременно и согласованно координироваться для «контурного управления»; и
b. с вращательной силой более 60 кН.
Техническое примечание
Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.B.9 как относящиеся к обкатным вальцовочным станкам.
^ 2.C. МАТЕРИАЛЫ — нет
2.D. ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
1. «Программное обеспечение» иное, чем контролируемое по пункту 2.D.2, специально спроектированное или модифицированное для «разработки», «производства» или «применения» оборудования, контролируемого по пунктам 2.A или 2.B;
2. «Программное обеспечение» для электронных устройств, в том числе встроенное, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок «ЧПУ», способное координировать одновременно более четырех осей для «контурного управления».
Примечание По пункту 2.D.2 не контролируется «программное обеспечение», специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам Категории 2.
^ 2.E. ТЕХНОЛОГИЯ
2.E.1. «Технологии», в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для «разработки» оборудования или «программного обеспечения», контролируемых по пунктам 2.A, 2.B или 2.D.
2.E.2. «Технологии», в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для «производства» оборудования, контролируемого по пунктам 2.A или 2.B.
2.E.3. Другие «технологии», такие, как:
a. «Технологии» для «разработки» интерактивной графики как интегрирующей части блоков «числового программного управления» для подготовки или модификации элементов программ;
b. Нижеперечисленные «технологии» производственных процессов металлообработки:
1. «Технологии» проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально спроектированных для любого из следующих процессов:
a. «сверхпластического формования»;
b. «диффузионного сваривания»; или
c. «гидравлического прессования прямого действия»;
2.E.3. b. 2. Технические данные, включающие параметры или методы реализации процесса, перечисленные ниже и используемые для управления:
a. «сверхпластическим формованием» алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:
1. данные о подготовке поверхности;
2. данные о степени деформации;
3. температура;
4. давление;
b. «диффузионным свариванием» титановых сплавов или суперсплавов:
1. данные о подготовке поверхности;
2. температура;
3. давление;
c. «гидравлическим прессованием прямого действия» алюминиевых или титановых сплавов:
1. давление;
2. время цикла;
d. «горячей изостатической модификацией» титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:
1. температура;
2. давление;
3. время цикла.
2.E.3. c. «Технологии» «разработки» или «производства» гидравлических вытяжных формовочных машин и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;
d. «Технологии» для «разработки» генераторов машинных команд (то есть элементов программ) из проектных данных, находящихся внутри блоков «числового программного управления»;
e. «Технологии» для «разработки» интегрирующего «программного обеспечения» для обобщения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков «числового программного управления»;
f. «Технологии» для применения в неорганических чисто поверхностных покрытиях или неорганических покрытиях с модификацией поверхности изделия, отмеченных в графе «Результирующее покрытие» нижеследующей таблицы; неэлектронных слоевых покрытий (субстратов), отмеченных в графе «Подложки» нижеследующей таблицы; процессов, отмеченных в графе «Наименование процесса нанесения покрытия» нижеследующей таблицы и определенных техническим примечанием.
^ Особое примечание Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит контролю только в том случае, когда позиция графы «Результирующее покрытие» непосредственно соответствует позиции графы «Подложки». Например, в результате обработки подложки типа «углерод-углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей» путем химического осаждения паров (CVD) может быть получено силицидное покрытие, которое не может получиться при том же способе нанесения покрытия на подложку типа «цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)». Во втором случае позиция графы «Результирующее покрытие» не находится непосредственно напротив позиции «цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)» графы «Подложки».
^ Таблица к пункту 2.E.3.f. — Технические приемы осаждения покрытий
1. Наименование процесса нанесения покрытия (1)*
2. Подложки
3. Результирующее покрытие
A. Химическое осаждение паров
«суперсплавы»
алюминиды для внутренних каналов
Керамика (19) и стекла с малым коэффициентом расширения (14)
силициды,
карбиды,
слои диэлектриков (15),
алмаз,
алмазоподобный углерод (17)
углерод-углерод, керамика (19) и «композиционные материалы» с металлической «матрицей»
силициды,
карбиды,
тугоплавкие металлы,
смеси перечисленных выше материалов (4),
слои диэлектриков (15),
алюминиды,
сплавы алюминидов (2),
нитрид бора
цементированный карбид вольфрама (16),
карбид кремния (18)
карбиды,
вольфрам,
смеси перечисленных выше материалов (4),
слои диэлектриков (15)
молибден и его сплавы
слои диэлектриков (15)
бериллий и его сплавы
слои диэлектриков (15)
алмаз
алмазоподобный углерод (17)
материалы окон датчиков (9)
слои диэлектриков (15)
алмаз
алмазоподобный углерод (17)
B. Физическое осаждение паров термо-выпариванием
B.1. Физическое осаждение паров электронным лучом
«суперсплавы»
сплавы силицидов,
сплавы алюминидов (2),
MCrAlX (5),
модифицированные виды циркония (12),
силициды,
алюминиды,
смеси перечисленных выше материалов (4)
керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14)
слои диэлектриков (15)
коррозиестойкие стали (7)
MCrAlX (5),
модифицированные виды циркония (12),
смеси перечисленных выше материалов (4)
углерод-углерод,
керамика и «композиционные материалы» с металлической «матрицей»
силициды,
карбиды,
тугоплавкие металлы,
смеси перечисленных выше материалов (4),
слои диэлектриков (15),
нитрид бора
цементированный карбид вольфрама (16),
карбид кремния
карбиды,
вольфрам,
смеси перечисленных выше материалов (4),
слои диэлектриков (15)
молибден и его сплавы
слои диэлектриков (15)
бериллий и его сплавы
слои диэлектриков (15),
бориды,
бериллий
материалы окон датчиков (9)
слои диэлектриков (15)
титановые сплавы (13)
бориды,
нитриды
B.2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева (ионное гальваническое покрытие)
керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14)
углерод-углерод,
керамика и «композиционные материалы» с металлической «матрицей»
слои диэлектриков (15),
алмазоподобный углерод
слои диэлектриков (15)
цементированный карбид вольфрама (16),
карбид кремния
слои диэлектриков (15)
молибден и его сплавы
слои диэлектриков (15)
бериллий и его сплавы
слои диэлектриков (15)
материалы окон датчиков (9)
слои диэлектриков (15),
алмазоподобный углерод
B.3. Физическое осаждение паров: выпаривание «лазером»
керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14)
силициды,
слои диэлектриков (15),
алмазоподобный углерод
углерод-углерод,
керамика и «композиционные материалы» с металлической «матрицей»
слои диэлектриков (15)
цементированный карбид вольфрама (16),
карбид кремния
слои диэлектриков (15)
молибден и его сплавы
слои диэлектриков (15)
бериллий и его сплавы
слои диэлектриков (15)
материалы окон датчиков (9)
слои диэлектриков (15),
алмазоподобный углерод
B.4. Физическое осаждение паров: катодный дуговой разряд
«суперсплавы»
сплавы силицидов,
сплавы алюминидов (2),
MCrAlX (5)
полимеры (11) и «композиционные материалы» с органической «матрицей»
бориды,
карбиды,
нитриды,
алмазоподобный углерод
C. Цементация (10)
углерод-углерод,
керамика и композиционные материалы с металлической матрицей
силициды,
карбиды,
смеси перечисленных выше материалов (4)
сплавы титана (13)
силициды,
алюминиды,
сплавы алюминидов (2)
тугоплавкие металлы и сплавы (8)
силициды,
оксиды
D. Плазменное напыление
«суперсплавы»
MCrAlX (5),
модифицированные виды циркония (12),
смеси перечисленных выше материалов (4),
эрозионно стойкий никель-графит,
эрозионно стойкие материалы, содержащие никель-хром-алюминий,
эрозионно стойкий алюминий-кремний-полиэфир,
сплавы алюминидов (2)
алюминиевые сплавы (6)
MCrAlX (5),
модифицированные виды циркония (12),
силициды,
смеси перечисленных выше материалов (4)
тугоплавкие металлы и сплавы (8)
алюминиды,
силициды,
карбиды
коррозиестойкие стали (7)
модифицированные виды циркония (12),
смеси перечисленных выше материалов (4),
MCrAlX (5)
титановые сплавы (13)
карбиды,
алюминиды,
силициды,
сплавы алюминидов (2),
эрозионно стойкий никель-графит,
эрозионно стойкие материалы, содержащие никель-хром-алюминий,
эрозионно стойкий алюминий-кремний-полиэфир
E. Осаждение суспензии (шлама)
тугоплавкие металлы и сплавы (8)
легкоплавкие силициды,
легкоплавкие алюминиды,
(кроме материалов для теплостойких элементов)
углерод-углерод,
керамика и «композиционные материалы» с металлической «матрицей»
силициды,
карбиды,
смеси перечисленных выше материалов (4)
F. Металлизация распылением
«суперсплавы»
сплавы силицидов,
сплавы алюминидов (2),
благородные металлы,
модифицированные алюминидами (3),
MCrAlX (5),
модифицированные виды циркония (12),
платина,
смеси перечисленных выше материалов (4)
керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14)
силициды,
платина,
смеси перечисленных выше материалов (4),
слои диэлектриков (15),
алмазоподобный углерод
титановые сплавы (13)
бориды,
нитриды,
оксиды,
силициды,
алюминиды,
сплавы алюминидов (2),
карбиды
углерод-углерод,
керамика и композиционные материалы с металлической матрицей
силициды,
карбиды,
тугоплавкие металлы,
смеси перечисленных выше материалов (4),
слои диэлектриков (15),
нитрид бора
цементированный карбид вольфрама (16),
карбид кремния
карбиды,
вольфрам,
смеси перечисленных выше материалов (4),
слои диэлектриков (15),
нитрид бора
молибден и его сплавы
слои диэлектриков (15)
бериллий и его сплавы
бориды,
слои диэлектриков (15),
бериллий
материалы окон датчиков (9)
слои диэлектриков (15),
алмазоподобный углерод
тугоплавкие металлы и сплавы (8)
алюминиды,
силициды,
оксиды,
карбиды
G. Ионная имплантация
высокотемпературные стойкие стали
добавки хрома, тантала или ниобия (колумбия в США)
титановые сплавы (13)
бориды,
нитриды
бериллий и его сплавы
бориды,
цементированный карбид вольфрама (16)
карбиды,
нитриды
Примечания к таблице:
1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.
3. Покрытие благородными металлами, модифицированными алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где М эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а Х эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01 % (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
a. CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22 % (по весу) хрома, менее 7 % (по весу) алюминия и менее 2 % (по весу) иттрия; или
b. CoCrAlY - покрытий, содержащих 22-24 % (по весу) хрома,10-12% (по весу) алюминия и 0,5-0,7 % (по весу) иттрия; или
c. NiCrAlY - покрытий, содержащих 21-23 % (по весу) хрома, 10-12 % (по весу) алюминия и 0,9-1,1 % (по весу) иттрия.
6. Термин «алюминиевые сплавы» соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 К (20о С).
7. Термин «коррозиестойкая сталь» относится с сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным показателям, или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
10. «Технология» для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.
11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин «модифицированные виды циркония» означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, не контролируются.
13. Титановые сплавы определяются исключительно как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 К (20о С).
14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10-7 К-1 или менее, измеренный при 293 К (20о С).
15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик-металл.
16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама/(кобальт-никель), карбида титана /(кобальт-никель), карбид хрома/(никель-хром) и карбид хрома/никель.
17. Не контролируется технология, специально разработанная для нанесения алмазоподобного углерода на любое из нижеуказанного:
магнитные дисководы и головки, оборудование для производства расходных материалов, вентили кранов, диафрагмы для динамиков акустических колонок, части автомобильных двигателей, режущие инструменты, пресс-формы для штамповки - прессования, офисного автоматизированного оборудования, микрофоны или медицинские приборы.
18. Карбид кремния не включает материалы для режущих и гибочных инструментов.
19. Керамические подложки, в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5 % от веса или более, клей или цемент как отдельные составляющие, а также их сочетания.
Технические примечания к таблице:
Процессы, представленные в графе «Наименование процесса нанесения покрытия», определяются следующим образом:
a. Химическое осаждение паров (CVD) — это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, «композиционный материал», диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом «лазера».
Особое примечание 1 Химическое осаждение паров включает следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы;
Особое примечание 2 Пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких составляющих;
Особое примечание 3 Газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими, как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
b. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева (TE-PVD) — это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия.
Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава покрытия.
Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем.
Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем:
1. при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;
2. при физическом осаждении с терморезистором в качестве источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка, обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия, используется электрическое сопротивление;
3. при парообразовании «лазером» для испарения материала, который формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный «лазерный» луч;
4. в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения.
^ Особое примечание Описанный выше процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением изделия.
5. Ионная имплантация - специальная модификация генерального процесса TE-PVD, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых мат
еще рефераты
Еще работы по разное
Реферат по разное
Вузы, принимающие на повышение квалификации по приказу №1759
17 Сентября 2013
Реферат по разное
Испанский язык в контексте диалога культур: исследования и преподавание
17 Сентября 2013
Реферат по разное
Крови самая динамическая система
17 Сентября 2013
Реферат по разное
Ю. К. Фетисова В. В. Виноградова
17 Сентября 2013