Реферат: Стенограмм а совещания Межфракционного депутатского объединения

С Т Е Н О Г Р А М М А

Совещания

Межфракционного депутатского объединения

"Наука и высокие технологии" совместно

с Комитетом по образованию и науке

и Комитетом по промышленности, строительству и

наукоемким технологиям на тему: «Состояние и перспективы

развития полупроводниковой электроники в России»


Здание Государственной Думы. Малый зал.

20 мая 2004 г. 10.00.

Председательствующий - лауреат Нобелевской премии

Ж.И. Алферов


Содержание:


Алферов Ж.И., депутат …………………………………………….. 2

Борисов Ю.И. - начальник Управления радиоэлектронной

промышленности и систем управления …………………………… 12

Синельников Б.М. - ректор Северо-Кавказского технического

университета ………………………………………………………… 14

Козлов Ю.Ф. - генеральный директор ЗАО НИИ

материаловедения ………………………………………………….. 16

Лукьященко В.И., зам. генеральный директор ЦНИИмаш ………. 18

Асеев А.Л.- директор Института физики полупроводников

Сибирского отделения РАН ………………………………………. 21

Андреев А.Ф. - Вице-президент РАН ……………………………… 23

Гапонов С.В. - директор Института физики и микроструктур

в Нижнем Новгороде, член-корр. РАН ……………………………. 25

Емельянов В.А. - Генеральный директор НПО "Интеграл",

чл.-корр. НАН Беларуси …………………………………………….. 27

Сухопаров А.И., председатель Федерального фонда развития

электронной техники …………………………………………………. 29

Осипов Л.В., - вице-президент Ассоциации производителей

медицинской техники ………………………………………………… 32

Бабкин В.И., эксперт …………………………………………………. 33

Гельман М.М. - главный редактор газеты "Промышленные

ведомости" ……………………………………………………………. 36

Данилин Н.С. - Российский научно-исследовательский институт

космического приборостроения …………………………………….. 37

Решение совещания…………………………………………………….

Приложение:

Справка о МДО "Наука и высокие технологии"

Доклад Козлова Ю.Ф.

Доклад Данилина Н.С.

Решение № 2 Общего собрания Отделения физических наук РАН


Алферов Ж.И. У нас сегодня проводится совещание, которое проводится по инициативе недавно созданного Межфракционного депутатского объединения - "Наука и высокие технологии" совместно с Комитетом по образованию и науке и Комитетом по промышленности, строительству и наукоемким технологиям. МДО объединяет депутатов озабоченных состоянием научно-технического комплекса страны. Задача депутатов, входящих в МДО, в своих Комитетах и фракциях убеждать в важности законодательной поддержки науки и высоких технологий. На первом нашем совещании мы решили обсудить проблему "Состояние и перспективы развития полупроводниковой электроники в России", как важнейшему фактору развития экономики и безопасности Российского государства.

Можно очень коротко суммировать, что во вторую половину ХХ столетия развитие электроники и, прежде всего, полупроводниковой электроники, и, прежде всего, микроэлектроники, привело к качественному изменению практически всей экономики мировой, практически, на основе новых информационных технологий. Она стала локомотивом экономики и социального развития очень многих стран. Изменилась социальная структура общества во многих передовых странах, прежде всего, благодаря развитию электроники. И если посмотреть сегодня на страны так называемого "золотого миллиарда", то их экономическое благосостояние базируется прежде всего на наукоемких технологиях, на экономике построенной на высоких технологиях. И первое место среди них занимает информационные технологии и полупроводниковая электроника. Именно поэтому избрана такая тема нашего первого заседания и разработаны рекомендации, которые мы обсудим.

В 1959 году произошли значимые события. Прежде всего, наверное, нужно назвать открытие Дж. Бардина, У. Шокли и У. Браттейна, удостоенное Нобелевской премии в 1956 году - открытие транзистора. Но по-настоящему драматические изменения произошли в 1959 году, когда два американских инженера, Нойс и Килби, одновременно и независимо друг от друга запатентовали, и Килби построил первую интегральную схему на кремнии. В первой кремниевой интегральной схеме площадью примерно такой же, как и нынешние интегральные схемы, было два транзистора, RC-цепочка и это был усилитель. Тем не менее, это было революционное изменение в полупроводниковой технологии, поскольку именно этим шагом мы перешли от схемных решений, в том числе и от микросхем, когда отдельные элементы были дискретными и соединялись друг с другом, мы стали использовать полупроводниковый кристалл, и как элемент активный, транзисторы, и как все пассивные элементы схем. Именно на этих интегральных схемах, первых интегральных схемах, в сущности, построена вся микроэлектроника, которая развивалась после этого более полувека, и произошли, как говорится, очень драматические изменения в этом отношении.

Если посмотреть ретроспективно на развитие полупроводниковой электроники за вторую половину ХХ века, то, в общем, она развивалась, грубо говоря, на двух китах. Это на кремневых интегральных схемах, составивших основу развития кремниевой микроэлектроники и на полупроводниковых гетроструктурах, ставших основой сверхбыстрой электроники и оптической электроники. В этом отношении последний год ХХ столетия и присуждение Нобелевской премии именно за эти работы, на самом деле, не случайно. Таким образом, Шведская академия наук отмечала как раз те изменения, которые произошли в технологии и хотя, может быть, это в информационных технологиях прежде всего, и хотя может быть это несколько нескромно, но в первом же объявлении Шведской академии наук все новые лауреаты были названы отцами современной информационной техники и развития новых технологий.

Эксперименты и предложения, которые развивались нами и многими нашими учеными, в том числе, я бы отметил здесь работу Келдыша, который почти на 10 лет опередил японские работы по предсказанию сверхрешеток, которые сегодня играют очень важную роль.

Следующее, что я хочу сказать - «Электроника – самая динамичная отрасль экономики в мире и для большинства стран является стратегической отраслью». Среднегодовые темпы роста составляют более 7 процентов в год. Отрасли промышленности, связанные с электроникой, отрасли промышленности, которые используют электронные изделия, производят продукции на 15 триллионов долларов.

Что дают вложения в электронику? 1 доллар дает 100 долларов в конечном продукте. Уровень рентабельности электронной промышленности – 40 процентов. Среднемировой срок окупаемости вложений в электронику – 2-3 года. Темпы роста в три раза выше темпов ростов ВВП. Одно рабочее место в электронике дает четыре в других отраслях. Один килограмм изделий микроэлектроники по стоимости эквивалентен стоимости 110 тонн нефти. Это килограмм изделий, имеющих электронные компоненты, а если вы возьмете электронные компоненты, такие, например, как лазерную гетероструктуру, то там один грамм эквивалентен по стоимости 10 тонн нефти.

Технология бурно развивается сегодня. Я говорил о том, что первая интегральная схема - два транзистора RC- цепочка. 2000 год - это 43 миллиона транзисторов, и в 2014 году это будет 4,3 миллиарда транзисторов на одной интегральной схеме. Скорость канала – 10 гигабит в секунду 2000 год и нужно умножить на 1000 - 10 000 - 2014 год.

Вот это крайне интересно, вообще говоря, демонстрация того бурного развития микроэлектроники, которое произошло за эти годы. В микропроцессах стоимость одного мегагерца в 1970 году – 7 тысяч 600 долларов и 16 центов в 2000. Скорость передачи, стоимость посылки в гигабитах в секунду это 150 тысяч долларов в 1970 году и 12 центов нынче.

Мировой рынок электронной промышленности. Материалы для производства полупроводников - 20 миллиардов долларов, полупроводниковое производственное оборудование – 30 миллиардов, полупроводниковые компоненты – 205 миллиардов долларов. Электронное оборудование – более триллиона и отрасли промышленности, связанные с электроникой, - 15 триллионов. Я хотел бы здесь отметить, что 65 процентов валового национального продукта Соединенных Штатов Америки определяется промышленностью, связанной с электроникой, основанной на использовании электронных компонентов.

Теперь о нашей стране. Сегодня на душу населения производство электронной техники – 1 тысяча 260 долларов в США и Канаде и 14 долларов в России.

Сегодня российский рынок электронных компонентов не превышает 2 миллиардов долларов. Основная часть, конечно, это полупроводники.

Объем финансирования научно-исследовательских и опытно - конструкторских работ в сравнении Соединенных Штатов Америки и России. Отличается в десятки, если не сотни раз.

Объемы производства электронных компонентов трех стран - России, США и Китая. За последние несколько лет Китай резко пошел вверх, а Россия, в общем, находится на бесконечно низком уровне.

Когда шла речь о технологическом прогрессе в микроэлектронике, в кремниевой микроэлектронике, я называл цифры, сколько было электронных компонент на заре развития ее, и как этот процесс развивается в настоящее время и связано это, прежде всего, для кремниевой микроэлектроники с развитием фотолитографии. Сергей Викторович Гапонов будет выступать сегодня и он, может быть, несколько подробнее скажет об этом. Прогноз развития микроэлектроники определяется литографией, в первых интегральных схемах Нойса и Килби топологический размер составлял доли миллиметра. Сегодня он составляет одну десятую микрона. При этом прогноз оказался, вообще говоря, слишком пессимистичным. Практика показала 9 лет ускорения в уменьшении основного топологического размера для кремниевых микроэлектронных схем.

Все развитие кремниевой микроэлектроники было связано, прежде всего, с прогрессом технологии. Основные активные компоненты – полевой транзистор и биполярный транзистор – физически, так сказать, остались такими же, как были открыты в 1947 году, а вот технология совершила гигантский прогресс. И когда сегодня очень много говорится о нанотехнологии, то практически сегодня технология кремниевой микроэлектроники, переходя от одной десятой микрона в нанометровый диапазон, потому что 13 нанометров это будущее и не такое отдаленное, а 45, 60, 70 нанометров – это то, что сегодня осваивается в опытном производстве. От этого произойдут, наверняка, почти существенные изменения физические, потому что в этом случае могут начать работать уже квантово-размерные явления и эффекты.

Развитие литографии и тот вклад, который внесен, прежде всего, в это дело в последние годы Институтом физики микроструктур в Нижнем Новгороде.

Несколько слов о втором направлении гетероструктуры. Оно базировалось на развитии технологии эпитаксиальном выращивании полупроводниковых гетероструктур, представляющих собой новый класс материалов, в которых мы управляем всеми основными свойствами. Если до эпохи гетероструктур мы имели материалы, созданные богом, и в лабораториях мы просто их повторяли, то эпоха гетероструктур привела к созданию материалов, создаваемых человеком, когда их свойства определяются, вообще говоря, той задумкой и теми новыми принципами, которые реализованы в технологии получения гетероструктур.

Основными технологическими методами здесь стали жидкостная эпитаксия, молекулярная эпитаксия, позволяющие не только выращивать новые гетероструктуры, но и контролировать полностью их свойства в процессе роста, и так называемая мосгидридная эпитаксия, которая дает те же самые технологические возможности, что и молекулярная, хотя не предоставляет возможности контроля параметров в процессе изготовления.

Очень важным для развития гетероструктур стала возможность использования квантово-размерных явлений и управление спектром электронов в этих кристаллах, когда в так называемых двойных гетероструктурах при определенных условиях используется двумерный, одномерный или нульмерный электронный газ и в последнем случае мы получаем возможность создания того, что мы называем теперь созданием искусственных атомов.

Это сразу же дало очень много и для электроники. Сверхбыстрая электроника, возникновение ее связано с биполярными гетеротранзисторами и с так называемыми транзисторами на высокой электронной подвижности, которая существенным образом изменила скорости всех электронных компонентов и сегодня является основными компонентами и в космической связи, мобильных телефонах и во многом другом.

В нашей российской лаборатории выращиваются эти искусственные атомы и их ансамбли в гетероструктурах, которые позволили создавать принципиально новые типы полупроводниковых лазеров.

Лазеры на двойных гетероструктурах позволили сегодня получить коэффициент полезного действия лазеров 74 процента от розетки в когерентное излучение. Это самый высокоэффективный преобразователь электрической энергии в световую.

Сегодняшний рынок лазерных диодов и его предсказание на ближайшее будущее демонстрируют, что где-нибудь к 2010 году практически основным типом лазеров будут только полупроводниковые.

Несколько подробнее. У нас часто говорится о том, что, собственно, рынки электронные поделены и поделены навсегда и что России, скажем, не удастся войти в мировой рынок электронной техники. Здесь на этой картинке показано, как менялось соотношение долей мирового рынка электронных компонент, начиная, если мне не изменяет память, где-то с середины 70-х годов. То есть где-то в начале 70-х годов Соединенные Штаты Америки были основным производителем полупроводниковых электронных компонентов.

Где-то в районе начала 80-х годов практически стало два основных производителя полупроводниковых электронных компонентов – это Соединенные Штаты Америки и Япония, а затем появился третий сегмент – это страны Юго-Восточной Азии и четвертый - это Европа. Если сегодня посмотреть на то, как поделены мировые рынки по объемам производства полупроводниковых электронных компонентов, то это примерно четыре равные части – Соединенные Штаты, Япония, Азия, Юго-Восточная Азия в основном, и Европа. Причем Европа несколько меньше, чем эти три.

Китайская полупроводниковая промышленность. Сегодня Китай бурно развивает эту отрасль промышленности. 2002 год, производство полупроводниковых компонент – 15 миллиардов долларов. 2010 год – 23,4 миллиарда долларов. Это сегодня. В Китае электронная продукция будет составлять 242 миллиарда долларов или почти 10 процентов валового национального продукта в 2010 году. Это то, что произошло буквально за последние десять-пятнадцать лет.

Планы строительства новых заводов в мире на ближайшие пять лет. Я хотел бы обратить внимание. Данные относятся к различным районам мира. И при этом я хотел бы подчеркнуть, что сегодня наиболее бурно развивающимися предприятиями микроэлектронной, кремниевой промышленности являются предприятия на 300-миллимитровых кремниевых подложках. Практически каждые десять лет в мировой электронной промышленности происходила смена размера кремниевых подложек, на которых изготовляются кремниевые интегральные схемы. Шесть дюймов, перешли на восемь дюймов через десять лет. И сейчас, после десятилетнего срока развития восьмидюймовых, 200-миллиметровых кремниевых подложек, происходит массовый переход на 300-миллиметровые.

В Европе первое предприятие появилось, "Инфинеон", около Дрездена. Планируются на ближайшие годы четыре новых. В целом во всем мире более 30 новых предприятий на 300-миллиметровых подложках, причем очень сильной компонентой является Китай. Из 13 планируемых, более половины будет построено в Китае.

Существует позиция у нас такая, что современная микроэлектроника в промышленности очень дорогая. Действительно, предприятие на 300 - миллиметровой подложке, нормального объема производство, это два с половиной миллиарда долларов. Но окупаемость его происходит за шесть-семь лет. Сегодня именно эти предприятия являются основой развития полупроводниковой электроники. Поэтому чрезвычайно важно, и, я думаю, что об этом будет много говориться сегодня и другими выступающими, что выход России из той сложившейся действительно сырьевой ловушки может произойти только посредством покупки самого современного на сегодняшний день полупроводникового производства. Полупроводникового производства сверхбольших интегральных схем на 300-миллиметровых подложках с основным топологическим размером 0,1 микрона и полупроводникового производства современной оптоэлектронники и сверхбыстрых компонент гетероструктур.

В случае, ежели мы будем идти поэтапно и говорить, что сегодня мы технологически находимся, в общем, на уровне середины восьмидесятых годов, и нам нужно сначала освоить 0,6 - 0,5, перейти на 0,35, то мы, на самом деле, обрекаем себя на полное отставание. Сегодня, я думаю, что не в этой аудитории нужно говорить о том, что без полупроводниковых электронных компонент Россия не может быть ни современной державой, и она не может, вообще говоря, развивать практически все наукоемкие технологии. А для того, чтобы выйти из этого "мешка", нужно выходить, на современный уровень. После того, как мы вышли на современный уровень, дальше мы вступаем в нормальную игру и используем тот огромный кадровый потенциал, который мы еще сохранили. В общем, в четырех центрах сосредоточен огромный научно-образовательный и кадровый потенциал в этой области конкретно. Это Санкт-Петербург, Зеленоград, Новосибирск (Академгородок) и Нижний Новгород.

А что касается электронной промышленности, то она находится на устаревшем технологическом уровне. Я говорю об этом столь горячо не только потому, что всю свою жизнь занимался полупроводниковыми электронными компонентами, причина заключается в том, что практически из всех существующих отраслей промышленности, и это сохранится довольно долго, несмотря на бурное развитие биотехнологий, появление биочипов, сохранится, на самом деле, довольно долго, что именно современная и, прежде всего, полупроводниковая электроника, которую можно сегодня называть наноэлектроникой, поскольку переход на наноразмеры в гетероструктурах произошел уже давно, а переход на наноразмеры в кремниевой микроэлектронике происходит сегодня, то именно эта отрасль промышленности является самым мощным потребителем научных исследований, в том числе и фундаментальных, и, безусловно, прикладных, научных исследований.

Электронная промышленность является потребителем исследований и физики конденсированного состояния, и в химии, в материаловедении, в биотехнологии, она является потребителем таких областей физики, как ядерная физика, физическая электроника, поскольку именно на них основана, на самом деле, наиболее серьезная диагностика полупроводниковых структур.

Поэтому без нормального развития этой отрасли промышленности в стране, накопленный за многие десятилетия огромный научный, образовательный потенциал, кадровый, будет работать на Запад, что и происходит сегодня. Мы все прекрасно понимаем, наука - интернациональна, и мы никогда от этого не будем отказываться. Сегодня в определенном отношении ситуация лучше, чем в советские времена, потому что в советское время благодаря работе комиссии КОКОМ, которая многим из вас хорошо знакома, мы вынуждены были изобретать велосипед, мы вынуждены были делать абсолютно все сами. Сегодня мы можем многое купить. И нужно использовать это для того, чтобы эта основная компонента современной наукоемкой отрасли промышленности стала и движителем экономики, и движителем социальных изменений положительных в стране и движителями потребителями науки.

Можно с грустью отметить, что сегодня ведь российская электроника даже по объемам производства находится где-то на уровне 20-25 процентов. Единственная республика, которая сохранила объемы и даже увеличила их – это Белоруссия, где, вообще говоря, государство не дало провести бандитскую приватизацию. Но и Белоруссия находится технологически на том же уровне середины, в лучшем случае, конца восьмидесятых годов.

Поэтому мы и посвящаем первое собрание нашей Межфракционного депутатского объединения именно этой проблеме, поскольку полагаем, что именно эта отрасль промышленности должна стать движителем, как говорилось в старые времена, научно-технического прогресса страны.


№


Область применения устройств электроники


Величина установлен­ных мощностей, кВт


Стоимость необходимых к установке устройств электроники, млн. долл.


Стоимость полупровод­никовых приборов в составе устройств электроники, млн. долл.

1


Преобразователи для снижения затрат на собственные нужды генерирующих электростанций


1,2-107


1200


400


2


Подстанции для экспорта электроэнергии за рубеж


1,8-107


1 580


546


3


Промышленность в целом


7,6-107


7650


2296


3.1


Топливная промышленность





1 690


505


3.2


Черная металлургия





1 070


321


3.3


Цветная металлургия





1 380


413


3.4


Химия и нефтехимия





918


273


3.5


Машиностроение и металлообработка





1 080


344


4


Связь


5,0•106


3900


1 300


5


Железнодорожный и городской электрический транспорт


1,0•107


490


195


6


Автомобильный транспорт





310


103


7


Жилищно-коммунальное хозяйство


2,9·107


2940


980


7.1


Освещение





2400


800


7.2


Обогрев и бытовая электроника





540


180




Итого






18100


5820



Рис.1 Применение устройств электроники




Рис.2 Структура отечественного рынка электроники в 2001 г.




Рис.3 Объемы финансирования НИОКР





Рис.4 Производство электронной техники на душу населения




Рис. 5 Общие объемы производства ИЭТ (млрд. долл)






Годы




1995

1997

1999

2000

2001

2003

2005

2010

2015

2020

Мировые достижения в промышленном производстве

Мин.

размер

мкм

0,35

0,25

0,18

0,18

0,13

0,09

0,07

0,05

0,03

0,02

Российские достижения

Мин.

размер

мкм

1,0

1,0

0,8

0,8

0,8

0,8

0,5

0,35

0,35

0,25

0,18

0,13

0,07




Отсутствие необходимого государственного финансирования на развитие микроэлектроники и обеспечение технологическим оборудованием и материалами с 1990 по 2000 г.г.

Возможный вариант развития при выделении необходимого финансирования на закупку зарубежного технологического оборудования и материалов

^ Закупка микроэлектроники Минобороны США

Мин.

размер

мкм

1,0







0,5




0,35

0,25

0,18

0,13

0,09


Рис.6 Прогноз тенденций уменьшения минимальных топологических размеров цифровых интегральных схем на период до 2020 г.



Годы / Параметры


1999


2001


2003


2006


2009


2012


2015-2020


Минимальные размеры, нм


180


150


130


90


70


50


10


Емкость памяти на чипе, бит (экспериментальные образцы)


1 Г





4Г


16 Г


64 Г


256 Г





Емкость памяти на чипе, бит (производство)


256 М


1 Г


1 Г


4Г


16 Г


64 Г





Транзисторов / см2


6.2 М


10М


18М


39 М


84 М


180 М


1 Г


Частота на чипе, МГц


500-1250


600-1500


700-2100


900-3500


1200-6000


1500-10000


5000-30000


Максимальная рассеиваемая мощность (радиатором), Вт


90


ПО


130


160


170


175


250-500


Размер чипа, мм2


400


445


560


820


1120


1580





Число уровней соединений


6-7


7


13


20


22-25


20-25







Рис.7 Прогнозы параметров ультрабольших интегральных схем




Рис. 8 Перспективы развития электроники


Председательствующий. Да, пожалуйста.

Из зала. Насколько наше собрание может повлиять на ситуацию, которая сейчас существует в России и на изменение ее?

Председательствующий. Я бы все-таки хотел сказать, что Государственная Дума - это законодательная власть в стране и Государственная Дума может очень сильно повлиять на развитие тех или иных направлений в экономике. Важно, чтобы Государственная Дума принимала соответствующие законы и постановления, которые обязательны для исполнительной власти. Я думаю, что исполнительная власть будет прислушиваться, по крайней мере, должна. Вот все, что я могу сказать.

Председательствующий. Слово предоставляется Юрию Ивановичу Борисову - начальнику Управления радиоэлектронной промышленности и систем управления.

Борисов Ю.И. Наверное, надо поблагодарить Жореса Ивановича, что он собрал такой авторитетный форум людей, которые, действительно, болеют за состояние нашей электронной отрасли, и в свойственной ему манере поставил острые вопросы, которые, действительно, насущные для всего микроэлектронного комплекса.

Ситуация не простая. Необходимо констатировать, что мы, действительно, очень серьезно отстаем от мировых лидеров в этой области, в создании наукоемкой продукции - электронной компонентной базы, которая является основой для построения всех систем, в том числе и систем оборонного характера, вооружения и военной техники. И необходимо предпринимать срочные меры для того, чтобы это отставание преодолеть.

Какие пути? Обсуждается много тенденций, как двигаться. Уже в мозгах некоторых российских ученых довлеет то, что мы отстали навсегда, вернее сказать не ученых, а у чиновников. Мировая практика, в том числе и Китая, показала, что, в принципе, не решаемых проблем нет. Но я считаю, что нужно взять самое лучшее из этой практики. Мне довелось в свое время побывать в Китае на четырех фабриках выпускающих продукцию с размерностью 0,25 микрон, это было в прошлом году, меня поразила простота и здравый смысл поднятия электронной отрасли. Сначала был выдвинут лозунг: Китай должен стать ведущей электронной державой. Но это лозунг, а что делалось потом? Дальше достаточно продуманные и взвешенные шаги. Сначала формируется сеть дизайн-центров. Буквально за два-три года формируется сеть дизайн-центров в количестве 200-250. Что это такое? Это малые группы разработчиков – от 20 до 50 человек, которые рождают как раз конструкторскую документацию, рождают логические проекты, которые затем воплощаются на фабрике. Это очень грамотные и правильный шаг.

Мировая практика показывает, в частности, я знаю, что на компанию Фуджицу - одного из мировых лидеров микроэлектроники, по всему миру работают около 300 дизайн-центров. Они как пчелы таскают нектар для фабрик, чтобы постоянно заботиться о их загрузке.

Затем, с помощью государства, я подчеркиваю, государства, формируется сегмент рынка. Объявляется: каждый китаец должен иметь электронный паспорт. Вот, пожалуйста, миллиард продаж сформирован. Все телефонные разговоры на таксофонах должны перейти на карточную систему. Это еще несколько миллиардов продаж. Карточка социального страхования – еще несколько миллиардов продаж. Это простые проекты. Логика там несложная, но высокотехнологичная.

Вот эти простые, на первый взгляд, шаги – это ни что иное, как катализатор со стороны государства для формирования рынка. И вот здесь при наличии дизайн-центров, при наличии сформированного рынка создаются объективные условия для создания микроэлектронного производства.

Дальше опять шаги продуманные: свободная экономическая зона, пять лет преференций со стороны государства и практически без единого государственного юаня, затраты со стороны бюджета Китая не соизмеримы с западным капиталом, который поверив в рынок, поверив, что государство, это государственная политика, начинает инвестировать. И никаких чудес нет, 18 месяцев от колышка до запуска производства. 18 месяцев, и страна практически из отсталой индустриальной державы в этой области превращается в одного из самых серьезных игроков.

Вот нечто подобное, на мой взгляд, необходимо реализовать и в нашей стране. Причем у нас, на мой взгляд, более выгодная позиция, более выгодная – у нас очень хорошая высшая школа, у нас очень хорошие разработчики.

Вот мы недавно делали анализ: сколько же у нас в стране дизайн-центров? Все время, на всех совещаниях произносится - это пятерка знаменитая, в Зеленограде два центра есть – это "капля в море" т.п. Оказывается, не так, у нас есть группы специалистов, объединенные определенной идеей, которые работают на западных партнеров. И таких вот групп, мы только начали смотреть, около 20.

Это тот резерв, который нужно всколыхнуть, на мой взгляд, нужно начинать именно с создания инфраструктуры. Иначе мы повторим ситуацию, которая у нас сложилась в микроэлектронной отрасли сейчас.

То есть вот к поднятию микроэлектроники нужно относиться как к бизнес-процессу: смотреть с конца - что мы хотим получить?

Какие еще пути? На мой взгляд, бюджетных средств очень мало. Нужно, конечно, думать о внебюджетном финансировании.

На мой взгляд, в ближайшее время, если мы это не сделаем, мы просто упустим ситуацию. Есть так называемая сфера менее рискованных вложений. Если посмотреть по объемам, по времени, по объемам вложений микроэлектронику - от идеи до кремния, 20 процентов лежит в разработке. И мы можем пользоваться этим путем, когда дизайн-центры разрабатывают конструкторскую документацию и опускаются буквально уже до фотошаблона, и, имея этот продукт, имеют возможность выйти на любую мировую фабрику. Это российский продукт будет, это российский продукт. Здесь обеспечивается уже технологическая, информационная и прочая безопасность. Это один из тех путей, которым мы просто сейчас обязаны воспользоваться.

Очень активно, на мой взгляд, необходимо внедрять схему создания дизайн-центров, даже это недешево, чтобы создать даже один дизайн-центр – это несколько миллионов долларов. Причем основная доля вложения здесь идет в лицензионные САПРы – системы автоматизированного проектирования. Но вполне возможно, и предварительные переговоры с поставщиками этих САПРов позволяют надеяться на то, что можно создать по принципу коллективного пользования такие дизайн-центры и осуществить с помощью современных средств телекоммуникаций доступ разработчиков, которые не имеют возможности сейчас закупать эти дорогие САПРы, к этим ресурсам.

Кстати, в Китае таким путем тоже пошли. Вот этот вот толчок может дать быстрому росту интеллектуальной прослойки, которая в будущем будет работать, и загружать эти фабрики.

Чтобы не занимать время, наверное, желающих будет много выступить, я просто высказал свои мысли: как можно было бы двигаться в этом направлении.

Я думаю, что нам в ближайшее время придется в той или иной интерпретации вот эти все пути пройти. Иначе, если мы упустим время, мы действительно можем оказаться в не очень хорошей ситуации.

Председательствующий. Слово предоставляется Борису Михайловичу Синельникову – ректору Северо-Кавказского технического университета.

Синельников Б.М. Я бы хотел сегодня остановиться на одной области, на одной такой сфере, которая затрагивает проблемы, в общем-то, безопасности государства.

Только что прозвучали слова о том, что можно будет обеспечить безопасность государства за счет разработки и создания в отечественных дизайн-центрах интегральных микросхем. Но надо сказать, что этот вопрос достаточно тонкий, потому что программное обеспечение, которое используется для решения определенного класса задач, оно, как правило, не является сертифицированным программным обеспечением, и достаточно сложно предсказать реализацию тех или иных вещей, о которых только что говорилось. Но мы это знаем. Почему? Потому что на нашей базе работает по существу центр, который обеспечивает проблемы информационной безопасности интегральных микросхем зарубежного производства.

Но я бы хотел сегодня сказать немножко про другое. Я хотел бы рассказать про проблемы, связанные с экстремальной электроникой.

Дело все в том, что это специфическая задача, это дорогая задача. Но, если мы хотим обеспечить надежность и стабильность работы аппаратуры, которая работает в таких, в общем-то, экстраординарных условиях, мы должны этим делом непосредственно заниматься.

Раньше под экстремальными условиями всегда понималось то, что там высокие температуры, радиация, агрессивные среды. Да, безусловно, это есть. Но техника подошла к такой ситуации, что сейчас проявляется достаточно много эффектов, связанных именно с внутренними режимами. То есть экстремальные как раз внутренние режимы эксплуатации.

То есть это сверхвысокие частоты, необходимость коммутации достаточно большой мощности, это сверхвысокие плотности тока, сверхвысокие напряжения.

Дело все в том, что сейчас сложилась такая ситуация, что как, в общем-то, и в микроэлектронике, что, начиная с 1980 года, произошел определенный импульс в развитии такого материала, как карбид кремния.

Дело все в том, что был разработан метод выращивания объемных монокристаллов, это создало возможность разработки и создания подложек достаточно большой площади.

Но надо сказать, что, несмотря на то, что он был разработан у нас в Советском Союзе, этот метод был перехвачен, ну, а в связи с особенностями тех тенденций, которые существовали, один из разработчиков этого метода уехал в Соединенные Штаты. И была в тот период времени создана фирма «Кририсочи».

При государственных инвестициях в 10 миллионов долларов первоначально, сейчас стоимость акций этой фирмы составляет 4,5 миллиарда долларов. То есть вот такая тенденция.

И, надо сказать, основой всего этого явилась именно технология, связанная с созданием приборов на основе карбида кремния.

Второй момент. Дело все в том, что сейчас карбид кремния очень сильно интегрируется с соединениями группы А3В5, в первую очередь, с широкозонными нитридами. Это как бы вдохнуло вторую молодость в этот материал, как, в общем-то, материал не только экстремальной электроники, но и материал, который может давать возможность получать приборы с достаточно уникальными характеристиками, поскольку кристаллохимическая и термомеханическая совместимость этих материалов является идеальной.

Я хочу обратить внимание на это почему? Потому что во всех прогнозах, которые сейчас существуют, развитие, в том числе СВЧ-техники, я не говорю уже о силовой технике, которая, в общем-то, фактически может быть реализована, в первую очередь, только на карбидно-кремниевых приборах, но и там есть большие проблемы. Вот эта проблема стоит достаточно остро, и огромные вкладываются именно в это направление, с точки зрения именно инвестиций.

И третий момент, на который я хотел бы тоже обратить внимание. Дело все в том, что мы сейчас немножко забыли, говорили все время слова "полупроводниковая электр