Реферат: Tcad моделирование технологического процесса изготовления кремниевого вертикального моп-транзистора с двойной диффузией

УДК 621.382(06) Микроэлектроника

А.В. СЕДОВ, В.О. ТУРИН, А.М. ЦЫРЛОВ1

Орловский государственный технический университет

1Открытое акционерное общество "ПРОТОН", Орёл


TCAD МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО ВЕРТИКАЛЬНОГО

МОП-ТРАНЗИСТОРА С ДВОЙНОЙ ДИФФУЗИЕЙ


Проведено TCAD моделирование методом конечных элементов технологии производства кремниевого вертикального МОП-транзистора с двойной диффузией (Si-VDMOS) использующегося в оптическом реле К249КП5Р. Использование модели прибора с топологией и распределением легирующих примесей, полученными с помощью моделирования технологического процесса, повышает адекватность дальнейшего моделирования электрических характеристик прибора с использованием диффузионно-дрейфовой модели полупроводника. Получено хорошее совпадение результатов моделирования с результатами измерений.