Реферат: Конференция посвящена 50-летию создания Института физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева нан украины
Научный совет по проблеме “Физика полупроводников и полупроводниковые приборы ” при ОФА Национальной Академии Наук Украины
Министерство образования и науки Украины, Украинское физическое общество, Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины, Классический приватный университет (г. Запорожье), Запорожский национальный технический университет
ОАО «Завод полупроводников» (г. Запорожье)
П р о в о д я т
IV Украинскую научную конференцию
по физике полупроводников
(УНКФП-4)
“УНКФП-4”, Украина, Запорожье, 15 - 19 сентября 2009 р.
^ Первое информационное сообщение
Целью конференции является рассмотрение достижений и широкое обсуждение современных проблем физики полупроводников, новых физических явлений и современных технологий в этой области
^ Конференция посвящена 50-летию создания
Института физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины
Председатель конференции
Председатель научного совета по проблеме «Физика полупроводников и полупроводниковые приборы» при ОФА НАН Украины”, Директор ИФН им. В.Е.Лашкарева НАН Украины, академик НАН Украины В.Ф.Мачулин (Киев),
Зам. председателя
Первый проректор КПУ (г. Запорожье), профессор ^ Горбань А.Н.
Программный комитет
Председатель - Литовченко В.Г., чл.-кор. НАНУ (Киев)
Заместители председателя
– Беляев А.Е, чл.-к. НАНУ (Киев)
– Валах М.Я., чл.-к. НАНУ (Киев)
^ Ученый секретарь - Стронский А.В., д.ф.-м.н. (Киев)
Предварительный список тем приглашенных докладов:
Современные тенденции полупроводниковой микро- и наноэлектроники
Новые полупроводниковые технологии, кремниевые технологии
Современные проблемы кремниевых технологий
Широкозонная электроника и оптоэлектроника
Терагерцовая электроника
Фононные явления в наноструктурах
Нанотрубки, фулерены и графены
Фотонные кристаллы, нанооптика и метаматериалы
Открытые квантовые точки
Спинтроника в современной физике полупроводников
Полупроводниковые фотоприемники. Состояние и перспективы
Методы характеризации и диагностики п/п структур
^ Примечание. Список тем приглашенных докладов может быть изменен или дополнен.
Научные направления конференции:
1. Новые физические явления в объеме и на поверхности полупроводников
2. Физические явления в низко- и квантоворазмерных структурах.
3. Современные кремниевые технологии
4. Физика полупроводниковых приборов:
а) проблемные вопросы микро- и наноэлектроники, квантовые и наноструктурные приборы;
б) современные физико-технические аспекты оптоэлектронных приборов
в) сверхвысокочастотная и терагерцовая электроника
5. Материаловедение, технологии и диагностика полупроводниковых материалов.
Тезисы докладов будут изданы перед началом работы конференции.
^ Требования к тезисам
Объем тезисов: одна полная страница, приглашенные доклады – две.
Текст набирать на бумаге формата А4 с полями: левое – 3,0 см, остальные по –2,5 см в редакторе WinWord шрифтом Times New Roman. Название – жирным шрифтом 16 pt, фамилии авторов -12 pt, информация, которая касается места работы авторов и адрес – курсивом 12 pt, все по центру, текст – 14 pt. Между строками один интервал. Среди авторов подчеркнуть докладчика. Желательно его поставить на первое место, поскольку переписка будет проводиться с первым автором. Следует также прислать твердую копию тезисов в 2 экземплярах, экспертное заключение и электронную версию тезисов на дискете 3,5//, или электронной почтой. На дискете написать: Фамилию, название доклада, город. Формулы набирать в редакторе формул MS Word Equation или MathType. Все подписи в середине рисунков, а также формулы должны быть шрифтом величиной 12 pt.
Условия публикации тезисов, принятых програмным комитетом:
оплата оргвзноса (полученное Оргкомитетом подтверждение с указанием фамилии участника, докладчика);
наличие экспертного заключения для авторов из Украины (отправляйте вместе с тезисами);
полный доклад (в соответствии с принятыми тезисами).
^ От одного автора принимаются не больше трех докладов.
Просим каждого соавтора прислать заполненую регистрационную карточку.
Доклады будут опубликованы по рекомендации програмного комитета в научно-технических журналах: “Украинский физический журнал”, “Журнал физических исследований ”, “Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron.”, “Функциональные материалы”, «Технология и конструирование в электронной аппаратуре», «Фотоелектроника», «Сенсорная електроника и микросистемные технологии», «Сложные системы и процессы». После рекомендации рукописи авторам будет необходимо привести рукописи в соответствие с требованиями журналов и отправить на их адрес.
^ Рабочие языки конференции: украинский, русский, английский.
Организационный взнос за участие в конференции составляет:
для участников из Украины 300 - грн. включительно с НДС
для участников из СНГ 70- ($) (или эквивалент в гривнах)
из других государств 100- ($)(или эквивалент в гривнах)
Для членов Украинского физического общества (по предъявлению удостоверения) скидка на 20%, для аспирантов и молодых ученых (до 25 лет) – на 50 %.
Основные даты конференции:
Прием регистрационных карточек и
тезисов докладов
(для авторов из Украины - с экспертными заключениями) до 25.05.2009
Рассылка 2-го информационного сообщения участникам
и авторам принятых докладов до 01.07.2009
Прием полных докладов до.01.08.2009
Прием оргвзносов до.31.08.2009
(после 31.08.2009 сумма оргвзноса на 15% больше)
Адреса для переписки:
Отправка тезисов и регистрационных карточек:
Оргкомитет “УНКФП-4”,
Институт физики полупроводников НАН Украины
пр. Науки, 41, м. Киев, 03028, Украина
тел.: +38(044) 525 6040 Стронский Александр Владимирович
E-mail: stronski@isp.kiev.ua,
Дополнительная информация про конференцию будет размещена на веб-стр.:
http://www.web.isp.kiev.ua.........................
Локальный оргкомитет “УНКФП-4”,
Классический приватный университет
Ул.. Жуковского, 70-б, Запорожье, Украина, 69002
Тел.: +38(061) 764 4256 Горбань Александр Николаевич
E-mail: gorban@education.zp.ua
Тел. +38(061) 2209450 Левинзон Давид Иделевич
Бахрушин Владимир Евгеньевич
E-mail: Vladimir.Bakhrushin@zhu.edu.ua
^ Регистрационная карточка участника конференции “УНКФП- 4”
Фамилия___________________________________
Имя___________Отчество _____
Ученая степень _______
Ученое звание ________________
Должность________________________________________
Название организации _______________
_________________________________________________________
Адрес организации___________
_________________________________________________________
Адрес для переписки (с обязательным наличием почтового кода) _
_________________________________________________________
Телефон________Факс________________________
E-mail____________________________________________________
Название доклада__________________________________________
__________________________________________________________
__________________________________________________________
Отметьте соответствующие пункты
Я хотем бы представить доклад (тезисы прилагаю)
Я планирую приехать без доклада
Я хотел бы, чтобы мой доклад был включен в секцию:
1 2 3 4а 4б 4в 5
как устный доклад стендовый доклад*
____________________________________________________________
*Окончательное решение о форме представления доклада (устный/стендовый) будет принято программным комитетом.
еще рефераты
Еще работы по разное
Реферат по разное
Темы курсовых работ, предлагаемых кафедрой физики полупроводников студентам 2-го курса Аморфный гидрированный кремний научные проблемы и практические задачи ст н. с
17 Сентября 2013
Реферат по разное
«Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»
17 Сентября 2013
Реферат по разное
Кафедра «Физическое материаловедение и технология новых материалов» (фмтм)
17 Сентября 2013
Реферат по разное
Повышения качества работы по развитию воспитательной системы школы
17 Сентября 2013