Реферат: 4. Окислення-це: застосовується для формування маскуючого шару при локальній обробці І пасивації поверхні готової мікросхеми

1.Виробництво напівпровідникових ІМС полягає: в створенні всіх елементів і між елементних з’єднань в єдиному технологічному циклі, тобто виготовляються не окремі елементи, а конструктивно завершені пристрої, тобто інтегровані схеми. 2.Метод Чохральського-це: метод одержання монокристалів н/п з розплаву для якісної початкової кристалізації використовуючи кристали з досконалою структурою малих розмірів (затравкою). 3.Епітаксія-це: процес нарощування на підкладці шару н/п, кристалічна гратка якого є відповідним продовженням кристалічної гратки підкладки (процес орієнтованого вирощування шарів). ^ 4.Окислення-це: застосовується для формування маскуючого шару при локальній обробці і пасивації поверхні готової мікросхеми.

5.Коефіцієнт форми товстоплівкового резистора з номінальним опором 2 кОм виготовлений з пасти ПР-1К рівний: 2000/1000=2.


^ 6.Коефіцієнт дифузії залежить від: - температури; концентрації легуючої домішки, яка попередньо введена в н/п; (часу- за 2 зак. Фікса).


7.Іонна імплантація-це процес впровадження домішок, який використовується як проміжний технологічний процес перед високотемпературною дифузією, або замінює глибоку дифузію.


^ 8.В тонкоплівковій технології товщина плівки: не перевищує 1 мкм.


9.Молекулярна-променева епітаксія базується на конденсації молекулярних пучків у вакуумі і взаємодії кількох молекулярних пучків з нагрітою підкладкою.


^ 10.Якої технології виготовлення ІМС не існує (інтегровано-групова,планарна,сучасна)


11.При формуванні біполярних структур в ІМС використовують метод трафаретного друку.


12.До фізичних методів очищення належать: методи очищення вакуумних камерах безпосередньо перед напиленням.


^ 13.До хімічних методів очищення належать промивання підкладок у луних розчинах чи пральними порошками ,щоб позбутися забруднень після полірування.


14.Вибір методу очищення підкладки залежить від технологічних умов виробництва мікросхеми.


^ 15.Кількісну оцінку обробки чистоти поверхні проводять методом: краплі.


16.Катодне розпилення проводиться у тліючому розряді з допомогою діодної системи,катод якої виконаний з розпилювального матеріалу , а анод є тримачем підкладки.


^ 17.Коефіцієнт форми товстоплівкового резистора з номінальним опором 500 Ом виготовлений з пасти ПР-100 рівний: 500/100=5.


18.При виготовленні ІМС якого методу зварювання не існує: (термокомпресійний, непряме імпульсне нагрівання, ультразвуковий, з використанням подвійного електроду, точковий, лазерний,електронно-променевий, холодне, електроконтактне,жаргонно-дугове).


^ 19.Коефіцієнт форми тонкоплівкового резистора лежить в межах: 0,1 – 50.


20.Тонкоплівковий резистор має форму прямокутника, в якого L 0,1<Кф<1.

^ 21. Тонкоплівковий резистор має форму прямокутника, в якого L>B при умові, що коефіцієнт форми лежить в межах: 1<Кф<10

22. Товстоплівковий резистор має форму прямокутника, в якого L>B при умові, що коефіцієнт форми лежить в межах: 0,2 <Кф<1

^ 23. Товстоплівковий резистор має форму прямокутника, в якого L 1<Кф<6

24. Вихідними для розрахунку тонкоплівкових резисторів є:

- схемотехнічні дані – номінальне значення опору Rі [Ом]; допуск на номінал; розрахункова потужність розсіювання резистора [Вт];

- технологічні дані й обмеження – технологія нанесення плівок і формування конфігурації; точність виготовлення масок (фотошаблонів) по контурі [мкм]; помилка суміщення [мкм]; помилка напилення [мкм]; похибка питомого опору і геометричних розмірів або абсолютні середньоквадратичні відхилення питомого опору довжини і ширини 

-  експлуатаційні дані – діапазон робочих температур; тривалість роботи або збереження та ін.

^ 25. Ширина тонкоплівкового резистора визначається як :

P-потужність розсіювання в робочому режимі, Вт

P0-питома потужність розсіювання, Вт/см2

Rп-поверхневий опір на квадрат

R-опір резистора

^ 26. Площа резистора S визначається за формулою: S = lповнb.

27. Порядок розрахунку плівкового резистора залежить від: коефіцієнта форми (КФ).


^ 28. Якою буде довжина тонкоплівкового резистора, якщо R=500 Oм, питомий опір матеріалу резистивної плівки рівний 100 Ом/кв, b=25 мкм L=Кф*В; Кф=500/100=5; L=5*25=125мкм.


29. Матеріалом для тонкоплівкових елементів є: хром, ніхром, реній, тантал, нітрид танталу, кермет, сплави МЛТ-3М,РС-3001,РС-1004 та інші.

^ 30. Матеріалом для формування товстоплівкових елементів є пасти з резистивним наповнювачем(в якості наповнювачів застосовують Pd/Pdo, Pd+Ag/PdO та інші).

31. Якого методу ізоляції між елементами при виготовлені мікросхем не існує: (є три: електричний,діелектричний, комбінований).

^ 32. Коефіцієнт форми товстоплівкового резистора з номінальним опором 4,5 кОм виготовлений з пасти ПР-1к рівний: 4500/1000=4,5.

33. Порядок розрахунку плівкового резистора залежить від: коефіцієнта форми (КФ).

^ 34. Для резисторів з Кф<1 спочатку визначають: l(довжину).

35. Коефіцієнт форми тонкоплівкового резистора лежить в межах: 0,1 – 50.

36. Коеф. форми товстоплівкового резистора лежить в межах: 0,2 <Кф< 6

37. Іонно-плазмове розпилення - це універсальний метод, який дозволяє розпилювати провідні і непровідні матеріали, а також матеріали складного хімічного складу.

^ 38. Аналізуючи закони Фіка, можливо одержати дані про розподіл дифундуючої домішки напівпровідниковій пластині як в просторі, так і в часі, що є дуже важливим при розрахунку електричних характеристик елементів напівпровідникових інтегрованих схем.

^ 39. Вибір методу очищення підкладки залежить від технологічних умов виробництва мікросхеми.

40. Вихідними для розрахунку товстоплівкових резисторів є: у вихідних даних відсутні дані по точності відтворення і (використовується тільки похибка виготовлення резисторів до підгонки), а самий розрахунок геометричних розмірів роблять лише з урахуванням конструктивно-технологічних обмежень і потужності розсіювання.

^ 41. Домішкові дефекти в кристалічній ґратці поділяються на: дефекти заміщення і дефекти впровадження.

42. Епітаксія з рідкої фази - це процес для отримання плівок складних напівпровідникових зєднань.

43.Зварюванням називають технологічний процес утворення нерозємного зєднання двох матеріалів під дією тепла чи тиску або при їх спільному впливові, з використанням присадних компонентів або без них.

^ 44. Коефіцієнт старіння визначає визначає зміну ємності конденсатора, що відбувається внаслідок деградаційних явищ у плівці діелектрика за час t.

45. Кількісну оцінку обробки чистоти поверхні проводять методом краплі.

46. Метод хімічних реакцій відновлення використовується для якісного отримання епітаксій них шарів кремнію, германію і арсеніду галію.

^ 47.Метод хімічних реакцій відновлення, необхідний для якісного отримання епітаксій них шарів кремнію, германію і арсеніду галію.

48. Механізм термічного окислення полягає у інтенсивному нагріванні до високих температур. В процесі окислення з кремнієм взаємодіють молекули кисню.

^ 49.При виготовленні ІМС якого методу зварювання не існує: (є термокомпресійне, непряме імпульсне нагрівання, ультразвукове, з використанням подвійного електроду, точкове, лазерне, електро-променеве, холодне, електроконтактне,жаргонно-дугове.)

^ 50. Температурний коефіцієнт опору ТКR характеризує залежність опору провідника при його нагріванні на 1 0С.   

51. Термовакумне напилення - це процес, суть якого полягає у нагріванні речовини до температури випаровування в вакуумі і наступній конденсації атомів випаруваної речовини на підкладці, температура якої значно нижча за температуру випаровування речовини.

^ 52. Ширина тонкоплівкового резистора визначається як:

P-потужність розсіювання в робочому режимі, Вт

P0-питома потужність розсіювання, Вт/см2

Rп-поверхневий опір на квадрат

R-опір резистора

^ 53.Які є методи ізоляції між елементами при виготовленні напівпровідникових ІС: електричний, діелектричний, комбінований.

54. Які заряди виникають в окислі: рухомі іони Li+, Na+, K+. поверхневий заряд; фіксований заряд; рухомий та нерухомий заряди; заряди, захоплені пастками в обємі окислу.

^ 55.Іонна імплантація – це процес впровадження домішок в напівпровідникову пластину шляхом її бомбардування іонами домішки, який використовується як проміжний технологічний процес перед високотемпературною дифузією або замінює глибоку дифузію.

^ 56.Виробництво напівпровідникових ІМС полягає у створенні всіх елементів і міміжелементних зєднань в єдиному технологічному циклі, тобто виготовляються не окремі елементи, а конструктивно завершені пристрої, тобто інтерновані схеми.

^ 57. Епітаксія з рідкої фази - це процес для отримання плівок складних напівпровідникових зєднань.

58. Метод хімічних реакцій відновлення використовується для якісного отримання епітаксій них шарів кремнію, германію і арсеніду галію.

^ 59. Механізм термічного окислення полягає у інтенсивному нагріванні до високих температур. В процесі окислення з кремнієм взаємодіють молекули кисню.

60.Молекулярна-променева епітаксія базується на конденсації молекулярних пучків у вакуумі і взаємодії кількох молекулярних пучків з нагрітою підкладкою.

^ 61. Літографія - це процес створення захисної маски необхідної при формуванні ІМС для локальної обробки за планарною технологією.

62. Основний процес при одержанні епітаксійних шарів: автоепітаксія, гетероепітаксія  ???

63. Основні дефекти в епітаксійних шарах: тераси, дефекти упаковки в процесі росту, порушена і неправильна структура, дислокації, внутрішні механічні напруги.

^ 64.  При формуванні біполярних структур в ІМС використовуються метод трафаретного друку.

65. Для математичного опису механізму окислення використовують модель Діла-Гроува, яка експериментально перевірена для процесу термічного окислення в сухому або вологому кисні.

^ 66. Інтегральна мікросхема – мікросхема, ряд елементів якої нероздільно виконані і мають електричні з’єднання між собою таким чином, що з точки зору тех.. вимог, досліджень, споживання та експлуатації можна розглядати як єдине ціле.

^ 67. Елемент ІМ – частина ІМ, яка реалізує функцію будь-якого електрорадіоелемента і виконана нероздільно від кристалу.

68. Компонент ІМ – частина ІМ, яка реалізує функцію будь-якого електрорадіоелемента, котра може бути виділена як самостійний виріб з точки зору вимог до випробувань, приймання, поставки та експлуатації.

^ 69. Напівпровідникова ІМ – це ІМ, всі елементи якої, та між елементні з’єднання виконані в об’ємі чи на поверхні напівпровідникового матеріалу.

70. Плівкова ІМ – це ІМ, всі елементи якої та міжелементні з’єднання виготовлені у вигляді плівок.

71. Гібридна ІМ – це ІМ, яка містить крім елементів компоненти (або) і кристали.

^ 72. Аналогова ІМ – це ІМ, яка призначена для перетворення та опрацювання сигналів, які знімаються по закону неперервної функції.

73. Цифрова ІМ – це ІМ, яка призначена для обробки сигналів, які змінюються за законом дискретної функції.

74. Корпус ІМ - це частина конструкції ІМ, яка призначена для її захисту від зовнішніх дій і для з’єднання її із зовнішніми електричними колами з допомогою виводів.

^ 75. Напівпровідникова пластина –заготовка з напівпровідникового матеріалу, яка призначена для виготовлення напівпровідникових ІМ.

76. Кристал ІМ - це частина напівпровідникової пластини в об’ємі і на поверхні якої сформовані елементи напівпровідникової ІМ, між елементні з’єднання і контактні площадки.

^ 77. Базовий кристал ІМ - частина напівпровідникової пластини з визначеним набором сформованих елементів, в тому числі електрично з'єднаних між собою, яка використовується для створення ІМ шляхом виготовлення між елементних з'єднань.

^ 78. Базовий матричний кристал ІМ – базовий кристал ІМ з регулярним в вигляді матриці розташуванням базових комірок.

79. Базова комірка кристалу ІМ – сукупність не з’єднаних або з’єднаних між собою елементів, які є основою для побудови базового кристалу ІМ.

^ 80. Функціональна комірка базового кристалу – сукупність елементів базового кристалу, які електрично зв’язані в межах однієї чи кількох базових комірок для реалізації одноєї чи кількох самостійних функцій.

^ 81. Контактна площадка ІМ – металізована ділянка на підкладці, кристалі чи корпусі ІМ, яка служить для приєднання виводів компонентів та кристалів, перемичок, а також для контролю її електричних параметрів та режимів.

^ 82. Безкорпусна ІМ – кристал ІМ, який призначений для монтажу в гібридну ІМ чи мікрозбірку.

83. Вивід безкорпусної ІМ – провідник, який з’єднаний з контактною площадкою ІМ і призначений для електричного з’єднання з зовнішніми електричними колами.

^ 84. Вільний вивід ІМ – вивід ІМ, який немає внутрішнього з’єднання, та може використовуватися в якості опорного контакту для зовнішнього монтажу, не впливаючи на роботу ІМ.

^ 85. Щільність упаковки ІМ – це відношення суми елементів ІМ, або елементів, які входять в склад компонентів до об’єму ІМ.

86. Степінь інтеграції ІМ – це показник степеня складності ІМ, який характеризується числом елементів і (або) компонентів, що містяться в ній.

87. Мала ІМ – ІМ, яка містить до100 елементів і (чи) компонентів включно.

88. Середня ІМ – ІМ, яка містить від 100 до 1000 елементів і (чи) компонентів для цифрових ІМ і понад від 100 до 500 для аналогових ІМ.

89. Велика ІМ – ІМ, яка містить понад 1000 елементів і (чи) компонентів для цифрових ІМ і понад 500 для аналогових ІМ.

90. Надвелика безкорпусна ІМ – ІМ, яка містить понад 100000 елементів і (чи) компонентів для цифрових ІМ з нерегулярною структурою побудови і понад 10000 – для аналогових ІМ.1>