Реферат: Xxxviii международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и утс, 14 18 февраля 2011 г. Численное моделирование процесса напыления

XXXVIII Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и УТС, 14 – 18 февраля 2011 г.



ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА НАПЫЛЕНИЯ
ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК МЕТОДАМИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ
Иванов А.В., *Гусев Е.П., *Жданов С.А., *Хилков С.А.

ИПМ им. М.В. Келдыша РАН, Москва, РФ, aivanov@keldysh.ru
*МФТИ (НИУ), г. Долгопрудный, РФ

Тонкие магнитные пленки являются основой для построения различных устройств микроэлектроники. Методы молекулярной динамики [1] позволяют моделировать различные аспекты напыления тонких магнитных пленок, что может иметь как фундаментальное, так и прикладное значение.

Каждая частица моделируемой системы характеризуется координатой, импульсом и магнитным моментом. Взаимодействие частиц описывается потенциалом Леннарда-Джонса. Эволюция магнитных моментов частиц описывается уравнением Ландау-Лифшица. В эффективном магнитном поле учитывается взаимодействие с внешним однородным магнитным полем и обменное взаимодействие с феноменологической зависимостью обменного интеграла от расстояния.

Моделируется небольшой (десятки периодов кристаллической решетки) участок напыляемой пленки, в плоскости пленки заданы периодические граничные условия. На верхней границе моделируемой области расположен источник напыляемых частиц, на нижней границе расположена подложка в виде диатомного слоя. Частицы подложки находятся в термостате — в уравнения движения добавлены случайный источник и модельная вязкость, обеспечивающие релаксацию к равновесному распределению Максвелла-Больцмана с заданной температурой [2].

Модель реализована в виде высокопроизводительного программного комплекса на языках C++ и Python. Для увеличения производительности и создания внутреннего параллелизма, необходимого для запуска расчетов на многопроцессорных вычислительных системах, в алгоритме использован слой Верле, при этом в счетной области вводятся две сдвинутых на пол-ячейки подрешетки, с размером ячейки отвечающим радиусу обрезания потенциала межчастичного взаимодействия.

Построенная модель протестирована на ряде тестовых задач. Обнаружена существенная зависимость эффективности напыления от величины внешнего магнитного поля, температуры и энергии частиц источника, что потенциально открывает возможность управления послойным напылением магнитными пленками для антиферромагнетиков.

Литература

D. C. Rapaport (1996) The Art of Molecular Dynamics Simulation.

Иванов А.В. Кинетическое моделирование динамики магнетиков // Математическое моделирование. --- 2007. --- Т.19,№10.---С.89-104