Реферат: Избранных схем электроники редакция литературы по информатике и электронике

Матью Мэндл


200 ИЗБРАННЫХ СХЕМ ЭЛЕКТРОНИКИ

Редакция литературы по информатике и электронике

© 1978 Prentice-Hall, Inc.

© перевод на русский язык, «Мир», 1985, 1980

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА

Данное пособие, в котором содержатся все основные схемы электроники, рассчитано на весьма многочисленную читатель­скую аудиторию. Круг потенциальных читателей книги не огра­ничивается студентами, техниками и инженерами, работающими в областях радиотехники, электроники, автоматики и смежных областях. Ввиду глубокого и широкого проникновения методов и средств современной радиотехники и электроники практиче­ски во все сферы человеческой деятельности книга будет поль­зоваться спросом у специалистов, занятых в самых различных областях науки и техники, у студентов разных специальностей и огромной армии радиолюбителей.

Такая направленность издания и определила ряд его отли­чительных особенностей. Так, изложение принципов построения схем и описание их работы базируются главным образом на чи­сто качественных представлениях, иллюстрируемых в некото­рых случаях временными или векторными диаграммами. При­водимые в книге формульные соотношения даются без выводов, но с пояснением их использования на практике. Описание схем является в большинстве случаев весьма кратким. Благодаря этому в книге небольшого объема удалось собрать не только ос­новные (базовые) схемы, но и их разновидности.

Автор стремился возможно проще, с ориентацией на практи­ческое использование преподнести основные свойства и характе­ристики схем. Рассмотрение схем проводится обычно в следую­щем порядке: назначение схемы, принципы ее построения и ра­боты, основные характеристики и соотношения параметров схе­мы и отличительные особенности последних. Большое количест­во иллюстративного материала относится к узлам аппаратуры цветного и черно-белого телевидения.

Условные изображения некоторых элементов и схем в книге отличаются от принятых в советской литературе. Однако зна­комство наших читателей с символикой, применяемой в иност­ранной литературе, полезно. Интерес представляют приводимые в книге аббревиатуры (мы старались их отразить в указателе терминов), а также словарь терминов по радиоэлектронике. При переводе книги и толковании некоторых понятий внесены изменения с учетом принятых у нас представлений. Подробно составленное оглавление и предметный указатель облегчают нахождение нужного материала в книге.

Перевод книги выполнен В. И. Ворониным и Н. Я. Щерба­ком.


^ Я. С. Ицхоки


ПРЕДИСЛОВИЕ

Книга дает возможность читателю получить сведения о 200 базовых схемах, применяемых во всех областях электроники. Необходимые данные по определенному типу схемы (например, усилители, генераторы) можно найти, обратившись к предмет­ному указателю. Приводятся принципы построения каждой схе­мы, поясняются выполняемые ею функции. Рассматриваются разновидности многих схем и особенности их применения в раз­личных устройствах. В тех случаях, когда несколько схем вы­полняют схожие функции или характеристики схем частично со­впадают, в тексте даются перекрестные ссылки.

Излагаются принципы модуляции и демодуляции сигналов и формирования колебаний специальной формы. Обсуждаются особенности построения схем как на биполярных, так и на по­левых транзисторах (с затвором на р — n-переходе и с изолиро­ванным затвором). Описываются интегральные схемы, схемы типа металл — окисел — полупроводник на дополняющих тран­зисторах, схемы инжекционного типа и др.

В настоящем, дополненном и исправленном издании приве­дено значительно большее количество схем на полупроводни­ковых приборах, чем в предыдущем, изменены некоторые ил­люстрации и добавлены новые. В соответствии с принятыми международными стандартами изменены некоторые символы, термины и аббревиатуры. Расширен словарь, содержащий тер­мины и выражения, наиболее употребительные в области радио­электроники.

Таким образом, студенты, техники и инженеры могут найти в книге дополнительные сведения об электронных схемах, ко­торые будут полезны при изучении и анализе схем, а также справочные данные, необходимые в практике проектирования и монтажа схем. Если в процессе проектирования, анализа или модификации схемы требуется определить величины различных параметров, можно воспользоваться приведенными в книге уравнениями, выражающими основные зависимости между па­раметрами схемы.


М. Мэндл


Глава 1


^ УСИЛИТЕЛИ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ И ВИДЕОУСИЛИТЕЛИ


1.1. Усилители с общим эмиттером и общим истоком


Усилители содержат транзисторы, а также такие элементы, как резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности. Пара­метры используемых элементов (их номиналы и напряжения) зависят от требований, предъявляемых к усилителю, а также от типа применяемых транзисторов. С появлением транзисторов различных типов стали возможны новые конфигурации схем усилителей. В биополярном р — n — р- или n — р — n-транзисторе создаются чередующиеся в определенном порядке области с различным видом проводимости, образующие базу, эмиттер и коллектор. Транзистор называется биполярным, поскольку пе­ренос зарядов в нем осуществляется как электронами, так и дырками. В полевых же (униполярных) транзисторах заряды переносятся носителями одного вида: либо электронами, либо дырками. Полевые транзисторы (ПТ) имеют три области, на­зываемые затвором, истоком и стоком, В зависимости от вида используемых носителей различают два типа полевых транзи­сторов: р- и я-канальные. Разным типам транзисторов соответ­ствуют различные характеристики, описываемые более подроб­но в этом разделе.

Наиболее распространенная схема построения усилителя на биполярном транзисторе — схема с общим (заземленным) эмит­тером (ОЭ); варианты таких схем показаны на рис. 11.1. Термин «общий эмиттер» указывает на то, что в соответствующей схе­ме сопротивление между выводом эмиттера и землей для сиг­нала мало, но из этого не следует, что оно во всех случаях ма­ло и для постоянного тока. Так, например, в схемах показан­ных на рис. 1.1, а и б, эмиттеры непосредственно заземлены, а в схеме на рис. 1.1, в между эмиттером и землей включено сопро­тивление, зашунтированное конденсатором. Поэтому, если ре­активное сопротивление этого конденсатора для сигнала мало, можно считать, что для сигнала эмиттер практически заземлен.

Для работы в классе А (разд. 1.4) напряжение смещения между базой и эмиттером должно быть прямым (отпирающим), а между коллектором и эмиттером — обратным (запирающим). Для получения такого смещения полярности источников пита­ния выбирают в зависимости от типа используемого транзисто­ра. Для транзистора р — n — р-типа (рис. 11 Л, а) плюс источника смещения должен быть подключен к эмиттеру р-типа, а ми­нус — к базе я-типа. Таким образом, прямое смещение получа­ется при отрицательном потенциале базы относительно эмитте­ра. Для обратного смещения коллектора р-типа его потенциал должен быть отрицательным. Для этого источник питания под­ключается положительным полюсом к эмиттеру, а отрицатель­ным к коллектору.

Входной сигнал создает на резисторе R1 падение напряже­ния, которое алгебраически складывается с постоянным смещающим напряжением. В результате этого суммарный потенци­ал базы изменяется в соответствии с сигналом. С изменением потенциала базы меняется ток коллектора, а следовательно, и напряжение на резисторе R2. При положительной полуволне входного напряжения прямое смещение уменьшается и ток че­рез R2 соответственно уменьшается. Падение напряжения на R2 также уменьшается, в результате чего между входным и вы­ходным сигналами образуется сдвиг фаз в 180°.

Если используется транзистор n — р — n-типа (рис. 1.1,6), то полярность обоих источников питания меняется на обратную. При этом базовый переход также оказывается смещенным в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как и в предыдущем случае, между входным и выходным сигналами образуется сдвиг фаз в 180°.

На рис. 1.1,а и б изображены основные элементы усилителя, а схема усилителя, применяемая на практике, приведена на рис. 1.1,6. Здесь конденсатор С1 не пропускает постоянной со­ставляющей входного сигнала, но имеет малое реактивное со­противление для его переменной составляющей, которая таким образом поступает на резистор R2. (Это так называемая RC-связь; более подробно она описана в разд. 1.5). Напряжение прямого смещения базы поступает с делителя напряжения Ri — R2, который подключен к источнику питания. Нужная вели­чина прямого смещения базы транзистора получается при над­лежащем выборе отношения величин сопротивлений R1 и R2. При этом в транзисторе n — р — n-типа потенциал базы устанав­ливают более положительным, чем эмиттер. Коллекторный ре­зистор, на котором образуется выходной сигнал, обычно назы­вают резистором нагрузки и обозначают Rн. Через разделитель­ный конденсатор С3 сигнал поступает на следующий каскад. Входные и выходные цепи должны иметь общую заземленную точку (рис. 1.1, а).

Коэффициент усиления тока базы для схемы с ОЭ задается следующим соотношением:

(1.1)

где р — коэффициент усиления тока базы;

ДIб — приращение тока базы; ДIк — соответствующее приращение тока коллектора при-

Uкэ = const.



^ Рис. 1.1. Схемы с общим эмиттером.


Таким образом, р равно отношению приращения коллектор­ного тока к соответствующему приращению базового тока прк постоянном коллекторном напряжении. Коэффициент усиление сигнального тока также называют коэффициентом прямой пере­дачи тока [При достаточно большой величине сопротивления R2 переменная состав­ляющая сигнального тока практически равна переменной составляющей тока базы. — Прим. ред.]

Резистор R3 (рис. 1.1,5) оказывает стабилизирующее дейст­вие на ток транзистора при изменении температуры. Падение напряжения на R3 создает обратное (запирающее) смещение эмиттерного перехода транзистора, так как оно повышает по­тенциал эмиттера. Следовательно, оно уменьшает положитель­ное прямое смещение базы на величину этого падения напря­жения. Присутствие переменной составляющей напряжения на Rз вызвало бы уменьшение выходного сигнала и, следователь­но, коэффициента усиления усилителя (см. разд. 1.8). Для устранения этого эффекта резистор Rз шунтируют конденсато­ром С2.

При нагреве транзистора постоянная составляющая тока коллектора возрастает. Соответственно возрастает и падение напряжения на Rz, что приводит к уменьшению прямого смеще­ния базы, а также тока коллектора. В результате осуществля­ется частичная компенсация температурного дрейфа тока.


^ Рис. 1.2. Схемы с общим истоком

На рис. 1.2 показана схема усилителя на полевом транзи­сторе, эквивалентная схеме с ОЭ, которая называется схемой с общим истоком. В этой схеме затвор соответствует базе би­полярного транзистора, исток — эмиттеру, а сток — коллектору. На схеме 1.2, а показан ПТ с каналом n-типа. Для транзистора с каналом р-типа стрелка на затворе будет направлена в про­тивоположную сторону. На рис. 1.2, б также показан транзи­стор с каналом д-типа, а на рис. 1.2, в — с каналом р-типа.

Цепи смещения ПТ отличаются от цепей смещения бипо­лярных транзисторов вследствие существенного различия ха­рактеристик этих приборов. Биполярные транзисторы являются усилителями сигнального тока и воспроизводят на выходе уси­ленный входной сигнальный ток, в то время как в полевых транзисторах выходным сигнальным током управляет приложен­ное ко входу напряжение сигнала.

Существуют два типа ПТ: с управляющим р — n-переходом и металл — окисел — полупроводник (МОП). (МОП-транзи­сторы называют также полевыми транзисторами с изолирован­ным затвором.) Полевые транзисторы обоих типов изготовляют с n- и р-каналами.

В схеме на рис. 1.2, а используется ПТ с управляющим р — я-переходом, а в схеме на рис. 1.2, б — МОП-транзистор, ра­ботающий в режиме обогащения. На рис. 1.2, в изображен МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения. У МОП-транзисторов затвор изображается как бы в виде обкладки конденсатора, что символизирует емкость, возникающую в ре­зультате формирования очень тонкого слоя окисла, изолирую­щего металлический контакт вывода затвора от канала. (От этого способа производства и произошел термин «МОП-тран­зистор».)

Поскольку ПТ управляются напряжением входного сигнала, а не током, как биполярные транзисторы, параметр «коэффи­циент усиления» сигнального тока заменяется передаточной проводимостью gm. Передаточная проводимость является мерой качества полевого транзистора и характеризует способность на­пряжения затвора управлять током стока. Выражение для пе­редаточной проводимости выглядит следующим образом:

(1.2)

Единица измерения gm, называемая сименсом, есть величина, обратная единице измерения сопротивления (1 См=1/Ом). Как следует из выражения (1.2), параметр gm для ПТ есть отноше­ние приращения тока стока к приращению напряжения затвора при постоянной величине напряжения между истоком и стоком.

В полевом транзисторе с управляющим р — n-переходом и ка­налом n-типа (рис. 1.2,а) при поступлении отрицательного на­пряжения на затвор происходит обеднение канала носителями зарядов и проводимость канала уменьшается. (Для ПТ с кана­лом р-типа проводимость уменьшается при действии положи­тельного напряжения на затвор.) Поскольку однопереходный по­левой транзистор имеет только две зоны с разными типами прово­димости (выводы истока и стока подключены к одной зоне, а вы­вод затвора — к другой), проводимость между истоком и стоком того же типа, что и проводимость канала. Следовательно, в отли­чие от биполярного транзистора, у которого при UQ3 = 0 ток кол­лектора равен 0, ток канала может протекать даже при нулевом напряжении затвор — исток. Поскольку ток канала это функция напряжения Uзи, канал полевого транзистора с управляющим р — n-переходом может проводить ток в обоих направлениях: от истока к стоку и в обратном направлении (у биполярного транзистора ток коллектора в рабочем режиме имеет всегда одно направление). При этом рабочая точка (например, для схем класса А) для таких транзисторов устанавливается путем подачи напряжения обратного смещения затвора в отличие от прямого смещения базового перехода в биполярных транзи­сторах [В транзисторе с управляющим р — n-переходом обычно подается запи­рающее напряжение U8и на переход (отрицательное для n-канала) и макси­мальный ток в канале получается при U3и = 0. Направление тока в канале за­висит от полярности источника питания, подключенного к каналу; при изме­нении полярности источника питания вывод, бывший стоком, становится исто­ком и наоборот. — Прим. ред.].

Как было отмечено выше, затвор в МОП-транзисторах изо­лирован от канала диэлектриком, например двуокисью крем­ния (SiO2). При этом затвор имеет очень высокое входное со­противление и на него может подаваться как прямое смещение для обогащения канала носителями (что будет увеличивать про­ходящий ток), так и обратное смещение для обеднения канала носителями (что уменьшает ток канал а). Поэтому возможно из­готовление двух различных типов МОП-транзисторов: для ра­боты в обогащенном и обедненном режимах (здесь имеются в виду МОП-транзисторы с встроенным каналом).

В МОП-транзисторе обедненного типа имеется ток стока при нулевом смещении на входе. Напряжением обратного сме­щения ток стока уменьшают до некоторой величины, зависящей от требуемого динамического диапазона входного сигнала. Как показано на рис. 1.2,6, у транзисторов обедненного типа линия, изображающая канал, непрерывная, что означает наличие замк­нутой цепи и протекание тока в канале (тока стока) при нуле­вом смещении затвора.

В МОП-транзисторах обогащенного типа ток стока при ну­левом смещении мал. Напряжением смещения ток стока увели­чивают до некоторой величины, зависящей от динамического диапазона входного сигнала. У МОП-транзисторов обогащен­ного типа линия, изображающая канал, прерывистая, что сим­волизирует как бы разрыв цепи при нулевом смещении. Для того чтобы увеличить ток до величины, необходимой для нор­мальной работы такой схемы, как усилитель, нужно использо­вать соответствующее смещение.

Рабочие характеристики схем, изображенных на рис. 1.Д аналогичны характеристикам схем, представленных на рис. 1.11. Схема на рис. 1.2, в наиболее пригодна для практического ис­пользования. Как и в ранее рассмотренном случае, имеет место инверсия фазы между входным и выходным сигналами. Напря­жение источника питания обычно обозначают Ес. Для того что­бы уменьшить падение напряжения сигнала на внутреннем со­противлении источников питания и смещения, их шунтируют емкостями соответствующей величины (рис. 11.2, а). Через эти емкости замыкаются токи сигнала цепей затвора и стока.


1.2. Усилители с общей базой и общим затвором


На рис. 1.3 приведен другой используемый вид схем усили­телей на биполярных и полевых транзисторах. На рис. 1.3, а по­казана схема транзисторного усилителя с общей базой (ОБ); здесь вывод базы присоединен к земле (в отношении перемен­ной составляющей сигнала это может быть осуществлено при помощи RС-цепочки, как показано на рис. 1.2,6). В схеме, изо­браженной на рис. 11.3, а, входной сигнал прикладывается меж­ду эмиттером и базой, а выходной сигнал снимается с сопро­тивления RK, по которому течет ток коллектора.

Достоинством схемы с ОБ является хорошая развязка меж­ду входной и выходной цепями, что особенно существенно для высокочастотных (ВЧ) схем, в которых внутренняя обратная связь должна быть минимальной. (Упомянутая обратная связь рассмотрена более подробно в разд. 1.12.) Заметим, что в схе­ме на рис. 1.3, а используется n — р — n-транзистор, а прямое смещение на входе и обратное на выходе создаются при помо­щи источников питания, включенных надлежащим образом.

На рис. 1.3, б показана схема усилителя на ПТ, аналогичная схеме усилителя на биполярном транзисторе, изображенной на рис. 11.3, а. В схеме используется полевой транзистор с каналом р-типа и, как описывалось в разд. 1.1, на входе создается обрат­ное смещение вместо прямого. Такую схему называют схемой с общим (заземленным) затвором. Применяемый на практике ва­риант схемы на МОП-транзисторе приведен на рис. 1.3, в. Со­кращенным словом «Подл» обозначен дополнительный вывод подложки, присоединенный к основанию пластины, используе­мой в процессе изготовления транзистора. Иногда для обозна-нения затвора применяют символы з1 и з2.



Рис. 1.3. Схемы с общей базой и общим затвором.


Коэффициент усиле­ния сигнального тока для схемы с общей базой можно полу­чить, если приращение выходного сигнального тока разделить на приращение входного сигнального тока. Коэффициент уси­ления по току для схемы с общей базой а определяется выра­жением

(1.3)

где АIк — приращение коллекторного тока и ДIэ — приращение эмиттерного тока.

Коэффициент a называется коэффициентом прямой передачи тока.

В схемах, показанных на рис. 11.3, не происходит поворота фазы сигнала на 180°, как это имело место в схемах с зазем­ленным эмиттером или истоком. Например, в схеме, приведен­ной на рис. 1.3, а, положительная полуволна входного сигнала уменьшает прямое смещение эмиттерного перехода, что приво­дит к уменьшению тока коллектора. Поэтому падение напряже­ния на Ru уменьшится Так как это падение напряжения прило­жено минусом к выводу коллектора и плюсом к источнику пи­тания, то напряжение коллектора станет менее отрицательным. Следовательно, положительной полуволне входного напряжения соответствует положительная полуволна выходного напряжения.


^ 3.3. Усилители с общим коллектором и общим стоком


В схеме, показанной на рис. 1.4, а, коллектор для перемен­ной составляющей сигнала заземлен. Поэтому данную схему можно рассматривать как схему с общим (заземленным) кол­лектором (ОК). Обычно эту схему называют эмиттерным повто­рителем (ЭП). Схема полезна, когда нужно понизить выходное сопротивление каскада: выходное сопротивление ЭП во много раз меньше его высокого входного сопротивления. Эмиттерный повторитель может заменить согласующий трансформатор. При этом снижается стоимость производства, уменьшаются габари­ты устройства и ослабляется влияние шунтирующих паразит­ных емкостей.

В схемах, показанных на рис. 1.4, не происходит поворота фазы выходного сигнала относительно входного; при этом ве­личина напряжения выходного сигнала примерно равна величи­не напряжения входного сигнала, поэтому эти схемы и называ­ют повторителями. Аналогичная схема усилителя на полевом транзисторе приведена на рис. l.4, б; она называется потоковым. повторителем или схемой с общим (заземленным) стоком. Схе­ма повторителя, используемая на практике, изображена на рис. 1.4, в. Она включает входную и выходную разделительные ем­кости, а также выводы заземления входной и выходной цепей. Предполагается, что в схемах, изображенных на рис. 1.4, бив, вывод стока заземлен для сигнала либо шунтирующей емко­стью, как показано на рис. l.4, а, либо емкостью фильтра источ­ника питания.



Рис. 1.4. Схемы эмиттерного и истокового повторителей.


Аналогично вывод резистора R1 (рис. 1.4, а — в), подключае­мый к источнику смещающего напряжения, заземлен либо ем­костью фильтра источника, либо дополнительной шунтирующей емкостью. Так как сопротивление цепи затвора МОП-транзистора очень высоко, входное сопротивление истокового повторите­ля на таком транзисторе практически равно Rь

В эмиттерных и истоковых повторителях коэффициент уси­ления по напряжению всегда меньше единицы, хотя при этом коэффициент усиления по току, как правило, значительно боль­ше единицы. Эти схемы в основном применяются для согласо­вания входных и выходных импедансов в цепях передачи сиг­налов, а также для развязки между каскадами. В последнем случае повторители используются как буферные каскады.


^ 1.4. Классификация усилителей


Усилители в электронике предназначаются для усиления на­пряжения или мощности сигнала до уровня, который требуется для нормальной работы подключенного к усилителю устройст­ва: следующего каскада усилителя, громкоговорителя, записы­вающей головки и т. п. Усилители подразделяются на усилите­ли, напряжения и усилители мощности, а также на усилители малых и больших сигналов. В зависимости от частоты усили­ваемых сигналов и выполняемой функции их называют усилителями низкой частоты (УНЧ), усилителями промежуточной ча­стоты (УПЧ), усилителями радио- или высокой частоты (УВЧ) и т. д.

Усилители также различают по их рабочим характеристи­кам, зависящим от режима работы, — от соотношения между уровнем установленного напряжения смещения и амплитудой входного сигнала. В этом смысле различные классы усилителей обозначают символами А, АВЬ АВ2) В и С. В ламповых усили­телях эти символы указывали режимы работы с сеточными токами и без них. Так, символ ABi означал, что потенциал сет­ки в процессе работы всегда отрицателен по отношению к ка­тоду, а символ АВ2 указывал на то, что при максимальном; входном сигнале потенциал сетки мог быть умеренно положи­тельным. В основном эта классификация сохранена и для тран­зисторных усилителей, но здесь определяющим признаком яв­ляется относительная величина амплитуды входного сигнала.

Усилители низкой частоты класса А могут быть однотакт-ными (на одном транзисторе) или двухтактными (на двух тран­зисторах). Усилители НЧ класса ABi предпочтительнее соби­рать по двухтактной схеме. Что касается усилителей классов-АВ2 и В, то их необходимо выполнять по двухтактной схеме для снижения нелинейных искажений до допустимого уровня.

Усилители высокой частоты всех классов могут быть как одно-, так и двухтактными, поскольку резонансные цепи таких усилителей хорошо подавляют гармонические составляющие, лежащие вне полосы пропускания усилителей.

В усилителях класса А рабочая точка транзистора устанав­ливается примерно в середине линейной части линеаризован­ных выходных характеристик транзистора. (Рабочая точка оп­ределяет ток транзистора при отсутствии сигнала. — Прим.. ред.) Амплитуда входного сигнала не должна превышать уров­ня, при котором изображающая точка усилителя заходит в не­линейные (искривленные) области выходных характеристик транзистора. В этом случае нелинейные искажения минималь­ны и форма выходного сигнала наиболее близка к форме сиг­нала на входе. Усилитель класса А потребляет ток даже при отсутствии входного сигнала. Поэтому к. п. д. усилителя (отно­шение мощности выходного сигнала к потребляемой мощности) низок и в большинстве случаев составляет 20 — 25% при макси­мальном сигнале. Таким образом, по сравнению с другими ти­пами усилителей усилители класса А имеют малые нелинейные искажения и небольшую выходную мощность.

Если амплитуда входного сигнала настолько велика, что изображающая точка усилителя достигает границ областей отсечки и насыщения, полагают, что усилитель работает в ре­жиме класса АВ,. К. п. д. усилителя класса ABt достигает 35% (он зависит от величины напряжения смещения, амплитуды входного сигнала и усилительных свойств транзистора). Если же при наибольшей амплитуде входного сигнала изображаю­щая точка незначительно заходит в области отсечки и насыще­ния, то такой режим работы соответствует режиму работы уси­лителя класса АВ2. В усилителях класса АВ2 (обычно также и класса ABi) напряжение смещения устанавливают таким, что-бы рабочая точка на выходных характеристиках транзистора находилась посредине между напряжениями отсечки и насыще­ния транзистора. К. п. д. усилителя класса АВ2 колеблется от 35 до 50%, причем, как и в усилителях класса АВ1, к. п. д. за­висит от величины напряжения смещения, характеристик вы­бранного транзистора и амплитуды сигнала. Нелинейные иска­жения в усилителях класса ABj, и особенно класса АВ2, выше, чем в усилителях класса А, поскольку в них в процессе работы изображающая точка заходит в нелинейные участки характери­стик транзисторов.

В усилителях класса В напряжение смещения устанавлива­ется равным или почти равным напряжению отсечки. Следова­тельно, в однотактном усилителе такого типа усиливается толь­ко одна (отпирающая) полуволна переменного входного сиг­нала, так как при другой (запирающей) полуволне изобража­ющая точка попадает в зону отсечки; при отпирающей полу­волне сигнала эмиттерный переход находится в состоянии про­водимости. Поэтому для усиления всего входного сигнала не­обходимо использовать двухтактную схему построения усили­теля. В усилителях же высокой частоты запирающая полуволна сигнала воспроизводится благодаря колебательным свойствам резонансных цепей. Следовательно, в этом случае можно при­менять и однотактные усилители, хотя предпочтение отдается двухтактным каскадам (см. разд. 1.11).

В хорошо сбалансированном двухтактном усилителе класса В нелинейные искажения могут быть снижены до уровня, срав­нимого с уровнем искажений в усилителе класса АВ2. При максимальном входном сигнале к.п. д. усилителя класса В со­ставляет 60 — 70%; при этом достигается также хороший коэф­фициент усиления по мощности.

Характеристики усилителей класса С таковы, что их приме­няют только в ВЧ-усилителях мощности, преимущественно в каскадах передатчиков. Надлежащим смещением рабочая точ­ка устанавливается ниже уровня отсечки тока транзистора. Так как напряжение смещения может быть в два или три ра­за больше напряжения отсечки, то на вход усилителя следует подавать сигнал большой амплитуды. Поскольку напряжение смещения больше напряжения отсечки, коллекторный ток течет лишь в течение части полупериода входного сигнала.

Поэтому к.п.д. такого усилителя высок и может достигать 90%. Величина к.п.д. зависит от типа используемого мощного тран­зистора, величины управляющего сигнала и постоянных напря­жений, определяющих режим работы усилителя.

В ВЧ-усилителях класса С обычно применяются резонанс­ные LC-цепи. При максимальном токе сопротивление коллек­торного перехода транзистора мало, в то время как сопротив­ление параллельного колебательного контура при резонансе велико. Поэтому большая часть энергии выделяется в колеба­тельном контуре, а потери энергии малы, что обеспечивает вы­сокий к.п.д. усилителя класса С.


^ 1.5. Типы связи между каскадами


Каскады усилителей низкой частоты можно соединять при помощи конденсаторов, трансформаторов или непосредствен­ным образом. На рис. 1.5 показана типичная RC-связъ между каскадами. Здесь выходной сигнал транзистора Т1, действую­щий на резисторе Rz, поступает на вход базы транзистора Т2 следующего каскада через разделительный конденсатор С5, об­ладающий малым реактивным сопротивлением. Этот конденса­тор не пропускает постоянной составляющей напряжения и тем самым предотвращает нарушение режима по постоянному току следующего каскада. На Т1 входной сигнал поступает также через конденсатор.



Рис. 1.5. RC связь между каскадами.



Рис. 1.6. Усилитель постоянного тока на транзисторах с проводимостью разного типа.


Емкость конденсатора С5 должна быть достаточно большой, чтобы этот элемент представлял собой малое реактивное сопро­тивление для передаваемого сигнала. Так как реактивное со­противление конденсатора с понижением частоты сигнала воз­растает, емкостная связь вызывает неравномерность усиления в тех случаях, когда передаваемый сигнал содержит широкий спектр частот (спектр звуковых частот лежит в диапазоне при­мерно 30 Гц — 15 кГц). Желательно, чтобы реактивное сопро­тивление конденсатора Сз было в два (или более) раза меньше сопротивления резистора R4. Заметим, что конденсатор С5 со­единен последовательно с резистором R4, другой вывод которо­го заземлен для сигнала через конденсатор С4. Таким образом, выходной сигнал транзистора Т1 передается на базу транзисто­ра Т2 через цепочку, составленную из конденсатора С5 и рези­стора R4, причем на базу поступает только часть передаваемо­го напряжения, которая падает на R4. Следовательно, чем мень­ше реактивное сопротивление конденсатора Сз по сравнению с сопротивлением R4, тем большая часть сигнала поступает на вход транзистора Т2.

В усилителях с непосредственной связью вспомогательные элементы (разделительные конденсаторы или трансформато­ры) не используются. В таких усилителях выход одного кас­када непосредственно присоединяется к входу следующего кас­када. По этой причине исключаются недостатки RС-связи и частотная характеристика усилителя расширяется в область низких частот вплоть до постоянного тока.

На рис. 1.6 показан усилитель с непосредственной связью, в котором используются транзисторы разных типов проводи­мости: n — р — n и р — n — р; коллектор первого транзистора при­соединен непосредственно к базе второго. Требуемые прямое и обратное смещения для обоих транзисторов обеспечиваются юдним источником питания. Отрицательный потенциал, необхо­димый для эмиттера n — р — n-транзистора, поступает от отрица тельного вывода источника через общую землю. Положитель­ный вывод источника присоединен к делителю напряжения на резисторах R1 и R2. Выходное напряжение этого делителя по­ложительно относительно земли, и поскольку оно поступает на базу транзистора Т1, потенциал базы положителен относитель­но эмиттера. Коллектор n — р — n-транзистора положителен от­носительно эмиттера, так как подключен к положительному выводу источника через резистор R3.



Рис. 1.7. Усилитель мощности с трансформаторным выходом.


Для получения нужного прямого смещения во входной цепи транзистора Т2 его эмиттер присоединен к положительному вы­воду источника. База второго транзистора также положитель­на, так как соединена с положительным выводом источника че­рез делитель напряжения, образуемый резистором Rz и внут­ренним сопротивлением транзистора Т1. Следовательно, потен­циал коллектора транзистора Т1 и базы Т2 отрицателен относи­тельно положительного вывода источника. Поэтому потенциал базы второго транзистора отрицательнее потенциала эмиттера на величину падения напряжения на R3. Необходимый отрица­тельный потенциал коллектора второго транзистора создается путем подсоединения коллектора к отрицательному выводу ис­точника питания через резистор R±. Таким образом, обеспечива­ется требуемое обратное смещение коллекторного перехода р — n — р-транзистора.

Трансформаторные выходные каскады и трансформаторная связь между каскадами иногда используются в низкокачествен­ных недорогих радиоприемниках. В высококачественных уст­ройствах трансформаторы обычно не применяются. Для сиг­налов разных частот индуктивности обмоток трансформаторов имеют разные сопротивления, что приводит к увеличению не­равномерности амплитудно-частотных характеристик. Кроме этого, первичные и вторичные обмотки трансформаторов имеют распределенные емкости, которые понижают коэффициент трансформации для ВЧ-составляющих сигнала.

Типичная схема усилителя звуковых частот с емкостной связью на входе и трансформаторной на выходе показана на рис. 1.7. Такой усилитель называется однотактным в отличие от двухтактных, которые будут описаны ниже.

Входной сигнал поступает на вход транзистора с регулято­ра усиления через цепочку связи, состоящую из конденсатора C1 и резисторов R2 и R5. Собственно сигнал прикладывается между базой и эмиттером транзистора, так как цепь R3C3 слу­жит для температурной стабилизации рабочей точки транзисто­ра. Переменный ток, появляющийся при этом в коллекторной цепи транзистора, создает усиленный по мощности сигнал. Здесь использован выходной трансформатор звуковой частоты, хотя, как будет показано далее в этом разделе, без этого элемента вполне можно обойтись. Трансформатор обеспечивает согласо­вание между импедансом катушки громкоговорителя Z2 и вы­ходным импедансом коллекторной цепи транзистора Z1. Коэф­фициент трансформации n выходного трансформатора можно записать как

(1.4)

Таким образом, если, например, необходимо согласовать им­педанс катушки громкоговорителя Zz = 8 Ом с выходным им­педансом усилителя Zi = 8000OM, то отношение числа витков первичной обмотки трансформатора к вторичной должно быть равно примерно 32, так как



Это отношение можно реализовать, если, например, число витков первичной обмотки будет составлять 320, а вторичной — 10 (или первичной 640 витков, а вторичной — 20).

При низком качестве трансформаторов, кроме упомянутых выше потерь сигнала из-за распределенных емкостей, возника­ют также потери из-за действия вихревых токов. При прочих равных условиях трансформатор с сердечником большего сече­ния имеет меньшее число витков в обмотках, поэтому сопротив­ление обмоток постоянному току у такого трансформатора по­лучается меньшим. Так как при увеличении площади сечения сердечника увеличивается магнитная проводимость, то число витков, необходимое для получения той же индуктивности, уменьшается. На омическом сопротивлении любой обмотки трансформатора будет теряться звуковая мощность, поэтому сопротивления обмоток постоянному току стараются сводить к разумному минимуму.


^ 1.6. Цепи развязки


Цепи развязки применяют для того, чтобы устранить пара­зитную обратную связь между каскадами через общий источ­ник питания. Цепи развязки используют также в качестве схе­мы частотной коррекции усилителя для компенсации потерь усиления на низких частотах. Кроме того, такие цепи обеспе­чивают требуемый режим питания цепи коллектора по постоян­ному току. В связи с этим цепи развязки часто находят приме­нение в различных звуковых и радиочастотных усилителях.



Рис. 1.8. Схема развязки по питанию.


В НЧ-усилителе (рис. 1.8) в качестве развязывающей цепоч­ки используются резистор R3 и конденсатор С3. Конденсатор имеет малое реактивное сопротивление для сигнала (особенно на высоких частотах) и поэтому уменьшает паразитную связь через источник питания.

Резистор R2 является нагрузкой, на которой выделяется сигнал, передаваемый на следующий каскад. Конденсатор С3 шунтирует резистор R3 и таким обра