Реферат: Пгту: Направления нир

Кафедра математики

тел. (87973) 384178

E-mail: Altyhov_43@mail.ru





ПГТУ:

Направления НИР


ТЕХНОЛОГИИ И СВОЙСТВА

НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

НАНОЭЛЕКТРОНИКИ


Проводятся работы по моделированию технологий изготовления и расчеты свойств характеристик

перспективных материалов наноэлектроники


Рабочая группа (научная школа):

Алтухов В.И. – рук. темы

чл.-корр. РАЕН, д.ф.-м.н., проф.




Санкин А.В. (ПГТУ)

чл.-корр. РАЕН, к.ф.н., доцент




Хариш Н.П. (ПГТУ)

к.т.н., доцент


Казаров Б.А. (СевКавГТУ)

к.ф.-м.н., доцент


Коваленко А.А. (ПГТУ) аспирант

Чернышов Р.Ю (ПГТУ) аспирант

Ростова А.Т (СевКавГТУ) к.ф.-м.н., доцент

Баландина Н.В. (СевКавГТУ) к.ф.-м.н., ст.преп.




^ I. В рамках направления:


Развиты новые методы описания, моделирования характеристик свойств перспективных материалов: реальных кристаллов, сегнетоэлектриков, широкозонных полупроводников с дефектами и нанокластерами.




На модельных системах, наноматериалах, гетероструктурах проведено математическое моделирование особенностей тепловых электрических свойств полупроводников А2В6 , карбида кремния (SiC) и его твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x (кристаллы, керамики, слои пленки).




Предложено объяснение (модели) эффекта биений в сегнетоэлектриках, эффекта гигантского теплосопротивления в А2В6, гигантского усиления диэлектрической проницаемости SiC–AlN; предсказаны новые свойства и особенности температурного поведения тепловых, электрических свойств новых материалов наноэлектроники.




Характеристики рассматриваемых новых термо- и радиационно устойчивых материалов используются для активных элементов, датчиков, приборов и устройств твердотельной нано- и микроэлектроники.








II. В лаборатории наноматериалов и

микроэлектронной техники ПГТУ:


Разрабатываются модели технологий изготовления и свойств новых материалов наноэлектроники.

Проводятся расчеты электронных свойств характеристик реальных кристаллов и широкозонных полупроводников с дефектами и нанокластерами.

Защищены четыре кандидатские диссертации.

Издано пять монографий.

Получены дипломы на Международной выставке-конгрессе «Высокие технологии. Инновации. Инвестиции» за разработку:

«Сегнетоэлектрические и полупроводниковые материалы с новыми тепловыми и электрическими свойствами» (2007);

«Широкозонные полупроводниковые материалы с новыми физическими свойствами для микроэлектроники» (2008).

Ежегодно публикуется 12 – 15 статей и докладов на международных конференциях:

^ Микросистемная техника (МСТ – 2003, №3)

Нано- и микросистемная техника (2006, №3,4)

Обозрение прикладной и пром. математики (2006, 2008)

Известия Самарского научного центра РАН (2007)

^ Вестник Воронежского ГТУ (2006,2008)

Известия ВУЗов. Сев.-Кав. регион. ТН (2005)

Труды IX, X, XI Межд. симпозиума, Ростов н/Д (2006-2008)

Труды Межд. конф. «Опто-, наноэлектроника», (2006 – 2008)

^ Тезисы докладов 5-й и 6-й Всероссийской конференции по нитридам (МГУ-2007, ФТИ – 2008)

ХТТ и современные микро- и нанотехнологии, СевКавГТУ

Тезисы докл. Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков (2005)







III. География наших контактов и научного

сотрудничества:


МГУ им. М.В. Ломоносова (г. Москва)

ФТИ им. А.Ф. Иоффе (г. Санкт-Петербург)

НИИФ ЮФУ (г. Ростов-на-Дону)

МИРЭА (г. Москва)

СевКавГТУ (г. Ставрополь)

ДГУ, ДГТУ, НИИФ ДНЦ РАН (г. Махачкала)

КБГУ (г. Нальчик)

КЧГУ (г. Черкесск)

ВГТУ (г. Воронеж)

СНЦ РАН (г. Самара)

ЕГУ (г. Екатеринбург)

УГУ (г. Ульяновск)

КИЭП (г. Кисловодск)



IV. Перспективы развития:


– Изготовление наноматериалов и гетероструктур на их основе

– Открытие специальности по направлению Технологии и свойства наноматериалов

– Расширение географии сотрудничества

– Развитие материальной и технической базы лаборатории «Наноматерилов и микропроцессорной техники»