Лекция: Принцип дії уніполярного транзистора.

У ПТ з об’ємним каналом площа поперечного перерізу каналу змінюється за рахунок зміни площі збідненого шару зворотно ввімкненого р-n переходу. На мал.1 ПТ ввімкнений за схемою з ЗВ.

На р-n-перехід (затвор – витік) подається зворотна напруга. При її збільшенні глибина d збідненого шару (заштрихована область – область об’ємного заряду) збільшується, а струмопровідний переріз 2у каналу зменшується. При цьому збільшується опір каналу, а отже, зменшується вихідний струм транзистора. Оскільки напруга прикладена до р-n переходу у зворотному напрямку, струм дуже малий і практично не залежить від керуючої напруги. Напругу між затвором і витоком, при якій струм стоку = 0, називають напругою відсічки польового транзистора. Ширина р-n переходу залежить також від струму, що протікає через канал. Якщо, наприклад,, то струм, протікаючи через канал, створить по довжині останнього спад напруги, яка виявляється запірною для переходу затвор – канал. Це приводить до збільшення ширини р-n переходу і відповідно до зменшення перерізу і провідності каналу, причому ширина р-n переходу збільшується по мірі наближення до області стоку, де буде мати місце найбільший спад напруги, викликаний струмом на опорі каналу. Так, якщо вважати, що опір T. визначається тільки опором каналу, то біля краю р-n переходу, зверненого до витоку, буде діяти напруга, а біля краю, зверненого до стоку, − напруга. При малих значеннях і малому транзистор поводить себе як лінійний опір. По мірі зростання канал все більше звужується у стокового краю.

Отже, напруга відсічки, визначена при малій напрузі < чисельно дорівнює напрузі насичення при = 0, а напруга насичення при визначеній напрузі на затворі дорівнює різниці напруги відсічки і напруги затвор – витік.