Реферат: Фазоимпульсный модулятор
--PAGE_BREAK--Уравнение разряда емкости С2<img width=«239» height=«67» src=«ref-1_1976546240-694.coolpic» v:shapes="_x0000_i1044"> (6)
Экспоненту заряда емкости С2 запишем в виде
<img width=«147» height=«36» src=«ref-1_1976546934-386.coolpic» v:shapes="_x0000_i1045">, где <img width=«103» height=«45» src=«ref-1_1976547320-319.coolpic» v:shapes="_x0000_i1046"> (7)
Экспонента разряда
<img width=«125» height=«39» src=«ref-1_1976547639-360.coolpic» v:shapes="_x0000_i1047">, где <img width=«209» height=«25» src=«ref-1_1976547999-371.coolpic» v:shapes="_x0000_i1048"> (8)
Время заряда емкости С2
<img width=«220» height=«43» src=«ref-1_1976548370-470.coolpic» v:shapes="_x0000_i1049">
Время разряда
<img width=«197» height=«47» src=«ref-1_1976548840-518.coolpic» v:shapes="_x0000_i1050">
Период
<img width=«75» height=«23» src=«ref-1_1976549358-176.coolpic» v:shapes="_x0000_i1051"> (9)
<img width=«383» height=«47» src=«ref-1_1976549534-827.coolpic» v:shapes="_x0000_i1052"> (9)
Математическая модель всего устройства.
<img width=«12» height=«23» src=«ref-1_1976550361-73.coolpic» v:shapes="_x0000_i1053">
<img width=«171» height=«47» src=«ref-1_1976539232-419.coolpic» v:shapes="_x0000_i1054"> (1)
<img width=«204» height=«45» src=«ref-1_1976539651-539.coolpic» v:shapes="_x0000_i1055"> (2)
<img width=«195» height=«41» src=«ref-1_1976551392-447.coolpic» v:shapes="_x0000_i1056"> (3)
<img width=«235» height=«43» src=«ref-1_1976540646-513.coolpic» v:shapes="_x0000_i1057"> (4)
<img width=«215» height=«43» src=«ref-1_1976545766-474.coolpic» v:shapes="_x0000_i1058"> (5)
<img width=«239» height=«67» src=«ref-1_1976546240-694.coolpic» v:shapes="_x0000_i1059"> (6)
<img width=«147» height=«36» src=«ref-1_1976546934-386.coolpic» v:shapes="_x0000_i1060"> (7)
где <img width=«103» height=«45» src=«ref-1_1976547320-319.coolpic» v:shapes="_x0000_i1061">
<img width=«123» height=«39» src=«ref-1_1976554225-356.coolpic» v:shapes="_x0000_i1062"> (8)
где <img width=«209» height=«25» src=«ref-1_1976547999-371.coolpic» v:shapes="_x0000_i1063">
<img width=«75» height=«23» src=«ref-1_1976549358-176.coolpic» v:shapes="_x0000_i1064"> (9)
<img width=«383» height=«47» src=«ref-1_1976549534-827.coolpic» v:shapes="_x0000_i1065"> (9)
4. Синтез схемы.
4.1.Последовательный расчет фазоимпульсного модулятора.
Выбираем транзистор VT1, исходя из его способностей пропустить ток заряда конденсатора С1 за время q2 и выбираем двухбазовый диод Uc1и пропускаем ток падение напряжения которого на резисторе R3открывает тиристор VT4. Выбираем тиристор VT4, напряжение VБ12которого меньше 30B и время отпертого состояния которого соответствует времени q1.
<img width=«215» height=«69» src=«ref-1_1976555955-636.coolpic» v:shapes="_x0000_i1066">
Рассчитаем величину емкости С1
Задаемся временем заряда <img width=«47» height=«41» src=«ref-1_1976556591-158.coolpic» v:shapes="_x0000_i1067">
Из формулы (3) время заряда
<img width=«113» height=«24» src=«ref-1_1976556749-236.coolpic» v:shapes="_x0000_i1068">, откуда
<img width=«117» height=«45» src=«ref-1_1976556985-298.coolpic» v:shapes="_x0000_i1069">
Выбираем транзистор задаваясь временем заряда и током <img width=«89» height=«24» src=«ref-1_1976557283-194.coolpic» v:shapes="_x0000_i1070">,
Где t3-время заряда емкости С1,tnVT1-время переключения транзистора VT1 можно не учитывать в виду его малости по сравнению c tЗ (tnVT»<img width=«57» height=«21» src=«ref-1_1976557477-148.coolpic» v:shapes="_x0000_i1071">)
Задаемся q2=tp– временем разряда емкости С1.
Из уравнения (3) получаем
<img width=«179» height=«68» src=«ref-1_1976557625-532.coolpic» v:shapes="_x0000_i1072">
Из уравнения (4) находим R4
<img width=«151» height=«47» src=«ref-1_1976558157-455.coolpic» v:shapes="_x0000_i1073"> (9а)
Решая совместно уравнение (1) и (2) получим
<img width=«269» height=«47» src=«ref-1_1976558612-684.coolpic» v:shapes="_x0000_i1074"> (10)
<img width=«276» height=«52» src=«ref-1_1976559296-702.coolpic» v:shapes="_x0000_i1075"> (11)
Таким образом, получили все номиналы элементов, образующих требуемый модулируемый импульс.
Численный расчет схемы.
Выбираем транзистор МП42Б служащий для устройств переключения и с небольшим сопротивлением RКЭ, которые в основном определяется сопротивлением коллектора rk
<img width=«191» height=«47» src=«ref-1_1976559998-425.coolpic» v:shapes="_x0000_i1076">
Выбираем тиристор К4104Б со следующими характеристиками:
Постоянный ток в закрытом состояние Iзс = 0,5мВ
Отпирающий постоянный ток управления IY от=20мА
Отпирающее постоянное напряжение управления UУ от=2В
Напряжение в открытом состояние UОС=2В
Неотпирающее постоянное напряжение управления UУНОТ=0,1В
Время включения tвкл=0,29мkс
Время выключения tвыкл=2,5мkс
Предельно допустимые параметры:
Постоянное напряжение в закрытом состояние UЗ с max=30B
Постоянное обратное напряжение UОБР max=6B
Постоянный ток в открытом состоянии IОС min=0,1A
Постоянный прямой ток управления IУ min0=0,03B
Средняя рассеиваемая мощность PСР РАС=0,2В
Выбираем двухбазовый или управляемый диод, или однопереходной транзистор ОПТ: К117А со следующими предельно допустимыми параметрами:
Ток эмиттера IЭ max=50мА
Ток эмиттер-база IЭБО max=1мкА
Ток включения IВКЛ max=20мкА
Ток выключения IВЫКЛ min=1мА
Напряжение на базах UБ12 max=30B
Напряжения насыщения эмиттер-база Umax ЭБ нас=5В при IЭ=50мА
Коэффициент К К=0,6
Сопротивление между базами RБ12=6кОм UЭК=0,6·27=16,2
Резистор
<img width=«252» height=«47» src=«ref-1_1976560423-554.coolpic» v:shapes="_x0000_i1077">
берем 1,1Ом.
Напряжение питания схемы берем UП=27В
Емкость конденсатора
<img width=«356» height=«48» src=«ref-1_1976560977-746.coolpic» v:shapes="_x0000_i1078">
берем 0,016мкФ.
Время разряда
<img width=«224» height=«113» src=«ref-1_1976561723-861.coolpic» v:shapes="_x0000_i1079">
Подставляем значения в формулу (10) и определяем R3
<img width=«513» height=«47» src=«ref-1_1976562584-1144.coolpic» v:shapes="_x0000_i1080">
Подставляя значения в формулу 11, определяем R2.
<img width=«540» height=«47» src=«ref-1_1976563728-1196.coolpic» v:shapes="_x0000_i1081">
По формуле (9а) считаем:
<img width=«417» height=«48» src=«ref-1_1976564924-1010.coolpic» v:shapes="_x0000_i1082">
берем 62Ом.
Совершенно аналогично для тех же времен заряда и разряда, то есть для аналогичной модуляции фазой определим:
R6=51Ом, R5=20Oм, <img width=«273» height=«48» src=«ref-1_1976565934-590.coolpic» v:shapes="_x0000_i1083">, С3=0,016мкФ
продолжение
--PAGE_BREAK--ПЭС
<img width=«48» height=«48» src=«ref-1_1976566524-209.coolpic» v:shapes="_x0000_s1465"><img width=«184» height=«290» src=«ref-1_1976566733-747.coolpic» v:shapes="_x0000_s1460 _x0000_s1461 _x0000_s1462"><img width=«448» height=«247» src=«ref-1_1976567480-2587.coolpic» v:shapes="_x0000_s1333 _x0000_s1334 _x0000_s1335 _x0000_s1336 _x0000_s1337 _x0000_s1338 _x0000_s1339 _x0000_s1340 _x0000_s1341 _x0000_s1342 _x0000_s1343 _x0000_s1344 _x0000_s1345 _x0000_s1346 _x0000_s1347 _x0000_s1348 _x0000_s1349 _x0000_s1350 _x0000_s1351 _x0000_s1352 _x0000_s1353 _x0000_s1354 _x0000_s1355 _x0000_s1356 _x0000_s1357 _x0000_s1358 _x0000_s1359 _x0000_s1360 _x0000_s1361 _x0000_s1362 _x0000_s1363 _x0000_s1364 _x0000_s1365 _x0000_s1366 _x0000_s1367 _x0000_s1368 _x0000_s1369 _x0000_s1370 _x0000_s1371 _x0000_s1372 _x0000_s1373 _x0000_s1374 _x0000_s1375 _x0000_s1376 _x0000_s1377 _x0000_s1378 _x0000_s1379 _x0000_s1380 _x0000_s1381 _x0000_s1382 _x0000_s1383 _x0000_s1384 _x0000_s1385 _x0000_s1386 _x0000_s1387 _x0000_s1388 _x0000_s1389 _x0000_s1390 _x0000_s1391 _x0000_s1392 _x0000_s1393 _x0000_s1394 _x0000_s1395 _x0000_s1396 _x0000_s1397 _x0000_s1398 _x0000_s1399 _x0000_s1400 _x0000_s1401 _x0000_s1402 _x0000_s1403 _x0000_s1404 _x0000_s1405 _x0000_s1406 _x0000_s1407 _x0000_s1408 _x0000_s1409 _x0000_s1410 _x0000_s1411 _x0000_s1412 _x0000_s1413 _x0000_s1414 _x0000_s1415 _x0000_s1416 _x0000_s1417 _x0000_s1418 _x0000_s1419 _x0000_s1420 _x0000_s1421 _x0000_s1422 _x0000_s1423 _x0000_s1424 _x0000_s1425 _x0000_s1426 _x0000_s1427 _x0000_s1428 _x0000_s1429 _x0000_s1430 _x0000_s1431 _x0000_s1432 _x0000_s1433 _x0000_s1434 _x0000_s1435 _x0000_s1436 _x0000_s1437 _x0000_s1438 _x0000_s1439 _x0000_s1440 _x0000_s1441 _x0000_s1442 _x0000_s1443 _x0000_s1444">
<img width=«12» height=«2» src=«ref-1_1976570067-74.coolpic» v:shapes="_x0000_s1464"> R1
<img width=«519» height=«271» src=«ref-1_1976570141-1048.coolpic» v:shapes="_x0000_s1454 _x0000_s1455 _x0000_s1456"> VT1 R2 R
H
C2 R4 R7
<img width=«45» height=«44» src=«ref-1_1976571189-196.coolpic» v:shapes="_x0000_s1466"> <img width=«44» height=«44» src=«ref-1_1976533832-199.coolpic» v:shapes="_x0000_s1467">
VT2 VT3
T1 T2
C1 R3 R6 C3
X1
<img width=«41» height=«2» src=«ref-1_1976529308-76.coolpic» v:shapes="_x0000_s1463"> <img width=«127» height=«107» src=«ref-1_1976571660-500.coolpic» v:shapes="_x0000_s1445 _x0000_s1446 _x0000_s1447 _x0000_s1448 _x0000_s1449 _x0000_s1450 _x0000_s1451 _x0000_s1452 _x0000_s1453">
Выводы по работе.
Разработано устройство – фазоимпульсный модулятор. Данное устройство соответствует заданным требованиям. Рассчитаны параметры, позволяющие получить заданные выходные сигналы. Устройство имеет высокую степень надёжности.
Литература.
1. С.П. Миклашевский., Промышленная электроника. Вш.,1986.
2. Л.А. Бессонов., ТОЭ. Вш.,1996.
3. К.Я. Стародуб., Н.Н. Михайлов., Промышленная электроника. «Машиностроение».,1971.
4. Расчёт импульсных устройств на полупроводниковых приборах. Под ред. Т.М. Агаханяна., «Советское радио».
5. Справочное пособие по электротехнике и основам электроники. Под ред. А.В. Нетушина. Вш. 1986.
Формат
Зона
Поз
Обозначение
Наименование
Кол
Документация
А4
СУ.304.0000001.000.СБ
Схема электрическая принципиальная
1
А4
СУ.304.0000001.000.ЭЗ
Сборочный чертеж
1
Детали
А3
1
СУ.304.0000001
Плата печатная
1
Прочие изделия
Конденсаторы
2
КМ 10 – 50 — 16 нФ
±10%
3
С1, С2, С3
Резисторы
3
ОМТ-0,5 – 1,1КоМ
±10%
1
R1
СУ.304.000000
Лист
№ докум
Подп
Дата
Разраб.
Фазоимпульсный
модулятор.
Лит.
Лист
Листов
Провер.
у
1
2
МАИ.гр.03-304
Н.Контр.
Т.Контр.
продолжение
--PAGE_BREAK--
еще рефераты
Еще работы по коммуникациям
Реферат по коммуникациям
Основы радиоэлектроники
3 Сентября 2013
Реферат по коммуникациям
Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов
3 Сентября 2013
Реферат по коммуникациям
Моделювання станів транзистора 2Т909Б
3 Сентября 2013
Реферат по коммуникациям
Структурированная кабельная система на 292 порта зданий гимназии
3 Сентября 2013