Реферат: Реферат > 3 Вотчете описаны исследования в

Утверждаю

Заказчик – проректор НГУ

по научной работе

профессор Г.Ю.Шведенков






Утверждаю

Исполнитель – заместитель директора ИНХ СО РАН

по научной работе

профессор В.Е.Федоров



«____»___________1999 г.




«_____»____________1999 г.



О Т Ч Е Т

о выполнении технического задания на 1999 год

по УНЦ «Криогеника»


Новосибирск, 1999


Список исполнителей


Боярский Л.А., с.н.с. ИНХ СО РАН, зав. кафедрой физики низких температур НГУ, к.т.н., доцент

Амитин Е.Б., вед. науч. сотр. ИНХ СО РАН, доцент НГУ, д.ф.-м-н., с.н.с.

Диковский В.Я., с.н.с. ИНХ СО РАН, доцент НГУ, к.ф.-м.н., доцент

Романенко А.И., с.н.с. ИНХ СО РАН, доцент НГУ, к.ф.-м.н., доцент

Безверхий П.П., с.н.с. ИНХ СО РАН, асс. НГУ, к.ф.-м-н.

Блинов А.Г., н.с. ИНХ СО РАН, асс. НГУ

Жданов К.Р., с.н.с. ИНХ СО РАН, к.ф.-м.н., с.н.с.

Каменева М.Ю., с.н.с. ИНХ СО РАН, к.г.-м.н., с.н.с.

Ремова А.А., с.н.с. ИНХ СО РАН, доцент НГПУ, к.ф.-м.н., с.н.с.

Белослудов В.Р., зав. лаб. ИНХ СО РАН, д.ф.-м.н.

Аникеева О.Б., аспирант ИНХ СО РАН

Шелковников А.П., аспирант НГУ

Байкалов А.Г., студент НГУ

Бутейко Г.К., студент НГУ

Казанцев А.В., студент НГУ

Постнов И.В., студент НГУ

1.3. РЕФЕРАТ

1.3.1. В отчете описаны исследования в области физики сильно коррелированных электронных систем, главным образом, высокотемпературных сверхпроводников.

1.3.2. Цель работы – получение фундаментальных знаний о природе ВТСП и других сильно взаимодействующих систем.

1.3.3. Отчет включает как экспериментальные, так и теоретические разработки.

1.3.4. В течение 1999 года были выполнены работы, связанные с проблемой физики сильно коррелированных электронных систем.

Теоретические работы рассматривали физику фуллеренов, а также динамику решетки и различные модели волн зарядовой плотности в перовскитах – веществах, родственных высокотемпературным сверхпроводникам.

Экспериментально, методом ЯМР было изучено другое, в определенном смысле, модельное вещество – двуокись ванадия. Было показано, что в низкотемпературной диэлектрической фазе образуется неоднородное распределение спиновой плотности. Ионы ванадия оказываются в двух различных зарядовых состояниях – трех- и пятивалентном.

Что касается непосредственного изучения высокотемпературных сверхпроводников, то здесь работа проводилась в трех направлениях.

В сверхпроводящей фазе изучались кривые намагничивания кольцеобразных керамик, поведение вихревых решеток. Обнаружено необычное, кроссоверное поведение силы пиннинга (времени релаксации) вихрей при приближении к точке перехода.

Обнаружен и подвергнут предварительному исследованию резистивный эффект в высокотемпературной области, существенно превышающей точку сверхпроводящего перехода. Явление связывается со структурным превращением, происходящим в изученной области температур.

На монокристаллических образцах тулиевых ВТСП с различным уровнем допирования подробно изучены резистивные и гальваномагнитные характеристики в широком интервале температур (4,2 – 300 К), магнитных полей (до 12 Тесла) и ориентаций поля относительно осей кристалла. Обнаружен и исследован эффект перестройки антиферромагнитной доменной структуры под воздействием магнитного поля.

Все результаты, полученные в текущем году, являются новыми, ранее неизвестными в науке. Достоверность данных обеспечена высоким метрологическим уровнем измерений и надежным уровнем автоматизации.

1.3.8. Результаты будут использованы в дальнейшей работе.

1.3.9.

1.3.10. Работа должна быть продолжена с использованием новых методик, расширением классов веществ.

1.6. ВВЕДЕНИЕ


Все рассматриваемые работы связаны с фундаментальной научной проблемой изучения свойств веществ с сильно коррелированными электронными системами (СКЭС). Решение задач СКЭС выходит на целый ряд важнейших физических проблем, таких как механизм высокотемпературной сверхпроводимости, свойства веществ с тяжелыми фермионами и т.д.

Коренное изменение свойств соединений RBa2Cu3Ox от нормального антиферромагнитного металла до сверхпроводника в узком диапазоне кислородных индексов 6.35< x < 6.4 до сих пор остается одной из наиболее интригующих особенностей слабодопированных купратных систем. Из нейтронографии [1,2] известно, что в антиферромагнитной фазе YBa2Cu3Ox имеет коллинеарную спиновую структуру, с направлением спинов параллельным осям [100] или [010]. Эквивалентность этих направлений в тетрагональной фазе приводит к разбиению объема образца на 90-градусные антиферромагнитные домены. Опубликованное недавно нейтронографическое исследование системы YBa2Cu3O6.3 [2] представило доказательства существования антиферромагнитной доменной структуры (АДС) и ее перестройки в магнитном поле. Согласно [2], магнитное поле, лежащее в плоскости ab, стремится переориентировать спиновые оси различных доменов в положение, перпендикулярное полю. Этот результат находится в согласии с теоретическим анализом [3], предсказывающим переход магнитной структуры YBCO в спин-флоп фазу, если поле выше определенного значения приложено вдоль направлений спинов. Для обычных антиферромагнитных металлов известно (см., например, [4]), что перестройка АДС заметным образом проявляется в транспортных свойствах и, в частности, в магнетосопротивлении (МС). В недавней работе [5], в которой исследовалось МС антиферромагнитных монокристаллов системы YBaCuO, были обнаружены гистерезисные явления при низких температурах. Результаты этой работы с нашей точки зрения могли бы быть интерпретированы с позиций спин-флоп-перехода. В 1999 году мы изучали влияние переориентации магнитной структуры на МС и электросопротивление системы TmBa2Cu3O6.3. Наличие у иона тулия магнитного момента не является препятствием, поскольку известно, что в тулиевой подсистеме соединений TmBa2Cu3Oх магнитное упорядочение не наблюдается вплоть до 60 mK. [6]

Рассматриваемое исследование вписывается, как уже было замечено, в общую проблематику СКЭС. Как для сверхпроводящих, так и для несверхпроводящих систем, существенным оказывается изучение неоднородного распределения зарядовой и спиновой плотности. Представляют интерес эксперименты на простых модельных системах. Одной из таких систем может служить двуокись ванадия, испытывающая переход металл-диэлектрик при понижении температуры ниже 323 К. Исследование распределения зарядовой плотности в диэлектрической фазе мы проводили методом ЯМР.

Несомненный интерес представляют также исследования ВТСП в сверхпроводящем состоянии. Изучение кривых намагничивания позволяет получить сведения о решетке вихрей, их движении и релаксации.

Теоретические работы касаются, главным образом, проблем, примыкающим к физике сверхпроводников. В частности, был изучен один из аспектов электрон-фононного взаимодействия в соединениях фуллеритов, допированных атомами щелочных металлов.


^ 1.7. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ

1.7.1. Выбор направления работы сформулирован во введении.

1.7.2. Были использованные современные экспериментальные методики, а также средства вычислительной техники.

Монокристаллы TmBa2Cu3OX были выращены методом раствора в расплаве в алундовых тиглях. Анализ образцов данной партии показал, что содержание алюминия в них не превышает 1% [7]. Основным объектом исследования служила монокристалличесая пластинка с содержанием кислорода Х=6.3 и размерами 1.5 х 0.2 х 0.03 mm3(наименьший размер вдоль оси с). Совместно с основным образцом #1 исследовались вырезанные из той же партии образцы #2 (Х=6.4, размеры 1.5 х 0.2 х 0.03 mm3) и #3 (Х=6.3, размеры 0.5 х 0.5 х 1.0 mm3). Рабочий ток в образцах #1 и #2 лежал в плоскости ab, а в образце #3 – вдоль оси С. Образцы #1 и #3 отжигались совместно для получения одинакового кислородного содержания. Образцы были смонтированы на вращающейся каретке таким образом, что магнитное поле всегда лежало в плоскости ab для образцов #1 и #2 и в плоскости нормальной к ab для образца #3. Поле до 12 Тесла создавалось сверхпроводящим соленоидом фирмы Oxford Instruments. Температура измерялась термометром сопротивления ТСУ-2, калиброванным в магнитном поле.

Нами было предпринято исследование распределения заряда и электронно-ядерных взаимодействий в непроводящей низкотемпературной фазе диоксида ванадия методом ядерного магнитного резонанса на ядрах 51V как в слабых, так и в сильных, до 9,4 Т магнитных полях. Был использован поликристаллический VO2. Измерения в полях от 1,4 до 1,8 Т проводили с помощью рутинного спектрометра широких линий, а в поле Во=9,4Т - на импульсном мультиядерном спектрометре Bruker MSL-400 со сверхпроводящим соленоидом. Для повышения отношения сигнал/шум использовали методику MAS (быстрого, до 10 тыс.об/сек, вращения образца под «магическим углом» 54о44’ по отношению к внешнему магнитному полю). Число накоплений составляло ~1000 при длительности импульса 0,7 мкс, и задержке между импульсами 0,5 с, длительность накопления составляла 80 час. Внешним эталоном для измерения сдвигов ЯМР служил жидкий VOCl3.


1.7.3.

Температурные зависимости сопротивления образцов #1 и #2 (кислородные концентрации х=6.3 и х=6.4) кардинально отличаются в области низких температур, где для образца #2 имеется сверхпроводящий переход (Тс15 К). Для образца #1 с понижением температуры сопротивление резко возрастает, что может указывать на неметаллический характер основного состояния. Температура Нееля для концентрации кислорода x=6.3 (образцы #1 и #3) составляет TN195 K. При этой температуре наблюдается характерная аномалия производной с-сопротивления. Примечательно, что на зависимости ab(Т) образца #1 не заметно каких-либо особенностей в районе точки Нееля. На этот факт ранее указывалось в [7]. Полевые зависимости МС снимались для различных ориентаций (относительно тока) магнитного поля. Перед снятием каждой кривой образец отогревался до температуры 240 К, превышающей TN, для исключения магнитной предыстории, поскольку имели место гистерезисные явления. Гистерезис был, очевидно, связан с магнитным упорядочением в образце #1, для "немагнитного" образца #2 он не наблюдался.

Результаты измерений позволили разделить магнетосопротивление на две составляющие: обладающую гистерезисом анизотропную- и безгистерезисную фоновую-. В этих выражениях ρ(H) и (H//) - кривые, полученные как при увеличении, так и при уменьшении поля, а (0) - исходное (до воздействия магнитного поля) сопротивление образца.

Исходя из вида зависимостей (Н) можно предположить, что они описывают переход между двумя состояниями, происходящий вблизи некоторого порогового значения поля Нс. С учетом нейтронных данных [2] естественно считать состояние образца в слабых полях (Н<Нс) многодоменным, а в сильных полях (Н>>Нс) – однодоменным с ориентацией спинов, перпендикулярной полю (спин-флоп – фаза). Величина Нс находилась по экстремуму производной на кривой (Н), полученной при первом (после снятия магнитной предыстории) увеличении поля. Определенное таким способом пороговое поле имело близкие значения для направлений магнитного поля H//I и HI. При низких температурах пороговое поле убывает по закону близкому к Hc  T-1, а при высоких - стабилизируется около Нс0.7 Т. С увеличением температуры изменяется и характер гистерезиса анизотропного МС. До температуры 13 К величина гистерезиса при H=0 сохраняет приблизительно постоянное значение, равное (0.20.03)%. При более высоких температурах начинается регулярное снижение гистерезиса, что может быть связано с частичной реставрацией АДС. Аналогичное поведение характерно для анизотропного МС, полученного в области больших полей HHc, где имеет тенденцию к насыщению. Отличие состоит в том, что в области однодоменности (T13 К) Н>>Hc  (0.40.03)%, что вдвое превышает значения Н=0. Фоновая составляющая МС имела отрицательный знак для низкотемпературной и положительный - для высокотемпературной области. Ее зависимость от поля была близка к квадратичной KH2, что согласуется с результатами работы [5]. Немонотонное поведение коэффициента K с изменением знака в районе 55 К. качественно соответствует температурному ходу производной сопротивления образца #1. Количественное сопоставление К(Т) и , приводит к выводу, что при низких температурах эти величины изменяются подобным образом.







Итак, магнетосопротивление в ab-плоскости магнитоупорядоченного кристалла TmBa2Cu3O6.3 включает фоновую и анизотропную компоненты. Последняя, по-видимому, отражает перестройку АДС в магнитном поле, а именно, переориентацию спиновых плоскостей различных доменов в однодоменное состояние (ОС), соответствующее спин-флоп-фазе. В таком случае пороговое поле спиновой переориентации определяется как , где HA и HE -поле анизотропии и обменное поле, соответственно. В интересующем нас диапазоне температур Т<N изменение Hc отражает температурный ход поля анизотропии, который, таким образом, оказывается близким к .

Наличие гистерезиса в анизотропном МС говорит о полной или частичной необратимости перестройки АДС. Мерой необратимости может служить величина Н=0. Подобное изменение Н=0 и Н>>Hc с температурой, возможно, указывает на их одинаковое происхождение. Мы полагаем, что обе эти величины характеризуют анизотропию магнитной части ab- сопротивления системы TmBa2Cu3Ox Тот факт, что в однодоменном состоянии значения анизотропного МС при Н=0 вдвое меньше, чем при Н>>Hc, может объясняться разворотом спинов к ближайшей легкой оси (ребру тетрагональной ячейки) после выключения поля. В принципе, изменение сопротивления образца при перестройке АДС помимо анизотропного вклада, связанного с переориентацией спиновой структуры, должно включать в себя также вклад, обусловленный исчезновением или уменьшением рассеяния на доменных границах. Так в работе [4], в которой изучалась переориентация АС европия в магнитном поле, доменный вклад достигал 60% от анизотропного необратимого магнетосопротивления. Необратимое магнетосопротивление TmBaCuO не содержит значительного доменного рассеяния. В противном случае положительный и отрицательный необратимые вклады не могли бы быть симметричными практически для всех температур диапазона однодоменности (T  13 К). Обращает на себя внимание небольшая величина анизотропного МС, связанного с переориентацией спиновой структуры, - 0.2-0.4% в диапазоне температур Т< 20 К. В частности для европия в однодоменном состоянии аналогичная величина достигала 8 % [4]. Оценки показывают, что такое различие может объясняться малостью спинового рассеяния в TmBaCuO, обусловленной малой величиной спина иона Cu2+. Действительно, масштаб одноэлектронного спинового рассеяния определяется произведением S(S+1), где S - спин магнитного иона. Считая, что в рассеянии участвуют спины ионов Cu2+ (S=1/2), мы получаем вклад спинового рассеяния в 21 раз меньше, чем в европии, имеющем спин S=7/2, что соответствует эксперименту. Здесь мы не касаемся эффектов сильной электронной корреляции, характерных для купратных соединений. Вопрос о влиянии этих эффектов на перестройку АДС и процессы электрон-спинового рассеяния остается открытым. Альтернативное объяснение анизотропного МС может быть связано с влиянием магнитной структуры на спектр носителей- т.е. с эффектом сверхзонного расщепления. Для TmBaCuO этот эффект носит сложный характер, поскольку магнитная периодичность, удвоенная по сравнению с кристаллической, имеет место вдоль обоих ребер тетрагональной ячейки. Возможно, анизотропия, которую мы наблюдаем, представляет собой разность между сверхзонными эффетами для взаимно перпендикулярных направлений в CuO2-слое. Что касается фоновой компоненты, то ее основные особенности - независимость от ориентации магнитного поля и пропорциональность производной сопротивления пока не получили исчерпывающего объяснения. В качестве возможной причины появления изотропного отрицательного магнетосопротивления мы рассматриваем изменение условий локализации носителей в магнитном поле.

Другое направление исследований – изучение обнаруженной ранее аномалии электросопротивления висмутовых ВТСП при высоких, существенно выше точки перехода, температурах. Были изучены температурные зависимости электросопротивления монокристаллов висмутовой системы типов 2201, 2212 и 2223 при медленном нагревании до 600 К на воздухе. На всех образцах обнаружен максимум сопротивления выше 400 К. Точка перехода Tc при охлаждении от температуры максимума сопротивления растет для образцов 2201 и 2212 и не изменяется в случае оптимального допирования (2223). Нагрев образцов выше 600 К приводит к восстановлению исходных свойств кристаллов. Наблюденные эффекты пока не находят удовлетворительного теоретического объяснения.

Что касается исследования ВТСП в сверхпроводящем состоянии, то изучение кривых намагничивания позволяет получить сведения о решетке вихрей, их движении и релаксации. В начале года было исследовано влияние постоянных и переменных магнитных полей при различных температурах на захваченный поток в сверхпроводящих кольцах, характеризующихся хаотической джозефсоновской сетью. Обнаружено логарифмическое поведение скорости релаксации потока при различных значениях напряженности магнитного поля и разных температурах, определен барьер активации крипа потока. Дальнейшие исследования, однако, потребовали коренного усовершенствования методики. Была создана управляющая программа, позволившая автоматизировать измерения скорости релаксации магнитного потока в кольцеобразных ВТСП-образцах при автоматическом контроле скорости ввода и вывода внешнего магнитного поля He. На этой установке были получены температурные зависимости от гелиевой температуры до точки перехода Тс скорости релаксации S сверхпроводящей плотности тока Ic (в рамках модели Кима-Андерсена Ic = I0 [1 – S.ln(1 + t/τ0)] ) при вводе He (релаксация критического тока во внешнем поле) и при выключении внешнего поля (релаксация в нулевом поле). Обнаружено резкое увеличение производной dS/dT при Т  Тс (60 К < T < Tc) в обоих случаях. Также проведено исследование зависимости масштабного параметра τ0 и S от скорости ввода (вывода) внешнего магнитного поля. Впервые получены зависимости τ0(∂He/∂t). Показано, что в случае ввода поля эта зависимость противоречит теоретической, ранее рассчитанной А.Жуковым на основе модели Кима-Андерсона. Обнаружено, что резкий рост τ0 с ростом производной ∂He/∂t приводит при некотором значении производной к явлению запирания магнитного потока в отверстии кольца и отсутствию релаксации этого потока.
Что же касается ЯМР исследования диоксида ванадия, то нами было показано, что переход металл-диэлектрик в этом веществе связан с электронным переходом 2V4+V3++V5+ и возникновением двух структурно и химически различных позиций ионов ванадия V(Ш) и V(V). Существенно, что позиция V(Ш) характеризуется значительным антиэкранированием, составляющим - 0,24%, и увеличенной константой квадрупольного взаимодействия как по сравнению с проводящей фазой, так и по сравнению с положением V(V). Оба указанных факта на качественном уровне можно связывать с ожидаемым эффектом возникновения биполярона как сильного локального искажения решетки электронами. В пользу этого заключения свидетельствуют большие величины констант квадрупольной связи и магнитного экранирования ядер ванадия. Аномальный (диамагнитный) сдвиг Найта в металлической фазе VO2 свидетельствует о превалирующей роли обменной s-d - поляризации, причем гамильтониан взаимодействия должен иметь отрицательный знак, что соответствует антиферромагнитному взаимодействию. Можно предполагать, что механизм спаривания электронов в низкотемпературной фазе VO2 генетически связан с электронным обменом в высокотемпературной металлической фазе. Представляется весьма необычным, что, несмотря на антиферромагнитный характер межэлектронного взаимодействия, низкотемпературная фаза VO2, по-видимому, диамагнитна, во всяком случае, не антиферромагнитна.

Теоретически был [1] изучен один из аспектов электрон-фононного взаимодействия в соединениях фуллеритов, допированных атомами щелочных металлов. Механизм электронного спаривания в ВТСП может быть обусловлен особенностями высокочастотных фононных мод, поэтому в этих соединениях изучается динамический эффект Яна-Теллера, характерный для высокосимметричной молекулы C60. Был предложен способ описания динамического эффекта Яна-Теллера свободно вращающейся молекулы C60 с учетом взаимодействия электрона, как с колебательными, так и с вращательными степенями свободы. В результате расчетов получены три ветви спектра колебаний, обусловленные электронно-вращательными переходами. Однако, состояние молекулы с пониженной из-за эффекта Яна-Теллера симметрией, оказывается неустойчивым из-за ее вращения, и восстанавливается симметрия основного состояния C60, усредненная по времени.


Было проведено компьютерное моделирование зарядовой и пространственной структуры перовскита BaBiO3. Цель исследования – установление степени достоверности различных моделей с точки зрения динамики кристаллической решетки. Получен более или менее парадоксальный результат. Наилучшую сходимость демонстрирует простая модель, во многом противоречащая электрофизическим данным. Однако более сложные модели с волнами зарядовой плотности, казалось бы, более адекватные физической реальности, оказались с точки зрения фононных спектров и других решеточных параметров неустойчивыми. Вопрос нуждается в дальнейшей проработке.


1.7.4. Связь с учебным процессом.

Практически во всех научных исследованиях, освещенных в отчете, принимали активное участие студенты и аспиранты. Кроме того, результаты исследований находят отражение в содержании специальных курсов, читаемых студентам специализации «Физика низких температур».


1.7.5. Расшифровка основных частей сметы.

В 1999 году УНЦ «Криогеника» получил 18500 рублей.

Расходование средств: заработная плата 790 рублей

начисления на зар. плату 305 рублей

накладные расходы 3700 рублей

командир. расходы 13705 рублей

Командировка была связана с участием в 22 Международной конференции по физике низких температур (Хельсинки, 4 – 11 августа 1999 года).

1.8.ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В течение 1999 года были выполнены работы, связанные с проблемой физики сильно коррелированных электронных систем.

Теоретические работы рассматривали физику фуллеренов, а также динамику решетки и различные модели волн зарядовой плотности в перовскитах – веществах, родственных высокотемпературным сверхпроводникам.

Экспериментально, методом ЯМР было изучено другое, в определенном смысле, модельное вещество – двуокись ванадия. Было показано, что в низкотемпературной диэлектрической фазе образуется неоднородное распределение спиновой плотности. Ионы ванадия оказываются в двух различных зарядовых состояниях – трех- и пятивалентном.

Что касается непосредственного изучения высокотемпературных сверхпроводников, то здесь работа проводилась в трех направлениях.

В сверхпроводящей фазе изучались кривые намагничивания кольцеобразных керамик, поведение вихревых решеток. Обнаружено необычное, кроссоверное поведение силы пиннинга (времени релаксации) вихрей при приближении к точке перехода.

Обнаружен и подвергнут предварительному исследованию резистивный эффект в высокотемпературной области, существенно превышающей точку сверхпроводящего перехода. Явление связывается со структурным превращением, происходящим в изученной области температур.

На монокристаллических образцах тулиевых ВТСП с различным уровнем допирования подробно изучены резистивные и гальваномагнитные характеристики в широком интервале температур (4,2 – 300 К), магнитных полей (до 12 Тесла) и ориентаций поля относительно осей кристалла. Обнаружен и исследован эффект перестройки антиферромагнитной доменной структуры под воздействием магнитного поля.

Все результаты, полученные в текущем году, являются новыми, ранее неизвестными в науке. Достоверность данных обеспечена высоким метрологическим уровнем измерений и надежным уровнем автоматизации.

Результаты работ опубликованы (или направлены в печать).

Проведенные исследования открывают возможности для их развития в будущем году.

В работе принимали участие как научные работники, так и преподаватели, аспиранты и студенты. В 1999 году были защищены 2 квалификационные работы на соискание степени бакалавра.


1.9. Предложения о работе на 2000 год

В 2000 году должны быть получены подробные данные о температурной зависимости теплоемкости серии образцов тулиевых ВТСП с различным содержанием кислорода. Будет проведено разделение электронных, спиновых и решеточных вкладов в теплоемкость. Совместный анализ данных, полученных при измерениях различных свойств, должен привести к более ясному пониманию механизмов взаимодействия различных подсистем в купратах, приводящих к возникновению сверхпроводимости.

Также необходимо продолжить изучение высокотемпературных эффектов. Имеющиеся экспериментальные данные пока недостаточны для описания наблюденных явлений.

Изучение процессов релаксации кривых намагничивания ВТСП, критических параметров, изучение поведения джозефсоновских сетей в ВТСП также будет продолжено.

Экспериментальные работы требуют серьезной финансовой подпитки, поскольку расход хладоагентов (жидких азота и гелия) велик. К примеру, один цикл эксперимента в сильных магнитных полях (10 суток непрерывной работы) требует 400 литров жидкого гелия и столько же жидкого азота.

Что касается как экспериментальных, так и теоретических работ, то необходима модернизация средств вычислительной техники.

Общая потребность в финансировании составляет 36000 рублей, в том числе:

А) зарплата -5000 рублей

Б) начисления на зар. плату - 1925 рублей

В) расходуемые материалы - 10000 рублей

Г) приборы и оборудование - 11875 рублей

Д) накладные расходы - 7200 рублей.


1.10. Список использованных источников

J.M.Tranquada, D.E.Cox, W.Kunnman et al.,Phys. Rev. Lett. 60, 156 (1988).

P.Burlet, J.Y.Henry, L.P.Regnault. Physica C 296, 205, (1998).

3.В.Г.Барьяхтар, В.М.Локтев, Д.А.Яблонский СФХТ, 2, 32, (1989).

Л.А.Боярский, В.Я.Диковский ФНТ 2, 1297 (1976).

Y.Ando, A.N.Lavrov, K.Segawa Cond.-Mat./9905071 (1999).

L.S.Fritz, N.S.Dixon, Hyperfine Interactions 72, Iss 1-3, 191 (1992).

A.N.Lavrov, L.P. Kozeeva, Physica C 248, 365 (1995).

1.11. ПРИЛОЖЕНИЕ

Список публикаций исполнителей за 1999 год


1. Е.Б. Амитин, А.Г. Байкалов, А.Г. Блинов, Л.А. Боярский, В.Я. Диковский, K.Р. Жданов, М.Ю. Каменева, Л.П. Козеева, А.П. Шелковников. Магнетосопротивление слабодопированных монокристаллов TmBaCuO. Переориентация антиферромагнитной структуры в магнитном поле. //Письма в ЖЭТФ, 1999, Т. 70, Вып. 5, С. 350-355.

2. E.B. Amitin, V.Ya. Dikovsky, A.N. Lavrov, A.P. Shelkovnikov. Scaling behavior in normal-state properties of underdoped TmBaCuO single crystals. // Physica B, V.259-261, 1999, P.526-527.

3. Л.А.Боярский, С.П.Габуда, С.Г.Козлова. ЯМР- исследование низкотемпературной фазы диоксида ванадия// Физика низких температур, (принято в печать, 2000 год, февраль).

L.A.Boyarsky, S.P.Gabuda, S.G.Kozlova. Unusual magnetic behavior of vanadium dioxide. NMR 51V study// Physica B, (принято в печать, 2000 год, апрель).
A.A.Remova, Nonlinear splitting of intramolecular phonon frequencies in C60 Jahn-Teller system, Phys.Rev.B (принято к опубликованию).
А.А.Ремова , Спин-орбитальное взаимодействие и динамический эффект Яна-Теллера в системе С60, //ЖЭТФ, 116, (1999) 194-203.

A.I.Romanenko, L.P.Kozeeva, Cheng Dong et al.,// Physica C (в печати).

8. E.V. Matizen, P.P.Bezverkhy, V.G. Martynets, S.M. Ishikaev. Thermoactivated flux creep in high-temperature-superconducting rings in a low-frequency magnetic field. //Phys. Rev. B, 1999, v.59, No.14, p.9649-9654.

9. E.V. Matizen, P.P. Bezverkhy, V.G. Martynets. Critical behavior of binary gaseous mixtures. //Phys. Rev. E, 1999, v.59, No.3, p.2927-2938.
^ Доклады на конференциях

1. M.Yu. Kameneva, L.P. Kozeeva, A.N. Lavrov, E.V. Sokol, V.E. Fedorov, V.I. Alekseev. Dendrite crystals of TmBa2Cu3O6+x – their characterization and properties. // Abstract of the Third APAM topical seminar “Asian Priorities in Materials Development”, 7–9 june, 1999, Novosibirsk, Russia, p.134.

2. L.P. Kozeeva, M.Yu. Kameneva, I.G. Vasilyeva, I.N. Kuropyatnik. CA-doped RBCO: actual structure and composition. // Abstract of the Third APAM topical seminar “Asian Priorities in Materials Development”, 7–9 june, 1999, Novosibirsk, Russia, p.135.

3. G.M. Rilov, M.Yu. Kameneva, L.P. Kozeeva, A.N. Lavrov. X-ray topography and SEM observations of LnBa2Cu3O6+x (Ln=Tm, Lu) single crystals. Abstracts of IUCr99 (XVIIIth International Union of Crystallography Congress and General Assemblly), Glasgow, Scotland, UK, August 4–13, 1999.

8. A.I. Romanenko, L.P. Kozeeva, Cheng DONG, Fang ZHOU, Fei WU, O.B. Anikeeva, A.V. Kazantsev, V.S. Kravchenko, E.V. Uskov, N.F. Zakharchuk, I.N. Kuropyatnik. Effect of oxygen redistribution in Bi-based high-Tc superconductors on their normal and superconducting properties. // Стендовый доклад, Конференция международного материаловедческого общества IUMRS-ICAM’99, Пекин, 13-20 июня 1999 года.

9. V.L. Kuznetsov, Yu.V. Butenko, A.I. Romanenko, A.V. Okotrub, L.G. Bulusheva. RESISTIVITY OF GRAPHITIZED ULTRA DISPERSE DIAMOND AND ONION-LIKE CARBON. // Abstracta of invited lectures & contributed papers, Fulerenes and atomic clusters, 4th Biennial International Workshop in Russia (IWFAC’99), October 4-8, 1999, St.Petersburg, Russia, P247, p.321.

10. A.V. Okotrub, L.G. Bulusheva, A.I. Romanenko. Electronic structure and properties of multiwall carbon nanotubes. // Abstracta of invited lectures & contributed papers, Fulerenes and atomic clusters, 4th Biennial International Workshop in Russia (IWFAC’99), October 4-8, 1999, St.Petersburg, Russia, Oral Contribution, p.25.

11. L.A. Boyarsky, S.P. Gabuda, S.G. Kozlova,. Anusual magnetic behavior of vanadium dioxide. NMR 51V study. // Abstracts of LT22, Helsinki, 1999.

12. E.P. Solotchina, V.A. Vasilevskii, M.Yu. Kameneva, P.A. Solotchin. Nonlinear programming methods for simulating the complex X-ray profiles of clay minerals. // Abstracts of European Clay Groups Association (Euroclay-99), Krakov, Poland, 1999, p. 134.

13. A.L. Beizel, L.G. Vakulenko, M.Yu. Kameneva. General features and mineralogy of argillites of condensed section in the Upper Jurassic of the North-East part of West Siberia. // Abstracts of European Clay Groups Association (Euroclay-99), Krakov, Poland, 1999.

14. E.P. Solotchina, M.Yu. Kameneva, V.A. Vasilevskii, P.A. Solotchin. Mixed-Layer Illite/Smectic from the Terrigenous Deposits, West-Siberian Plate, Materials Science Forum, 1999, v.321-324, p. 1028-1033.


1.12. ПРИМЕЧАНИЕ

Техническим заданием на 1999 год были предусмотрены работы по модернизации экспериментальных установок, используемых в научных исследованиях, проводимых студентами и аспирантами. Был также запланирован скромный объем собственно научных исследований, ограниченный необходимостью подготовки к защите квалификационных работ, обеспечения деятельности магистрантов и аспирантов. Связано такое планирование было с отсутствием перспектив на финансирование расходов по приобретению хладоагентов. В этой связи было нами запланировано создание учебных пособий.

К весне 1999 года ситуация резко изменилось. Нами были изысканы средства на жидкий гелий. В связи с этим все усилия были сосредоточены на подготовке и проведении экспериментов в сильных магнитных полях, обработке полученных результатов, написанию первой статьи по полученным данным.

Кроме того, значительные усилия были потрачены на выполнение ЯМР исследования двуокиси ванадия, написанию статей и докладов, подготовке к участию в 22 Международной конференции по физике низких температур в Хельсинки.

Все это потребовало от нас отложить составление учебных пособий на будущее.



От заказчика




От исполнителя

Декан физич. факультета НГУ




Ст. науч.сотр. ИНХ

Профессор И.А.Котельников




доцент Л.А.Боярский












«___»____________1999г.






«___»_________1999г.