Реферат: Введение Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников»

Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников В. Н. Белоозеров (ВИНИТИ РАН)
Н. Н. Шабурова (ИФП СО РАН) Введение
Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников» является информационно-поисковым тезаурусом в соответствии с ГОСТ 7.25.1) Он разработан в качестве компонента системы тематического поиска литературы по физике полупроводников в среде информационных ресурсов, содержание которых описывается различными классификациями отраслей знания. Единицами тезауруса являются дескрипторы, представленные кодами и наименованиями (ключевыми словами) классификационных рубрик четырёх авторитетных в области научной и технической информации классификаций – Универсальной десятичной классификации (УДК), Библиотечно-библиографической классификации (ББК), Государственного рубрикатора научно-технической информации (ГРНТИ), Рубрикатора отраслей знания Всероссийского института научной и технической информации (ВИНИТИ).


Ссылки:

С – синоним

См – отсылка от аскриптора (нерекомендованного термина) к синонимичному дескриптору.

В – вышестоящий, более широкий дескриптор, обозначающий родовое понятие или целый объект, в котором частью является заглавное понятие

Н – нижестоящий дескриптор, обратный к вышестоящему.

А – ассоциативное понятие, практически синоним при тематическом поиске литературы.
^ Лексико-семантический указатель дескрипторов Латиница
N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.21
В: вольтамперные характеристики
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/
Н: домены /в полупроводниках/
Н: эффект Ганна /в полупроводниках/

p-n-переходы = Переходная область в контакте между полупроводниками с электронной (n) и дырочной (p) проводимостью
ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.23
В: барьерные эффекты в полупроводниках
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: гетеропереходы /в полупроводниках/
Н: классические сверхрешётки /в полупроводниках/
Н: комбинации p-n-переходов
Н: контакты /полупроводников/
Н: объёмные неоднородности /в полупроводниках/
Н поверхность /: влияние на неоднородности в полупроводниках/
Н: слоистые структуры /в полупроводниках/
Н: туннельные контакты /полупроводников/
Н: эффекты поля / неоднородные системы в полупроводниках/

S-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.25
В: вольтамперные характеристики
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: шнурование
А а
автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/ = выход электронов из металла или полупроводника под действием сильного электрического поля
ВИНИТИ 291.19.31.37.23
С: туннельная эмиссия
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/

агрегатное состояние – действие на проводимость
УДК 537.312.64
В: температура – действие на проводимость

акустические явления в конденсированном веществе
УДК 538.951
В: свойства и явления в конденсированном веществе
А: механические явления в конденсированном веществе

акустические явления в аморфных полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.27.25
В: аморфные полупроводники – физика
В: акустические явления в полупроводниках

акустические явления в полупроводниках
ББК В379.231.7
ВИНИТИ 291.19.31.27
В: акустические явления в конденсированном веществе
B: полупроводники
Н: магнитное поле /влияние на акустику полупроводников/
Н: нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в поупроводниках/
Н: поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
Н: электроакустическое преобразование /в полупроводниках/
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках

акустооптика /полупроводников/ = раздел физики, изучающий взаимодействие оптических и акустических волн (акустооптическое взаимодействие), а также раздел техники, в рамках которого разрабатываются и исследуются приборы, использующие акустооптическое взаимодействие
ББК В379.24…
В: акустические свойства полупроводников

акусторезистивный эффект в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: электронные явления в полупроводниках

акустоэлектрические домены = области сильного электрического поля и большой интенсивности низкочастотных акустических фононов (акустических шумов} в полупроводнике, возникающие при усилении фононов дрейфом носителей заряда
ВИНИТИ 291.19.31.35.19
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках
В: неустойчивости /в полупроводниках/

акустоэлектрические явления в полупроводниках
ББК В379.231.7
С: электроакустические явления в полупроводниках
В: электрические свойства полупроводников
В: электронные явления в полупроводниках
Н: акустоэлектрические домены
Н: акустомагнетоэлектронный эффект в полупроводниках

акцептор /в структуре полупроводника/ = Примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий в запрещённой зоне полупроводника свободный энергетический уровень, на который легко переходит валентный электрон, оставляя в валентной зоне дырку
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки полупроводников

алмазы и алмазоподобные полупроводники – физика
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

аморфно-кристаллические полупроводники
ВИНИТИ 291.19.31.47
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники

аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
ВИНИТИ 291.19.31.47
В: полупроводники
Н: аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: оптические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоструктурные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: электропроводность /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/

аморфные полупроводники = ^ Тела в аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников
ББК В379.212.4
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники – физика

аморфные полупроводники – физика
ББК В379.212.4
В: аморфные полупроводники
В: структура полупроводников
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: люминесценция в аморфных полупроводниках
Н: неустойчивости в аморфных полупроводниках
Н: статистико-термодинамические свойства аморфных полупроводников
Н: фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
Н: энергетический спектр аморфных полупроводников
А: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
А: стеклообразные полупроводники – физика

анизотропная электропроводность полупроводников
ББК В379.231.2
В: анизотропные полупроводники
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: электронные явления в полупроводниках

анизотропные полупроводники = полупроводники, свойства которых неодинаковы по различным направлениям
ББК 379.2
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: структура полупроводников
В: физика полупроводников
Н: анизотропная электропроводность полупроводников

антисегнетоэлектрики = диэлектрики, не являющиеся сегнетоэлектриками, но обладающие определенной спецификой электрических свойств. Основной признак антисегнетоэлектрика - наличие структурного фазового перехода, сопровождающегося значительной аномалией диэлектрической проницаемости
ГРНТИ 29.19.35
В: физика твёрдых тел

антиферромагнетизм /полупроводников/ = одно из магнитных состояний вещества, отличающееся тем, что элементарные (атомные) магнитики соседних частиц вещества ориентированы навстречу друг другу (антипараллельно), и поэтому намагниченность тела в целом очень мала. Этим А. отличается от ферромагнетизма, при котором одинаковая ориентация элементарных магнитиков приводит к высокой намагниченности тела.
ББК В379.233.4
В: антиферромагнетизм – теория
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства полупроводников

антиферромагнетизм – теория
УДК 537.611.45
В: магнетизм – теория
Н: антиферромагнетизм полупроводников

антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
ГРНТИ 29.19.43
В: физика твёрдых тел
Н: антиферромагнетизм полупроводников
Н: антиферромагнитные материалы

антиферромагнитные материалы
УДК 537.622.5
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства материалов

антиферромагнитный резонанс = одна из разновидностей электронного магнитного резонанса, которая проявляется как резкое возрастание поглощения электромагнитной энергии, проходящей через антиферромагнетик (БСЭ)
УДК 537.635:537.611.45
В: магнитные резонансы
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: ферримагнитный резонанс
Н: ферромагнитный резонанс
Б б
барьерные эффекты в полупроводниках
ББК В379.231.21
В: электронные явления в полупроводниках
Н: потенциальные барьеры в полупроводниках
Н: р – n переходы /в полупроводниках/
Н: электронные переходы в полупроводниках

безизлучательная / рекомбинация в полупроводниках/ = рекомбинация носителей тока, при которой энергия выделяется в виде колебаний решетки или передается другим электронам проводимости, либо дыркам.
ВИНИТИ 291.19.31.29.25.17
В: рекомбинация /в полупроводниках/

бесщелевые полупроводники = 1. полупроводники, в которых отсутствует запрещённая зона, поэтому имеющие высокую диэлектрическую проницаемость (к ним относятся соединения ртути Hg, теллура Te, селена Se), 2. полупроводники, в которых ширина запрещённой зоны равна 0 лишь при определённых условиях (давление, температура и т. п.) (к ним относятся соединения висмута Bi, кадми Cd и свинца Pb)
ББК 379.2
ВИНИТИ 291.19.31.43
В: физика полупроводников

бистабильность оптическая в полупроводниках
ББК В379.24…
С: оптическая бистабильность полупроводников
В: оптические свойства полупроводников

биэкситоны /в полупроводниках/ = связанное состояние двух экситонов
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки

бор и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников
В в
вакансии /в кристаллической структуре/
В: дефекты кристаллической структуры
Н: вакансии в полупроводниках

вакансии в полупроводниках = ^ Узел кристаллической решётки, в котором отсутствует атом или ион
ББК В379.212.2
В: вакансии /в кристаллической структуре/
В: точечные дефекты /в полупроводниках/

валентная зона = верхняя из заполненных разрешённых зон
В: разрешённая зона

ванадий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

варизонные полупроводники – физика = кристаллы, в которых энергетические параметры зонной структуры (в т.ч. ширина запрещённой зоны), эффективные массы носителей и диэлектрическая проницаемость плавно изменяются вдоль одного или нескольких направлений в кристалле
ББК 379.2
В: кристаллические полупроводники
В: физика полупроводников

взаимодействие ионов с полупроводниками
ББК В379.212.7
С: ионная имплантация полупроводников
В: взаимодействие проникающего излучения с твёрдыми телами
В: радиационные эффекты в полупроводниках
Н: многозарядные ионы – взаимодействие с полупроводниками

взаимодействие проникающего излучения с твёрдыми телами
ГРНТИ 29.19.25
В: физика твёрдых тел
Н: взаимодействие ионов см полупроводниками
Н: ионная имплантация полупроводников

взаимодействие света с полупроводниками
ББК В379.24…
В: оптические свойства полупроводников

вибронные взаимодействия в полупроводниках
ББК В379.13
В: квантовая теория

видимый свет - действие на проводимость
УДК 537.312.52
В: излучения – действие на проводимость

висмут и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

влияние излучения/облучения на структуру и свойства полупроводников
ББК В379.212.7
С: радиационные эффекты в полупроводниках
В: влияние облучения на свойства твёрдых тел
В: структура полупроводников

влияние облучения на свойства твёрдых тел
ГРНТИ 29.19.21
В: физика твёрдых тел
Н: влияние излучения/облучения на структуру и свойства полупроводников

внешний фотоэффект
См: фотоэлектронная эмиссия

внутренний фотоэффект
См: фотопроводимость

внутризонное поглощение и отражение света /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.25.19.19
В: поглощение и отражение света /в полупроводниках кроме межзонного/

вольтамперные характеристики
Н: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников
Н: S- образные вольтамперные характеристики /полупроводников/

вторичная эмиссия /электронов в полупроводниках/ = испускание электронов поверхностью твёрдого тела при её бомбардировке электронами
ВИНИТИ 291.19.31.37.25
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/

высокие давления – влияние на электрические свойства полупроводников
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводниоков

высокоомные полупроводники – физика = полуизолирующие полупроводники с высоким удельным сопротивлением
ББК 379.2
В: физика полупроводников

высокочастотная диэлектрическая проницаемость и распространение электромагнитных волн /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.25.15
В: оптические явления в полупроводниках

высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.23.43
В: аморфные полупроводники – физика
В: высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/

высокочастотные кинетические явления (радиодиапазон) /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.23
В: кинетические явления /в полупроводник
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: нелинейные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: парамагнитный резонанс /в полупроводниках/
Н: плёнки /полупроводников в радиодиапазоне/
Н: поглощение и распространение волн /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: размерные эффекты /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: циклотронный резонанс /в полупроводниках/
Н: шумы /радиодиапазона в полупроводниках/
Н: электропроводность /полупроводников в радиодиапазоне/
Г г
галлий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
ВИНИТИ 291.19.31.47.17
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
В: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/
Н: гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники

гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники/
ВИНИТИ 291.19.31.21.43.21
В: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
В: гальваномагнитные явления /в полупроводниках/
В: статические кинетические явления в аморфных полупроводниках

гальваномагнитные явления /в полупроводниках/
ББК В379.23
ВИНИТИ 291.19.31.21.21
В: кинетические явления /в полупроводниках/
В: электрические и магнитные свойства полупроводников
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: гальваномагнитные явления /аморфные полупроводники/
Н: магнитное поле – действие на сопротивление
Н: эффект Холла
Н: квантующие магнитные поля

гашение фотопроводимости /полупроводников/ = восстановление первоначального темнового состояния образца
ВИНИТИ 291.19.31.29.15.19
В: фотопроводимость /полупроводников/
Н: собственная /фотопроводимость полупроводников/

генерация акустических волн
ВИНИТИ 291.19.31.35.17.15
В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/

генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35.17
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация акустических волн
Н: генерация электромагнитных волн

генерация СВЧ /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35.21.19
В: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/

генерация электромагнитных волн
ВИНИТИ 291.19.31.35.17.17
В: генерация колебаний /неустойчивости в полупроводниках/

германий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

гетеропереходы в полупроводниках = полупроводниковый переход между двумя разнородными по основному химическому составу или (и) фазовому состоянию полупроводниками
ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.25
В: неоднородные системы /в полупрововдниках/
В: p – n переходы /в полупроводниках/
Н: фотовольтаический эффект в гетеропереходах в полупроводниках

гетерополярные полупроводники = полупроводники, в которых атомы связаны смешанной (ионно-ковалентной) связью (к ним относится большинство соединений, например, типа А3В5)
В: полупроводники

гетероструктуры полупроводников – электрические свойства
ББК В379.231.5
В: полупроводниковые гетероструктуры
В: электрические свойства полупроводников
Н: жидкие кристаллы–электрические явления
Н: контакт диэлектрик–металл–полупроводник – электрические явления
Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – акустоэлектрические явления
Н: контакт пьезоэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакт сегнетоэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: контакт электролит–диэлектрик–полупроводник – электрические явления
Н: структура металл-диэлектрик-полупроводник
Н: полупроводниковые сверхрешётки
Н: слои Шоттки – электрические явления
Н: фотовольтаический эффект в контакте металл–полупроводник
Н: эксклюзия при контакте полупроводников с разными материалами
Н: электрические явления при контакте полупроводников с разными материалами
Н: явление Пельтье в полупроводниках

гиперкомбинационное рассеяние света в полупроводниках
ББК В379.247
В: рассеяние света в полупроводниках
В: спектроскопия полупроводников

гомеополярные полупроводники – физика = кристаллические полупроводники, атомы которых связаны друг с другом гомеополярной (двухэлектронной) ковалентной связью, образующейся перераспределением двух электронов между двумя одинаковыми атомами (к ним относятся элементарные полупроводники IV гр. периодической системы (Si, Ge, алмаз) и полупроводниковые соединения типа A4B4 (SiC))
ББК 379.2
В: кристаллические полупроводники
В: физика полупроводников

горячие носители тока в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: носители тока в полупроводниках
Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках
А: горячие электроны в полупроводниках

горячие электроны в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: электронные явления в полупроводниках
Н: диффузия горячих электронов в полупроводниках
А: горячие носители тока в полупроводниках
А: разогрев электронов в полупроводниках

границы раздела
ГРНТИ 29.19.16
В: физика твёрдых тел

графит – полупроводниковые свойства
ББК В379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников
Д д
давление /влияние на электропроводность полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.21.17
В: кинетические явления /в полупроводниках/
А: пьезосопротивление /полупроводников/

двойное лучепреломление /в полупроводниках/ = расщепление пучка света в анизотропной среде (например, в кристалле) на два слагающих, распространяющихся с разными скоростями и поляризованных в двух взаимно перпендикулярных плоскостях (БСЭ)
ББК В379.244…
В: оптические свойства полупроводников

деканалирование заряженных частиц в полупроводниках
ББК В379.212.7
В: каналирование и деканалирование заряженных частиц в полупроводниках

дефектно-примесные реакции в полупроводниках
ББК В379.212.2…
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников

дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках
ББК В379.231.26
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: электронные явления в полупроводниках

дефекты – влияние на электропроводность
ББК В379.231.26
В: /дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках/

дефекты /влияние на энергетический спектр полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.15.21
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: энергетический спектр полупроводников

дефекты внедрения
В: дефекты кристаллической структуры
Н: дефекты замещения

дефекты замещения
В: дефекты кристаллической структуры

дефекты кристаллической решётки /полупроводников/ = ^ Нарушения периодичности пространственного расположения атомов
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической структуры
В: структура полупроводников
Н: акцептор /в структуре полупроводника/
Н: биэкситоны в полупроводниках
Н: дефектно-примесные реакции в полупроводниках
Н: дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках
Н: дефекты /влияние на энергетический спектр полупроводников/
Н: дефекты Френкеля в полупроводниках
Н: дислокации в полупроводниках
Н: диффузия примесей в полупроводниках
Н: донор /в структуре полупроводника/
Н: интеркалирование полупроводников
Н: квазичастицы в полупроводниках
Н: конденсация Бозе-Эйнштейна в полупроводниках
Н: конденсация экситонов в полупроводниках
Н: отжиг радиационных эффектов кристаллической решётки
Н: поляритоны в полупроводниках
Н: поляритонные уровни в полупроводниках
Н: примеси в полупроводниках
Н: радиационные дефекты в полупроводниках
Н: структурные нарушения (радиационные) в полупроводниках
Н: термические дефекты в полупроводниках
Н: точечные дефекты в полупроводниках
Н: экситонные уровни в полупроводниках
Н: экситоны в полупроводниках

дефекты кристаллической структуры
ГРНТИ 29.19.11
В: физика твёрдых тел
Н: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
Н: вакансии /в кристаллической структуре/
Н: дефекты внедрения
Н: дефекты замещения

дефекты Френкеля в полупроводниках = дефекты кристаллической решётки, возникающие при перемещении атома кристалла из нормального положения в узле в каких либо из междоузлий
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)

деформационная люминесценция /полупроводников/
ББК В379.249
люминесценция полупроводников

диамагнетизм /полупроводников/ = Свойство вещества намагничиваться антипараллельно магнитному полю
ББК В379.233
В: диамагнетизм – теория
В: магнитные свойства полупроводников
Н: уровни Ландау в полупроводниках
Н: циклотронный резонанс в полупроводниках
А: диамагнитные полупроводники

диамагнетизм – теория
УДК 537.611.42
В: магнетизм – теория
Н: диамагнетизм полупроводников

диамагнетики = вещество, намагничивающееся навстречу направлению внешнего магнитного поля
ГРНТИ 29.19.47
УДК 537.622.2
В: магнитные свойства материалов
В: физика твёрдых тел
Н: диамагнитные полупроводники

диамагнитные полупроводники
ББК В379.233
В: диамагнетики
В: магнитные свойства полупроводников
А: диамагнетизм полупроводников

диамагнитный резонанс в полупроводниках
См: циклотронный резонанс в полупроводниках

динамика и статика структур
УДК 538.913
В: структуры вещества
А: динамика решётки

динамика кристаллической решетки полупроводников
ББК В379.133
В: динамика решётки
В: квантовая теория
А: кристаллическая структура и динамика решётки

динамика решётки
ГРНТИ 29.19.19
В: кристаллическая структура и динамика решётки
Н: динамика кристаллической решетки полупроводников
А: динамика и статика структур

дислокации в полупроводниках = дефекты кристаллической решётки, искажающие правильное расположение атомных плоскостей
ББК В379.212.23
ББК В379.231.26
В: /дефекты – влияние на электронные явления в полупроводниках/
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
Н: дислокации /влияние на оптические свойства полупроводников/
Н: дислокации – влияние на электрические свойства /полупроводников/

дислокации – влияние на электрические свойства /полупроводников/
ББК В379.231.26
В: дефекты кристаллической решётки /полупроводников/
В: дислокации в полупроводниках
В: электронные явления в полупроводниках

дислокации /влияние на оптические свойства полупроводников/
ББК В379.24…
В: дислокации в полупроводниках
В: оптические свойства полупроводников

дислоцированные атомы /в полупроводнике/
ББК В379.212.2
С: междуузельные атомы
В: точечные дефекты в полупроводниках

дисперсионные соотношения Крамерса-Кронинга для оптических функций полупроводников.
ББК В379.24…
В: дислокации в полупроводниках
В: оптические свойства полупроводников

дисперсия /света в полупроводниках/ = зависимость показателя преломления вещества от частоты (длины волны) света или зависимость фазовой скорости световых волн от частоты
ББК В379.243
В: дисперсия электромагнитных волн в полупроводниках
В: оптические свойства полупроводников

дисперсия электромагнитных волн в полупроводниках = зависимость фазовой скорости гармонических волн от их частоты
ББК В379.243
Н: дисперсия /света в полупроводниках/

дифракция рентгеновских лучей /в кристаллах полупроводников/ = рассеяние рентгеновских лучей кристаллами (или молекулами жидкостей и газов), при котором из начального пучка лучей возникают вторичные отклонённые пучки той же длины волны, появившиеся в результате взаимодействия первичных рентгеновских лучей с электронами вещества (БСЭ)
ББК В379.212.134
В: рентгеновский анализ полупроводников и их поверхностных слоёв

дифракция электронов /в кристаллах полупроводников/ = рассеяние микрочастиц (электронов, нейтронов, атомов и т.п.) кристаллами или молекулами жидкостей и газов, при котором из начального пучка частиц данного типа возникают дополнительно отклонённые пучки этих частиц; направление и интенсивность таких отклонённых пучков зависят от строения рассеивающего объекта (БСЭ)
ББК В379.212.144
В: электронограммы Кикучи в электронографии полупроводников

диффузия горячих электронов в полупроводниках
ББК В379.231.2
В: горячие электроны в полупроводниках
Н: метод исследования магнитосопротивления носителей тока в полупроводниках
Н: нелинейные свойства полупроводников
Н: носители тока в полупроводниках
Н: прыжковая проводимость полупроводников
Н: разогрев электронов в полупроводниках
Н: рекомбинация носителей тока в полупроводниках
Н: релаксация энергии горячих носителей тока в полупроводниках
Н: соотношения рассеяния носителей тока Видемана-Франца в полупроводниках
Н: центры захвата в полупроводниках
Н: электрические колебания в полупроводниках
Н: электрические флуктуации в полупроводниках
Н: электронная и дырочная проводимости полупроводников
Н: электронный газ в полупроводниках

диффузия и самодиффузия в полупроводниках
ББК В379.256
В: термодинамика полупроводников
Н: самодиффузия в полупроводниках

диффузия и ионный перенос в твёрдых телах
ГРНТИ 29.19.17
В: физика твёрдого тела
Н: диффузия примесей в полупроводниках

диффузия и самодиффузия в полупроводниках
ББК В379.256
В: термодинамика полупроводников

диффузия примесей в полупроводниках
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки (полупроводников)
В: диффузия и ионный перенос в твёрдых телах

диэлектрики = вещества, плохо проводящие электрический ток.(БСЭ)
ГРНТИ 29.19.33
В: физика твёрдых тел
А: диэлектрические свойства твёрдых тел
А: физика диэлектриков

диэлектрическая постоянная полупроводников
См: диэлектрическая проницаемость полупроводников

диэлектрическая проницаемость /в целом/ = величина, характеризующая диэлектрические свойства среды — её реакцию на электрическое поле. В соотношении D = eЕ, где Е — напряжённость электрического поля, D — электрическая индукция в среде, Д. п. — коэффициент пропорциональности e.(БСЭ)
УДК 537.226.1
Н: диэлектрическая проницаемость полупроводников

диэлектрическая проницаемость полупроводников
ББК В379.231.6
С: диэлектрическая постоянная полупроводников
В: диэлектрическая проницаемость в целом
В: диэлектрические свойства полупроводников

диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
ВИНИТИ 291.19.31.15
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
В: диэлектрические свойства полупроводников

диэлектрические свойства полупроводников
ББК В379.231.6
В: диэлектрические свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников
Н: диэлектрическая проницаемость полупроводников
Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: диэлектрические свойства полупроводников (статические)

диэлектрические свойства полупроводников (статические)
ВИНИТИ 291.19.31.19
В: диэлектрические свойства полупроводников
В: полупроводники

диэлектрические свойства твёрдых тел
ББК В379
В: диэлектрические явления в конденсированном веществе
В: полупроводниковые и диэлектрические свойства твёрдых тел
Н: диэлектрические свойства полупроводников
А: диэлектрики
А: физика диэлектриков

диэлектрические явления в конденсированном веществе
УДК 538.956
В: свойства и явления в конденсированном веществе
Н: диэлектрические свойства твёрдых тел

домены /в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.35.21.17
В: N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/

донор /в структуре полупроводника/ = примесный атом, ионизация которого (в результате теплового или иного возбуждения) приводит к переходу электрона в зону проводимости
В: дефекты /кристаллической решётки полупроводников/
А: донорные состояния в полупроводниках

донорные состояния в полупроводниках
ББК В379.13
А: донор /в структуре полупроводника/

дырки в полупроводниках – теория = При высвобождении электрона из кристаллической решетки полупроводника за счет теплового движения на его месте образуется так называемая дырка — положительно заряженная ячейка кристаллической структуры, которая может в любой момент оказаться занятой отрицательно заряженным электроном, перескочившим в нее с внешней орбиты соседнего атома
ББК В379.13
В: теория полупроводников
Е е
европий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

единичные гетеропереходы /электронный газ в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.46.19
В: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
Ж ж
жидкие кристаллы–электрические явления = состояние вещества, в котором оно обладает свойствами жидкости (текучестью) и некоторыми свойствами твёрдых кристаллов (анизотропией свойств) (БСЭ)
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства

жидкий гелий
УДК 538.941
В: квантовые жидкости и тела
А: твёрдый гелий
З з
зависимость физических свойств полупроводников от размеров
ББК В379.1
В: физические свойства полупроводников

закон Джоуля-Ленца = определяет количество тепла Q, выделяющегося в проводнике при прохождении через него электрического тока: Q пропорционально сопротивлению R проводника, квадрату силы тока I в цепи и времени прохождения тока t, Q = aI2Rt. Здесь а — коэффициент пропорциональности, зависящий от выбранных единиц измерения; если / измеряется в амперах, R — в омах, t — в секундах, то при а = 0,239Q выражено в калориях, при а = 1 — в джоулях. (БСЭ)
УДК 537.321
В: тепловое действие электрического тока

закон Ома = устанавливает, что сила постоянного электрического тока I в проводнике прямо пропорциональна разности потенциалов (напряжению) U между двумя фиксированными точками (сечениями) этого проводника (БСЭ)
УДК 537.311.2
В: сопротивление и проводимость

законы Кирхгофа
УДК 537.313
В: электропроводность

запрещённая зона полупроводников = область энергии между верхним уровнем валентной зоны и нижним уровнем зоны проводимости, характеризуется отсутствием электронных состояний
С: энергетическая щель
В: энергетические зоны полупроводников

зонная структура полупроводников = наличие в структуре полупроводников различных зон, объясняющее законы движения носителей заряда в них
ББК В379.13
В: квантовая теория
А: зонная теория

зонная теория = раздел квантовой механики, рассматривающий движение электронов в твёрдом теле (БСЭ)
ББК В379.13
В: теория полупроводников
А: зонная структура полупроводников

зонный электронный спектр /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.15.15
В: энергетический спектр полупроводников
Н: зонный электронный спектр – влияние давления
Н: зонный электронный спектр – конечные размеры образца

зонный электронный спектр – влияние давления
ВИНИТИ 291.19.31.15.15.15
В: зонный электронный спектр /полупроводников/

зонный электронный спектр – конечные размеры образца
ВИНИТИ 291.19.31.15.15.17
В: зонный электронный спектр /полупроводников/
И и
излучательная рекомбинация в полупроводниках
ББК В379.249
ВИНИТИ 291.19.31.29.25.15
В: люминесценция поолупроводников
В: рекомбинация /в полупроводниках/

излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
УДК 538.97
В: излучения
В: физика конденсированного состояния
Н: излучение лазеров /действие на полупроводники/
Н: излучения - действие на проводимость

излучения /действие на проводимость/
УДК 537.312.5
В: излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
В: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
Н: инфракрасное излучение - действие на проводимость
Н: видимый свет - действие на проводимость
Н: ультрафиолетовое излучение - действие на проводимость
Н: рентгеновские лучи - действие на проводимость
А: радиационные эффекты в полупроводниках

излучение лазеров /действие на полупроводники/
ББК В379.24…
В: излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
В: оптические свойства полупроводников

изотропия и анизотропия /электрических свойств/
УДК 537.226.5
Н: анизотропная электропроводность полупроводников
Н: анизотропные полупроводники

импеданс
УДК 537.311.6
В: сопротивление и проводимость
А: индуктивное сопротивление
А: сопротивление переменному току

индий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

индуктивное сопротивление
УДК 537.311.6
В: сопротивление и проводимость
А: импеданс
А: сопротивление переменному току

инжекционные токи в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников

инжекция /кинетические явления в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.35
В: кинетические явления /в полупроводниках/

интеркалирование полупроводников = введение в кристаллы слоистого типа дополнительных атомов, групп атомов или молекул между слоями для изменения физических свойств исходных кристаллов благодаря переносу элементов с инте