Реферат: Методические указания Пенза 2004 удк 621. 315. 416

Министерство образования и науки Российской Федерации


ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
кафедра микроэлектроники


Лабораторная работа Исследование свойств полупроводников методом вольт-фарадных характеристик


Методические указания





Пенза 2004


УДК 621. 315.416


Абрамов В.Б., Карпанин О.В., Медведев С.П., Метальников А.М, Печерская Р.М. Исследование свойств полупроводников методом вольт-фарадных характеристик.

Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и предназначены для студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин “Материалы электронной техники и основы микроэлектроники”, “Твердотельная электроника”, “Радиоматериалы и радиодетали”, “Измерения и контроль в микроэлектронике” при выполнении УИРС, курсового и дипломного проектирования.


Ó Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного университета


^ Цель работы: исследование электрофизических характеристик полупроводников и структур на их основе методом вольт-фарадных характеристик, изучение преобразования измерительных и электрических моделей.
^ Теоретическое введение Основные параметры, характеризующие полупроводниковые материалы
Различные физические величины, характеризующие полупроводник, можно разделить на несколько групп. К первой группе относятся величины, которые мало зависят от степени чистоты кристаллов, т.е. от присутствия примесей или иначе: от степени дефектности кристалла, если под дефектом понимать и примеси, и структурные дефекты, и вообще – любое нарушение периодического поля в кристалле. Примерами параметров, составляющих первую группу, являются ширина запрещенной зоны Eg, эффективные массы электронов и дырок и , концентрация собственных носителей заряда ni, параметр решетки a, температура Дебая Θ и ряд других. Величины этой группы называются фундаментальными параметрами (рис. 1).



Рис. 1. Классификационная схема параметров полупроводниковых материалов

Ко второй группе величин относятся наоборот, такие, которые существенно зависят от концентрации и вида дефектов, т.е. от содержания примесей, дислокаций и вакансий. К ним в первую очередь относятся концентрации самих дефектов ND и NA. Затем уже зависимые от них величины: удельное сопротивление (проводимость) (), подвижности элетронов и дырок n и p, времена жизни неравновесных носителей заряда n и p. Эти величины называются характеристическими параметрами.

Параметры, относящиеся к этой группе, в зависимости от содержания дефектов могут изменяться в десятки миллионов раз. Поэтому вариация именно этих величин и обусловливает применение полупроводниковых материалов в самых разнообразных приборах. Эти величины могут одновременно являться технологическими параметрами, характеризующими качество материала, выпускаемого промышленностью.

Наконец, имеется и третья группа величин, знание которых необходимо для правильной разработки технологии получения полупроводниковых материалов. Эти параметры, в основном, имеют физико-химический характер. Например, пределы растворимости примесей в данном полупроводнике Nпред., коэффициенты распределения , теплоты испарения H, коэффициенты диффузии D и ряд других.
^ Вольт-фарадные методы исследования параметров
Для измерения параметров полупроводниковых материалов в настоящее время используется большое количество разнообразных методов. Одним из них является методы вольт-фарадных характеристик. Одной из отличительных черт этих методов является то, что исследуется не монолитный полупроводник, а структура на основе полупроводника, обладающая емкостью: металл–полупроводник, металл–диэлектрик–полупроводник (МДП-структура) или р-n–переход. С их помощью проводят измерения концентрации легирующих примесей, глубоких уровней и их характеристик, генерационного времени неравновесных носителей заряда, плотности поверхностных состояний и их распределения по энергиям.

Вольт-фарадные методы измерения параметров полупроводников основаны на определении зависимости емкости структуры, обусловленной наличием объемного заряда в приповерхностной области полупроводника, от приложенного к ней напряжения. Одновременно на структуру могут оказывать влияние другие факторы, которые могут варьироваться при измерениях. К ним относятся воздействие на структуру внешнего фотоактивного излучения и ее нагревание по определенному закону. В первом случае емкость, возникающую за счет поглощения излучения, называют фотоемкостью, а во втором – термостимулированной емкостью.

Второй отличительной особенностью методов является наличие двух электрических сигналов, подаваемых на структуру. Первый – это постоянное напряжение (напряжение смещения), которое обеспечивает поддержку рабочей точки прибора, и второй – переменное напряжение малой амплитуды (измерительный сигнал), необходимое для измерения собственно емкости структуры.

В основе вольт-фарадных методов измерения лежит электронная теория приповерхностной области пространственного заряда и дифференциальной поверхностной емкости. Поэтому важным моментом измерительного процесса является понимание физических процессов, происходящих в полупроводниковых структурах, которые приводят к появлению емкости.
^ Емкость барьера Шоттки
В зависимости от соотношения работ выхода (уровней Ферми) материалов и типа проводимости полупроводника, при контакте металла с полупроводником возможны четыре ситуации. При этом в двух ситуациях наблюдается возникновение обогащенного слоя, а в двух – обедненного и даже инверсного. Если получается обогащенный слой, то для носителей заряда при их движении из материала в материал не образуется потенциального барьера. Если же слой получается обедненный – потенциальный барьер есть. Этот барьер и получил название барьера Шоттки (диод Шоттки).

Форма такого барьера существенно отличается от формы барьеров с неметаллическими веществами. Самое главное – вершина барьера имеет треугольную форму, т. е. толщина его явно уменьшается при приближении энергии частиц к вершине. В результате этого появляется возможность туннельного перехода, вероятность которого повышается по мере приближения к вершине потенциального барьера.

На рис. 2 представлена типичная энергетическая диаграмма перехода металл-полупроводник n-типа в равновесном состоянии (без внешнего электрического поля). На этом же рисунке показано распределение носителей заряда. Поскольку электронов в металле намного больше, мы видим только часть распределения.



Рис. 2. Энергетическая диаграмма и концентрация носителей заряда
в равновесном переходе металл-полупроводник

В плоскости металлургического контакта здесь присутствует разрыв зон EC; потенциальных барьеров два и они разные по величине: EМе – барьер для электронов металла, q0 – для электронов полупроводника.

Чтобы рассчитать распределение электрического потенциала в месте контакта, необходимо решить уравнение Пуассона. В предположении обеднения (в обедненном слое вблизи металлургической границы отсутствуют носители заряда) заряд в обедненной области протяженностью  обусловлен зарядами ионизированных доноров ND. В этом случае решение уравнения дает следующие результаты (рис. 3):

;

. (1)

Здесь s – диэлектрическая проницаемость полупроводника.

Из уравнения (1) можно получить, что , где 0 – контактная разность потенциалов, а U – приложенное напряжение. Пространственный заряд в полупроводнике равен

,

где S – площадь перехода Шоттки.



Рис.3. Распределение примеси, заряда, напряженности электрического поля
и потенциала в переходе Шоттки

По определению, емкость – скорость изменения заряда при изменении приложенного напряжения, т. е. . Изменение заряда в переходе связано с изменением толщины области обеднения, которая зависит от приложенного напряжения. Таким образом,

.

Выразим полное напряжение, приложенное к переходу, через емкость:

. (2)

Это соотношение показывает, что график зависимости квадрата величины, обратной емкости, от напряжения смещения должен представлять прямую линию. Зная наклон этой линии, можно определить уровень легирования полупроводника ND, а точка пересечения прямой с осью абсцисс дает значение 0. На практике наиболее серьезная неточность возникает при определнии 0 по пересечению графика с осью напряжений, что же касается наклона кривой, то он обычно позволяет довольно точно определить концентрацию примеси.

Эквивалентная схема диода Шоттки представлена на рис. 4.



Рис. 4. Эквивалентная схема диода Шоттки

Резистор ^ Rs представляет собой сопротивление объема полупроводника (сопротивление базы), а Rp – нелинейное сопротивление собственно перехода Шоттки, зависящее от приложенного напряжения.
^ Емкость p-n–перехода
P-n-переходы получают в результате образования контакта между полупроводниками, изготовленными на основе одних и тех же химических элементов с разным типом электропроводности. На рис. 5 представлена типичная энергетическая диаграмма p-n–перехода в равновесном состоянии (без внешнего электрического поля). На этом же рисунке показано распределение носителей заряда. Поскольку электронные сродства и ширина запрещенной зоны контактирующих материалов одинаковые, разрыв зон EC и EV в плоскости металлургического контакта равен нулю; потенциальных барьеров здесь два и они одинаковые по величине.



Рис. 5. Энергетическая диаграмма и концентрация носителей заряда в равновесном p-n–переходе

Как видно, для основных носителей заряда (дырок для p-области и электронов для n-области) существует потенциальный барьер высотой q0, для неосновных же носителей потенциального барьера не существует, и они проходят через p-n–переход беспрепятственно. В отличие от перехода Шоттки, контактная разность потенциалов довольно легко рассчитывается:

.

Решая уравнение Пуассона можно получить распределение напряженности электрического поля и потенциала в p-n–переходе (рис. 6):



(3)

Из уравнения (3) можно рассчитать общую толщину обедненной области

.



Рис.6. Распределение примеси, заряда, напряженности электрического поля
и потенциала в p-n–переходе

Для описания емкости пространственный заряд берется в одной из областей полупроводника (n или p) и равен

.

Тогда емкость будет определяться

.

Обычно диоды на основе p-n– переходов изготавливают с несимметричным легированием. Если, например, , выражение для емкости упрощается:

,

т.е. величина емкости определяется только примесью слаболегированной области.

Следовательно, как и в случае барьера Шоттки, можно будет воспользоваться уравнением (2) для определения концентрации примеси, но только в одной из областей p-n–перехода.

Рассмотренная нами емкость получила название барьерной емкости. Её величина определяется неподвижными зарядами ионов легирующих примесей, без учета подвижных носителей заряда (электронов и дырок). Однако в p-n–переходе, в отличие от барьера Шоттки, происходит инжекция (впрыскивание) неосновных носителей заряда в соседние области. Это приводит к перераспределению основных носителей заряда, что происходит за счет процессов диффузии (рис. 7). Емкость, обусловленная этими зарядами, называют диффузионной.

Несмотря на то, что в установившемся состоянии примыкающие к p-n–переходу области не заряжены, диффузионную емкость можно связывать с зарядом инжектированных носителей, так как инжектированные носители и нейтрализующие их основные носители не исчезают. Для сравнения вспомним, что и обычный конденсатор в целом электрически нейтрален. Но в обычном конденсаторе положительный и отрицательный заряды пространственно разделены (то же самое можно сказать и о барьерной емкости p-n–перехода), в то время как при инжекции и положительный и отрицательный заряды оказываются в одной и той же области и пространственно не разделяются, в результате чего невозможно обнаружить область, где проходят токи смещения. В этом существенное отличие диффузионной емкости от барьерной емкости p-n-перехода и от емкости обычного конденсатора.



Рис. 7. Распределение носителей при изменении напряжения:
а,в – установившиеся состояния; б – нейтрализация заряда инжектированных носителей

Наличие диффузионной емкости приводит к тому, что эквивалентная схема диода на основе p-n–перехода становится более сложной по сравнению с диодом Шоттки (рис. 8).



Рис. 8. Эквивалентная схема диода с p-n–переходом

Барьерная и диффузионная емкости соединены параллельно, поэтому для раздельного их определения необходимо проводить измерения не на одной частоте. Однако следует отметить, что при обратных напряжениях изменение количества неосновных носителей (а, следовательно, и заряда, определяющего диффузионную емкость) будет незначительным, и тогда можно считать, что Cдиф << Сбар. При прямых напряжениях этого утверждать нельзя, и емкости будут соизмеримы.
^ Емкость МДП-структуры
По своему строению структура металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) представляет собой плоский конденсатор, одна из обкладок которого выполнена из полупроводника. Наличие полупроводника приводит к тому, что в структуре появляются дополнительные слои, как хорошо проводящие электрический ток, так и плохо. Эти слои имеют достаточно большие размеры по сравнению с металлом, поскольку радиус экранирования Дебая в полупроводниках в 100–1000 раз больше, чем в металле. В результате емкость МДП-структуры представляется двумя последовательно соединенными емкостями: емкостью диэлектрика Сd и емкостью полупроводника Сs. На рис. 9 представлены конструкция (а) и энергетическая диаграмма структуры в равновесном состоянии (б). Обратите внимание, в равновесном состоянии (U=0) в полупроводнике присутствует искривление энергетических зон. Это связано в первую очередь с контактной разностью потенциалов Ме–п/п. Более того, для типичного сочетания Al–Si эта разность потенциалов одного знака как для n-типа, так и для p-типа полупроводника.



Рис. 9. МДП-структура: а) конструкция; б) энергетическая диаграмма

Полная емкость структуры определяется выражением

. (4)

Емкость диэлектрика определяется конструктивными параметрами и не зависит от напряжения смещения, т.е. является линейным элементом:

, (5)

где εs – диэлектрическая проницаемость материала диэлектрика; S – площадь управляющего электрода; d– толщина диэлектрика.

Емкость полупроводника Сs является нелинейным элементом, т.к. определяется как конструктивными параметрами, так и напряжением смещения U. При этом выделяют несколько режимов работы: обогащения, плоских зон, обеднения и инверсии. Энергетические диаграммы структуры и схематическое распределение зарядов показано на рис. 10. Первичной характеристикой нелинейной емкости является зависимость заряда QS от потенциала полупроводника s (рис. 11). Вид этой характеристики показывает существенную нелинейность емкости объемного пространственного заряда.



Рис. 10. Энергетические диаграммы и схематическое распределение зарядов в МДП-структуре:
а) – обогащения; б) – плоских зон; в) –обеднения; г) –инверсии



Рис. 11. Зависимость Qs(s)

На рис. 12 показаны вольт-фарадные характеристики (С-V-характеристики) для различных режимов МДП-структуры: обогащения (s<0), обеднения (0<S <B), слабой (B<S <2B) и сильной (S>2 B) инверсий. Начиная с области слабой инверсии в зависимости от частоты измерительного сигнала и темпа изменения напряжения смещения могут иметь место равновесные – низкочастотная (кривая а) и высокочастотная (кривая б) – характеристики и неравновесная высокочастотная характеристика (кривая в). На этом рисунке, кроме упомянутых выше, использованы следующие обозначения: СB – емкость плоских зон, соответствует поверхностному потенциалу S = 0; Сmin – минимальная низкочастотная емкости; C’min – минимальная высокочастотная емкость.



Рис. 12. С-V-характеристики идеальной МДП-структуры

Зависимость емкости идеальной МДП-структуры от напряжения при отрицательных значениях последнего отвечает аккумуляции дырок у границы раздела (см. рис. 12). В этом режиме дифференциальная емкость полупроводника существенно больше емкости диэлектрика, поэтому полная емкость структуры близка к величине Сd. Когда напряжение, приложенное к МДП-структуре, становится больше нуля, в приповерхностном слое полупроводника образуется обедненная область, которая действует как добавочный слой диэлектрика. Это приводит к уменьшению полной емкости МДП-структуры. Затем, проходя через минимум, обозначенный на рас. 12 символом Сmin, полная дифференциальная емкость структуры резко возрастает, снова приближаясь к величине Сd.

Последнее обусловлено тем, что в данной области напряжений у границы раздела с диэлектриком образуется электронный инверсный слой, дифференциальная емкость (аналогично диффузионной емкости p-n–перехода) которого также значительно превышает емкость диэлектрика. Нарастание емкости в области положительных смещений зависит от того, успевает ли концентрация инверсных электронов следовать за изменениями приложенного к структуре переменного напряжения, с помощью которого осуществляется измерение емкости.

Данный режим осуществляется лишь при сравнительно малых частотах. При более высоких частотах увеличения дифференциальной емкости структуры при положительных напряжениях не наблюдается (кривая б на рис. 12). Кривая в на этом рисунке соответствует вольт-фарадной характеристике идеальной МДП-структуры в условиях глубокого обеднения (импульсное напряжение смещения). На кривых, приведенных на рис. 12, указаны также характерные значения поверхностного потенциала.

Для обедненного слоя МДП-структуры решение уравнения Пуассона дает такой же результат как и в случае барьера Шоттки, поэтому можно воспользоваться уравнением (2) для определения концентрации примеси в полупроводнике.

Из всех МДП-структур наиболее важными являются структуры металл –SiO2, –Si (МОП). Отличие характеристик реальных МОП-структур от соответствующих зависимостей идеальных МДП-конденсаторов обусловлено существованием сложного распределения зарядов в окисле и возникновение поверхностного заряда в кремнии, обусловленного поверхностными ловушками (рис.13).



Рис. 13. Заряды в окисле

Основная причина возникновении поверхностных состояний в запрещенной зоне п/п заключается в том, что сама граница раздела является нарушением пространственной периодичности кристаллической решетки. При изменениях приложенного к МДП-структуре напряжения положение энергетических уровней поверхностных ловушек изменяется, следуя за смещением краев разрешенных зон полупроводника на границе раздела. В результате происходит изменение зарядного состояния этих ловушек.

Исходя из вышеизложенного следует, что эквивалентная схема МДП-структуры оказывается довольно сложной (рис. 14). На этом рисунке Сd – емкость диэлектрика; Rs – сопротивление полупроводника; Соб, Rоб – емкость и сопротивление обедненного слоя полупроводника соответственно; Синв, Rинв – емкость и сопротивление инверсного слоя полупроводника; Спс, Rпс – емкость и сопротивление, обусловленные поверхностными ловушками в полупроводнике. Однако такая полная схема будет реализована только при низкочастотных измерениях в режиме сильной инверсии.



Рис. 14. Полная эквивалентная схема МДП-структуры

При других режимах работы МДП-структуры схема будет изменятся (рис. 15).



Рис. 15. Эквивалентные схемы МДП-структуры при разных режимах:
а) – обогащения; б) – обеднения и инверсии при ВЧ измерениях
(без учета поверхностных состояний)

В частности, в режиме обогащения никаких емкостей в полупроводнике не существует, и эквивалентная схема будет состоять из двух элементов: Сd – емкость диэлектрика и Rs – сопротивление полупроводника. В режиме обеднения (без учета поверхностных состояний) эта схема дополняется Соб и Rоб – емкостью и сопротивлением обедненного слоя полупроводника. Аналогичная схема получается и в инверсном режиме при высокочастотных измерениях, поскольку заряд подвижных носителей не успевает изменяться при изменении напряжения измерительного сигнала (как в данной лабораторной работе).
^ Преобразование схем
Необходимость в преобразовании схем появляется вследствие того, что измерительный прибор может измерить либо последовательно соединенные активные и реактивные элементы схемы, либо параллельно. В настоящей лабораторной работе применяется именно параллельная схема (рис. 16). Эквивалентные же схемы структур являются более сложными, чем измерительная.



Рис. 16. Двухэлементная параллельная схема измерений

В основе правил преобразования одной электрической схемы, отображающей модель объекта исследования, в другую лежит идентичность реакции этих схем при идентичных воздействиях. Согласно теории комплексной переменной две комплексные величины Р = Хр + jУр и К = Хк + jУк будут равны в том случае, если будут соответственно равны их действительные и мнимые части, т.е. Хр =Xк и Xр = Ук.
^ Примеры преобразования
1. Преобразование последовательной двухэлементной схемы в параллельную двухэлементную схему (рис.17).



Рис. 17. Преобразование последовательной схемы в параллельную

Известные величины: С1, R1; искомые величины: С2, R2.

; ; .

. (6)

. (7)

Довольно часто активную составляющую представляют в виде проводимости. Тогда

; .


2. Преобразование параллельной двухэлементной схемы в последовательную двухэлементную схему (рис. 18).



Рис. 18. Преобразование параллельной схемы в последовательную

Известные величины : С2,R2 ; искомые величины: С1, R1.

; ;

. (8)

. (9)


3. Преобразование параллельной двухэлементной схемы в четырехэлементную (рис.15,б) (актуально для МДП-структур).

В случаях, если количество элементов в схемах не совпадает, сравнение двух комплексных величин не даст нужного количества уравнений для определения всех элементов схемы. Поэтому недостающие соотношения следует получить из других измерений. В частности, для МДП-структур можно воспользоваться тем, что в режиме обогащения эквивалентная схема представляет собой двухэлементную схему (Cd, Rs), элементы которой присутствую в более сложной эквивалентной схеме режима обеднения. Тогда процесс преобразования схем можно свести к следующим этапам (рис. 19).



Рис. 19. Последовательность преобразований схем

Преобразовать схему в двухэлементную последовательную схему, используя выражения (6) и (7).

Преобразовать двухэлементную схему в четырехэлементную последовательную схему, считая что крайние элементы схемы известны из измерений, проведенных в режиме обогащения МДП-структуры.

R1 = R1* + Rs; .

Преобразовать двухэлементную последовательную схему, состоящую из средних элементов, в двухэлементную параллельную схему.
^ Описание лабораторной установки
Работа реализована на стенде, который состоит из компьютера и измерительного блока. Измерительный блок (рис. 20) состоит из электронной части и зондового устройства для подключения внешнего образца. Кроме внешнего, в корпусе электронной части располагаются еще два. Блок реализует измерения активной и реактивной составляющих проводимости на частоте 1 МГц при напряжении смещения от –10 В до +10 В в диапазоне емкостей 1..1000 пФ.

Компьютер (совместно с программным обеспечением) является управляющим и индицирующим элементом стенда. Во время измерений стенд работает как в режиме цифрового осциллографа, так и в режиме измерений отдельных величин по приборам измерительной схемы.

Программное обеспечение управляет процессом измерений и позволяет рассчитывать параметры и характеристики исследуемого материала. Оно представлено двумя приложениями – C_V.exe и Server.exe.

Server.exe – это программа общения с измерительным блоком. Она работает самостоятельно и не зависит от приложения C_V.exe.



Рис. 20. Измерительный блок

^ C_V.exe – программа общения с пользователем. Она может работать как совместно с Server.exe, так и без нее. В первом случае возможно проводить как измерения, так и их обработку, во втором – только обработку ранее сделанных измерений.
^ Интерфейс пользователя Рабочее место
Внешний вид программы общения с пользователем организован как работа за классическим измерительным стендом, оснащенным различными источниками воздействия и регистрирующими измерительными приборами. Можно сказать, что эти устройства реально реализованы в измерительном блоке, но не имеют отдельных корпусов и индицирующих устройств. Последние представлены только на экране компьютера.

Основное окно программы общения с пользователем показано на рис. 21.




Рис. 21. Основное окно приложения


Центральное место занимает упрощенная схема измерений, которая реализована в реальном измерительном блоке. Таких схем можно выбрать три – либо при помощи команд меню, либо при помощи панели инструментов окна.

На каждой схеме присутствует свой набор управляющих и регистрирующих инструментов. Внешний вид приборных панелей, естественно, отличается от реально существующих приборов (рис. 22 и 23). Более того, на них есть специальные кнопки, которых в принципе не бывает на реальных устройствах: например, кнопка «Справка», позволяющая получить справочную информацию о данном приборе.



 

Рис. 22. Регистрирующий инструмент

 



 

Рис. 23. Управляющий инструмент

 

Непременным атрибутом при работе за классическим измерительным стендом является ^ Рабочая тетрадь, в которую экспериментатор заносит показания приборов. В программе эта возможность также реализована. Переключиться между схемой измерений и рабочей тетрадью можно с помощью ярлычков, расположенных внизу основного окна приложения (рис. 24).


 

 

Рис. 24. Переключение между рабочей тетрадью и схемой измерений

 
^ Рабочая тетрадь
Этот элемент управления предназначен для ведения текущих записей результатов измерений, расчетов, построенных на полученных результатах, и построения графиков. Все данные рабочей тетради хранятся в базе данных.

В рабочей тетради имеются три области: область управления, заголовок и таблица (рис. 25).

Область управления (рис. 26) предназначена для перемещения по результатам измерений и работы с ними. Под измерением понимается один эксперимент, в котором получены несколько строк с данными, позволяющими построить нужные Вам зависимости или семейство зависимостей.

 

Рис. 25. Рабочая тетрадь

В левой части области имеется таблица с названием измерения и датой его проведения. С помощью «мыши» или стрелок клавиатуры можно перемещаться по уже имеющимся результатам. При этом в Таблице рабочей тетради показываются измеренные и рассчитанные данные выбранного измерения.

^ Обратите внимание, кнопка «Записать» в этом режиме работы недоступна, т.е. Вы не можете добавить новые строки данных. Чтобы иметь возможность добавлять строки данных, Вы должны открыть новое измерение. Поэтому, прежде чем начинать записывать, следует хорошо продумать, что нужно записать в таблицу тетради.



Рис. 26. Область управления

Кнопка позволяет редактировать название измерения. При нажатии на нее в области управления появляется строка ввода с названием и с кнопкой. После исправления названия необходимо нажать эту кнопку и результат перепишется в таблицу, а строка ввода пропадет.



Рис. 27. Редактирование названия измерения

В правой части области управления находится панель с кнопками (см. рис. 26). Эти кнопки реализуют следующие команды:

Новое – открывает новое измерение. В таблице появляется новая запись с названием по-умолчанию и датой проведения измерения и включается режим редактирования названия – появляется строка ввода с названием, а кнопка  переходит в запрещенное состояние; запрещаются кнопки Вычислить и График. Обратите внимание, кнопка Запись доступна только при окончании редактирования названия измерений.

Записать – записывает одну (или несколько, если включен Характериограф) строк данных в таблицу рабочей тетради. Можно ограничиться записью одной строки и воспользоваться построителем выражений для расчетов.

При нажатии любой из кнопок, Вычислить или График, заканчивается запись данных в таблицу и запрещается кнопка Записать. Аналогичный эффект наблюдается при перемещении на другое измерение.

Удалить – удаляет все измерение вместе со связанными с ним расчетами и графиками.

Вычислить – запускает построитель выражений, который позволяет вычислить новые данные на основе измеренных величин, параметров образца и констант.

График – запускает построитель графиков, который позволяет представить измеренные и вычисленные данные, имеющиеся в таблице рабочей тетради, в графическом виде.

Заголовок. Эта часть рабочей тетради имеет справочное назначение и содержит информацию об образце и предел измерений (рис. 28).

В таком виде заголовок представлен в процессе просмотра измерений и в процессе записи, когда уже появилась хотя бы одна строка в таблице. Перед началом каждого измерения заголовок содержит информацию только об образце.



Рис. 28. Информация об образце и измеряемых величинах

В таблице рабочей тетради содержатся значения измеряемых величин и расчетных величин (Expr_1 на рисунке), полученных на основе измеряемых.





Рис. 29. Таблица ^ Рабочей тетради

В процессе просмотра измерений (когда активна кнопка «Вычислить» на панели управления области управления) можно добавить или удалить рассчитываемые величины при помощи построителя выражений. Также любые величины из таблицы (в том числе и рассчитанные) можно представить в графическом виде.


^ Схемы измерений
Схем измерений, которые реализованы в реальном измерительном блоке, можно выбрать три – либо при помощи команд меню, либо при помощи панели инструментов окна (рис. 30). На каждой схеме присутствует свой набор управляющих и регистрирующих инструментов.

         

Рис. 30. Переключение между схемами измерений

Схема измерений № 1 (рис. 31) предназначена для проведения однократных измерений с последующим изменением установок источников воздействия или однократных измерений при изменении температуры в результате нагрева или охлаждения. То есть, схема реализует измерение характеристик "по точкам", например, зависимость емкости от напряжения смещения.



Рис. 31. Схема измерений № 1

На схеме присутствуют следующие элементы:

 ^ Управляемый источник напряжения. Предназначен для изменения напряжения смещения (напряжения в рабочей точке) на образце.

 Образец. Предназначен для переключения образцов в измерительном стенде. Также позволяет получить информацию об объекте исследования.

 Амперметр. Предназначен для измерения постоянной составляющей тока через образец.

 Вольтметр. Предназначен для измерения постоянного напряжения (напряжения смещения на образце).

 Измеритель C R. Предназначен для измерения активной и реактивной составляющих проводимости образца на фиксированной частоте 1 МГц.


При наведении курсора на элемент схемы, он меняет свое очертание со стандартной "стрелки" на "указывающую руку". Если теперь нажать на левую кнопку "мыши", соответствующий инструмент становится видимым.

Примечание. Даже если регистрирующий инструмент невидим, измерения все равно производятся и могут быть записаны в рабочую тетрадь при нажатии соответствующей кнопки в области управления рабочей тетрадью.

Схема измерений № 2 (рис. 32) предназначена для проведения многократных измерений. То есть, схема реализует измерение характеристик "целиком" (например, зависимость емкости от напряжения смещения).




Рис. 32. Схема измерений № 2

На схеме присутствуют следующие элементы:

 ^ Функциональный генератор. Предназначен для пилообразного изменения напряжения смещения на образце.

 Образец. Предназначен для переключения образцов в измерительном стенде. Также позволяет получить информацию об объекте исследования.

 Характериограф. Предназначен для измерения зависимости активной и реактивной составляющих проводимости (ось Y) образца на фиксированной частоте 1 МГц от напряжения смещения (ось X).

Схема измерений № 3. Эта схема (рис. 33) предназначена для проведения многократных измерений. То есть, схема реализует измерение характеристик "целиком" (например, зависимость тока от напряжения смещения).



Рис. 33. Схема измерений № 3

В отличие от схемы №2 вместо характериографа на этой схеме расположен осциллограф, который предназначен для измерения зависимости постоянной составляющей тока через образец (ось Y) от напряжения смещения (ось X).
^ Управляющие инструменты
На каждой измерительной схеме присутствует свой набор инструментов. Их можно разделить на управляющие и регистрирующие. Управляющие инструменты – это инструменты, связанные с источниками воздействия; регистрирующие инструменты – это измерительные приборы, которые представляют измеренные данные.

^ Управляемый источник напряжения. Предназначен для изменения напряжения смещения (напряжения в рабочей точке) на образце.



Рис. 30. Управление напряжением смещения

Позволяет при помощи ползунка изменять значение постоянного напряжения на образце. Напряжение может изменяться как в отрицательную (обратное напряжение), так и в положительную (прямое напряжение) сторону. Максимальные значения напряжений определяются образцом, подключенным в данный момент. Конкретное значение можно узнать, щелкнув на схеме измерений "Образец".

Передвигать ползунок можно либо с помощью "мыши" (нажав на левую кнопку и, не отпуская кнопку, перемещая "мышь"), либо с помощью стрелок на клавиатуре.

В правой части прибора расположен индикатор перегрузки измерительного стенда по постоянному току. При наличии перегрузки передвижение ползунка в сторону увеличения напряжения не имеет эффекта, т.е. прибор начинает работать в режиме стабилизации тока.


^ Функциональный генератор. Предназначен для пилообразного изменения напряжения смещения на образце.



Рис. 31. Функциональный генератор

Генератор работает в измерительных схемах, в которых в качестве регистрирующего прибора применяется характериограф или осциллограф. Поэтому появляется необходимость в периодическом линейном (пилообразном) изменении напряжения. График одного периода работы генератора изображается на диаграмме рабочего окна.

С помощью ползунков можно изменять амплитудное значение напряжения от максимального прямого до максимального обратного значения. Максимальные значения определяются образцом, подключенным в данный момент. Конкретное значение можно узнать, щелкнув на схеме измерений "Образец".

Передвигать ползунок можно либо с помощью "мыши" (нажав на левую кнопку и, не отпуская кнопку, перемещая "мышь"), либо с помощью стрелок на клавиатуре.

Цифры на диаграмме рабочего окна отображают значения максимального и минимального значений напряжения смещения при работе генератора.

Генератор имеет кнопку ^ Предварительный просмотр. Этот режим позволяет снимать характеристику достаточно быстро, но с большой погрешностью измерений и малым количеством точек. Он предназначен для оценочного наблюдения характеристики, чтобы можно было определить нужный предел измерений, выбрать необходимые границы изменения напряжения смещения.

Для начала работы функционального генератора следует нажать тумблер, расположенный в его левом верхнем углу. При любом изменен