Реферат: Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни кременчуцький національний університет імені михайла остроградського

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ

КРЕМЕНЧУЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ МИХАЙЛА ОСТРОГРАДСЬКОГО


Назва факультету

Факультет електроніки та комп’ютерної інженерії




Кафедра

Інформаційно-управляючих систем

Прізвище, iм’я,
по-батькові викладача

^ Оксанич Анатолій Петрович

Посада

зав. кафедри, професор

Вчене звання

професор

Вчена ступінь

д.т.н.



^ СПИСОК НАУКОВИХ ПРАЦЬ



№ п/п

Тип

Співавтори

Назва

Джерело

Рік

ДА

Фах

Вид

Пуб.

ІФ

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

153

ТДК

Клюй М.І.,

Лук’янов, А.М.,

Лозінський В.Б., Фомовський Ф.В.

Розробка методики та обладнання для діагностики структурної досконалості і рівня механічних напружень в тонких приповерхневих шарах кремнію

Збірник матеріалів І-ї міжнародної науково-практичної конференції, Кременчук 5-7 травня 2011р./Наук.ред.: В.Р. Петренко.- Кременчук, 2011: - С. 55

2011

0,08

Техн.

Прак.

укр.




152

ТДК

Шевченко І.В, Тербан В.А.

Влияние температуры фонового нагревателя на температурне градиенты и урівень дислокацій в слитке НІН GaAs, выращиваемого по LEC-технологии

Збірник матеріалів І-ї міжнародної науково-практичної конференції, Кременчук 5-7 травня 2011р./Наук.ред.: В.Р. Петренко.- Кременчук, 2011: - С. 91

2011

0,08

Техн.

Прак.

рос.




151

ТДК

Седин Е.А.

Разработка модели расчёта внутренних напряжений и деформацій в кремниевых эпитаксиальных структурах

Збірник матеріалів І-ї міжнародної науково-практичної конференції, Кременчук 5-7 травня 2011р./Наук.ред.: В.Р. Петренко.- Кременчук, 2011: - С.68

2011

0,04

Техн.

Прак.

рос.




150

ТДК

Притчин С.Э.

Применение поляризационно-оптического метода для исследования внутренних напряжений в кремниевых эпитаксиальных структурах

Збірник матеріалів І-ї міжнародної науково-практичної конференції, Кременчук 5-7 травня 2011р./Наук.ред.: В.Р. Петренко.- Кременчук, 2011: - С. 77

2011

0,08

Техн.

Прак.

рос.




149

CТ

Сіора, О.С.; Тербан, В.А.

Разработка математической модели определения плотности микродефек тов в монокристаллах Cz-Si

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на IV міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-4: 19-21 травня 2010р., Кременчук. Збірник тез доповідей. – Кременчук, КУЕІТУ, 2010. – с. 12-13

2010

0,083

Техн.

Прак.

рос.




148

CТ

Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.

Высокочувствительный аппаратурно-программный комплекс для измерения внутренних напряжений в полупроводниковых материалах

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на IV міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-4: 19-21 травня 2010р., Кременчук. Збірник тез доповідей. – Кременчук, КУЕІТУ, 2010. – с. 115-116

2010

0,083

Техн.

Прак.

рос.




147

CТ

Сіора, О.С.; Тербан, В.А.

Разработка математической модели определения плотности микродефектов в монокристаллах Cz-Si

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на IV міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-4: 19-21 травня 2010р., Кременчук. Збірник тез доповідей. – Кременчук, КУЕІТУ, 2010. – с. 12-13

2010

0,083

Техн.

Прак.

укр




146

МГ

Тербан,В.А.; Волохов,С.О.; Клюй, М.І.; Скришевський,В.А.;Костильов,В.П.;Макаров, А.В.

Сучасні технології виробництва кремнію та кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії

Монографія. – 2010

2010




Техн.

Прак.

укр




145

CТ

Петренко, В.Р.; Волохов, С.А.

Синтез прогнозного регулятора для процесса выращивания обьемных монокристаллов кремния для солнечных ФЭП

Автоматизированные системы управления и приборы автоматики. – 2009. – Вип. 148. – с. 59-70. Фахове видання

2009

0,5

Техн.

Прак.

укр




144

CТ

Притчин, С.Е.; Волохов, С.О.; Тербан, В.А.

Метод і пристрій вимірювання потужності графітового нагрівача ростової установки

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2009. - № 4(26). – с. 3-9Фахове видання

2009

0,291

Техн.

Прак.

укр




143

CТ

Міхальчук, В.І.; Сіора, О.С.

Розробка математичної моделі для визначення концентрації вуглецю в Cz-Si монокристалах

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2009. - № 4(26). – с. 10-159 Фахове видання

2009

0,25

Техн.

Прак.

укр




142

CТ

Притчин, С.Е.; Волохов, С.О.; Тербан, В.А.

Метод і прилад вимірювання діаметра злитків кремнію, що вирощуються для сонячної енергетики

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2009. - № 3(25). – с. 9-16 Фахове видання

2009

0,33

Техн.

Прак.

укр




141

CТ

Шевченко, И.В.; Волохов, С. О.

Оптимизация теплового экрана ростовой установки

VIII Всеукраїнська науково-технічна конференція «Фізичні процеси та поля технічних і біологічних об’єктів». Тези доповідей. – Кременчук: КДУ імені Михайла Остроградського, 2009. – с.270-271

2009

0,083

Техн.

Прак.

укр




140

CТ

Сиора, А.С.

Контроль радиального рапределения углерода в кристаллах кремния

Тези доповідей IV Української конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-4). Запоріжжя, 15-19 вересня 2009 р. / Наукова рада з проблеми «Фізика напівпровідників і напівпровідникові прилади» НАНУ, МОНУ, УФТ, ІФН ім.. В.Є. Лашкарьова НАНУ, КПУ (м. Запоріжжя), ЗНТУ, ВАТ «Завод напівпровідників». – Запоріжжя : Класичний приватний університет, 2009. – Т. 1. – с. 213

2009

0,041

Техн.

Прак.

укр




139

CТ

Притчин, С.Э.; Волохов, С.О.

Разработка микропроцессорно системы управления промышленной установкой по выращиванию слитков «солнечного» кремния діаметром 200 мм

Тези доповідей IV Української конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-4). Запоріжжя, 15-19 вересня 2009 р. / Наукова рада з проблеми «Фізика напівпровідників і напівпровідникові прилади» НАНУ, МОНУ, УФТ, ІФН ім.. В.Є. Лашкарьова НАНУ, КПУ (м. Запоріжжя), ЗНТУ, ВАТ «Завод напівпровідників». – Запоріжжя : Класичний приватний університет, 2009. – Т. 1. – 214

2009

0,041

Техн.

Прак.

укр




138

CТ

Хозя, П.А.; Шевченко, И.В.

Математическая модель геометри теплового узла ростовой установки для выращивания монокристаллов GaAs методом Чохральского

Прикладная радиоэлектроника. – 2008. – Том 7, № 4. – с 351-355. Фахове видання

2008




Техн.

Прак.

укр




137

CТ

Petrenko, V.R.

TWO-level system of controlling the process of Cz-Si single crystals growing

Proceedings “Forum on Higher Education”. Congress of the Black Sea Universities Network, April 2-5, 2008. – Kyiv, 2008. – p. 111-112.

2008

0,083

Техн.

Прак.

укр




136

CТ

Хозя, П.О.; Притчин, С.Е.

Розробка процедури визначення температурних полів і термопластичних напруг в зливках GaAs, вирощених LEC

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 1(19). – 2008. – с. 4-10. Фахове видання

2008

0,291

Техн.

Прак.

укр




135

CТ

Притчин, С.Е.; Сіора, О.С.; Ткаченко, М.А.

Вплив тепломасопереносу на розподілення кисню в розплаві при вирощуванні зливків кремнію

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 2(20). – 2008. – с. 15-20. Фахове видання

2008

0,25

Техн.

Прак.

укр




134

CТ

Вашерук, А.В.; Хозя, П.А.;

Анализ распределения дислокаций в монокристаллах GaAs на основе аналитической модели распределения тепла и температурных напряжений

3-я Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3)». Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. – Одеса: Астропринт, 2008. - с. 166.

2008

0,041

Техн.

Прак.

укр




133

CТ

Притчин, С.Э.; Сиора, А.С.

Измерение радиального распределения кислорода в пластинах монокристаллического кремния

3-я Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3)». Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. – Одеса: Астропринт, 2008. - с. 324.

2008

0,041

Техн.

Прак.

укр




132

CТ

Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.

Влияние условий синтеза на детекторные характеристики ионизирующих излучений монокристаллов i-GaAs

3-я Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3)». Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. – Одеса: Астропринт, 2008. - с. 346.

2008

0,041

Техн.

Прак.

укр




131

CТ

Petrenko, V.R.

Two-level system of controlling the process of Cz-Si single crystals growing

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на Третій міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-3, присвяченій 90-річчю НАНУ: 21-23 травня 2008 р., Кременчук. – Кременчук: КУЕІТУ, 2008. – с. 77-78.

2008

0,083

Техн.

Прак.

укр




130

CТ

Притчин, С.Э.; Сиора, А.С.

Исследование влияния тепломассопереноса на распределение атомов кислорода в расплаве в установках по выращиванию слитков кремния

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на Третій міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-3, присвяченій 90-річчю НАНУ: 21-23 травня 2008 р., Кременчук. – Кременчук: КУЕІТУ, 2008. – с. 135-136

2008

0,083

Техн.

Прак.

укр




129

CТ

Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.

Контроль оптичної однорідності GaAs та вплив технологічних параметрів вирощування кристалів на характеристики оптичних деталей

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на Третій міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-3, присвяченій 90-річчю НАНУ: 21-23 травня 2008 р., Кременчук. – Кременчук: КУЕІТУ, 2008. – с. 140-141

2008

0,083

Техн.

Прак.

укр




128

CТ

Хозя, П.А.; Притчин, С.Э.

Разработка процедуры определения температурных полей и термических напряжений в слитках ПИН GaAs, выращенных из расплава

Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології. Тези доповідей на Третій міжнародній науково-практичній конференції МЕТІТ-3, присвяченій 90-річчю НАНУ: 21-23 травня 2008 р., Кременчук. – Кременчук: КУЕІТУ, 2008. – с. 142-144

2008

0,125

Техн.

Прак.

укр




127

CТ

Петренко, В.Р. Притчин, С.Е.; Білий, П.М.

Основні динамічні показники малопотужних магнітоелектричних двигунів

Електротехніка та електроенергетика. – 2008. - № 1. – с. 4-7. Фахове видання

2008

0,16

Техн.

Прак.

укр




126

CТ

Хозя, П.О.; Шевченко, І.В.

Чисельно-аналітичне рішення задачі теплообміну з поверхні зливка в процесі вирощування монокристалів GaAs методом Чохральського з рідинною герметизацією

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2008. - № 4(22). – с. 10-17. Фахове видання

2008

0,33

Техн.

Прак.

укр




125

CТ

Хозя, П.О.; Шевченко, І.В.

Моделирование тепловых явлений в процессе выращивания монокристаллов GaAs методом Чохральского

І Міжнародна конференція «Електронна компонентна база. Стан і перспективи розвитку» в рамках 3-го Міжнародного радіоелектронного форуму «Прикладна радіоелектроніка. Стан і перспективи розвитку» МРФ-2008. Збірник наукових праць. Том ІІІ. – Харків: АН ПРЕ, ХНУРЕ, 2008. – с. 120-123.

2008

0,16

Техн.

Прак.

укр




124

CТ

Петренко, В.Р.; Притчин, С.Э.; Сиора, А.С.

Цифровая обработка спектра пропускания как средство повышения точности измерения концентрации углерода в пластинах кремния

Складні системи і процеси. – 2008. - №2. – с. 96-101. Фахове видання

2008

0,25

Техн.

Прак.

укр




123

CТ

Хозя, П.О.; Шевченко, І.В.

Численно-аналитический поход к моделированию тепловых явлений в процессе выращивания монокристаллов GaAs методом Чохральского

Складні системи і процеси. – 2008. - №2. – с. 14-18. Фахове видання

2008

0,208

Техн.

Прак.

укр




122

CТ

Батареєв, В.В.; Шепель, Л.Г.

Исследование спектров фотолюминисценции и их связь с плотностью дислокаций в пластинах пин GaAs с различной степенью стехиометрии

Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 1(48). – Дніпропетровськ, 2007. – с. 151-165. Фахове видання

2007

0,625

Техн.

Прак.

укр




121

CТ

Шепель, Л.Г.; Маркевич, С.М.

Разработка алгоритма обработки результатов измерения параметра  полупроводниковых детекторных материалов

Складні системи і процеси. - № 1. – 2007. – с. 84-89. Фахове видання

2007

0,291

Техн.

Прак.

укр




120

CТ

Петренко, В.Р.; Шепель, Л.Г.

Оптимизация решений при возникновении нештатных ситуаций в процессе выращивания монокристаллов кремния

Вісник Кременчуцького державного політехнічного університету. - Випуск 3/2007 (44). Частина 2. - с. 164-168. Фахове видання

2007

0,208

Техн.

Прак.

укр




119

CТ

Вашерук, А.В.; Хозя, П.А.

Математическое моделирование процесса выращивания Cz монокристаллов GaAs с использованием 3D информации о термоупругих напряжениях

Праці Луганського відділення Міжнародної Академії інформатизації. - № 2(15), 2007. – c. 89-93.

2007

0,208

Техн.

Прак.

укр




118

CТ

Мазницька, О.В.; Орел, В.І.

Особенности ректификационной очистки AsCl3

Інтегровані технології та енергозбереження. Щоквартальний науково-практичний журнал. – Харків: НТУ “ХПІ”, 2007. – № 2. – с. 121-124.Фахове видання

2007

0,16

Техн.

Прак.

укр




117

CТ

Мазницька, О.В.; Орел, В.І.

Ректифікаційне очищення AsCl3 від домішки оксигену

Тези доповідей: ІІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), Україна, Одеса, 17-22 червня 2007 р. – с. 406.

2007

0,041

Техн.

Прак.

укр




116

CТ

Вашерук, О.В.; Хозя, П. О.

Понижение термоупругих напряжений в монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского с жидкостной герметизацией

Тези доповідей: ІІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), Україна, Одеса, 17-22 червня 2007 р. – с. 416-417.

2007

0,083

Техн.

Прак.

укр




115

CТ

Петренко, В. Р.; Резвицкий, В.В.; Шепель, Л.Г.

Дослідження структурної досконалості твердих розчинів InSbBiAs рентгеноспектральним методом

Тези доповідей: ІІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-3), Україна, Одеса, 17-22 червня 2007 р. – c. 418.

2007

0,041

Техн.

Прак.

укр




114

CТ

Петренко, В.Р.; Білоконь, О. А.

Оценка адекватности математической модели взаимосвязи осевого и радиального распределений удельного электросопротивле ния в слитках монокремния

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 3(17). – 2007 – с. 3-8 Фахове видання

2007

0,25

Техн.

Прак.

укр




113

CТ

Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.; Білий, П.М.

Магнітоелектричні двигуни для сервоприводу

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 3(17). – 2007 – с. 90-94 Фахове видання

2007

0,208

Техн.

Прак.

укр




112

CТ

Шепель, Л.Г.; Тербан, В.А.; Маркевич, С.М.

Вплив умов попередньої термообробки теплового вузла на електрофізичні параметри ПІН GaAs при вирощуванні монокристалів методом Чохральського

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 3(17). – 2007 – с. 9-12 Фахове видання

2007

0,16

Техн.

Прак.

укр




111

CТ

Вашерук, А.В.; Хозя, П.А.

Модель термоупругих напряжений и плотности дислокаций в кристаллах GaAs, выращиваемых из расплава

Складні системи і процеси. -№ 2. – 2007. – с. 3-8. Фахове видання

2007

0,25

Техн.

Прак.

укр




110

CТ

Петренко, В.Р.; Честнова, І.С.

Нейромережевий підхід до структурного синтезу моделей передатних функцій лінійних динамічних об’єктів

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 4(18). – 2007. - с. 40. Фахове видання

2007




Техн.

Прак.

укр




109

CТ

Шепель, Л.Г.; Батареєв, В.В.

Дослідження закономірностей формування структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 1(11). – стор. 3-8 Фахове видання

2006

0,25

Техн.

Прак.

укр




108

CТ

Губачов, О.І.; Горова, А.І.

Закономірності системного фітомоніторингу Кременчуцького регіону

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 1(11). – стор. 193-199 Фахове видання

2006

0,291

Техн.

Прак.

укр




107

CТ

Петренко, В.Р.; Резвицький, В.В.; Шепель, Л.Г.

Вивчення показника стехіометричності кристалів GaAs дисплейними методами хемометрики

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 2(12). – стор. 5-10 Фахове видання

2006

0,25

Техн.

Прак.

укр




106

CТ

Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.

Вплив теплових умов на вміст кисню та розподіл щільності мікродефектів у процесі вирощування монокриста лів кремнію діаметром 200 мм

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 2(12). – стор. 15-21 Фахове видання

2006

0,291

Техн.

Прак.

укр




105

CТ

Мазницька, О.В.; Новохатько, О.В.; Орел, В.І.

Забруднення домішками кисню мишьяку при його одержанні з GaCl3

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 2(12). – стор. 33-35 Фахове видання

2006

0,125

Техн.

Прак.

укр




104

CТ

Губачов, О.І.; Прищепа, Л.В.; Шафорост, Є.І.

До проблеми використання елементів фітобіоти урбанізованого ландшафту для біомоніторингу промислових територій

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. – 2006. - № 2(12). – стор. 250-253 Фахове видання

2006

0,16

Техн.

Прак.

укр




103

CТ

Краскевич, В.Е.; Петренко, В.Р.; Шепель, Л.Г.

Автоматизированная система управления компоновкой загрузок при выращивании монокристаллов кремния для солнечных ФЭП

Складні системи і процеси. - № 1. – 2006. – с. 85-90 Фахове видання

2006

0,25

Техн.

Прак.

укр




102

CТ

Мазницька, О.В.; Оніпко, О.Ф.; Орел, В.І.

Попередня ректифікація арсен(ІІІ) хлориду

Складні системи і процеси. - № 1. – 2006. – с. 47-51 Фахове видання

2006

0,208

Техн.

Прак.

укр




101

CТ

Петренко, В.Р.; Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.

Алгоритмизация процедуры компоновки загрузок при выращивании монокристаллов кремния для солнечных ФЭП

1-а міжнародна конференція “Глобальні інформаційні системи. Проблеми та тенденції розвитку”: Зб. матеріалів конференції. – Харків: ХНУРЕ, 2006 р. - с. 63-65

2006

0,125

Техн.

Прак.

укр




100

CТ

Притчин, С.Е.; Габітов, В.Е.

Оптимізація процесу шліфування КСДІ на базі верстату САШ-420

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 3(13). – 2006. – с. 3-7 Фахове видання

2006

0,208

Техн.

Прак.

укр




99

CТ

Батареев, В.В.

Исследование закономерностей формирования остаточных напряжений в полуизолирующем арсениде галлия

1-а міжнародна конференція “Глобальні інформаційні системи. Проблеми та тенденції розвитку”: Зб. матеріалів конференції. – Харків: ХНУРЕ, 2006 р. - с. 487-488

2006

0,083

Техн.

Прак.

укр




98

CТ

Притчин, С.Э.; Краскевич, В.Е.; Батареев В.В.

Автоматизированный комплекс для измерения внутренних напряжений в пластинах GaAs

Складні системи і процеси. - № 2(10). – 2006. – с. 40-50. Фахове видання

2006

0,458

Техн.

Прак.

укр




97

CТ

Глушков, Є.О.; Мазницька, О.В.; Орел, В.І.

Електричні властивості епітаксіальних шарів GaAs, отриманих за низької температури в системі Ga-AsCl3-H2

Нові технології. Науковий вісник КУЕІТУ. - № 4(14). – 2006 – с. 3-6 Фахове видання

2006

0,16

Техн.

Прак.

укр




96

CТ

Шепель, Л.Г.; Маркевич, С.М.; Рябіков, В.М.

Разработка метода и аппаратуры измерения произведения  кристаллов пин GaAs, выращенных по методу Чохральского

Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 5(46). – Дніпропетровськ, 2006. – с. 127-136. Фахове видання

2006

0,416

Техн.

Прак.

укр




95

CТ

Притчин, С.Э.; Ткаченко, М.О.

Система автоматического управления процессом шлифовки кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

Праці Луганського відділення Міжнародної Академії інформатизації. Науковий журнал. - №1(10), 2005. - с. 71-73. Фахове видання

2005

0,125

Техн.

Прак.

укр




94

CТ

Батареєв, В. В.

Розробка процедури оптимізації вирощування структурно досконалих зливків арсеніда галію

Праці Луганського відділення Міжнародної Академії інформатизації. Науковий журнал. - №1(10), 2005. - с. 74-76. Фахове видання

2005

0,125

Техн.

Прак.

укр




93

CТ

Шепель, Л.Г.; Маркевич, С.М.; Резвицький, В.В.

Залежність електрофізичних параметрів кристалів GaAs від умов синтезу

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. –2005. – №1-2 (7-8). – с. 5-8. Фахове видання

2005

0,16

Техн.

Прак.

укр




92

CТ

Петренко, В.Р.

Керування об’ємом міжрівневого інформаційного обміну в дворівневій системі управління вирощуванням зливків кремнію

Фізика і технологія тонких плівок. Матеріали Ювілейної Х Міжнародної конференції “МКФТТП-Х”, Івано-Франківськ, 2005. – Т.2. – с.194-195

2005

0,041

Техн.

Прак.

укр




91

CТ

Притчин, С.Е.; Ткаченко, М.О.

Формирование математической модели определения кинематических параметров шлифования кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

Фізика і технологія тонких плівок. Матеріали Ювілейної Х Міжнародної конференції “МКФТТП-Х”, Івано-Франківськ, 2005. – Т.2. – с.193-194

2005

0,041

Техн.

Прак.

укр




90

CТ

Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.

Автоматизированная двухуровневая система управления процессом вытягивания слитков монокристаллического кремния

Труды 6-ой международной конференции “Рост монокристаллов и тепломассоперенос”, Обнинск, Россия , 22-26 сентября 2004 г. – с.

2004




Техн.

Прак.

укр




89

CТ

Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.; Кротюк, І.Г.

Моделювання процесу утворення мікродефектів при вирощуванні зливків кремнію діаметром 200 мм

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - №3(9). – с. 5-11 Фахове видання

2005

0,291

Техн.

Прак.

укр




88

CТ

Петренко, В.Р.; Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.

Оптимізація процесу дистиляційного очищення телуру від домішків кисню

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - №4(10).– с. 3-7 Фахове видання

2005

0,208

Техн.

Прак.

укр




87

CТ

Стрижак, А. А.; Олада, Т.В.

Роль показників екологічної небезпеки міст у керуванні стійким розвитком регіону

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - №4(10). – с. 148 -159 Фахове видання

2005

0,5

Техн.

Прак.

укр




86

CТ

Пандаєвська, О.Л.; Федоренко, Ю.В.

Обгрунтування необхідності використання усереднювачів при очищенні зливових вод

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - №4(10). – с. 152 -155 Фахове видання

2005

0,16

Техн.

Прак.

укр




85

CТ

Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.

Архитектура и функциональность двухуровневой АСУТП выращивания слитков кремния

Складні системи і процеси. – 2005. - № 1(7). – с. 78-84 Фахове видання

2005

0,291

Техн.

Прак.

укр




84

CТ

Кротюк, І.Г.; Тербан, В.А.; Шепель, Л.Г.

Разработка метода и аппаратуры для определения кислорода в теллуре в процессе промышленного производства теллура высокой чистоты

Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 5(40). – Дніпропетровськ, 2005. – с. 135-143 Фахове видання

2005

0,375

Техн.

Прак.

укр




83

CТ

Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.

Влияние тепловых условий выращивания монокристаллов кремния на образование свирлевых дефектов. Разработка метода и средств определения их плотности

Системні технології. Регіональний міжвузівський збірник наукових праць. – Випуск 5(40). – Дніпропетровськ, 2005. – с. 151-171 Фахове видання

2005

0,83

Техн.

Прак.

укр




82

CТ

Ткаченко, М.О.

Розробка процедури оптимізації управління процесом шліфовки кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією на станку САШ-420М

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - № 1-2 (7-8). – с.35-41 Фахове видання

2005

0,291

Техн.

Прак.

укр




81

CТ

Батареєв, В.В.

Розробка процедури оптимізації вирощування структурно-досконалих зливків арсеніда галія

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - № 1-2 (7-8). – с. 27-32 Фахове видання

2005

0,208

Техн.

Прак.

укр




80

CТ

Тербан, В.А.; Петренко, В.Р.

Оптимізація процесу очищення телуру кадмію для виробництва радіаційно-чутливих кристалів CdTe(Zn).

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2005. - № 1-2 (7-8). – с.17-21 Фахове видання

2005

0,16

Техн.

Прак.

укр




79

CТ

Притчин, С.Е.; Ткаченко, М.О.

Исследование параметров шлифования и структурных нарушений при шлифовании кремниевых структур

Системні технології. – Випуск 6 (35). – Дніпропетровськ, 2005. – с.41-43 Фахове видання

2005

0,125

Техн.

Прак.

укр




78

CТ

Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.

Анализ процесса тепломассопереноса при выращивании слитков кремния с учетом тепловых конструкционных параметров ростовых установок

Радіоелектроніка та інформатика. – 2005 - № 2. – с. 16-18 Фахове видання

2005

0,291

Техн.

Прак.

укр




77

CТ

Pritchin, S.E.; Vasheruk, A.V.

Mathematic modeling of oxygen distribution mechanism in Si ingots during growing processes

Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2004. V. 7, N 3. P. 236-239 .Фахове видання

2004

0,16

Техн.

Прак.

укр




76

CТ

Вашерук, О.В.

Аналіз процесу теплообміну при вирощуванні монокристалів кремнію методом Чохральського з використанням математичного моделювання

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. – № 1-2(4-5). – с. 113-116 Фахове видання

2004

0,16

Техн.

Прак.

укр




75

CТ

Маркевич, С.М.; Шепель, Л.Г.

Оптимізація динамічних характеристик процесу вирощування кристалів GaAs методом Чохральського

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. – № 1-2(4-5). – с. 125-128.Фахове видання

2004

0,125

Техн.

Прак.

укр




74

CТ

Міхальчук, В.І.

Контроль температури розплаву в автоматизованих системах вирощування монокристалів кремнію методом Чохральського

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. – № 1-2(4-5). – с. 87-90. Фахове видання

2004

0,125

Техн.

Прак.

укр




73

CТ

Перваков,О.С.

Математичне моделювання умов формування мікро дефектів в зливках кремнію

Нові технології Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. – № 1-2(4-5). – с. 98-101. Фахове видання

2004

0,125

Техн.

Прак.

укр




72

CТ

Петренко, В.Р.; Притчин, С.Е.

Оптимізація алгоритму контролю діаметра зливку кремнію в процесі росту

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – № 1-2(4-5). – 2004. – с. 82-86 Фахове видання

2004

0,16

Техн.

Прак.

укр




71

CТ

Петренко, В.Р.; Шевченко, І.В.

Сучасні системи управління підприємством: проблеми вибору

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – № 1-2(4-5). – 2004. – с. 179-182 Фахове видання

2004

0,125

Техн.

Прак.

укр




70

CТ

Притчин, С.Е.; Ткаченко, М.А.

Математичне моделювання механічної обробки кремнієвих структур на верстаті алмазної шліфовки САШ-420М

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – № 1-2(4-5). – 2004. – с. 121-124 Фахове видання

2004

0,125

Техн.

Прак.

укр




69

CТ

Притчин, С.Е.; Кротюк, І.Г.

Інформаційно – керуючий комплекс контролю технологічних параметрів вирощування зливків кремнію діаметром 200 мм

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. - № 3 (6). – с. 3-7 Фахове видання

2004

0,16

Техн.

Прак.

укр




68

CТ

Петренко, В.Р.

Оцінювання адекватності стохастичних моделей передатних функцій системи управління процесом вирощування монокристалів кремнію

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. - № 3 (6). – с. 12-14 Фахове видання

2004

0,125

Техн.

Прак.

укр




67

CТ

Сидоренко, С.Д.; Гарькавенко, Н.М.

Підвищення точності виміру об’ємного часу життя нерівноважних носіїв заряду в монокристалічному кремнії

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. - № 3 (6). – с. 27-29 Фахове видання

2004

0,125

Техн.

Прак.

укр




66

CТ

Орел, В.І.; Разбоєв, О.І.; Свистун, В.М.

Фотоелектричне перетворення сонячної енергії

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2004. - № 3 (6). – с. 131-134 Фахове видання

2004

0,208

Техн.

Прак.

укр




65

CТ

Притчин, С.Е.; Ткаченко, М.А.

Разработка автоматизированного устройства с программным управлением для шлифовки кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

Прикладная радиоэлектроника. – 2004. - Том 3., № 3. – с. 79-83 Фахове видання

2004

0,208

Техн.

Прак.

укр




64

CТ

Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.

Математичне моделювання механізму розподілу кисню у зливкові кремнію в процесі його вирощування

Матеріали ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників, УНКФН-2, Чернівці – Вижниця, 2004. – с. 79-81

2004

0,083

Техн.

Прак.

укр




63

CТ

Притчин, С.Е.; Кротюк, І.Г.

Информационно – управляющий комплекс контроля технологических параметров выращивания слитков кремния большого диаметра

Матеріали Міжнародної науково-технічної конференції “Сенсорна електроніка і мікросистемні технології”, СЕМСТ-1, Одеса, 2004.- с.261-262

2004

0,083

Техн.

Прак.

укр




62

CТ

Притчин, С.Е.; Вашерук, О.В.

Моделирование механизма распределения кислорода в технологии выращивания монокристаллов кремния из расплава

Матеріали 10-ї ювілейної міжнародної наукової конференції “Теорія та техніка передачі, прийому та обробки інформації”, Туапсе, 2004. – с. 331-332

2004

0,083

Техн.

Прак.

укр




61

CТ

Притчин, С.Е.

Управление неравномерностью распределения кислорода по длине монокристаллов кремния большого диаметра, выращиваемых методом Чохральского

Радиоэлектроника и информатика,ХНУРЭ. – 2003.- №2. – с. 23-26. Фахове видання

2003

0,125

Техн.

Прак.

укр




60

CТ

Vacheruk, A.V.; Krotuk, I.G.; Petrenko, V.R.; Pritchyn, S.E.

New approaches to automated control system design for CZ single crystal growth with diameter 200 – 300 mm

Obninsk, 2003, vol.1, p.18-23.

2003




Техн.

Прак.

укр




59

CТ




К вопросу влияния измерения температуры расплава на структурное совершенство слитков кремния

Системні технології.- 2003 - № 4(15).- с.89-97. Фахове видання

2003

0,291

Техн.

Прак.

укр




58

CТ

Левикін, В.М.

Комплексна система організації і технології підготовки спеціалістів комп’ютерних наук: проблеми реалізації

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – № 2 (3). – 2003. – с. 120-126 Фахове видання

2003

0,25

Техн.

Прак.

укр




57

CТ

Міхальчук, В.І.

Влияние промежуточной среды на измерения температуры расплава в процессе выращивания монокристаллов кремния

Радиоэлектроника и информатика,ХНУРЭ.- 2003.- №1. – с. 18-20. Фахове видання

2003

0,083

Техн.

Прак.

укр




56

CТ

Орел, В.І.; Перваков, О.С.

Фактори, що визначають радіальний градієнт температури при вирощуванні бездефектних злитків кремнію за методом Чохральського

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. - 2003. -№1 (2). – с. 9-11 Фахове видання

2003

0,125

Техн.

Прак.

укр




55

CТ

Перваков, А.С.

Усовершенствование метода поддержания CТ диаметра слитка при выращивании монокристаллов кремния.

Вісник Технологічного університету Поділля. – Т.1. – 2003. - № 3. Фахове видання

2003

0,125

Техн.

Прак.

укр




54

CТ

Шостак, В.Ф.; Перваков, О.С.

Фактори, що впливають на виникнення мікродефектів у бездислокаційних зливках кремнію

Нові технології. Науковий вісник ІЕНТ. – 2003. – № 2(3). – с. 3-6. Фахове видання

2003

0,125

Техн.

Прак.

укр




53

CТ

Петренко, В.Р.; Кротюк, И.Г.

Предварительная идентификация двухвходовой объединённой модели «Передаточная функция-шум» в системе управления процессом выра щивания монокристаллов кремния

Системні технології. – 2003. - №1(24). - с.164-170 Фахове видання

2003

0,25

Техн.

Прак.

укр




52

НПР




Методи та аппаратура контролю структурно – геометричної досконалості напівпровідникових матеріалів та структур в умовах їх серійного виробництва 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки

Дисертація на здобуття наукового ступеня докто