Реферат: Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы


Обозначение

Наименование

Языки переводов

CLC/TR 62258-3:2007

Изделия полупроводниковые бескорпусные (кристаллы). Часть 3. Рекомендации по установившейся практике обращения, упаковки и хранения



CLC/TR 62258-4:2007

Изделия полупроводниковые бескорпусные (кристаллы). Часть 4. Опросный лист пользователей и поставщиков кристаллов



CLC/TR 62258-7:2007

Изделия полупроводниковые бескорпусные (кристаллы). Часть 7. XML - схема обмена данными



CLC/TR 62258-8:2008

Изделия полупроводниковые бескорпусные (кристаллы). Часть 8. EXPRESS-модель схемы обмена данными



EN 60146-2:2000

Преобразователи полупроводниковые. Часть 2. Сообщающиеся полупроводниковые преобразователи, включая прямые преобразователи постоянного тока



EN 60191-1:2007

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 1. Общие правила подготовки габаритных чертежей дискретных компонентов



EN 60191-3:1999

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 3. Общие правила составления габаритных чертежей интегральных схем



EN 60191-4:1999

Стандартизация механических характеристик полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификации по формам конфигурации корпусов полупроводникового типа



EN 60191-6-1:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-1. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию выводов в форме крыла чайки



EN 60191-6-2:2002

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-2. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию 1,50 мм, 1,27 мм и 1,00 ммвертикальных терминальных упаковок с малым шагом между ними



EN 60191-6-3:2000

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-3. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Методы измерений размеров плоских корпусов QFP



EN 60191-6-4:2003

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-4. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Методы измерений размеров корпусов BGA



EN 60191-6-5:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-8. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию корпусов FBGA



EN 60191-6-6:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию корпусов FLGA



EN 60191-6-8:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-8. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию плоских стеклокерамических корпусов G-QFP



EN 60191-6-10:2003

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Размеры корпусов P-VSON



EN 60191-6-12:2011

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-12. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию корпусов LGA с мелким шагом (FLGA)



EN 60191-6-13:2007

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-13. Руководство по проектированию гнезд открытого типа для корпусов BGA и LGA с мелким шагом (FBGA/FLGA)



EN 60191-6-16:2007

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-16. Глоссарий терминов испытаний полупроводников и контактные гнезда для электротермотренировки корпусов BGA, LGA, FBGA и FLGA



EN 60191-6-17:2011

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-17. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию многоярусных корпусов. Корпуса BGA и LGA с мелким шагом (P-PFBGA и P-PFLGA)



EN 60191-6-18:2010

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-18. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию корпусов BGA



EN 60191-6-19:2010

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-19. Методы измерения деформации корпусов при повышенной температуре и максимально допустимая деформация



EN 60191-6-20:2010

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-20. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов для накладного монтажа. Методы измерения размеров малогабаритных корпусов с J-образными выводами (SOJ)



EN 60191-6-21:2010

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-21. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов для накладного монтажа. Методы измерения размеров малогабаритных корпусов (SOP)



EN 60191-6:2009

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа



EN 60700-1:1998

Вентили тиристорные для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения (HVDC). Часть 1. Электрические испытания



EN 60747-5-5:2011

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 5-5. Оптоэлектронные приборы. Оптроны



EN 60747-15:2004

Приборы полупроводниковые дискретные. Часть 15. Приборы полупроводниковые силовые, изолированные



EN 60747-16-1:2002

Приборы полупроводниковые. Часть 16-1. СВЧ интегральные схемы. Усилители



EN 60747-16-3:2002

Приборы полупроводниковые. Часть 16-3. СВЧ интегральные схемы. Преобразователи частоты



EN 60747-16-4:2004

Приборы полупроводниковые. Часть 16-4. СВЧ интегральные схемы. Переключатели



EN 60749-1:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 1. Общие положения



EN 60749-2:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 2. Пониженное атмосферное давление



EN 60749-3:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 3. Внешний визуальный контроль



EN 60749-4:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 4. Выдержка в стационарном режиме при предельной электрической нагрузке (HAST)



EN 60749-5:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 5. Испытание на долговечность при повышенной температуре и влажности



EN 60749-6:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 6. Сохраняемость при высокой температуре



EN 60749-7:2011

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 7. Измерение внутреннего содержания влаги и анализ других остаточных газов



EN 60749-8:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 8. Герметичность



EN 60749-9:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 9. Прочность маркировки



EN 60749-10:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 10. Механический удар



EN 60749-11:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 11. Термоудар. Метод с использованием ванн с двумя жидкостями



EN 60749-12:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты



EN 60749-13:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 13. Соляной туман



EN 60749-14:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 14. Прочность выводов (целостность выводов)



EN 60749-15:2010

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 15. Стойкость к температуре пайки при штырьковом монтаже приборов



EN 60749-16:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 16. Обнаружение частиц при импульсном шуме (PIND)



EN 60749-17:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение



EN 60749-18:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)



EN 60749-19:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг



EN 60749-20-1:2009

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 20-1. Обращение, упаковка, маркировка и перевозка устройств, монтируемых на поверхности, чувствительных к комбинированному действию влаги и теплоты пайки



EN 60749-20:2009

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 20. Сопротивление поверхностно монтируемых устройств в пластмассовом корпусе совместному воздействию влажности и теплоты, выделяемой при пайке



EN 60749-21:2011

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 21. Паяемость



EN 60749-22:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 22. Прочность соединения



EN 60749-23:2004

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 23. Эксплуатационная долговечность при высокой температуре



EN 60749-24:2004

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 24. Ускоренные испытания на влагостойкость. Выборочный HAST



EN 60749-25:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 25. Термоциклирование



EN 60749-26:2006

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 26. Испытание восприимчивости к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM)



EN 60749-27:2006

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 27. Испытание восприимчивости к электростатическому разряду (ESD). Машинная модель (ММ)



EN 60749-29:2011

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 29. Испытание на защелкивание



EN 60749-30:2005

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 30. Предварительная обработка негерметичных устройств для поверхностного монтажа перед испытанием на надежность



EN 60749-31:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 31. Воспламеняемость приборов с герметизацией пластмассой (случай внутреннего воспламенения)



EN 60749-32:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 32. Воспламеняемость приборов с герметизацией пластмассой (случай внешнего воспламенения)



EN 60749-33:2004

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 33. Ускоренное испытание на влагостойкость. Автоклавы



EN 60749-34:2010

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 34. Циклическое изменение мощности



EN 60749-35:2006

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 35. Акустическая микроскопия пластмассовых герметизированных электронных компонентов



EN 60749-36:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 36. Ускорение, установившийся режим



EN 60749-37:2008

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 37. Метод испытания на удар на уровне плат с использованием акселерометра



EN 60749-38:2008

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 38. Метод испытания на случайный сбой полупроводниковых приборов с запоминающими устройствами



EN 60749-39:2006

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 39. Измерение температуропроводности и водорастворимости в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов



EN 60749-40:2011

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 40. Метод испытания на удар на уровне плат с использованием тензометра



EN 61643-321:2002

Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 321. Технические условия на полупроводниковые стабилитроны



EN 61643-341:2001

Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 341. Технические условия на тиристорные ограничители перенапряжения (TSS)



EN 61954:2011

Компенсаторы регулируемые статические (SVC). Испытания тиристорных вентилей



EN 61967-2:2005

Схемы интегральные. Измерение электромагнитных излучений от 150 кГц до 1 ГГц. Часть 2. Измерение излучений. Метод с применением TEM-элементы и широкополосных TEM-элементов



EN 61975:2010

Установки постоянного тока высокого напряжения (HVDC). Системные испытания



EN 62007-1:2009

Устройства полупроводниковые оптоэлектронные для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Образец технических условий для основных номинальных значений и характеристик



EN 62007-2:2009

Устройства полупроводниковые оптоэлектронные для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерений



EN 62031:2008

Модули со светоизлучающими диодами для общего освещения. Требования безопасности



EN 62047-1:2006

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 1. Термины и определения



EN 62047-2:2006

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 2. Метод испытания на растяжение тонких пленочных материалов



EN 62047-3:2006

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 3. Стандартный образец тонкой пленки для испытаний на растяжение



EN 62047-4:2010

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 4. Общие технические условия на МEMS



EN 62047-5:2011

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 5. Радиочастотные (RF) микроэлектромеханические (MEMS) переключатели



EN 62047-6:2010

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 6. Методы испытаний на усталость тонких пленочных материалов при осевой нагрузке



EN 62047-7:2011

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 7. Фильтр и дуплексер на объемных акустических волнах (BAW) микроэлектромеханических систем (МEMS) для контроля и выбора радиочастот



EN 62047-8:2011

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 8. Метод испытания образца в форме полосы на изгиб для измерения свойств тонкой пленки при растяжении



EN 62047-9:2011

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 9. Измерение прочности соединения пластин для микроэлектромеханических систем (MEMS)



EN 62047-10:2011

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 10. Испытание на сжатие материалов для микроэлектромеханических систем (MEMS) с использованием микроколонн



EN 62047-12:2011

Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические приборы. Часть 12. Метод испытания на усталость при изгибе тонкопленочных материалов с использованием резонансной вибрации микроэлектромеханических систем (МEMS)



EN 62258-1:2010

Изделия полупроводниковые бескорпусные (кристаллы). Часть 1. Поставка и использование



EN 62258-2:2011

Изделия полупроводниковые бескорпусные (кристаллы). Часть 2. Форматы обмена данными



EN 62258-5:2006

Изделия полупроводниковые бескорпусные (кристаллы). Часть 5. Требования к информации, касающейся электрического аналогового моделирования



EN 62258-6:2006

Изделия полупроводниковые бескорпусные (кристаллы). Часть 6. Требования к информации, касающейся теплового моделирования



EN 62373:2006

Испытание полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET) на электротермостабильность со смещением



EN 62374-1:2010

Приборы полупроводниковые. Часть 1. Испытание интерметаллических слоев на пробой диэлектрика в зависимости от времени (TDDB)



EN 62415:2010

Приборы полупроводниковые. Тест на электромиграцию при стабилизированном токе



EN 62416:2010

Приборы полупроводниковые. Испытание горячих носителей заряда на МОП-транзисторах



EN 62417:2010

Приборы полупроводниковые. Испытания подвижных ионов полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET)



EN 62418:2010

Приборы полупроводниковые. Испытание на определение пустот под воздействием напряжений при металлизации



EN 120003:1992

Фототранзисторы, фототранзисторы Дарлингтона, фототранзисторные матрицы. Типовая форма частных технических условий



EN 120004:1992

Оптроны с фототранзисторным выходом, зависящие от окружающей среды. Типовая форма частных технических условий



EN 153000:1998

Элементы полупроводниковые с нажимными контактами (признание качества). Общие технические условия



IEC 60050-521:2002

Международный электротехнический словарь. Часть 521. Полупроводниковые приборы и интегральные схемы



IEC 60134:1961

Система предельных параметров электровакуумных и полупроводниковых приборов



IEC 60146-2:1999

Преобразователи полупроводниковые. Часть 2. Сообщающиеся полупроводниковые преобразователи, включая прямые преобразователи постоянного тока



IEC 60191-1:2007

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 1. Общие правила подготовки габаритных чертежей дискретных компонентов



IEC 60191-2:1966

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры



IEC 60191-3:1999

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 3. Общие правила составления габаритных чертежей интегральных схем



IEC 60191-4:1999

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификации по форме корпусов для полупроводниковых приборов



IEC 60191-4:2002

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 4. Система кодирования и классификации по форме корпусов для полупроводниковых приборов



IEC 60191-5:1997

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 5. Рекомендации для корпусов интегральных схем с использованием автоматического монтажа кристаллов на ленточном носителе



IEC 60191-6-1:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-1. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию выводов в форме крыла чайки



IEC 60191-6-2:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-2. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию 1,50 мм, 1,27 мм и 1,00 ммвертикальных терминальных упаковок с малым шагом между ними



IEC 60191-6-3:2000

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-3. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Методы измерений размеров плоских корпусов QFP



IEC 60191-6-4:2003

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-4. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Методы измерений размеров корпусов BGA



IEC 60191-6-5:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-8. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию корпусов FBGA



IEC 60191-6-6:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию корпусов FLGA



IEC 60191-6-8:2001

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-8. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию плоских стеклокерамических корпусов G-QFP



IEC 60191-6-10:2003

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-10. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Размеры корпусов P-VSON



IEC 60191-6-12:2011

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-12. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию корпусов LGA с мелким шагом (FLGA)



IEC 60191-6-13:2007

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-13. Руководство по проектированию гнезд открытого типа для корпусов BGA и LGA с мелким шагом (FBGA/FLGA)



IEC 60191-6-16:2007

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-16. Глоссарий терминов испытаний полупроводников и контактные гнезда для электротермотренировки корпусов BGA, LGA, FBGA и FLGA



IEC 60191-6-17:2011

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-17. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию многоярусных корпусов. Корпуса BGA и LGA с мелким шагом (P-PFBGA и P-PFLGA)



IEC 60191-6-18:2010

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-18. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа. Руководство по проектированию корпусов BGA



IEC 60191-6-19:2010

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-19. Методы измерения деформации корпусов при повышенной температуре и максимально допустимая деформация



IEC 60191-6-20:2010

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-20. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов для накладного монтажа. Методы измерения размеров малогабаритных корпусов с J-образными выводами (SOJ)



IEC 60191-6-21:2010

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6-21. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов для накладного монтажа. Методы измерения размеров малогабаритных корпусов (SOP)



IEC 60191-6:2009

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 6. Общие правила составления габаритных чертежей корпусов полупроводниковых приборов, предназначенных для поверхностного монтажа



IEC 60191-2T:1996

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры. 18-е дополнение



IEC 60191-2U:1997

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры. 19-е дополнение



IEC 60191-2V:1998

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры. 20-е дополнение



IEC 60191-2W:1999

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры. 21-е дополнение



IEC 60191-2Y:2000

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры. 23-е дополнение



IEC 60191-2Z:2000

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры. 24-е дополнение



IEC 60191-2Х:1999

Стандартизация конструкций полупроводниковых приборов. Часть 2. Размеры. 22-е дополнение



IEC 60700-1:2003

Вентили тиристорные для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения (HVDC). Часть 1. Электрические испытания



IEC 60700-1:2008

Вентили тиристорные для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения (HVDC). Часть 1. Электрические испытания



IEC 60747-1:2006

Приборы полупроводниковые. Часть 1. Общие положения



IEC 60747-1:2010

Приборы полупроводниковые. Часть 1. Общие положения



IEC 60747-2-2:1993

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 2. Выпрямительные диоды. Раздел 2. Форма частных технических условий на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды) с определенными параметрами для условий окружающей среды и корпуса,рассчитанные на ток свыше 100 А



IEC 60747-2:2000

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды



IEC 60747-3:1985

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 3. Сигнальные диоды и диоды-регуляторы

Русский

IEC 60747-4:2007

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 4. Микроволновые диоды и транзисторы



IEC 60747-5-1:2002

Приборы полупроводниковые дискретные и интегральные схемы. Часть 5-1. Оптоэлектронные приборы. Общие положения



IEC 60747-5-3:2009

Приборы полупроводниковые дискретные и интегральные схемы. Часть 5-3. Оптоэлектронные приборы. Методы измерений



IEC 60747-5-4:2006

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 5-4. Оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые лазеры



IEC 60747-5-5:2007

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 5-5. Оптоэлектронные приборы. Оптроны



IEC 60747-6-3:1993

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 6. Тиристоры. Раздел 3. Форма частных технических условий на однооперационные триодные тиристоры с определенными параметрами для условий окружающей среды и корпуса, рассчитанные на ток свыше 100 А



IEC 60747-6:2000

Приборы полупроводниковые. Часть 6.Тиристоры



IEC 60747-7:2010

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 7. Биполярные транзисторы



IEC 60747-8-2:1993

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел 2. Форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса



IEC 60747-8-3:1995

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел 3. Форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации



IEC 60747-8-4:2004

Приборы полупроводниковые дискретные. Часть 8-4. Полевые транзисторы со структурой металл-оксел-полупроводник (MOSFET), применяемые для переключения в электроэнергетической системе



IEC 60747-8:2010

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 8. Полевые транзисторы



IEC 60747-9:2007

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBTs)



IEC 60747-10:1991

Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные схемы



IEC 60747-11:1985

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 11. Общие технические условия на дискретные приборы

Русский

IEC 60747-14-1:2010

Приборы полупроводниковые. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие технические условия на датчики



IEC 60747-14-2:2000

Приборы полупроводниковые. Часть 14-2. Полупроводниковые датчики. Датчики Холла



IEC 60747-14-3:2009

Приборы полупроводниковые. Часть 14-3. Полупроводниковые датчики. Датчики давления



IEC 60747-14-4:2011

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 14-4. Полупроводниковые акселерометры



IEC 60747-14-5:2010

Приборы полупроводниковые. Часть 14-5. Полупроводниковые датчики. Полупроводниковые датчики температуры на основе pn-перехода



IEC 60747-15:2010

Приборы полупроводниковые. Приборы дискретные. Часть 15. Приборы полупроводниковые силовые, изолированные



IEC 60747-16-1:2001

Приборы полупроводниковые. Часть 16-1. СВЧ интегральные схемы. Усилители



IEC 60747-16-1:2007

Приборы полупроводниковые. Часть 16-1. СВЧ интегральные схемы. Усилители



IEC 60747-16-2:2001

Приборы полупроводниковые. Части 16-2. СВЧ интегральные схемы. Делители частоты



IEC 60747-16-2:2008

Приборы полупроводниковые. Часть 16-2. СВЧ интегральные схемы. Делители частоты



IEC 60747-16-3:2002

Приборы полупроводниковые. Часть 16-3. СВЧ интегральные схемы. Преобразователи частоты



IEC 60747-16-3:2010

Приборы полупроводниковые. Часть 16-3. СВЧ интегральные схемы. Преобразователи частоты



IEC 60747-16-4:2004

Приборы полупроводниковые. Часть 16-4. СВЧ интегральные схемы. Переключатели



IEC 60747-16-4:2011

Приборы полупроводниковые. Часть 16-4. СВЧ интегральные схемы. Переключатели



IEC 60748-5:1997

Приборы полупроводниковые. Интегральные схемы. Часть 5. Полузаказные интегральные схемы



IEC 60748-22-1:1997

Приборы полупроводниковые. Интегральные схемы Часть 22-1. Форма частных технических условий на пленочные интегральные схемы и пленочные гибридные интегральные схемы на основе процедур признания возможностей изготовителя



IEC 60749-1:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 1. Общие положения



IEC 60749-2:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 2. Пониженное атмосферное давление



IEC 60749-3:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 3. Внешний визуальный контроль



IEC 60749-4:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 4. Выдержка в стационарном режиме при предельной электрической нагрузке (HAST)



IEC 60749-5:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 5. Испытание на долговечность при повышенной температуре и влажности



IEC 60749-6:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 6. Сохраняемость при высокой температуре



IEC 60749-7:2011

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 7. Измерение внутреннего содержания влаги и анализ других остаточных газов



IEC 60749-8:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 8. Герметичность



IEC 60749-9:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 9. Прочность маркировки



IEC 60749-10:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 10. Механический удар



IEC 60749-11:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 11. Термоудар. Метод с использованием ванн с двумя жидкостями



IEC 60749-12:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты



IEC 60749-13:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 13. Соляной туман



IEC 60749-14:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 14. Прочность выводов (целостность выводов)



IEC 60749-15:2010

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 15. Стойкость к температуре пайки при штырьковом монтаже приборов



IEC 60749-16:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 16. Обнаружение частиц при импульсном шуме (PIND)



IEC 60749-17:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение



IEC 60749-18:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)



IEC 60749-19:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг



IEC 60749-19:2010

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг



IEC 60749-20-1:2009

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 20-1. Обращение, упаковка, маркировка и перевозка устройств, монтируемых на поверхности, чувствительных к комбинированному действию влаги и теплоты пайки



IEC 60749-20:2008

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 20. Сопротивление поверхностно монтируемых устройств в пластмассовом корпусе совместному воздействию влажности и теплоты, выделяемой при пайке



IEC 60749-21:2011

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 21. Паяемость



IEC 60749-22:2002

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 22. Прочность соединения



IEC 60749-23:2004

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 23. Эксплуатационная долговечность при высокой температуре



IEC 60749-23:2011

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 23. Эксплуатационная долговечность при высокой температуре



IEC 60749-24:2005

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 24. Ускоренные испытания на влагостойкость. Выборочный HAST



IEC 60749-25:2003

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 25. Термоциклирование



IEC 60749-26:2006

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 26. Испытание восприимчивости к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM)



IEC 60749-27:2006

Приборы полупроводниковые. Методы механических и к