Реферат: Автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М

Реферат до декл пат України на винахід №54007А


Автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р.В.; доцент , канд.фіз.-мат. наук Матюшин В.М.


МПК H01L21/00, H01L21/22


СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР


Винахід, що заявляється, відноситься до галузі напівпровідникової електроніки, зокрема до виготовлення напівпровідникових приладів.

В основу винаходу поставлено завдання удосконалення способу виготовлення напівпровідникових структур шляхом поліпшення електрофізичних параметрів одержуваних напівпровідникових структур за рахунок зниження температури процесу дифузійного легування і зменшення дефектності структури легованих шарів напівпровідникових пластин.

Поставлене завдання досягається тим, що в способі виготовлення напівпровідникових структур, що заявляється, після нанесення плівок дифузанта на монокристалеві напівпровідникові пластини твердофазне дифузійне легування проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-570С