Реферат: Програма v-української конференції з фізики напівпровідників (ункфн-5), м. Ужгород, 9-15 жовтня 2011р

Програма V-Української конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-5), м.Ужгород, 9-15 жовтня 2011р.

(Звертаємо увагу учасників конференції, що програма має попередній характер і може бути суттєво змінена після отримання підтверджень про участь в конференції)


9 жовтня, неділя

Реєстрація учасників

Культурна програма


10 жовтня понеділок

9:00-11.00 Реєстрація учасників

Відкриття конференції, пленарне засідання

11.00 – 1130 – виступи-вітання голів конференції, інших офіційних осіб.

1130-1200 - Мачулін В.Ф., Кладько В.П. Методи характеризації та діагностики напівпровідникових наноструктур

1200-1230 - А.В.Двуреченский Інженерія КР-структур.

1230-1300 - С.В.Гапоненко " Сверхбыстрые оптические нелинейности в гетероструктурах, обусловленные плотной электронно-дырочной плазмой " (С.В.Гапоненко, С.А.Тихомиров, В.В.Станкевич, М.В.Ермоленко, О.В.Буганов).

13:00-14:30 – Обід

14:30-19:30 – Пленарне засідання

14:30-15:00 Литовченко В.Г. «Зонні характеристики графеноподібних вуглецевих плівок».

15:00-15:30 М.В.Стріха «Нерівноважні носії в графені: негативна диференціальна провідність, електрооптика та модуляція випромінювання» (М.В.Стріха, Ф.Т.Васько, П..М.Романець).

15:30-16:00 M.Vlček "Unique properties and functionalities of chalcogenide glasses."

M. Vlček, K. Palka, T. Wagner, L. Koudelka and P. Mosner.

16:30- 17:00 Ion Tiginyanu Surface charge lithography at the micro- and nano-scales

(Ion Tiginyanu and Veaceslav Popa).

17:00-17:30 Кавова пауза

17:30-18:00 ^ V. A. Kochelap, V. V. Korotyeyev Physics and theory of ballistic electron transport in nanoscale diodes: Properties in terahertz frequency range.

18:00-18:30 Дмитрук М.Л. "Фотовольтаїка третього покоління: плазмони, поляритони, квантові точки і дроти".

18:30-19:00- Д.М. Фреїк "Квантово-розмірні ефекти в конденсованих наноструктурах та проблема термоелектрики".

19:00-19:30 Сминтина В.А. ЯВЛЕНИЯ ГЕНЕРАЦИИ И ПЕРЕНОСА В НЕИДЕАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ И СОЗДАНИЕ НА ИХ ОСНОВЕ СЕНСОРОВ ИЗОБРАЖЕНИЙ НОВОГО ТИПА (Сминтина В.А., Борщак В.А.).

19:30-20:30 Вечеря


^ 11 жовтня вівторок.

9:00-11:00 пленарне засідання

9:00-9:30 Блонський І.В. Закономірності взаємодії ультракоротких лазерних імпульсів з нанокомпозитними середовищами (^ Блонський І.В., Дмитрук А.М., Дмитрук І.М., Кадан В.М., Коренюк П.І., Павлов І. О., Єщенко О.В., Алексєєнко А.А.).

9:30-10:00 Ткач М.В. Теорія властивостей резонансно-тунельних наноструктур, як активних елементів квантових каскадних лазерів і детекторів (Ткач М.В., Сеті Ю.О.).

10:00-10:30 Сизов Ф.Ф. Приемники излучения от ИК до мм диапазона

10:30-11:00 Валах М.Я. Компонентний склад самоіндукованих GeSi наноострівців: Раманівська та Оже спектроскопія (В.О. Юхимчук, С.С. Пономарьов, В.М. Джаган, М.Я. Валах, В.А. Новиков, З.Ф. Красильник)


11:00 -11:30 Кавова пауза


^ Секційні засідання

Секція 1

11:30-11:50 G.A.Shepelskii, S.G.Gasan-zade, M.V.Strikha, Experimental evidence for the third level (А+) of Hg vacancy and the photoelectromagnetic anomalies in Hg1-xCdxTe

11:50-12:10 A.Evtukh, H.Mimura, V.G.Litovchenko Quantum cathodes in electron field emission

12:10-12:30

12:30-12:45 Л.К.Орлов, Т.Н.Смыслова, И.Н.Дмитрук, Э.А.Штейнман, А.Н.Терещенко, В.И.Вдовин, А.С.Бондаренко Механизмы роста и особенности излучательной рекомбинации наноструктурированных пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на кремнии

12:45-13:00 Л.І.Панасюк, В.М., Єрмаков, В.В.Коломоєць, П.Ф. Назарчук, С.А.Федосов Міждолинне розсіювання електронів у n-Si в області температур 300-4500К


13:00-14:30 Обід


14:30-14:50- Я.М.Оліх, В.Ф.Мачулін Акустостимульовані явища в напівпровідниках

14:50-15:10 Б.М.Романюк, Кладько В.П., Мачулін В.Ф., Литовченко В.Г., Попов В.Г., Мельник В.П. Процеси гетерування у сонячному кремнії: вплив кристалічної структури на фоточутливість.

15:10- 15:30 Б.О.Данільченко Теплові властивості кристалів

15:30-15:45 E.F. Venger, A.I. Ievtushenko, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk^ SURFACE POLARITONS IN OPTICALLY ANISOTROPIC SINGLE CRYSTALS LOCATED IN A STRONG UNIFORM MAGNETIC FIELD

15:45-16:00 П.П.Трохимчук РЕЛАКСАЦІЙНА ОПТИКА: РЕТРОСПЕКТИВА ТА ПЕРСПЕКТИВИ

16:00-16:15 В.С.Северин ВПЛИВ ПОЛЯРИЗАЦІЇ ЗАРЯДІВ ВІЛЬНИХ ЕЛЕКТРОНІВ НАПІВПРОВІДНИКА НА ПОГЛИНАННЯ НИМИ СВІТЛА

16:15-16:30 ^ П.А. Зезюля, В.Л. Малевич, И.С. Манак Влияние анизотропии фотопроводимости на генерацию терагерцовых импульсов в полупроводниках

16:30-16:45 Раранский Н.Д., Олейнич-Лысюк А.В. Об эволюции дефектов в Cz-кремнии в процессе низкотемпературного старения

16:45-17:00 А.В. Константинович, І.А. Константинович СПЕКТР ВИПРОМІНЮВАННЯ СИСТЕМИ ЕЛЕКТРОНІВ, ЩО РУХАЮТЬСЯ ВЗДОВЖ ГВИНТОВОЇ ЛІНІЇ У ПРОЗОРОМУ СЕРЕДОВИЩІ


17:00-17:30 Кавова пауза


17:30-17:45 ^ С.М. Рябченко, А.В.Комарів, А.В.Лось,і С.М.Романенко Ефекти розведеного магнітного напівпровідника в карбіді кремнію з імплантованими іонами Mn і Fe

17:45-18:00 R. Golovchak Topological self-organization phenomenon in vitreous semiconductors: experimental signatures and theoretical predictions

18:00-18:15 ^ Г.Д. Данилюк, К.Глухов, Л.С. Демків, Й.М. Стахіра, Н.К. Товстюк, В.М. Белюх ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЇ НА СТРУКТУРУ СПЕКТРА ВЛАСНОГО ПОГЛИНАННЯ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Tl2S.

18:15-18:30 Андрусенко Д.А., Бурбело Р.М., Исаев Н.В., Кузьмич А.Г. Определение температуропроводности мезопористого кремния фотоакустическим методом «открытого окна».

18:30-18:45 Р. Бурбело, М. Ісаєв, А. Кузьмич, В. Курилюк Формування діаграм направленості ФТА сигналу в неоднорідних напівпровідникових структурах при їх імпульсному лазерному опроміненні

18:45-19:00 П.М.Буківський, Ю.П.Гнатенко ОПТИЧНІ ДОСЛІДЖЕННЯ МАГНІТНИХ СПІНОВИХ КЛАСТЕРІВ ТА ЇХ ТЕМПЕРАТУРНОЇ ЕВОЛЮЦІЇ В СПІНОВОМУ СКЛІ Cd1-XMnXTe


ї19:00-19:30 Стендові доповіді С1-1-35


19:30-20:30 Вечеря


Секція 4

11:30-11:50 В.Ящук^ THE PECULIARITIES OF ELECTRONIC PROCESSES IN ORGANIC SEMICONDUCTORS. SOME FUNDAMENTAL AND APPLIED ASPECTS, BRIDGE TO BIOLOGY (Valeriy Yashchuk).

11:50-12:10 О.Дімітрієв Charge and energy transfer in organic-inorganic semiconductor hybrid systems (O.P.Dimitriev, P.S.Smertenko, Yu.P.Piryatinski, N.A. Ogurtsov, A.A. Pud)

12:10-12:30 Kokenyesi S. PHOTOINDUCED EFFECTS UNDER SURFACE PLASMON RESONANCE CONDITIONS IN As2S3/Au NANOCOMPOSITE (Kokenyesi S., Dmitruk N., Charnovich S.).

12:30-12:45 В.С.Минаев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, С.Н.Новиков Количественная нанодиагностика структуры стеклообразных и нестеклообразных некристаллических полупроводников и диэлектриков

12:45-13:00 Janis Teteris PHOTOINDUCED MASS TRANSPORT IN ORGANIC AND INORGANIC POLYMERS


13:00-14:30 Обід


14:30-14:50- О.Шпотюк Free volume evolution in glassy semiconductors:

How far can we go with PALS technique? (O. Shpotyuk)

14:50-15:10 T. Kavetskyy New insight on the radiation-induced structural changes in chalcogenide glasses as revealed from PALS and Doppler broadening measurements (T. Kavetskyy, O. Šauša, A. Stepanov)

15:10- 15:30 В.М.Міца COMPARISON OF STRUCTURAL TRANSFORMATION IN BULK AND AS EVAPORATED OPTICAL MEDIA DURING ENERGY DEPENDENT MONOCHROMIC AND LAMP ILLUMINATION.

15:30-15:45 М.И Маковийчук Идентификация атомных кластеров в низкоразмерных системах методом импульсной фликкер-шумовой спектроскопии.

15:45-16:00 В.В. Галян, А.Г. Кевшин, Г.Є. Давидюк, М.В. Шевчук Антистоксівська фотолюмінесценція в склоподібних сплавах системи Ag0,05Ga0,05Ge0,95S2–Er2S3.

16:00-16:15 ^ Кадан В.М., Блонський І.В., Коренюк П.І., Шпотюк О.Й., Іову М. Нові оптичні ефекти, які супроводжують розповсюдження потужних фемтосекундних імпульсів в напівпровідникових та діелектричних керівських середовищах.

16:15-16:30 І.З. Індутний, В.А. Данько, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.В. Берєзньова, О.С. Литвин Ефект фототравлення в тонких шарах халькогенідних скловидних напівпровідників.

16:30-16:45 ^ Конопельник О.І., Аксіментьєва О.І., Горбенко Ю.Ю. Вплив легування на параметри перенесення заряду та структуру полімерних напівпровідників

16:45-17:00 Коцак Я.Я., Куценко Я.П., Пуга П.П. Склоутворення в системі Pb-O-Cl, структура та властивості стекол.


17:00-17:30 Кавова пауза


17:30-17:45 Р. Голомб Першопринципні розрахунки, фотоелектронна та поверхнево-підсилена Раман спектроскопія наношарів As2S3 при лазерному опроміненні

17:45-18:00 Г.Т. Горват, В.М.Різак, В.Ю. Лоя, А.М. Соломон, С.М. Гасинець Термічні властивості матеріалів для елементів фазової пам'яті Ge-Se-In

18:00-18:20 А.А.Крючин

Петров В.В., Крючин А.А., Костюкевич С.А. "Анализ возможностей создания

рельефных наноструктур методом лазерной литографии"

18:20-18:40 В.Я. Братусь^ ЕПР І ОПТИЧНА СПЕКТРОСКОПІЯ ДЕФЕКТІВ У ОПРОМІНЕНИХ НЕЙТРОНАМИ КРИСТАЛАХ 3C-SiC (В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, Б.Д. Шаніна, С.М. Окулов, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук)


18:40-19:30 ^ Стендові доповіді С4-1-34.


19:30-20:30 Вечеря


12 жовтня середа


Секція 2


9:00-9:20 Скришевський В.А. Luminescent properties of Si and SiC nanoparticles

(V. A. Skryshevsky, T. Serdiuk, Yu. Zakharko, A. Geloenand V. Lysenko)

9:20-9:40 Назаров О.М. Multigate and nanowire SOI MOSFETs: features of the operation and electrical characterization (A.N.Nazarov, T.E.Rudenko, V.S.Lysenko, and *)J.P.Colinge )

9:40-10:00 В.Г. Литовченко, Т.І. Горбанюк, В.С. Солнцев, Р.М. Балабай, Т.С. Мисакович, І.В. СтасюкКаталітичні властивості напівпровідникових оксидних кластерів

10:00-10:20 Тельбіз Г. German Telbiz Design and properties of inorganic and organic SELF-ASSEMBLed NANOstructures of SPATIALLY ORDERED IN the thin MESOPOROUS films

10:20:10:40 Artur Medvid' "Two Stage Mechanism of Nanocones Formation in Semiconductors by Laser Radiation".

10:40-10:55 ^ Маковийчук М.И, Залуцкая А.А., Проказников А.В. РАСЩЕПЛЕНИЕ КРАЕВЫХ МОД В НАНОСТРУКТУРАХ


11:00 -11:30 Кавова пауза


11:30-11645 Lykah V.A., Syrkin E. S., Galuschak I.V., Krivonos S.S. semiconductor Functionalized nanotubes and conformation transition in molecules

11:45-12:00 Л.А. Карачевцева, С.Я. Кучмій, К.П. Конін, О.О. Литвиненко, О.Л. Строюк Ефект Ваньє-Штарка при кімнатній температурі в двовимірних структурах макропористого кремнію з нанопокриттями

12:00-12:15 Шпилевский Э.М. ОСОБЕННОСТИ МАССОПЕРЕНОСА В НАНОМАТЕРИАЛАХ

12:15-12:30 Головацький В., Франків І., Власенко М. Еволюція електронного спектру у двохшарових сферичних квантових точках з донорною домішкою при зміні ширини квантової ями

12:30-12:45 ^ В.О. Юхимчук, С.С. Пономарьов, В.М. Джаган, М.Я. Валах, В.А. Новиков, З.Ф. Красильник Компонентний склад самоіндукованих GeSi наноострівців: Раманівська та Оже спектроскопія

12:45-13:00 A.M. Yaremko, V.O. Yukhymchuk, V.M. Dzhagan, J. Baran, H. Ratajcak Crystal structure with quantum dots: micro theory and Raman scattering experiments


13:00-14:30 Обід


14:30-14:45 Е.С. Сыркин Резонансное прохождение фононов через границу раздела двух сред

14:45-15:00 В.А. Сиренко, И.А. Господарев, А.В. Еременко, К.В. Кравченко, Е.С. Сыркин, С.Б. Феодосьев Колебательные характеристики массивных образцов и нанопленок диселенида ниобия

15:00-15-15 С.Б. Феодосьев, И.А. Господарев, В.И. Гришаев, А.В. Котляр, К.В. Кравченко, Е.В. Манжелий, Е.С. Сыркин Фононные спектры наноструктур на основе графита

15:15-15:30 В.Н.Тулупенко, Я.Г.Беличенко, Р.А.Демедюк, В.Н.Порошин, О.С.Фомина, Воздействие процесса ионизации примеси КЯ на глубину ее залегания при изменении ширины -слоя примеси

15:30-15:45 Товстюк Н. К., Бужук Я.М., Фоменко В. Л., Григорчак І. І., Борисюк А.К., Середюк Б. А. СТРУКТУРА, НАМАГНІЧЕНІСТЬ І НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИЙ ІМПЕДАНСНИЙ ВІДГУК ПОЛІКРИСТАЛІВ InSe, ІНТЕРКАЛЬОВАНИХ НІКЕЛЕМ

15:45-16:00 В.А.Сминтина, О.А.Кулініч, І.Р.Яцунский, І.А.Марчук Визначення фізичних основ методів формування квантових точок та їх фотолюмінісцентні властивості

16:15-16:30 ^ О.І. Аксіментьєва, І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, М.Р. Павлик електрохромний ефект у фотолюмінесцентних гібридних Cтруктурах поліанілін – поруватий кремній

16:30-16:45 Р.М.Пелещак, І.Я.Бачинський, Д.Д.Шуптар S – подібні вольт-амперні характеристики діодів Шотткі з вбудованим шаром квантових точок

16:45-17:00 ^ Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря Безызлучательная рекомбинация в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами.


17:00-17:30 Кавова пауза


17:30-17:45 Будзуляк С. І., Єрмаков В. М., Калитчук С. М., Корбутяк Д. В. Електролюмінесценція нанокристалів CdTe, інкорпорованих у полімерну матрицю

17:45-18:00 ^ Ю. В. Крюченко, Д. В. Корбутяк, I. М. Купчак, А. В. Саченко Вплив плазмонних збуджень металевих наночастинок на ефективність екситонної фотолюмінесценції суміжних напівпровідникових квантових точок

18:00-18:15 Купчак І. М., Корбутяк Д. В., Калитчук С. М., Крюченко Ю. В. Зсув Стокса в нанокристалах А2В6, синтезованих в колоїдних розчинах та інкорпорованих в полімерні матриці

18:15-18:30 А.Н. Понявина, Р.А. Дынич, А.Д. Замковец Эффекты ближнего поля в органических полупроводниковых матрицах при их допировании плазмонными наночастицами


18:30-19:00 ^ Стендові доповіді С2-1-35


19:30-20:30 Вечеря


Секція 4


9:00-9:15 И.Е. Таланин, В.И. Таланин, Н.Ф. Устименко НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ ВО ВРЕМЯ РОСТА БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

9:15-9:30 М.І. Клюй, В.П. Кладько, А.В. Макаров, В.П. Темченко, О.П. Гришков,

В.О. Юхимчик, І.Б. Янчук Новий метод формування мікро- та наноструктурованих шарів кремнію та їх властивості

9:30-9:45 ^ Павлик Б.В., Слободзян Д.П., Грипа А.С., Лис Р.М., Шикоряк Й.А., Дідик Р.І. вплив дефектного стану поверхні кристалів КРЕМНІЮ на характеристики поверхнево-бар’єрних структур.

9:45-10:00 ^ А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй Деформаційно-стимульовані ефекти в мікрокристалах кремнію р-типу за низьких температур

10:00-10:15 Мазинов А.С., Бахов В.А. Антиотражающая структура на основе наноразмерных кремнивых слоев.

10:15-10:30^ Г.П. Ковту
Секція 2

17:30-17:45 Д.А. Марков, А.В. Коровай, П.И. Хаджи, И.В. Белоусов Взаимодействие тонкой полупроводниковой плёнки с фазово-модулированным УКИ лазерного излучения в экситонной области спектра при высоком уровне возбуждения и оптический аналог Фешбах–резонанса

17:30-17:45 Freik D.M., Yurchyshyn I.K., Harun L.T., Lysiuk Yu.V. Size oscillatory effects of kinetic coefficients in nanostructures based on compounds IV-VI.
17:45-18:00 ^ Птащенко О.О., Дойчо І.К., Гевелюк С.А., Ришякевич-Пасек Е. Особливості довгочасОВОЇ еволюції кластерів CdS всередині шпаристого скла після γ-опромінення
18:00-18:15 Д.В. Филь, А.А. Пикалов Сверхтекучие свойства магнитоэкситонов в графеновых гетероструктурах

18:15-18:30 Кочелап В. О., Кухтарук С. М. Взаємодія електронів, дрейфуючих у квантовій ямі, з віддаленою наночастинкою

18:30-18:45 О.Ф. Васильева, П.И. Хаджи Теория параметрических осцилляций в микрорезонаторе.

18:45-19:00 Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба, Е.Ю. Колядина СИЛЬНЫЕ ВСТРОЕННЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ В НАНОСТРУКТУРНЫХ ГЕТЕРОСИСТЕМАХ

19:00-19:15 Герасимчук А.І. Молекулярно-динамические принципы самосборки наноструктур при химическом осаждении их газовой фазы


18:30-19:00 ^ Стендові доповіді С4-69-100


19:30-20:30 Вечеря


14 жовтня п’ятниця


Секція 3

9:00-9:15 Л.А. Косяченко, T. Aoki, M. Fiederle, E. Diegues, В.М. Склярчук, ^ О.Л. Маслянчук, О.В. Склярчук ОСОБЛИВОСТІ ПРОЦЕСУ САМОКОМПЕНСАЦІЇ В НАПІВІЗОЛЮЮЧИХ КРИСТАЛАХ CdTe і Cd0.9Zn0.1Te.

9:15-9:30 Гадзаман І.В. Одержання методом твердофазових реакцій наноструктурованих оксишпінельних керамічних матеріалів та перспективи їх використання.

9:30-9:45 Силенко П.М., ^ Данько Д.Б., Шлапак А.М., Солонін Ю.М. Синтез плівок TiO2,їх структура та морфологія поверхні

9:45-10:00 Бушма О. В. Моделювання динамічного збудження світлодіодної матриці при синтезі шкального зображення.

10:00-10:15 В.П.Костильов, В.Г.Мелах, Б.Ф.Дверніков багатобар’єрні кремнієві дифузійно-польові фотоперетворювачі сонячної енергії при концентрованому випроміненні.

10:15-10:30 В.П. Велещук, О.І. Власенко, М.П. Киселюк, О.В. Ляшенко Вплив підвищення струму та температури на випромінюючі характеристики потужних GaN світлодіодів.

10:30-10:45 ^ В.Л. Перевертайло, Л.І.Тарасенко, О.В.Перевертайло, Е.А.Шкіренко, О.С.Крюков,

Т.М.Вірозуб, В.І.Ковригін КРЕМНІЄВИЙ P-I-N ФОТОПРИЙМАЧ З ПІДВИЩЕНОЮ ЧУТЛИВІСТЮ В УФ ДІАПАЗОНІ ВИПРОМІНЮВАННЯ .

10:45-11:00 О.В. Ляшенко, О.І. Власенко, Ю.О.Мягченко, Я.І.Сагань, А.П. Онанко, М.П. Киселюк, В.П. Велещук Вплив покрокового навантаження на деградацію та спектри випромінення потужних InGaN/GaN світлодіодів.


11:00 -11:30 Кавова пауза


11:30-11:45 В.П. Костильов, А.В. Саченко, І.О. Соколовський, В.В. Черненко Вплив експоненціально розподілених поверхневих центрів на швидкість поверхневої рекомбінації та на параметри кремнієвих сонячних елементів.

11:45-12:00 О.В. Ляшенко, О.І. Власенко, М.П. Киселюк, В.П. Велещук Локальні просторові флуктуації квантового виходу гетеропереходу

12:00-12:15 Шапар В. М., Свєчніков С.В.,Савчук А.В., Бондаренко А.В. Фотоприймальний пристрій з низьким порогом чутливості.

12:00-12:30 ^ В. В. Коротєєв, Кочелап В.О. Плазмонні” коливання двовимірного електронного газу у випадку сильної анізотропії функції розподілу носіїв


Пленарне засідання


12:30-13:00 Райчев О. Э. Топологические диэлектрики: новый класс материалов.


13:00-14:30 Обід


14:30-15:00 Бродин М.С. Прояв структури перколяційного кластера в спектрах фотолюмінесценції квантових точок ZnSe в низькодіелектричній матриці. ( М.В. Бондар, М.С. Бродин).

15:00-15:30 Андрієш А. Optical properties of nanocomposite MATERIALS BASED ON ORGANIC COPOLYMERS GRAFTED WITH ISOTHIOCYANATOCHALCONES AND PHTHALOCYANINE DERIVATIVES A. Andriesh, M. Iovu, I. Culeac, Iu. Nistor, A. Meshalkin, V. Benea, Şt. Robu, G. Dragalina, A. Popuşoi, D. Mitcov, C. Cozma

15:30-16:00 Бойчук В.І. Вплив донорної та акцепторної домішок на оптичні властивості сферичної квантової точки (Бойчук В.І., Білинський І.В., Лешко Р.Я., Турянська Л.М.).

16:00-16:30 Криворучко В.М. Dilute magnetic semiconductors (In,Mn)Sb and (In,Mn,Zn)Sb: Unconventional magnetism and transport properties (V.N. Krivoruchko, V. Yu. Tarenkov, D.V. Varyukhin, O.N. Pashkova)

16:30-17:00 О.В.Коваленко «Випромінюючі квантово-розмірні структури на базі сполук » (О.В.Коваленко, Д.В.Корбутяк).


17:00-17:30 Кавова пауза

17:30 Закриття конференції


^ СТЕНДОВІ ДОПОВІДІ


Секція 1 Стендові доповіді С1-1-35


Л.І.Панасюк, В.М., Єрмаков, В.В.Коломоєць, П.Ф. Назарчук, С.А.Федосов Міждолинне розсіювання електронів у n-Si в області температур 300-4500К

С. К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило ХАРАКТЕР ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗМІН ФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КВАНТОВИХ ТОЧОК InAs

Хандецький В.С., Тонкошкур Ю.О., Мартинович Л.Я. БЕЗКОНТАКТНІ ВИМІРЮВАННЯ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОВІДНОСТІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛІВОК

^ Д. Степанчиков Можливість генерації когерентних станів екситонів у фосфідах A3IIB2V

Луньов С.В., Назарчук П.Ф., Панасюк Л.І. Про параметри Δ1 –мінімумів в n-Ge

А.Г. Кевшин, В.В. Галян, Г.Є. Давидюк, М.В. Шевчук Вплив температури на фотолюмінесцентні властивості склоподібних сплавів системи Ag0,05Ga0,05Ge0,95S2–Er2S3

В.М., Єрмаков, В.В.Коломоєць, П.Ф. Назарчук, Л.І.Панасюк, С.А.Федосов Міждолинне розсіювання електронів у n-Si в області температур 300-4500К

В.М., Єрмаков, В.В.Коломоєць, П.Ф. Назарчук, Л.І.Панасюк, С.А.Федосов Тензорезистивні ефекти у сильно деформованих слабкоізоляторних кристалах p-Si(B) при Т=4,2К

Д.И. Блецкан, К.Е. Глухов, В.Н. Кабаций, В.В. Вакульчак Электронная структура кристаллического и стеклообразного GеS2

Д. И. Блецкан, К. Е. Глухов, В. Н. Кабаций Электронная структура кристаллов GeSe с вакансиями германия и примесью висмута по данным квантово-химических ab initio расчетов и экспериментов по фотопроводимости

М.М. Блецкан, К.Е. Глухов, А.А. Грабар Влияние полиморфизма на электронную структуру SnS

С. К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило ХАРАКТЕР ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗМІН ФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КВАНТОВИХ ТОЧОК InAs

Ящинський Л.В., ^ Коваль Ю.В., Федосов С.А., Захарчук Д.А. Вплив опромінення на фізичні властивості монокристалів антимоніду кадмію

І.П. Студеняк, В.Ю. Ізай, В.В. Панько, P. Kúš, A. Plecenik, M. Zahoran, J. Greguš, T. Roch Люмінесценція та край оптичного поглинання в імплантованих фосфором кристалах Cu6PS5I

^ Студеняк І.П., Пономарьов В.Є, Kranjčec M., Мінець Ю.В., Сусліков Л.М. Особливості композиційного розупорядкування в кристалах твердих розчинів Cu6PS5I1-xClx

В.І.Горбенко дослідження умов поверхневої дифузії атомів водню, вуглецю та кисню на графені

П.М.Буківський,Ю.П.Гнатенко, І.О.Фарина, Р.В.Гамерник, А.С.Опанасюк, В.В.Косяк ОПТИЧНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ТА СТРУКТУРНІ ВЛАСТИВОСТІ ПОЛІКРИСТАЛІЧНИХ ПЛІВОК Cd1-XMnXTe

^ Б. Бекіров, І. Іванченко, Н. Попенко,О. Житлухіна, K. Ламонова, C. Орел,

Ю. Пашкевич, А. Мельник, В. Трачевський, Л. Паранчич Дослідження розбавлених магнітних напівпровідників HgSe:Fe зі змішаною валентністю методом ЕПР

Кислий В.П., Ліптуга А.І., ^ Мороженко В.О., Піпа В.Й. Визначення кута Фарадея в напівпровідникових плоскопаралельних шарах та структурах

О.В Шуста, О.Г Сливка, П.П Гуранич, В.С.Шуста Вплив високого гідростатичного тиску на релаксаційну поведінку діелектричних властивостей кристалів СuCrxIn1-xP2S6

Туровська Л.В., Бойчук В.М., Юрчишин Л.Д., Галущак М.О., Ткачук А.І. Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у термоелектричних кристалах телуридів олова, свинцю і германію

Шевчук М.О., Бойчук В.М., Туровська Л.В., Горічок І.В. Моделі точкових дефектів і електричні властивості кристалів SmS, SmSe, SmTe

О.О.Грабар, І.М.Стойка, І.П.Пріц, О.О.Молнар, К.М.Ренгач, Ю.М.Височанський ФОТОРЕФРАКТИВНІ ВЛАСТИВОСТІ ЛЕГОВАНИХ СЕГНЕТОНАПІВПРОВІД-НИКОВИХ КРИСТАЛІВ Sn2P2S6

Т.Ю. Попик, О.Б.Шпеник, Ю.В. Попик, В.М. Фейер Низькоенергетична (0 10 еВ) ЕЛЕКТРОННА СПЕКТРОСКОПІЯ ПОВЕРХНІ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Туровська Л.В., Бойчук В.М., Юрчишин Л.Д., Галущак М.О., Ткачук А.І. Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у термоелектричних кристалах телуридів олова, свинцю і германію

Н.И.Карась Два взаимосвязанных поверхностных фотоэффекта в макропористом кремнии

^ М.Д. Тимочко, Я.М. Оліх Дослідження електрично-активних дефектів методом імпульсної акустопровідності

Yu. Nasieka, L.Rashkovetskyi, O.Strilchuk, P.Moskvin, B.Danilchenko Effect of the thermal treatment on the photoluminescence properties of gamma-irradiated CdZnTe crystals

К.К.Товстюк Порівняльний термодинамічний аналіз електроного газу у сильноанізотропних напівпровідниках для двох моделей

Беляев С.В., Даулетмуратов Б.К., Левицкий С.Н., Трищук Л.И. Неконтролируемое загрязнение в детекторном CdTe.

Беляев С.В., Гнатюк В.А., Левицкий С.Н., Трищук Л.И. Аннигиляция радиационных дефектов в детекторном CdTe

С.Г.Фелінський, П. А. Коротков, Г.С.Фелінський Вплив анізотропії на формування від’ємної діелектричної проникності в кристалах

^ Ф.М. Воробкало, В.М. Бабич, М.М. Лучкевич, В.М. Цмоць ВЗАЄМОЗВЯЗОК ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ, МАГНІТНОЇ СПРИЙНЯТЛИВОСТІ ТА МЕХАНІЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ У ПЛАСТИЧНО ДЕФОРМОВАНОМУ КРЕМНІЇ

С.Я. Горощенко ЗАКОН ДИСПЕРСИИ ДЛЯ ПОПЕРЕЧНЫХ КОЛЕБАНИЙ В ДВУМЕРНЫХ ЗИГЗАГ-СТРУКТУРАХ ЗАРЯДОВ

^ С. Прислопский, И. Тигиняну, Л. Гимпу, Э. Монайко, Л. Сырбу, С. Гапоненко Эффект обратного светорассеяния в пористых полупроводниковых структурах


Секція 2 Стендові доповіді С2-1-35


Л.А. Карачевцева, Л.О. Матвеєва, В.Ф. Онищенко, Ф.Ф. Сизов, О.Й. Стронська Електрооптичні ефекти в двовимірних структурах макропористого кремнію

^ V.N. Krivoruchko, V. N. Toichkin First-principles calculation of spin-dependent tunneling conductance of an epitaxial TbCo5|Pr2O3|TbCo5 junction

Бойчук В.І., Гольський В.Б., Сокольник О.А., Шаклеіна І.О. Квантові переходи в гетероструктурах з двошаровими квантовими точками у формі витягнутих сфероїдів

Ткач М.В., Матієк В.О., Фартушинський Р.Б. Транспортні властивості трибар’єрних резонансно-тунельних структур зі зміщеними основами квантових ям

Сеті Ю.О., Бойко І.В., Войцехівська О. М. Провідність електронного потоку крізь двобар’єрну наноструктуру з урахуванням міжелектронної взаємодії

О.Маханець, Н.Цюпак, О.Войцехівська ЕКСИТОННИЙ СПЕКТР У СКЛАДНИХ ШЕСТИГРАННИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ НАНОТРУБКАХ

^ Гуцул В.І., Грищук А.М. Потенціал поля поляризації та енергетичний спектр фононів у багатошарових наноплівках

Білинський І.В., Шевчук І.С. Вплив поляризаційних фононів на електронні, діркові та екситонні стани у квантовій точці з виродженим зонним спектром

Бойчук В.І., Білинський І.В., ^ Сокольник О.А., Пазюк Р.І. Вплив форми квантової точки на ймовірність оптичних переходів та коефіцієнт міжрівневих переходів

С.Б. Феодосьев, Н.В. Годованная, И.А. Господарев, А.В. Котляр, К.В. Кравченко Колебательные характеристики одномерных нанообразований в объеме и на поверхности кристаллов

И.А. Господарев, A. Feher, В.И. Гришаев, А.В. Котляр, К.В. Кравченко, Е.В. Манжелий, Е.С. Сыркин, С.Б. Феодосьев Влияние локальных дефектов на электронный спектр графена

Р.В. Конакова, О.С. Литвин, О.Б. Охрименко, А.М. Светличный Оптические и морфологические характеристики слоев графена, полученных на подложках карбида кремния

О.Ю. Ананьїна, П.О. Бутрімов, О.В. Северіна Вплив точкових дефектів на енергетичні параметри адсорбції водню на графені

^ Тулупенко В.Н., Белых В.Г., Беличенко Я.Г. Расчет волновых функций и энергетического спектра дырок в одномерных гетероструктурах

Войцеховский А.В.,Горн Д.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Наблюдение анализ фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной КЯ (d = 12,5 нм, x = 0,24)1

Бойчук В.І., ^ Вороняк Л.Я., Вороняк Я.М. Енергетичний спектр полярона складного квантового дроту GaN/ZnO/GaN у матриці AlN кристалів гексагональної симетрії

В.В. Стрельчук, А.С. Ніколенко, M.Я. Валах, В.O. Губанов, M.M. Білий, Л.А. Булавін Особливості електрон-фононних резонансів в одношаровому графені та їх дослідження засобами резонансної мікро-КРС спектроскопії

Белевский П.А., Винославский М.Н., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. ИК излучение в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в продольном электрическом поле

^ Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Корецький Р.М. Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si

Калитчук С. М., Корбутяк Д. В., Токарєв С. В., Ільчук Г. А., Токарєв В. С. Синтез та оптичні властивості нанокристалів CdS

А.В.Ткаченко, Г. Р. Мікаєлян КВАНТОВО-ХІМІЧНЕ ДОСЛІДЖЕННЯ АДСОРБЦІЇ КИСНЮ НА ПОВЕРХНІ Si(100)

^ Ліщинський І.М., Литвин П.М., Салій Я.П., Бачук В.В., Яворський Я.С. Топологія та особливості процесів оствальдівського дозрівання в нанометрових шарах PbTe

Л.Ю.Хархаліс, Д.М.Берча, В.А.Шендеровський ЕЛЕКТРОН - ФОНОННА ВЗАЄМОДІЯ ТА ОСОБЛИВОСТІ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ШАРУВАТИХ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ КРИСТАЛІВ

О.Б. Охрименко, А.Е. Беляев, Ф.Ф. Коломыс, Р.В. Конакова, О.С. Литвин, В.В. Стрельчук, А.М. Светличный, Е.Ю.Волков Спектры комбинационного рассеяния света пленок графена на подложках 6Н-SiC

Гуденко Ю.М., Пилипчук О.С., Вайнберг В.В., Порошин В.М., Тулупенко В.М. Магнітоопір гетероструктур p-Si1-xGex/Si з дельта-легованими квантовими ямами

Головацький В.А., Франків І.Б., Власенко М. Еволюція електронного спектру у двошарових сферичних квантових точках з донорною домішкою при зміні ширини квантової ями

О.І. Власенко, ^ В.П. Велещук, М.І. Бойко Дослідження механізмів масопереносу на поверхні CdTe та GaAs при імпульсному лазерному наноструктуруванні

Крамар В.М., Пуганцева О.В. ВПЛИВ ПОЛЯРИЗАЦІЇ ТА ЕКСИТОН-ФОНОННОЇ ВЗАЄМОДІЇ НА ПОЛОЖЕННЯ ДНА ОСНОВНОЇ ЕКСИТОННОЇ ЗОНИ У НАНОПЛІВЦІ PbI2

К.К.Товстюк Залежність ширини забороненої зони у наноструктурі Zn0,943Be0,057Se-ZnSe- Zn0,943Be0,057Se- Zn0,9Be0,057Mn0,05Se залежно від її конфігураційних особливостей та прикладеного магнітного поля

Д.А. Самодуров, С.В. Чертопалов Барьер Шоттки на основе фуллерита С60

+А.В. Наумов, А.Е. Беляев, С.А. Витусевич, В.В. Наумов Диагностика и моделирование электронного транспорта в квантовых наноструктурах на основе нитридов GaN/AlGaN

+А.А. Пикалов, Д.В. Филь Образование стационарных волн в сверхтекучем газе магнитоэкситонов в двухслойных системах

^ V.V. Il’chenko, L.G. Il’chenko, V.V. Lobanov About the electrostatic potential

in the semiconductor - vacuum - metal contact

Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О. ОТРИМАННЯ НАДГРАТКИ РOR-INP/MONO-INP

Омельченко С.А., Горбань А.А., Хмеленко О.В. Спектроскопические исследования наноразмерного оксида цинка


^ Секція 3 Стендові доповіді С3-1-37.


В.В.Егоров, М.А.Глауберман, Н.А.Канищева, В.В.Козел ВЛИЯНИЕ НЕОДНОРОДНОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА РАЗНОСТЬ КОЛЛЕКТОРНЫХ ТОКОВ ДВУХКОЛЛЕКТОРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА

Ш.Д.Курмашев, И.М.Викулин, В.И.Стафеев ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУИЗОЛЯТОРОВ

Е.А. Наздеркин, А.С. Мазинов, А.В. Каравайников Влияние оптического покрытия на эффективность фотоэлектрических элементов с аморфными полупроводниковыми слоями

А. В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В.С. Варавин,
С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев Электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава

А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, ^ С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая Компьютерное моделирование кремниевых солнечных элементов с вертикальными p–n переходами

Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.О. Мухльо, П.М. Литвин, Л.І. Велігура, З.Л. Денисова Лазерна генерація в хвилеводній ZnS:Cr-структурі при електричній накачці з ударним механізмом збудження

^ М.В. Вуйчик, С.Р. Лаворик, З.Ф. Цибрій, Є.О. Білевич, К.В. Свєженцова Вирощування гетероструктур CdTe/PbTe та їх оптичні дослідження в ІЧ-діапазоні спектру

З.Ф. Цибрій, В.В. Забудський, ^ Вуйчик М.В., Н.І. Кухтарук, М.В. Апатська, М.І. Смолій, Н.В. Дмитрук, С.Г. Бунчук, К.В. Андрєєва Приймачі випромінювання ТГц/суб-ТГц діапазону спектра на основі CdHgTe

С.І. Ющук, С.О. Юр’єв, В.Й. Коломієць, В.І. Лобойко, С.П. Дубельт ПЕРЕЛАШТОВУВАНИЙ НАДВИСОКОЧАСТОТНИЙ ГЕНЕРАТОР З РЕЗОНАТОРОМ НА ПЛІВЦІ ЗАЛІЗО-ІТРІЄВОГО ГРАНАТА

^ Возняк Ю.В., Новосядлий С.П., Сорохтей Т.Р., Кіндрат Т.П., Марчук С.М. Моделі напівізолюючих арсенідгалієвих шарів при їх формуванні компенсуючою багатозарядною імплантацією

^ Кіндрат Т.П., Новосядлий С.П., Возняк Ю.В., Сорохтей Т.Р., Марчук С.М. Особливості гетерної технології на GaAs-структурах

Г. Карчевский, В.П. Махний, В.В. Мельник, С.В. Хуснутдинов ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnTe/CdTe, ВЫРАЩЕННЫХ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИЕЙ

М.В. Ермоленко, В.В. Станкевич, О.В. Буганов, С.А. Тихомиров, С.В. Гапоненко Полностью оптический модулятор для нескольких длин волн

^ Кравців М.М., Бойчук В.І., Пелещак Р.М .,Шпотюк О.Й. Прикладні аспекти досліджень фотоелектретного стану в органічному полікристалічному напівпровіднику класу похідних дифенілу

Дмитриев А.И. Ван-дер-Ваальсова поверхность InSe как стандарт нанорельефа в метрологии нанообъектов

А.В.Приходько, А.Н.Горбань Потери мощности ФЭП из рафинированного металлургического мультикристаллического кремния, вызванные паразитными омическими сопротивлениями

^ О. Оберемок, В. Литовченко, І. Хацевич, В. Мельник, В. Попов, Д. Гамов, В. Нікірін Вплив імплантації іонів вуглецю на формування кремнієвих нанокластерів в SIMOX структурах

М. Ваків, Р. Головчак, Д. Чалий, М. Шпотюк, С. Убізський Особливості формування валентних зон напівпровідникових стекол As-Ge-Se

В.І. Гавриш Моделювання температурних режимів у конструктивних елементах мікроелектронних пристроїв із чужорідними наскрізними включеннями

Шевчик-Шекера А.В. NEP ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ МИЛЛИМЕТРОВОГО И СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНОВ. Расчет их предельных значений

^ А. Пастушенко, А. Сариков, А. Климовская Эволюция капель золота на поверхности кремния

Оліх О.Я., Онисюк С.В. Особливості динамічного ультразвукового впливу на -опромінені кремнієві m-s-структури

Быткин С.В., Критская Т.В. Радиационная деградация времени жизни неосновных носителей заряда в тиристорах на основе

Бондаренко О.В., Степанов Д.М. Самонесучий оптичний кабель в умовах фізико-кліматичних навантажень

Птащенко О.О., Птащенко Ф.О., Довганюк Г.В. Механізми підсилення поверхневого струму в переходах, індукованого адсорбційними процесами

Сукач А.В., Тетьоркін В.В., Стратійчук І.Б., ^ Шевченко М.В. МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ ПОТЕНЦІАЛЬНОГО БАР’ЄРУ В СТРУКТУРАХ Au/p-CdTe

В.Кормош, И. Алякшев, М.Ивановская, Е. Оводок Полупроводниковые микросенсоры для контроля микроконцентраций СО в воздухе

V.Abaskin, E. Achimova Using the optical code for simulation of the fiber-optic ESPI set-up design

М.В.Голубенко, М.М.Мездрогина, С.В.Разумов Формирование спектров излучения внутрицентровых 4f переходов легирующих примесей РЗИ ( Eu,Sm,Er,Tm,Yb) в монокристаллических пленках ZnO

^ Г. І. Сингаївська, В. В. Коротєєв Ефект анізотропії високочастотної провідності, що наведена електричним полем в компенсованому GaN

С.Г.Фелінський, Г.С.Фелінський Антивідбиваючі канали у терагерцових спектрах кристалів

^ Sergii Chertopalov, Tsukasa Yoshida ZnO/polymer-fullerene hybrid solar cell

П.Л. Нелюба, Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, Л.А.Матвеева ПРЕИМУЩЕСТВО МИКРОРЕЛЬЕФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНИКЕ

Беляев С.В., Гнатюк В.А., Левицкий С.Н., Кравецкий М.Ю. Особенности произведения µτ в детекторном CdTe

О.Б. Охрименко, А.А. Коломыс, Р.В. Конакова, В.В. Стрельчук, А.М. Светличный Спектры комбинационного рассеяния слоев пористого карбида кремния с нанесенной пленкой титана

+N.D. Vorzobova, V.G. Bulgakova, Yu.E. Burunkova, A.I. Moskalenko The process of periodic structures fabrication in nanocomposite materials


Секція 4 Стендові доповіді С4-1-100.


Павлович І.І., Томашик В.М., Томашик З.Ф., Стратійчук І.Б., *Копил О.І. ФОРМУВАННЯ ПОЛІРОВАНОЇ ПОВЕРХНІ КРИСТАЛІВ НА ОСНОВІ Ві2Те3^ ТРАВНИКАМИ H2O2–HBr–МОДИФІКАТОР В’ЯЗКОСТІ

Балабай Р.М. Пасивація епітаксіальних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів

+Терлецкая Л.Л., Копыт Н.Х., Голубцов В.В. ДИАГНОСТИКА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ КОМПЬЮТЕРНОЙ ДИЭЛЬКОМЕТРИИ

Hовиков В. А., Хрипунов Г.С., ^ Копач Г.И., Шкалето В.И. Физико-технологические основы газовых датчиков адсорбционно-полупроводникового типа на основе пленок оксида олова

Е.П. Прокопьев, В.И. Графутин, С.П.Тимошенков Возможное Влияние нанообъектов на свойства полупроводников по данным позитронных аннигиляционных спектров.

^ О.П. Малик , Г.В. Кеньо Взаємодія носіїв заряду з близькодіючим потенціалом дефектів в нітриді галію

Рибак О.В., Біленька О.Б. Технологія вирощування та оптична діагностика кристалів PbI2, легованих міддю

^ Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, Н.Д. Волкова, В.Р.Копач, В.М. Любов, А.В. Копач, Д.А. Кудій Структура і фізичні властивості шарів кадмій сульфіду, одержаних рідиннофазним хімічним осадженням

Карачевцева Л.А., Покровський В.О., ^ Литвиненко О.О., Паршин К.А., Севериновська О.В., Орел І.Л. Іонізаційна підкладка на основі макропористого кремнію для лазерно-десорбційної мас-спектрометрії

Ш.Д.Курмашев, И.М.Викулин, И.И.Синина 2D- ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ В ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ CdxHg1-xTe ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ РАДИАЦИИ

Ш.Д.Курмашев, Т.Н.Бугаева, Т.И.Лавренова, Н.Н.Садова ПЕРКОЛЯЦИОННЫЕ ТОКИ В ГЕТЕРОФАЗНЫХКОМПОЗИТАХ “СТЕКЛО-КЛАСТЕРЫ Ag-Pd”

P.O. Gentsar, O.І. Vlasenko, М.V. Vuichyk, М.S. Zayats, М.P. Kyselyuk, Ts.А. Kryskov Characteristics of optical reflection of thin GaSe/n-Si(100) and GaSe/n-Si(111) films in visible and infrared spectral regions

^ П.О. Генцарь, О.І. Власенко, М.В. Вуйчик, М.С. Заяць, М.П. Киселюк,
Ц.А. Криськов, І.В. Кругленко, К.В. Свєженцова Особливості росту та оптичні дослідження тонких плівок InSe/n-Si

^ Генцарь П.О., Власенко О.І., Вуйчик М.В., Гнатюк В.А., Заяць М.С., Левицький С.М.,
Насєка Ю.М., Стрільчук О.М., Маслов В.П. Оптичні дослідження високоомних монокристалів CdTe та твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x=0,1)

Бурлак Г.М., Вилинская Л.Н. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕЧЕНИЯ ОКИСНЫХ ПЛЕНОК ТАНТАЛА В КОНТАКТЕ С ЭЛЕКТРОЛИТОМ

М.Д. Раранський, В.Н. Балазюк, М.І. Мельник, В. О. Хандожко Структурна стабільність та характер хімічного зв’язку ізоаніонного ряду напівпровідникових сполук ZnTe→CdTe→HgTe

^ Гуцул І.В., Гуцул В.І. Особливості нестаціонарного розподілу температури анізотропного термоелемента при імпульсному збудженні

Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.В. Сопінський, З.Л. Денисова, Л.І. Велігура, Є.Г. Гулє, М.А. Мухльо Електронні стани на поверхні кремнію після напилення та відпалу плівки SiOx

Н.А. Власенко, М.В. Сопінський, Є.Г. Гулє, В.Я. Братусь, В.В. Стрельчук, Л.І. Велігура, А.С. Ніколенко, М.А. Мухльо Вплив легування фторидом ербію на структуру та фотолюмінесценцію плівок SiOх

^ Чухненко П.С., Томашик В.М., Стратійчук І.Б., Томашик З.Ф. Хіміко-механічне полірування нелегованого та легованого CdTe травниками (NH4)2Cr2O7 – HCl – цитратна кислота/етиленгліколь.

^ Третяк А.П., Божко В.В., Давидюк Г.Є., Булатецька Л.В., Парасюк О.В., Семенюк С.А. Залежність оптичних та фотоелектричних параметрів твердих розчинів AgCd2-xMnxGaSe4 від природи і концентрації структурних дефектів

А.В. Линник, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов Исследование наноразмерных полупроводниковых пленок на поверхности подложек из AIIIBV методом динамического зонда Кельвина

^ Ивановская М.И., Котиков Д.А. Синтез, структура, магнитные и электропроводящие свойства нанокомпозитов SiO2–Fe2O3

Г И. Котов, Н.Н. Безрядин, С.В. Кузубов, Ю.Н. Власов, А.В. Кортунов, Г.А. Панин Структурно-фазовые превращения и электронные процессы на поверхности полупроводников AIIIBV после обработки в парах селена

^ А.І. Манілов, В.А. Скришевський, С.О. Алексєєв, Г.В. Кузнєцов Вплив сорбції молекулярного водню на імпеданс мембран поруватого кремнію та його композитів з паладієм

^ Коротаев А.Г., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Исследование влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок CdHgTe

М.М. Слетов, И.В. Ткаченко, Е.И. Черных, К.С. Ульяницкий ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА